JPH02302111A - 低音強調回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、音響機器における低音強調回路に関するもの
である。

従来の技術 近年、低音強調回路は、高音質を特徴とするデジタルソ
ースを再生する音響機器にとって非常に重要な機能とな
っている。

以下図面を参照しながら、上述した従来の低音強調回路
の一例について説明する。

第３図は従来の低音強調回路の回路接続を示すものであ
る。第３図において、１は信号入力端子、２は電源入力
端子、３は電力増幅回路、４はスピーカである。Ｃ，、
Ｃ２，Ｃ３，Ｃ６，Ｃ６，Ｃ７はコンデンサ、Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は抵抗、ＶＲｌは低音再生
レベル調整用の可変抵抗であり、固定片ａ及びす、可動
片Ｃを有する。ｖＲ２は音量調整用の可変抵抗であり、
固定片ｄ及び壬、可動片ｅを有する。ＴＲ１，ＴＲ２は
トランジスタであり、トランジスタτＲ１のペースはコ
ンデンサＣ１を介して信号入力端子１に接続され、トラ
ンジスタ、ＴＲのコレクタは抵抗Ｒ２を介して電源入力
端子２に接続され、トランジスタＴＲ１のエミソクハ抵
抗Ｒ３を介して接地される。トランジスタＴＲ１のコレ
クタとベースは抵抗Ｒ１を介して接続され、１−ランジ
ヌタＴＲ１は直流バイアスされる。トランジスタＴＲ１
のコレクタはコンデンサＣ２を介して可変抵抗ｖＲ２の
固定片ｄに接続される。可変抵抗ＶＲ２の可動片ｅはコ
ンデンサＣ５を介して電力増幅回路３の入力に接続され
、可変抵抗■Ｒ２の固定片ｆは接地される。電力増幅回
路３の出力は、コンデンサＣ６を介してスピーカ４に接
続される。

６はシュミレートインダクタであＬ　８はシュミレート
インダクタ５の入力端子である。シュミレートインダク
６は、コレクタが電源入力端子２に接続すれたトランジ
スタＴＲ２，）ランジヌタＴＲ２のコレクタとベース間
に接続された直流バイアス用の１ｆＣＲ４，ｌ−ランジ
スタＴＲ２のベースと入力端子８間に接続されたコンデ
ンサＣ７，トランジスタＴＲ２のエミッタと入力端子８
間に接続された抵抗Ｒ６、及びトランジスタＴＲ２のエ
ミッタとアース間に接続された抵抗Ｒ６とで構成され、
そのインダクタンスＬ　はほぼＬ８＝Ｃ７・Ｒ４＠Ｒ６
となる。

トランジスタＴＲ，のエミッタはコンデンサＣ３を介し
て可変抵抗ＶＲ，の固定片Ｃに接続され、可変抵抗ＶＲ
１の可動片すはシュミレートインダクタ６の入力端子８
に接続される。

以上のように接続された低音強調回路について、以下そ
の動作について説明する。

まず、入力信号は、トランジスタＴＲ１，コンデンサＣ
３，抵抗Ｒ２及びＲ３，可変抵抗ＶＲ１及びシュミレー
トインダクタ５によシ構成される電圧増幅回路で増幅さ
れる。第４図は、可変抵抗ｖＲ２の固定片ｄにおける上
記電圧増幅回路の増幅度の周波数特性を示すものであシ
、可変抵抗ＶＲ１の可動片すが固定片Ｃ側にある場合は
曲線つとなシ、シュミレートインダクタ６のインダクタ
ンスＬ８とコンデンサＣ３とで決まる共振周波数ｆｂは
ほぼ ｆ　ｂ＝　ｉ　／２・元】亜礪四７ となシ、この共振周波数ｆｂにて、増幅度が増加する。

また、可変抵抗ＶＲ１の可動片すが固定片ａ側にある場
合は曲線Ｅとなり、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値により共振
回路のＱが低下し、低音増強はされ々い。

