JPH02305407A - 薄膜サーミスタ - Google Patents
薄膜サーミスタInfo
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- JPH02305407A JPH02305407A JP12700489A JP12700489A JPH02305407A JP H02305407 A JPH02305407 A JP H02305407A JP 12700489 A JP12700489 A JP 12700489A JP 12700489 A JP12700489 A JP 12700489A JP H02305407 A JPH02305407 A JP H02305407A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐熱性の高いＳｉＣ薄膜サーミスタに関するも
ので、このＳｔ−’Ｃ薄膜サーミスタは電気オープン、
ガスオーブンなどの温度センサとして利用される。
ので、このＳｔ−’Ｃ薄膜サーミスタは電気オープン、
ガスオーブンなどの温度センサとして利用される。
従来の技術
ＳｉＣ薄膜サーミスタは、耐熱性に優れると共に広い温
度領域を検出できるサーミスタとして知られており、そ
の構成は、例えば、ナショナルテクニカルレポート （
Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ
）Ｖｏｌ、２９． （１９８３） Ｐ、１４５に示され
るように、第３図のような構成になっていた。すなわち
、５ｉＣＩ膜サーミスタ１はサーミスタ素子２、リード
線３および硝子被覆層４で構成される。硝子被覆層はサ
ーミスタ素子２を被覆するように形成される。
度領域を検出できるサーミスタとして知られており、そ
の構成は、例えば、ナショナルテクニカルレポート （
Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ
）Ｖｏｌ、２９． （１９８３） Ｐ、１４５に示され
るように、第３図のような構成になっていた。すなわち
、５ｉＣＩ膜サーミスタ１はサーミスタ素子２、リード
線３および硝子被覆層４で構成される。硝子被覆層はサ
ーミスタ素子２を被覆するように形成される。
サーミスタ素子２は、あらかじめ第１電極１１！２１ａ
および第２電極膜２１ｂから成る一対の電極膜２１の形
成された絶縁性基板２２の一方の表面に、スパックＳｉ
Ｃ３膜２３を形成して構成される。代表的絶縁性基板２
２としてアルミナ基板２２が用いられる。
および第２電極膜２１ｂから成る一対の電極膜２１の形
成された絶縁性基板２２の一方の表面に、スパックＳｉ
Ｃ３膜２３を形成して構成される。代表的絶縁性基板２
２としてアルミナ基板２２が用いられる。
アルミナ基板２２は、通常、表面粗さ２〜３μｍ、純度
的９５％のものが用いられる６代表的一対の電極膜２１
としてＡｕ−ＰＬ焼成電極ｒｙＪ２１が用いられる。
的９５％のものが用いられる６代表的一対の電極膜２１
としてＡｕ−ＰＬ焼成電極ｒｙＪ２１が用いられる。
更にＳｉＣ薄膜薄膜サーミスタ点度センサとして実用さ
れる場合、第４図に示すような回路が用いられていた。
れる場合、第４図に示すような回路が用いられていた。
すなわち、５ｉＣ９ｌ模サーミスタｌに固定抵抗器５を
直列接続し、その両端６゜７に直流電圧ｖ４を印加し、
中間点８の出力電圧■、が温度制御信号として用いられ
ていた。このとき、必要な温度精度を得るために、Ｓｉ
Ｃ薄膜サーミスタ１の抵抗値は±（３〜６）％にトリミ
ングされていた。
直列接続し、その両端６゜７に直流電圧ｖ４を印加し、
中間点８の出力電圧■、が温度制御信号として用いられ
ていた。このとき、必要な温度精度を得るために、Ｓｉ
Ｃ薄膜サーミスタ１の抵抗値は±（３〜６）％にトリミ
ングされていた。
発明が解決しようとする課題
しかし、このような抵抗値のトリミングは次のような課
題があった。すなわち、５ｉＣｉ膜２３は融点（分解温
度）が２８００°Ｃ以上と高いので、レーザトリミング
が困難である。このため抵抗値のトリミングは一対の電
極膜２２の適切な部分をダイアモンド刃で切削する方法
が用いられている。しかし、この方法は機械的な方法で
あるので、微小な制御が困難であり、また多くの処理時
間を必要とするなどの欠点があった。
