JPH02304532A - アクテブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクテブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH02304532A JPH02304532A JP1127304A JP12730489A JPH02304532A JP H02304532 A JPH02304532 A JP H02304532A JP 1127304 A JP1127304 A JP 1127304A JP 12730489 A JP12730489 A JP 12730489A JP H02304532 A JPH02304532 A JP H02304532A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
＋ｑ明は薄膜トランジスタを用いたアクテブマトリクス
型液晶表示装置に関する。
型液晶表示装置に関する。
（７）従来の技術
近年、非晶質半導体材料、特にアモルファス・シリコン
（以下ａ−５ｉと略記する）膜等の非晶質材料は、その
物性上の特徴及びフラズマＣｖＤ法という形成法の利点
をいかしてこれまでの単結晶シリコン（以下ｃ−５ｉと
略記する）では実現不−Ｉ丁能であった分野への応用を
開拓している。特に；１−８ｉ膜はプラズマ反応という
形成法で成膜′ごきるため、太陽電池や大面積液晶ＴＶ
用の画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（
以］・ＴＰＴと略記する）などに応用されている。
（以下ａ−５ｉと略記する）膜等の非晶質材料は、その
物性上の特徴及びフラズマＣｖＤ法という形成法の利点
をいかしてこれまでの単結晶シリコン（以下ｃ−５ｉと
略記する）では実現不−Ｉ丁能であった分野への応用を
開拓している。特に；１−８ｉ膜はプラズマ反応という
形成法で成膜′ごきるため、太陽電池や大面積液晶ＴＶ
用の画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（
以］・ＴＰＴと略記する）などに応用されている。
アクテブマトリクス型の液晶表示装置へのａ−５ｉＴＦ
Ｔの応用は、プラズマ反応の大面積化が’ｆ”ｊｙであ
るばかりでな（、同−反応法を用いて、ＴＰＴのゲート
絶縁膜やパッシベーション膜となる窒化シリコン（以Ｆ
ＳｉＮｘ）膜や酸化シリコン 、以Ｆ Ｓ ｉ Ｏ＊）
膜を反応ガスを変更するだけ−で直続的に形成できると
いう製造上の長所を生かし、たちのである。
Ｔの応用は、プラズマ反応の大面積化が’ｆ”ｊｙであ
るばかりでな（、同−反応法を用いて、ＴＰＴのゲート
絶縁膜やパッシベーション膜となる窒化シリコン（以Ｆ
ＳｉＮｘ）膜や酸化シリコン 、以Ｆ Ｓ ｉ Ｏ＊）
膜を反応ガスを変更するだけ−で直続的に形成できると
いう製造上の長所を生かし、たちのである。
喜５図にアクテブマトリクス型液晶表示装置の等価回路
図を示している。即ち、同図によれば複数の走査配線Ｇ
１．Ｇ２、・・・と信号配線Ｄ１．Ｄ２、・・・どの各
交差点にＴＰＴ（単にＴと記述する）を介して液晶セグ
メント容量ＣＬが接続されている。こり）よ・）な従来
のＴＰＴは、第２図に示す如く、ガラス基＋ＩｉＬに、
第１ゲート電極２（走査配線Ｇにつながる１、ａ−５ｔ
膜５．ｎ”ａ−５ｉ膜６（オーこ・・ｌクコンタクト領
域）、ドレイン電極７（１，５号配線りにつながる）並
びにソース電極８（セグメント単位の表示電極１にコン
タクト金属３を（１−して接続される）を積層構成した
ものである。
図を示している。即ち、同図によれば複数の走査配線Ｇ
１．Ｇ２、・・・と信号配線Ｄ１．Ｄ２、・・・どの各
交差点にＴＰＴ（単にＴと記述する）を介して液晶セグ
メント容量ＣＬが接続されている。こり）よ・）な従来
のＴＰＴは、第２図に示す如く、ガラス基＋ＩｉＬに、
第１ゲート電極２（走査配線Ｇにつながる１、ａ−５ｔ
膜５．ｎ”ａ−５ｉ膜６（オーこ・・ｌクコンタクト領
域）、ドレイン電極７（１，５号配線りにつながる）並
びにソース電極８（セグメント単位の表示電極１にコン
タクト金属３を（１−して接続される）を積層構成した