更に上記電圧増幅回路の出力は、コンデンサＣ４を介し
て可変抵抗ｖＲ２と印加され、可変抵抗ｖＲ２により音
量調整され、コンデンサＣ６を介して電力増幅回路３に
入力され、電力増幅されてコンデンサＣ８を介して、ス
ピーカ４に印加され再生される。

したがって、可変抵抗ＶＲ，の可動片すが固定片Ｃ側に
近い程、低音増強された信号が再生される。

また、コンデンサＣ３及びインダクタンスＬ。

はスピーカ４の低音再生能力に合わせ、適当な低音周波
数に共振が来るように決定される。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、低音増強部の増幅
度が一定であるため、低音増強状態において、音量を上
げてゆくと電力増幅回路３の出力が、その電源電圧で飽
和し、歪み再生音が激しく歪んでしまうという問題点を
有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、低音増強状態で音量を上げ
た場合においても電力増幅回路の出力が飽和し、歪むこ
との少ない低音強調回路を提供するものである。

課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の低音強調回路は、
低音増強を行なう電圧増幅回路のコンデンサとインダク
タに直列に直流制御電圧を印加することにより、抵抗値
が変化する可変抵抗素子を接続し、電力増幅回路の入力
信号を低域通過型フィルター特性を有する電圧増幅回路
で増幅し、その増幅された信号を整流回路で整流し、上
記可変抵抗素子に直流制御電圧を与えるという構成を備
えたものである。

作　　　用 本発明は上記した構成によって、電力増幅回路の電源電
圧で決定される最大無歪高力に達する低域入力信号が電
力増幅回路に入力される場合、可変抵抗素子の抵抗値が
増大し、低音増強を行なう電圧増幅回路の低音の増幅度
が減少するようにＡＧＣがかかり、音量を上げた場合の
低音増強による電力増幅回路での歪の発生が防止される
こととなる。

実施例 以下本発明の一実施例の低音強調回路について、図面を
参照しながら説明する。

第１図は、実施例における低音強調回路の回路構成を示
すものである。第１図において、１は信号入力端子、２
は電源入力端子、３は電力増幅回路、４はスピーカ、Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ６，Ｃ６はコンデンサ、Ｒ１，Ｒ２
，Ｒ３は抵抗、ｖＲｌ、ｖＲ２は可変抵抗、　　　、　
　　　　　　　　、ＴＲ１はトランジスタであシ、従来
例と同一であシ、接続についても同一である。また、５
はショミレートインダクタ、８はシュミレートインダク
タ５の入力端子、Ｒ４，Ｒ６，Ｒ，は抵抗、Ｃ７はコン
デンサ、ＴＲ２はトランジスタであり、これらもまた、
従来例と同一であり、接続についても同一である。９は
電圧増幅回路であり、Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１＝Ｒ１２，
Ｒ１３＝Ｒ１４は抵抗、Ｃ１０，０１１・Ｃｌ２＝０８
は３ンデンサ、７は演算増幅器である。電圧増幅回路９
は一方が音量調整用の可変抵抗Ｖ−ρ可動片ｅに接続さ
れ、他方がコンデンサＣ９を介して接地されると共に、
連流阻止用のコンデンサＣ１゜を介して演算増幅器７の
正入力に接続された抵抗Ｒ９と、その負入力が抵抗Ｒ１
３及び直流阻止用のコンデンサＣ１１の直列回路を介し
て接地されると共に、抵抗Ｒ４及びコンデンサＣ１２の
並列回路を介してその出力に接続される演算増幅器７と
で構成され、抵抗Ｒ、コンデンサＣ９による受動低域通
過型フィ ルタ− ンサＣ１２からなる能動低域通過型フィルターによる２
次の低域通過型フィルター特性を有する電圧増幅回路で
ある。抵抗Ｒ１。は一方が電源入力端子２に接続され、
他方は、抵抗Ｒ１１及びコンデンサＣ８を介して接地さ
れると共に、抵抗Ｒ１２を介して演算増幅器子の正入力
に接続され、電源入力端子２に入力される直流電圧が抵
抗Ｒ１。及び抵抗Ｒ１１により分圧され、さらにコンデ
ンサＣ８により直流安定化され、抵抗Ｒ１２を介して演
算増幅器に直流バイアスを供給する。１０は整流回路、
６は演算増幅器、Ｒ　　は抵抗、Ｃ１３はコンデンす、
Ｄｌはダイオードであり、整流回路１ｏは演算増幅器の
出力にカソードが接続され、アノードが抵抗Ｒ１５　　
及びコンデンサＣ１３を介して電源入力端子２に接続さ
れたダイオードＤ１と、そのダイオードＤ１のアノード
が正入力に接続され、負入力と出力が接続され、ボルテ
ージフォロワーが構成された演算増幅器６により構成さ
れ、演算増幅器７の出力はダイオードＤ１及びコンデン
サＣ１３により半波整流され、演算増幅器６がバッファ
ーとなシ出力される。また、抵抗Ｒ１５　は整流回路１
ｏのリカバリ一時間を決定するものである。ＲＲ　　は
抵抗、ＴＲ３はＮチャンネル電界効果トランジスタ（以
下ＦＥＴと略称する）、抵抗Ｒ７はＦＥＴＴＲ３のソー
ス・ドレイン間に接続され、抵抗Ｒ７によりＦ　Ｅ　Ｔ
　ＴＲ３のソース・ドレインは同電位となる。Ｆ　Ｅ　
Ｔ　ＴＲ３　のゲートは抵抗Ｒ８を介して、演算増幅器
６の出力に接続される。また、ＦＥＴＴＲ３のソースは
シュミレートインダクタ−５の入力端子８に接続され、
ドレインは可変抵抗ＶＲ１　の可動片すに接続される。