題があった。すなわち、５ｉＣｉ膜２３は融点（分解温
度）が２８００°Ｃ以上と高いので、レーザトリミング
が困難である。このため抵抗値のトリミングは一対の電
極膜２２の適切な部分をダイアモンド刃で切削する方法
が用いられている。しかし、この方法は機械的な方法で
あるので、微小な制御が困難であり、また多くの処理時
間を必要とするなどの欠点があった。
また、上記の複雑なトリミングを避けるには、５ｉｃｉ
膜サーミスタｌの抵抗値に合わせて固定抵抗器５の抵抗
値を選択する方法もある。しかし、この場合、５ｉＣｆ
ｉ膜サーミスタｌの抵抗値を適切な精度で分類する必要
があり、さらにその抵抗値に適した固定抵抗器５を選択
しなければならないので、作業が複雑になり、高価格に
なるという欠点があった。
膜サーミスタｌの抵抗値に合わせて固定抵抗器５の抵抗
値を選択する方法もある。しかし、この場合、５ｉＣｆ
ｉ膜サーミスタｌの抵抗値を適切な精度で分類する必要
があり、さらにその抵抗値に適した固定抵抗器５を選択
しなければならないので、作業が複雑になり、高価格に
なるという欠点があった。
そこで本発明の第一の目的は、出力電圧Ｖ、を高精度で
短時間に調整できるＳｉＣ薄膜サーミスタの構成を提供
することである。
短時間に調整できるＳｉＣ薄膜サーミスタの構成を提供
することである。
また、本発明の第二の目的は、５ｉＣＴ？ｌ膜サーミス
タを実用するに適したサーミスタの支持構成を提供する
ことである。
タを実用するに適したサーミスタの支持構成を提供する
ことである。
課１１条継ｆ３４め神Ａ
本発明のＳｉＣ薄膜サーミスタは、絶縁性基板と、前記
絶縁性基板の上に形成された第１電極膜および第２の電
極膜で構成された一対の電極膜と、前記絶縁性基板と前
記一対の電極膜の上に形成されたＳｉＣスパッタ薄膜と
、前記絶縁性基板の上に形成された第３電極膜と前記第
１電極膜もしくは前記第２電極膜のどちらか一方の電極
膜と前記第３電極膜とを接続するように形成され、かつ
トリミングの容易な抵抗体膜から成る。すなわち、本発
明のＳｉＣ薄膜サーミスタは、ＳｉＣ薄膜。
絶縁性基板の上に形成された第１電極膜および第２の電
極膜で構成された一対の電極膜と、前記絶縁性基板と前
記一対の電極膜の上に形成されたＳｉＣスパッタ薄膜と
、前記絶縁性基板の上に形成された第３電極膜と前記第
１電極膜もしくは前記第２電極膜のどちらか一方の電極
膜と前記第３電極膜とを接続するように形成され、かつ
トリミングの容易な抵抗体膜から成る。すなわち、本発
明のＳｉＣ薄膜サーミスタは、ＳｉＣ薄膜。
電極膜およびトリミングの容易な抵抗体膜を同一るよう
に前記抵抗体膜が形成された場合、前記第１電極膜と前
記第３電極膜との間に直流電圧ｖ４が印加され、前記第
２電極膜と前記第３電極膜との間で出力電圧■３が取り
出される。トリミングの容易な前記抵抗体膜は前記第２
１極膜と前記第３ｉｉｔ極膜との間に形成されているの
で、ＳｉＣスパッタ薄膜の抵抗値に合わせて、出力電圧
■、が所定の値になるように前記抵抗体の抵抗値がトリ
ミングされる。
に前記抵抗体膜が形成された場合、前記第１電極膜と前
記第３電極膜との間に直流電圧ｖ４が印加され、前記第
２電極膜と前記第３電極膜との間で出力電圧■３が取り
出される。トリミングの容易な前記抵抗体膜は前記第２
１極膜と前記第３ｉｉｔ極膜との間に形成されているの
で、ＳｉＣスパッタ薄膜の抵抗値に合わせて、出力電圧
■、が所定の値になるように前記抵抗体の抵抗値がトリ
ミングされる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。第１図は本発明のＳｉＣ薄膜サーミスタの構造を示
す平面図である。
る。第１図は本発明のＳｉＣ薄膜サーミスタの構造を示
す平面図である。
サーミスタ素子２は絶縁性基板２２と、この絶縁性基板
２２の上に形成された第１電極膜２１ａおよび第２電極
膜２１ｂで構成された一対の電極膜と、前記絶縁性基板
２２と前記一対の電極膜２１ａ、２１ｂの上に形成され
たＳｉＣスパッタ薄膜２３と、前記地縁性基板２２の上
に形成された第３電極膜２１ｃと、前記第２電極膜２１
ｂと前記第３電極膜２１ｃとを接続するように形成され
、かつトリミングの容易な抵抗体膜２４から成る。５ｉ
ＣＦＩＪ膜サーミスタはこのサーミスタ素子２．リード
線およびサーミスタ素子を被覆する硝子被覆層（図に示