ものである。
しかしながら、上述の如き従来のａ−５ｉＴＦ′「の初
生特性については、従来からその静特性とこれをアクテ
ブマトリクス型液晶表示装置用スイｌ千ング素子として
組み込んだ場合のいわゆる動特性とが異なるといった問
題があり、これの間相解決がアクテブマトリクス型液晶
表示装置の今後の課題とされている。
生特性については、従来からその静特性とこれをアクテ
ブマトリクス型液晶表示装置用スイｌ千ング素子として
組み込んだ場合のいわゆる動特性とが異なるといった問
題があり、これの間相解決がアクテブマトリクス型液晶
表示装置の今後の課題とされている。
このようなａ−５ｉＴＦＴの静特性と動特性とが相違す
る原因の一つに、ｌフレーム毎の画像信号の極性反転動
作（交流駆動）がある。つまり、ｌ＾晶表示装置では、
共通電極基板（図示せず）と表示′４ｔａｔ間の液晶物
質を容量素子（上記液晶セグメント容量ＣＬ）の誘電体
として機能させ、電ｆ１−保持にともなう分子配列に従
った光の傳向動作を利用しているが、液晶中には一般に
種々の不純物が含まれているために、長時間同一極性の
電圧を印加して充電し続けると、液晶自体の劣化、液晶
に電位を加えている電極材料の液晶不純物による１ｇ食
などを引き起こす。このため、上述の交流駆動の採用に
よってこれらの不都合を回避する必要がある。
る原因の一つに、ｌフレーム毎の画像信号の極性反転動
作（交流駆動）がある。つまり、ｌ＾晶表示装置では、
共通電極基板（図示せず）と表示′４ｔａｔ間の液晶物
質を容量素子（上記液晶セグメント容量ＣＬ）の誘電体
として機能させ、電ｆ１−保持にともなう分子配列に従
った光の傳向動作を利用しているが、液晶中には一般に
種々の不純物が含まれているために、長時間同一極性の
電圧を印加して充電し続けると、液晶自体の劣化、液晶
に電位を加えている電極材料の液晶不純物による１ｇ食
などを引き起こす。このため、上述の交流駆動の採用に
よってこれらの不都合を回避する必要がある。
しかしながら、万上述の交流駆動を行うと、ａ−５ｉＴ
ＦＴのチャネル上部に、ｌフレーム毎の極↑′Ｉ：反転
に同門して液晶を介しわずかな電位変動か和えられてし
まう。この電位変動は、ＴＰＴの基本特性である閾値電
圧を変動させる。二の影響は、そのＴＰＴの画素位置に
よっても変化し、アクテブマトリクス型液晶表示装置の
表示品質に悪影響を及ぼす。
ＦＴのチャネル上部に、ｌフレーム毎の極↑′Ｉ：反転
に同門して液晶を介しわずかな電位変動か和えられてし
まう。この電位変動は、ＴＰＴの基本特性である閾値電
圧を変動させる。二の影響は、そのＴＰＴの画素位置に
よっても変化し、アクテブマトリクス型液晶表示装置の
表示品質に悪影響を及ぼす。
第４図に上記の交流駆動の悪影響をＴＰＴの特性変動ヒ
して検出したテスト結果をしめす。同図のテストに際し
ては、ＴＰＴ特性テストのために特殊構造に作成したＴ
ＰＴ、即ち、半導体膜の丁面ρｌにゲート電捲を持つ逆
スタガー型ＴＦＴの半４体ｌｌりの４−面側にテストバ
イアス制御用ゲート電極を付設した構造のＴＰＴを用い
た。
して検出したテスト結果をしめす。同図のテストに際し
ては、ＴＰＴ特性テストのために特殊構造に作成したＴ
ＰＴ、即ち、半導体膜の丁面ρｌにゲート電捲を持つ逆
スタガー型ＴＦＴの半４体ｌｌりの４−面側にテストバ
イアス制御用ゲート電極を付設した構造のＴＰＴを用い
た。
同図の〔第２ゲート電圧〕対［閾値電圧］の特性曲線は
、テストバイアス制御用ゲート！極に各種電位のバイア
ス電圧（第２ゲーｉ−電圧）を印加し、これによる影響
を下部のＴＰＴの閾値電圧の史ｆヒにで評価した特性曲
線である。
、テストバイアス制御用ゲート！極に各種電位のバイア
ス電圧（第２ゲーｉ−電圧）を印加し、これによる影響
を下部のＴＰＴの閾値電圧の史ｆヒにで評価した特性曲
線である。
同図のテスト結果によれば、一般的な傾向とし゛ζテス
トバイアス制御用ゲート電極に正電圧を印ＪＭ ｔろと
閾値′１１王は負側に変化し、逆にテストバイアス制御
用ケート電極に負電圧を印加すると閾値’ａ Ｉｋ、は
正側に変化する。
トバイアス制御用ゲート電極に正電圧を印ＪＭ ｔろと
閾値′１１王は負側に変化し、逆にテストバイアス制御
用ケート電極に負電圧を印加すると閾値’ａ Ｉｋ、は