ここで、Ｆ　Ｅ　Ｔ　ＴＲ３のソースの直流電圧は、ト
ランジスタＴＲ２のエミッタと同電位とな９、ＦＥＴＴ
Ｒ３のゲートは、電圧増幅回路９への信号入力が無い場
合、ＦＥＴＴＲ３のソースと同電位或いは、やや高い電
位になるように、抵抗Ｒ１。

及び抵抗Ｒ１１　の値を選択する。また、低音増強され
る周波数も、従来例と同一であり、シュミレートインダ
クタ５とコンデンサＣ３の共振周波数ｆ，である。また
、電圧増幅回路９の低域通過型フィルターの特性は上記
共振周波数ｆｂ以下の周波数を損失なく通過させるもの
である。

以上のように構成された低音強調回路について、以下第
１図及び第２図を用いてその動作について説明する。ま
ず、初段の電圧増幅回路は、シュミレートインダクタ６
と直列にＦＥＴＴＲ３が介入する・こと以外は従来例と
同一であり、Ｆ　Ｅ　Ｔ　ＴＲ３のゲート電圧をｖＧ及
びソース電圧をｖｓゲートソース間の電圧をｖＧｓ　と
するとｖＧｓ：ｖＧ−■ｉρにおいてはＦＥＴＴＲ３の
抵抗値は極めて小さいので従来例と同一の動作となる。