されていない）から構成した。リード線３ａ、３ｂ、３
ｃは、第１電極膜２１ａ、第２電極膜２１ｂ、第３電極
膜２１ｃのそれぞれに接続した。
２２の上に形成された第１電極膜２１ａおよび第２電極
膜２１ｂで構成された一対の電極膜と、前記絶縁性基板
２２と前記一対の電極膜２１ａ、２１ｂの上に形成され
たＳｉＣスパッタ薄膜２３と、前記地縁性基板２２の上
に形成された第３電極膜２１ｃと、前記第２電極膜２１
ｂと前記第３電極膜２１ｃとを接続するように形成され
、かつトリミングの容易な抵抗体膜２４から成る。５ｉ
ＣＦＩＪ膜サーミスタはこのサーミスタ素子２．リード
線およびサーミスタ素子を被覆する硝子被覆層（図に示
されていない）から構成した。リード線３ａ、３ｂ、３
ｃは、第１電極膜２１ａ、第２電極膜２１ｂ、第３電極
膜２１ｃのそれぞれに接続した。
絶縁性基板２２としてアルミナ基板を用いた。第１電極
膜２１ａ、第２電極膜２１ｂおよび第３電極膜２１ｃと
してＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ−ｐｔ、Ａｇ
−ＰＬなどの焼成厚膜電極膜あるいはＣｒ−Ａｕ、Ｃｒ
−Ｐｔ、Ｃｒ−Ａｇなどの薄膜電極膜が用いられるが、
これらの中でもＡｇ−Ｐｔ焼成厚膜電極膜は耐熱性の優
れている点で好ましい。ＳｉＣスパッタ薄膜２３は、高
周波スパッタ法によりＳｉＣセラミックをターゲットと
して、基板温度約７００°Ｃ、スパッタ時間２時間、高
周波電力約４ Ｗ ／ ｃＪの条件下で、約２μｍに形
成した。
膜２１ａ、第２電極膜２１ｂおよび第３電極膜２１ｃと
してＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ−ｐｔ、Ａｇ
−ＰＬなどの焼成厚膜電極膜あるいはＣｒ−Ａｕ、Ｃｒ
−Ｐｔ、Ｃｒ−Ａｇなどの薄膜電極膜が用いられるが、
これらの中でもＡｇ−Ｐｔ焼成厚膜電極膜は耐熱性の優
れている点で好ましい。ＳｉＣスパッタ薄膜２３は、高
周波スパッタ法によりＳｉＣセラミックをターゲットと
して、基板温度約７００°Ｃ、スパッタ時間２時間、高
周波電力約４ Ｗ ／ ｃＪの条件下で、約２μｍに形
成した。
トリミングの容易な抵抗体膜２４として、Ａｇ−Ｐｄ、
Ｒｕｂ、、Ｐｔなどの焼成厚膜抵抗体膜、ＮｉＣｒ、Ｔ
ｉＮ、Ｐｔ、５ｎｏ２などのＦＷ膜抵抗体膜が用いられ
る。これらの抵抗体膜２４はいずれも通常のレーザトリ
ミング装置、あるいはサンドブラスト装置で容易にトリ
ミングできる。これらの抵抗体膜２４の中でもＲｕＯ□
焼成厚膜抵抗体膜は、工業的に広く利用されており、種
々の面積抵抗値のペーストが容易に入手可能でありまた
抵抗温度係数も小さい点で優れている。
Ｒｕｂ、、Ｐｔなどの焼成厚膜抵抗体膜、ＮｉＣｒ、Ｔ
ｉＮ、Ｐｔ、５ｎｏ２などのＦＷ膜抵抗体膜が用いられ
る。これらの抵抗体膜２４はいずれも通常のレーザトリ
ミング装置、あるいはサンドブラスト装置で容易にトリ
ミングできる。これらの抵抗体膜２４の中でもＲｕＯ□
焼成厚膜抵抗体膜は、工業的に広く利用されており、種
々の面積抵抗値のペーストが容易に入手可能でありまた
抵抗温度係数も小さい点で優れている。
リード線３ｃをアース電位にして、リード線３ａと３ｃ
の間に直流電圧Ｖ４を印加し、リード線３ｂと３０の間
で出力電圧ｖｓを測定した。ＳｉＣスパッタ薄膜２３の
抵抗値をＲ、トリミングの容易な抵抗体２４の抵抗値を
ｒとすると、Ｖ、／Ｖ。
の間に直流電圧Ｖ４を印加し、リード線３ｂと３０の間
で出力電圧ｖｓを測定した。ＳｉＣスパッタ薄膜２３の
抵抗値をＲ、トリミングの容易な抵抗体２４の抵抗値を
ｒとすると、Ｖ、／Ｖ。
＝ｒ／ （Ｒ＋ｒ）＝１／ （１＋Ｒ／ｒ）となるので
、出力電圧Ｖ、は比（Ｒ／ｒ）で決められる。
、出力電圧Ｖ、は比（Ｒ／ｒ）で決められる。
ＳｉＣスパッタ薄膜２３の抵抗値Ｒのばらつきはロント
間も含めると±（ｇｏ −３０）％あるので、出力電圧
■１もほぼ同じばらつきを示した。しかし、本発明の薄
膜サーミスタ１は、絶縁性基板２２の上に第１電極膜２
１ａ、第２電極膜２１ｂ、第３電極膜２１ｃ、Ｓｉ、Ｃ
薄膜２３およびトリミングの容易な抵抗体２４が集積さ
れている。このため５ｉＣＦＩ膜２３の抵抗値Ｒに合わ
せて、比（Ｒ／ｒ）が一定になるように抵抗体２４の抵
抗値ｒを容易にトリミングできるので、出力電圧■、を
所定の値に対して±１％以下の精度で調整できる。トリ