正側に変化する。
即ち、このようなテストバイアス制御用ゲート’ＪＺｌ
＆の電解効果が、アクテブマトリクス型液晶表示装置の
液晶セグメント容量自体の電解効果と等しいものと見做
せ、１フレ一ム周期毎にＴＦＴの閾値型■に悪影響を与
えることが理解できる。さらに、このＴＰＴの動特性の
変化は一枚の液晶表水装置の場所によっても異なるので
、外部の駆動回路では補正できないものである。（ハ）
発明が解決しようとする課題 ＋発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、７．
イツチングトランジスタとして内ｉ鋭されたＴＦＴの閾
値電圧の変動を補償できるアクテブマトリクス型液晶表
示装置、及びその駆動方法を提供するものである。
＆の電解効果が、アクテブマトリクス型液晶表示装置の
液晶セグメント容量自体の電解効果と等しいものと見做
せ、１フレ一ム周期毎にＴＦＴの閾値型■に悪影響を与
えることが理解できる。さらに、このＴＰＴの動特性の
変化は一枚の液晶表水装置の場所によっても異なるので
、外部の駆動回路では補正できないものである。（ハ）
発明が解決しようとする課題 ＋発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、７．
イツチングトランジスタとして内ｉ鋭されたＴＦＴの閾
値電圧の変動を補償できるアクテブマトリクス型液晶表
示装置、及びその駆動方法を提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の液晶表示装置は、アクテブマトリクス型であり
、そのマトリクス基板のＴＰＴとして、走Ｕ配線が延在
形成された第１のゲート電極、逢ｎ配線と信号配線との
層間絶縁膜に連続する第１のゲート絶縁膜、半導体膜、
信号配線が延在したドレイン電極並びに上記表示電極に
接続されるソース電極、第２のゲート絶縁膜、及び信号
配線に接続された第２のゲート電極の積層構造体からな
るＴＰＴを使用したものである。
、そのマトリクス基板のＴＰＴとして、走Ｕ配線が延在
形成された第１のゲート電極、逢ｎ配線と信号配線との
層間絶縁膜に連続する第１のゲート絶縁膜、半導体膜、
信号配線が延在したドレイン電極並びに上記表示電極に
接続されるソース電極、第２のゲート絶縁膜、及び信号
配線に接続された第２のゲート電極の積層構造体からな
るＴＰＴを使用したものである。
また、本発明のアクテブマトリクス型液晶表示装置の駆
動方法は、ＴＰＴの上記第１のゲート電極にト記；Ｌ査
配線からのフレーム周期の走査パルス信号を供給すると
共に、第２のゲート電極にフレームな１明で反転するバ
イアス電位を供給して、トレインｉｌｌに印加される上
記信号配線からのフレーム周期で反転する画像信号をソ
ース電極から表示電極に供給するものである。
動方法は、ＴＰＴの上記第１のゲート電極にト記；Ｌ査
配線からのフレーム周期の走査パルス信号を供給すると
共に、第２のゲート電極にフレームな１明で反転するバ
イアス電位を供給して、トレインｉｌｌに印加される上
記信号配線からのフレーム周期で反転する画像信号をソ
ース電極から表示電極に供給するものである。
１ホ）作用
本発明によれば、アクテブマトリクス型液晶表示装置の
アクテブマトリクス基板のＴＰＴに第２のゲート電極を
備えるので、これに所定の電圧を印加することにより第
４図のデータで示したようなＴＦＴの閾値電圧の制御が
可能となる。即ち、第２ゲートに印加する電圧値は、前
述した従来のＴＰＴにおける液晶セグメント容量の微・
トな電圧電圧変動幅と比較して大きくできるので、第２
ゲートに印加するフレーム周期で反転する所定のバイア
ス電位のみでもってＴＰＴの動特性を安定に制ψ１１で
きる。
アクテブマトリクス基板のＴＰＴに第２のゲート電極を
備えるので、これに所定の電圧を印加することにより第
４図のデータで示したようなＴＦＴの閾値電圧の制御が
可能となる。即ち、第２ゲートに印加する電圧値は、前
述した従来のＴＰＴにおける液晶セグメント容量の微・
トな電圧電圧変動幅と比較して大きくできるので、第２
ゲートに印加するフレーム周期で反転する所定のバイア
ス電位のみでもってＴＰＴの動特性を安定に制ψ１１で
きる。