また、初段の電圧増幅回路の出力が、スピーカ４に至る
までは、可変抵抗ｖＲ２の可動片ｅの信号がコンデンサ
Ｃ５を介して電力増幅回路３に入力される以外に電圧増
幅回路９に入力されることを除けば、従来例と同一の動
作を行なう。電圧増幅回路９は可変抵抗ｖＲ２の可動片
ｅの信号、つまり電力増幅回路３の入力信号を入力とし
、その低域成分の信号を増幅し、その出力を整流回路１
０が整流し、ＦＥＴＴＲ３のゲートに整流電圧を印加す
る。ダイオードＤ１のカソードが演算増幅器７の出力に
接続されるので、電圧増幅回路９の入力信号の負の成分
が半波整流されることになり、ＦＥＴＴＲ３のゲート電
圧ｖＧは、電圧増幅回路９の入力信号が大である程低く
なり、ＦＥＴＴＲ３のゲート・ソー７、間電圧ＶＧ３　
はＶＱ３＝ＶＱ−Ｖ９−１？あるから、■Ｇｓは負の電
圧となシ更に大なる負の電圧となる。従ってＦＥＴＴＲ
３の抵抗値が増加し、シュミレートインダクタ６とコン
デンサＣ３との共振回路のＱが低下し、初段の電圧増幅
回路の共振周波数ｆｂでの増幅度が圧縮される。つまり
低域のみでＡＧＣをかけたことになる。第２図は本実施
例の電力増幅回路３の出力電圧の周波数特性を示すもの
であり、曲線Ａは音量用可変抵抗ｖＲ２の可動片ｅが固
定片ｄ側にあり、音量が高い状態で低音強調用可変抵抗
ＶＲ１の可動片すがＣ（Ｅｌにあシ、低域の増幅度を上
げた場合の電力増幅回路３の出力電圧であシ、０点がＡ
ＧＣがかかる出力電圧となり、この０点の出力電圧と電
力増幅回路３の印加される電源電圧により決定される最
大無歪８力電圧が一致するように電圧増幅回路９の増幅
度を設定することによシ、音量が高い状態で低音強調を
しても電力増幅回路３は歪なく動作する。

また、第２図において、曲線Ｂは音量が低い状態で低音
強調した場合の周波数特性であるが、電力増幅回路３で
歪むことが前述のごとくないので、充分に低域での増幅
度を確保することができる。

以上のように本実施例によれば、低音増強を行なう電圧
増幅回路の直列共振回路のＱを可変するＦＥＴＴＲ３と
、電力増幅回路３の入力信号の低域信号成分を増幅する
電圧増幅回路９と、その出力を整流し上記ＦＥＴＴＲ３
のゲートに整流電圧を印加する整流回路１０を設けるこ
とにより、音量が高い状態で低音強調をしても、電力増
幅回路３を歪みなく動作させることができ、音量が低い
状態では、低音強調における低域での増幅度を充分に確
保することができる。

発明の効果 以上のように本発明は、コンデンサとインダクタと制御
電圧を印加することによυ、抵抗値が制御される可変抵
抗素子から成る直列共振回路を負帰環回路に有し上記直
列共振回路の共振周波数において、増幅度を上昇させる
電圧増幅回路と、電力増幅回路の入力信号の低域信号成
分を増幅する低域通過型フィルター特性を有する電圧増
幅回路と、その電圧増幅回路の出力を整流し、上記可変
抵抗素子に制御電圧を供給する整流回路とを設けること
により、音量が高い状態で低音強調をしても、電力増幅
回路を歪みなく動作させることができ、音量が低い状態
では低音強調における低域での増幅度を充分に確保する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における低音強調回路の回路構
成図、第２図は第１図の電力増幅回路３の出力電圧の周
波数特性図、第３図は従来の低音強調回路の回路構成図
、第４図は第３図における初段の電圧増幅回路の増幅度
の周波数特性図である。 Ｃ３・・・・・・コンデンサ、ＶＲｌ　・・・・・・可
変抵抗、ｖＲ２・・・・・・可変抵抗、３・・・・・・
電力増幅回路、４・・・・・・スピーカ、５・・・・・
・シュミレートインダクタ、１゜・・・・・・整流回路
、９・・・・・・電圧増幅回路、ＴＲ３・・・・・Ｎチ
ャンネル電界効果トランジスタ。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名３−
　電力繕謁１艮 第　２　図 （ｂ　辰康改→ 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コンデンサとインダクタと制御電圧を印加することによ
   り抵抗値が制御される可変抵抗素子から成る直列共振回
   路を負帰環回路に有し、上記直列共振回路の共振周波数
   において、増幅度を上昇させる電圧増幅回路と、この電
   圧増幅回路の出力を入力とする可変抵抗と、この可変抵
   抗の出力を入力とし、スピーカを駆動する電力増幅回路
   と、上記可変抵抗の出力を入力とする低域通過型フィル
   ター特性を有する電圧増幅器と、この電圧増幅器の出力
   を整流し、上記可変抵抗素子に制御電圧を供給する整流
   回路とを備えたことを特徴とする低音強調回路。