ミングはレーザトリミング法でも、サンドブラスト法で
もよく、処理時間は従来の機械的方法に比べ１／１ｏ以
下にできた。
間も含めると±（ｇｏ −３０）％あるので、出力電圧
■１もほぼ同じばらつきを示した。しかし、本発明の薄
膜サーミスタ１は、絶縁性基板２２の上に第１電極膜２
１ａ、第２電極膜２１ｂ、第３電極膜２１ｃ、Ｓｉ、Ｃ
薄膜２３およびトリミングの容易な抵抗体２４が集積さ
れている。このため５ｉＣＦＩ膜２３の抵抗値Ｒに合わ
せて、比（Ｒ／ｒ）が一定になるように抵抗体２４の抵
抗値ｒを容易にトリミングできるので、出力電圧■、を
所定の値に対して±１％以下の精度で調整できる。トリ
ミングはレーザトリミング法でも、サンドブラスト法で
もよく、処理時間は従来の機械的方法に比べ１／１ｏ以
下にできた。
本発明の薄膜サーミスタを実用する場合、第２図に示す
ように、絶縁性基板２２を長方形にし、この長方形状絶
縁性基板２２の長手方向の端部に第１電極膜２１ａ、第
２電極膜２１ｂで構成された一対の電極膜を形成し、長
方形状絶縁性基板２２と前記一対の電極膜の上にＳｉＣ
スパッタ薄膜２３を形成し、長方形状絶縁性基板２２の
上に第３電極膜２１ｃを形成し、長方形状絶縁性基板２
２の長手方向の他の端部に位置して、第１電極膜２１ａ
もしくは第２＠極膜２１ｂのどちらか一方の電極膜と第
３電極膜２１ｃとを接続するようにトリミングの容易な
抵抗体ｎり２４を形成し、ＳｉＣスパンタＦｙＪＨ’：
！ ２３とトリミングの容易な抵抗体膜２４を被覆する
硝子被覆層４を形成し、ＳｉＣスパッタ薄膜２３とトリ
ミングの容易な抵抗体膜２４の中間の位置で、長方形状
絶縁性基板２２を支持体９で固定することが望ましい。
ように、絶縁性基板２２を長方形にし、この長方形状絶
縁性基板２２の長手方向の端部に第１電極膜２１ａ、第
２電極膜２１ｂで構成された一対の電極膜を形成し、長
方形状絶縁性基板２２と前記一対の電極膜の上にＳｉＣ
スパッタ薄膜２３を形成し、長方形状絶縁性基板２２の
上に第３電極膜２１ｃを形成し、長方形状絶縁性基板２
２の長手方向の他の端部に位置して、第１電極膜２１ａ
もしくは第２＠極膜２１ｂのどちらか一方の電極膜と第
３電極膜２１ｃとを接続するようにトリミングの容易な
抵抗体ｎり２４を形成し、ＳｉＣスパンタＦｙＪＨ’：
！ ２３とトリミングの容易な抵抗体膜２４を被覆する
硝子被覆層４を形成し、ＳｉＣスパッタ薄膜２３とトリ
ミングの容易な抵抗体膜２４の中間の位置で、長方形状
絶縁性基板２２を支持体９で固定することが望ましい。
例えば、第２図の薄膜サーミスタを調理器に適用した場
合、支持体９に設けられた貫通穴１０を利用して、本発
明の薄膜サーミスタが庫壁に取り付けられる。このとき
、ＳｉＣスパッタ薄膜２３は調理器庫内に配置され、庫
内温度検出に用いられる。
合、支持体９に設けられた貫通穴１０を利用して、本発
明の薄膜サーミスタが庫壁に取り付けられる。このとき
、ＳｉＣスパッタ薄膜２３は調理器庫内に配置され、庫
内温度検出に用いられる。
他方、トリミング容易な抵抗体２４は、支持体９を介し
て調理器庫外に配置される。庫内温度は最高温度で３０
０°Ｃ以上に上昇するが、トリミング容易な抵抗体２４
の部分の温度は、支持体９が放熱板の役目も果たすので
、最高温度でも１５０°Ｃ以下に押さえることができる
。ＲｕＯ□なとの抵抗体２４の動作温度は通常１５０°
Ｃ以下であるので、第２図の構成により、実用が可能に
なる。
て調理器庫外に配置される。庫内温度は最高温度で３０
０°Ｃ以上に上昇するが、トリミング容易な抵抗体２４
の部分の温度は、支持体９が放熱板の役目も果たすので
、最高温度でも１５０°Ｃ以下に押さえることができる
。ＲｕＯ□なとの抵抗体２４の動作温度は通常１５０°
Ｃ以下であるので、第２図の構成により、実用が可能に
なる。
抵抗体２４の部分の温度を１５０°Ｃ以下に押さえるに
は、長方形状絶縁性基板２２の長手方向の長さは３ｃｎ
＋以上とするのが望ましい。これ以下の長さでは、抵抗
体２４の部分が庫内から十分に熱ｔ＠縁されず、温度が
１５０°Ｃ以上になるからである。支持体９は、熱伝導
率の高金属が優れているが、ムライト５アルミナなどの
セラミックでもよい。また、長方形状絶縁性基板２２と
支持体９の固定は、耐熱性の優れた無機接着剤などでな
される。
は、長方形状絶縁性基板２２の長手方向の長さは３ｃｎ