Ｃへ）実施例
第１図に本発明のアクテブマトリクス型液晶表示装置に
用いたデュアルゲート型ＴＰＴの断面素８１４造を示す
。同図のＴＰＴが第２図の従来素子と異なるところは、
第１図の逆スタガー構造の上にさらに第２ゲート絶縁膜
９を介して第２ゲート＊ｉｔｏを付加し、さらにまた、
該第２ゲート電極１０にフレーム周期で反転する所定の
バイアス゛電位を印加する点にある。
用いたデュアルゲート型ＴＰＴの断面素８１４造を示す
。同図のＴＰＴが第２図の従来素子と異なるところは、
第１図の逆スタガー構造の上にさらに第２ゲート絶縁膜
９を介して第２ゲート＊ｉｔｏを付加し、さらにまた、
該第２ゲート電極１０にフレーム周期で反転する所定の
バイアス゛電位を印加する点にある。
第１図の本発明液晶表示装置に用いるＴＰＴを製造−［
程に促って、以下に説明する。
程に促って、以下に説明する。
まず、ガラス基板上に透明な表示電極ｌ ［材料は例え
ばＩＴＯ］を形成しパターニングし、続いて第１ゲート
電極２［ニッケル、クロム、金クロム一層、等］が延在
した走査配線（第５図のＧ）を杉我しパターニングする
。そしてさらにコンタクト金属３［クロム、チタン等］
を設ける。
ばＩＴＯ］を形成しパターニングし、続いて第１ゲート
電極２［ニッケル、クロム、金クロム一層、等］が延在
した走査配線（第５図のＧ）を杉我しパターニングする
。そしてさらにコンタクト金属３［クロム、チタン等］
を設ける。
その後、第１ゲート絶縁膜４［ＳｉＮｘ等］とａ−３ｉ
膜３そしてｎ”ａ−５ｉ膜６をプラズマＣ〜′Ｄ法など
で連続形成する。次に、ａ−５ｉ膜５ヒｎゝａ−５ｉ膜
６をそれぞれ所望のパターンによってエツチングしてＴ
ＰＴ領域に島状構造として残存させる。
膜３そしてｎ”ａ−５ｉ膜６をプラズマＣ〜′Ｄ法など
で連続形成する。次に、ａ−５ｉ膜５ヒｎゝａ−５ｉ膜
６をそれぞれ所望のパターンによってエツチングしてＴ
ＰＴ領域に島状構造として残存させる。
さらにドレイン、ソース両電極７．８ ［アルミニウム
、クロム等］をパターニング形成した後、ＴＰＴのチャ
ネル部に露出したｎ”ａ−５ｉ膜６をエツチング除去す
る。この時、ドレイン電極７はこれが連続した信号配線
（第５図のＤ）と共に形成され、この信号配線と上記走
査配線とはほぼ基鈑全面に形成された上記第１ゲート絶
縁膜４の層間絶縁膜作用で両配線交差点での絶縁を行っ
ている。またこの時、ソース電極８は上記第１ゲート絶
イ、★膜４のコンタクトホールを介して表示電極１のコ
ンタクト金属３にコンタクトされる。
、クロム等］をパターニング形成した後、ＴＰＴのチャ
ネル部に露出したｎ”ａ−５ｉ膜６をエツチング除去す
る。この時、ドレイン電極７はこれが連続した信号配線
（第５図のＤ）と共に形成され、この信号配線と上記走
査配線とはほぼ基鈑全面に形成された上記第１ゲート絶
縁膜４の層間絶縁膜作用で両配線交差点での絶縁を行っ
ている。またこの時、ソース電極８は上記第１ゲート絶
イ、★膜４のコンタクトホールを介して表示電極１のコ
ンタクト金属３にコンタクトされる。
以１−の工程に統さ、第２ゲート絶縁膜９ ［５ｉＮｘ
−９］、第２ゲート電極１０［アルミニウム、クロム等
］を形成してアクテブマトリクス基板のデュアルゲート
ＴＦＴを得る。この時の第２ゲート電極ＩＯは、バイア
ス制御電位印加端子に導く配線が必要であるがこの配線
パターンは表示電極位置を囲壁できるルートであれば、
いずれのルートで配線してらよい。例えば、上記第１ゲ
ート電極１と同一マスクを用いたバターニングで第２ゲ
ート電極１０を彩成しする場合、横方向に並んだＴＦＴ
列の各第２ゲート電［！１０・・・を結ぶ配線の端イ（
即ち、バイアス制御電位印配線の端子）を１、記走査配
線の走査パルス信号印加端子の位置とは反対向の端部に
形成すればよい。
−９］、第２ゲート電極１０［アルミニウム、クロム等
］を形成してアクテブマトリクス基板のデュアルゲート
ＴＦＴを得る。この時の第２ゲート電極ＩＯは、バイア
ス制御電位印加端子に導く配線が必要であるがこの配線
パターンは表示電極位置を囲壁できるルートであれば、
いずれのルートで配線してらよい。例えば、上記第１ゲ
ート電極１と同一マスクを用いたバターニングで第２ゲ
ート電極１０を彩成しする場合、横方向に並んだＴＦＴ