＋以上とするのが望ましい。これ以下の長さでは、抵抗
体２４の部分が庫内から十分に熱ｔ＠縁されず、温度が
１５０°Ｃ以上になるからである。支持体９は、熱伝導
率の高金属が優れているが、ムライト５アルミナなどの
セラミックでもよい。また、長方形状絶縁性基板２２と
支持体９の固定は、耐熱性の優れた無機接着剤などでな
される。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば次に示す効果が
得られる。
得られる。
（１）同一の絶縁性基板の上にＳｉＣスパッタ薄膜とト
リミングの容易な抵抗体が直列に接続されて集積されて
いるので、ＳｉＣスパッタ薄膜の抵抗値に併せてこの抵
抗体の抵抗値をトリミングすることにより、出力電圧を
構成度に調整できる。
リミングの容易な抵抗体が直列に接続されて集積されて
いるので、ＳｉＣスパッタ薄膜の抵抗値に併せてこの抵
抗体の抵抗値をトリミングすることにより、出力電圧を
構成度に調整できる。
（２） このトリミングはレーザトリミング法でも、
サンドブラスト法でも使用できるので、トリミング処理
時間は従来に比べて１／１０以下にできる。
サンドブラスト法でも使用できるので、トリミング処理
時間は従来に比べて１／１０以下にできる。
（３）ＳｉＣスパッタ薄膜とトリミングの容易な抵抗体
の中間の位置で、絶縁性基板を支持体に固定することに
より、この抵抗体の部分の温度を１５０°Ｃ以下に押さ
えることができるので、Ｒｕ ０２などの抵抗体を実用
できる。
の中間の位置で、絶縁性基板を支持体に固定することに
より、この抵抗体の部分の温度を１５０°Ｃ以下に押さ
えることができるので、Ｒｕ ０２などの抵抗体を実用
できる。
第１図は本発明のＳｉＣ薄膜サーミスタの一実施例を示
す平面図、第２図は本発明のＳｉＣ薄膜サーミスタの他
の実施例を示す見取り図、第３図は従来のＳｉＣ薄膜サ
ーミスタ示す見取り図、第４図は電気回路図である。 ２１ａ・・・・・・第１電極膜、２１ｂ・・・・・・第
２電橿膜、２１ｃ・・・・・・第３電極膜、２２・・・
・・・絶縁性基板、２３・・・・・・ＳｉＣスパッタ薄
膜、２４・・・・・・トリミングの容易な抵抗体膜。 ２１Ｑ−一オー電徴饗 ２Ｔｂ−７二階＊ｍ ２１ｃ −−一 才 ＝ 電Ｙ＆庸 η−・−絽纒牲 基板 ２３−＝ Ｓｔ ＣスＪ（”−）り簿原２４−−−）、
リミングの容易なル坑惨績第１図 ’−、／−−ノ 第 ２ 図
す平面図、第２図は本発明のＳｉＣ薄膜サーミスタの他
の実施例を示す見取り図、第３図は従来のＳｉＣ薄膜サ
ーミスタ示す見取り図、第４図は電気回路図である。 ２１ａ・・・・・・第１電極膜、２１ｂ・・・・・・第
２電橿膜、２１ｃ・・・・・・第３電極膜、２２・・・
・・・絶縁性基板、２３・・・・・・ＳｉＣスパッタ薄
膜、２４・・・・・・トリミングの容易な抵抗体膜。 ２１Ｑ−一オー電徴饗 ２Ｔｂ−７二階＊ｍ ２１ｃ −−一 才 ＝ 電Ｙ＆庸 η−・−絽纒牲 基板 ２３−＝ Ｓｔ ＣスＪ（”−）り簿原２４−−−）、
リミングの容易なル坑惨績第１図 ’−、／−−ノ 第 ２ 図
Claims (4)
- （１）絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成された
第１電極膜および第２の電極膜で構成された一対の電極
膜と、前記絶縁性基板と前記一対の電極膜の上に形成さ
れたＳｉＣスパッタ薄膜と、前記絶縁性基板の上に形成
された第３電極膜と、前記第１電極膜もしくは前記第２
電極膜のどちらか一方の電極膜と前記第３電極膜とを接
続するように形成され、かつトリミングの容易な抵抗体
膜とから成ることを特徴とする薄膜サーミスタ。 - （２）トリミングの容易な抵抗体膜が酸化ルテニウム焼
成厚膜抵抗体膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の薄膜サーミスタ。 - （３）長方形状絶縁性基板と、前記長方形状絶縁性基板
の長手方向の端部に形成された第１電極膜および第２の
電極膜で形成された一対の電極膜と、前記長方形状絶縁
性基板と前記一対の電極膜の上に形成されたＳｉＣスパ
ッタ薄膜と、前記長方形状絶縁性基板の上に形成された
第３電極膜と、前記長方形状絶縁性基板の長手方向の他
の端部に位置して、前記第１電極膜もしくは前記第２電
極膜のどちらか一方の電極膜と前記第３電極膜とを接続