列の各第２ゲート電［！１０・・・を結ぶ配線の端イ（
即ち、バイアス制御電位印配線の端子）を１、記走査配
線の走査パルス信号印加端子の位置とは反対向の端部に
形成すればよい。
次：；、］−述の購造のＴＰＴを備えたアクテブマトリ
クスＩ！ｉ！液晶表示装置の動作を第３図のタイミング
図に基づいて説明する。
クスＩ！ｉ！液晶表示装置の動作を第３図のタイミング
図に基づいて説明する。
同図（イ）はＴＰＴの第１ゲート電極４に印加される走
査パルス信号であり、フレーム周期毎にハルス印〃口さ
れる。
査パルス信号であり、フレーム周期毎にハルス印〃口さ
れる。
同図（ロ）は画像信号であり、フレーム周期毎に極性反
転されている。
転されている。
同図Ｃハ）は上記（イ）の走査パルス信号タイミングの
位相（ＴＰＴがＯＮ状態）で現れる上記：、ロンの画像
信号の電位が表示！極に印加され充疏された液晶セグメ
ント電位である。
位相（ＴＰＴがＯＮ状態）で現れる上記：、ロンの画像
信号の電位が表示！極に印加され充疏された液晶セグメ
ント電位である。
同図（ニ）はＴＰＴの第２ゲート電極ｌＯに印加する電
圧であり、走査パルス［例えば５Ｖ］がｋｋｌ ／’Ｌ
るのに同門（フレーム周期）して、画像信号の極性と同
極性に反転したバイアス電位［例えば±２“＼、であろ
う 本隠明装；πの駆動方法は上記の第３図（ニ）の第２ゲ
ート電極１０のバイアス電位制御にある。
圧であり、走査パルス［例えば５Ｖ］がｋｋｌ ／’Ｌ
るのに同門（フレーム周期）して、画像信号の極性と同
極性に反転したバイアス電位［例えば±２“＼、であろ
う 本隠明装；πの駆動方法は上記の第３図（ニ）の第２ゲ
ート電極１０のバイアス電位制御にある。
即ち、該バイアス電位は、基本的には少なくともト、記
走なパルスのタイミングに存在していれば、その第２デ
・−ト電極１０のバイアス電位により、’ｒＦＴの液晶
セグメント容量電位変動によるＴＦ゛ｆ′特性（閾値電
圧）の変化等の悪影響が回避される。しかも同図の如く
次のパルスが現れるｌフレ・−ムの部間中バイアス電位
を同電位に電位に保持することにより、液晶セグメント
容量電位がリークして低下することによるＴＰＴのＯＦ
Ｆ状態特性の変動をも防止できる。
走なパルスのタイミングに存在していれば、その第２デ
・−ト電極１０のバイアス電位により、’ｒＦＴの液晶
セグメント容量電位変動によるＴＦ゛ｆ′特性（閾値電
圧）の変化等の悪影響が回避される。しかも同図の如く
次のパルスが現れるｌフレ・−ムの部間中バイアス電位
を同電位に電位に保持することにより、液晶セグメント
容量電位がリークして低下することによるＴＰＴのＯＦ
Ｆ状態特性の変動をも防止できる。
従って、投光型液晶表示装置においては、液晶パネルが
強力光源によって高温にさらされるような環境下で使用
されるが、上述のデュアルゲート’ｔｌＴＰＴ搭載のア
クテブマトリクス型構造の採用によってＴＰＴの特性を
安定化させることができるため、信頼性の大幅な向上が
望める。
強力光源によって高温にさらされるような環境下で使用
されるが、上述のデュアルゲート’ｔｌＴＰＴ搭載のア
クテブマトリクス型構造の採用によってＴＰＴの特性を
安定化させることができるため、信頼性の大幅な向上が
望める。
１、トノ角部の効果
本発明によれば、デュアルゲート型ＴＰＴを用いたアク
テブマトリクス基板を採用するので、このＴ ＦＴの第
２ゲート電極にフレーム周期で反転する制御バイアス電
位が印加でき、液晶表示に不司欠な極性反転によるＴＰ
Ｔのチャネル上部への１散少な電圧変動の影響を除去す
ることが可能となる。従って１表示の劣化が無く画面全
体に均一な商品表示を可能とする液晶表示装置を実現で
きる。
テブマトリクス基板を採用するので、このＴ ＦＴの第
２ゲート電極にフレーム周期で反転する制御バイアス電
位が印加でき、液晶表示に不司欠な極性反転によるＴＰ
Ｔのチャネル上部への１散少な電圧変動の影響を除去す
ることが可能となる。従って１表示の劣化が無く画面全
体に均一な商品表示を可能とする液晶表示装置を実現で
きる。
４１図は本発明のアクテブマトリクス型液晶表砥装置の
ＴＰＴの断面図、第２図は従来ＴＰＴの断面図、第３図
はタイミング図、第４図は第２ゲート電極の電圧による
ＴＰＴの閾値電圧の変化曲保図、第５図はアクテブマト
リクス型液晶表示装置の等価回路図である。 １・・・表示電極、２・・・第１ゲート電極、４・・・
第１ゲート電極、３・・・ａ−ＳｉＩｌｌ、９・・・第
２ゲート絶林膜、１０・・・第２ゲート電掻。
ＴＰＴの断面図、第２図は従来ＴＰＴの断面図、第３図
はタイミング図、第４図は第２ゲート電極の電圧による
ＴＰＴの閾値電圧の変化曲保図、第５図はアクテブマト
リクス型液晶表示装置の等価回路図である。 １・・・表示電極、２・・・第１ゲート電極、４・・・
第１ゲート電極、３・・・ａ−ＳｉＩｌｌ、９・・・第
２ゲート絶林膜、１０・・・第２ゲート電掻。
Claims (2)
- （１）縁性基板上に複数の信号線と該信号配線と交差す
る複数の走査配線とこれら配線の交差点毎に配置された
多数の薄膜トランジスタと各薄膜トランジスタそれぞれ
に結合した表示電極を備えたアクテブマトリクス基板に
液晶物質を介して共通電極基板を対向せしめた液晶表示
装置において、上記薄膜トランジスタは、上記走査配線
が延在形成された第１のゲート電極、上記走査配線と信
号配線との層間絶縁膜に連続する第１のゲート絶縁膜、
半導体膜、信号配線が延在したドレイン電極並びに上記
表示電極に接続されるソース電極、第２のゲート絶縁膜
、及びバイアス制御電位に接続された第２のゲート電極
の積層構造体からなる事を特徴としたアクテブマトリク
ス型液晶表示装置。 - （２）縁性基板上に複数の信号線と該信号配線と交差す
る複数の走査配線とこれら配線の交差点毎に配置された
多数の薄膜トランジスタと各薄膜トランジスタそれぞれ
に結合した表示電極を備えたアクテブマトリクス基板に
液晶物質を介して共通電極基板を対向せしめた液晶表示
装置において、上記薄膜トランジスタは、半導体膜の表
裏両面側に夫々ゲート電極を備えたデュアルゲート型ト
ランジスタからなり、第１のゲート電極に上記走査配線
からのフレーム周期の走査パルス信号を供給すると共に
第２のゲート電極にはフレーム周期で反転するバイアス
電位を供給することを特徴とするアクテブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12730489A JP2755683B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | アクテブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12730489A JP2755683B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | アクテブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304532A true JPH02304532A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2755683B2 JP2755683B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=14956640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12730489A Expired - Fee Related JP2755683B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | アクテブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755683B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688009A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | France Telecom | Ecran d'affichage à matrice active à commande multiplexée |