するように形成され、かつトリミングの容易な抵抗体膜
と前記ＳｉＣスパッタ薄膜と前記トリミングの容易な抵
抗体膜を被覆する硝子被覆層と前記ＳｉＣスパッタ薄膜
と前記トリミングの容易な抵抗体膜の中間の位置で、前
記長方形状絶縁性基板を固定する支持体とから成ること
を特徴とする薄膜サーミスタ。 - （４）長方形状絶縁性基板の長手方向の長さが３ｃｍ以
上であることを特徴とする特許請求の範囲第（３）項記
載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12700489A JPH02305407A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 薄膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12700489A JPH02305407A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 薄膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305407A true JPH02305407A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14949301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12700489A Pending JPH02305407A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 薄膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02305407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007093453A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsubishi Materials Corp | 表面実装型温度センサ |
| CN106982481A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-07-25 | 广东天物新材料科技有限公司 | 一种快速发热元件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712504A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film thermistor |
| JPS62160704A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | 三菱電機株式会社 | 化合物系抵抗体の抵抗値制御方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12700489A patent/JPH02305407A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712504A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film thermistor |
| JPS62160704A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | 三菱電機株式会社 | 化合物系抵抗体の抵抗値制御方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007093453A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsubishi Materials Corp | 表面実装型温度センサ |
| CN106982481A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-07-25 | 广东天物新材料科技有限公司 | 一种快速发热元件 |
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