| US5793072A (en) * | 1996-02-28 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Non-photosensitive, vertically redundant 2-channel α-Si:H thin film transistor |
| US7027028B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, driver circuit for electrooptic device, and electronic equipment |
| JP2016129258A (ja) * | 2009-05-01 | 2016-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2016174172A (ja) * | 2010-06-10 | 2016-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10304400B2 (en) | 2016-03-17 | 2019-05-28 | Japan Display Inc. | Display device including transistor arranged with characteristic electrode |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12730489A patent/JP2755683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688009A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | France Telecom | Ecran d'affichage à matrice active à commande multiplexée |
| FR2721428A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-22 | France Telecom | Ecran d'affichage à matrice active à commande multiplexée. |
| US5793072A (en) * | 1996-02-28 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Non-photosensitive, vertically redundant 2-channel α-Si:H thin film transistor |
| US7027028B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device, driver circuit for electrooptic device, and electronic equipment |
| JP2016129258A (ja) * | 2009-05-01 | 2016-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2018064117A (ja) * | 2009-05-01 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2016174172A (ja) * | 2010-06-10 | 2016-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10304400B2 (en) | 2016-03-17 | 2019-05-28 | Japan Display Inc. | Display device including transistor arranged with characteristic electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755683B2 (ja) | 1998-05-20 |
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