JPH02300860A - 半導体装置のマウントヌレ性定量測定装置 - Google Patents
半導体装置のマウントヌレ性定量測定装置Info
- Publication number
- JPH02300860A JPH02300860A JP1121093A JP12109389A JPH02300860A JP H02300860 A JPH02300860 A JP H02300860A JP 1121093 A JP1121093 A JP 1121093A JP 12109389 A JP12109389 A JP 12109389A JP H02300860 A JPH02300860 A JP H02300860A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- wettability
- mount
- ray
- rays
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- Image Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のマウントヌレ性を測定する装置に
関する。
関する。
従来、この種の半導体装置のマウントヌレ性測定は、半
導体装置のマウントヌレ性をＸ線撮影し、その像が人間
が目視することにより主観的に判断していた。
導体装置のマウントヌレ性をＸ線撮影し、その像が人間
が目視することにより主観的に判断していた。
上述した従来の半導体装置のマウントヌレ性測定では、
半導体装置のマウントヌレ性を人間が目視することによ
り主観的に判断していたので、半導体装置のマウントヌ
レ性を定量測定できないという欠点がある。
半導体装置のマウントヌレ性を人間が目視することによ
り主観的に判断していたので、半導体装置のマウントヌ
レ性を定量測定できないという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置のマウン
トヌレ性定量測定装置を提供することにある。
トヌレ性定量測定装置を提供することにある。
上述した従来の半導体装置のマウントヌレ性測定に対し
、本発明は半導体装置のマウントヌレ性をＸ線で撮影し
、その像の濃淡をデジタイズすることにより、半導体装
置のマウントヌレ性を定量測定するという相違点を有す
る。
、本発明は半導体装置のマウントヌレ性をＸ線で撮影し
、その像の濃淡をデジタイズすることにより、半導体装
置のマウントヌレ性を定量測定するという相違点を有す
る。
前記目的を達成するなめ、本発明に係る半導体装置のマ
ウントヌレ性定量測定装置においては、半導体装置のマ
ウントヌレ性をＸ線で撮影する手段と、その像の濃淡を
デジタイズする手段と、その出力信号に基いて半導体装
置のマウントヌレ性を定量測定する手段とを有するもの
である。
ウントヌレ性定量測定装置においては、半導体装置のマ
ウントヌレ性をＸ線で撮影する手段と、その像の濃淡を
デジタイズする手段と、その出力信号に基いて半導体装
置のマウントヌレ性を定量測定する手段とを有するもの
である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１．）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、本発明はＸ線撮影装置１と、電気信号デジ
タイズ部７と、デジタイズ像計数部８と、半導体装置の
マウントヌレ性測定結果出力部１３とを有する。
タイズ部７と、デジタイズ像計数部８と、半導体装置の
マウントヌレ性測定結果出力部１３とを有する。
Ｘ線撮影装置１は、Ｘ線源２と７Ｘ線電気信号変換部６
とを含み、Ｘ線源２から出た入射Ｘ線３の一部は半導体
装置４を透過し、Ｘ線電気信号変換部６に到達する。
とを含み、Ｘ線源２から出た入射Ｘ線３の一部は半導体
装置４を透過し、Ｘ線電気信号変換部６に到達する。
Ｘ線電気信号変換部６は透過した透過Ｘ線５の強度を電
気信号に変換する。
気信号に変換する。
電気信号デジタイズ部７は電気信号を数値信号に変換し
、Ｘ線撮影装置１で撮影されたＸ線画像の１画素の濃淡
を数値化する。
、Ｘ線撮影装置１で撮影されたＸ線画像の１画素の濃淡
を数値化する。
デジタイズ像計数部８は電気信号デジタイズ部７で１画
素毎の数値に変換されたＸ線画像の濃淡を計数する。９
は半導体装置のマウントヌレ性Ｘ線透視像、１２はデジ
タイズされた１画素を示す。
素毎の数値に変換されたＸ線画像の濃淡を計数する。９
は半導体装置のマウントヌレ性Ｘ線透視像、１２はデジ
タイズされた１画素を示す。
一般に半導体装置のＸ線撮彰像には、半導体装置のマウ
ントヌレ状態が濃淡となって撮影され、ヌしている部分
１０は濃く、ヌレでいない部分１１は淡く写るので、ヌ
している部分１０とヌしていない部分１１の比率を計算
することで半導体装置のマウントヌレ性を定量測定する
ことができる。
ントヌレ状態が濃淡となって撮影され、ヌしている部分
１０は濃く、ヌレでいない部分１１は淡く写るので、ヌ
している部分１０とヌしていない部分１１の比率を計算
することで半導体装置のマウントヌレ性を定量測定する
ことができる。
半導体装置のマウントヌレ性測定結果出力部１３からは
半導体装置のマウントヌレ性の定量測定結果が出力され
る。
半導体装置のマウントヌレ性の定量測定結果が出力され
る。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
本実施例が実施例１と異なる点は、Ｘ線撮影装置１によ
る半導体装置のマウントヌレ性Ｘ線写真１４を光学画像
読み込み装置１５で読み込み、その像をデジタイズする
ことにある。
る半導体装置のマウントヌレ性Ｘ線写真１４を光学画像
読み込み装置１５で読み込み、その像をデジタイズする
ことにある。
以上説明したように本発明は半導体装置のマウントヌレ
性をＸ線で撮影し、その像の濃淡をデジタイズする、＝
とにより、半導体装置のマウントヌレ性を定量測定でき
るという効果がある。
性をＸ線で撮影し、その像の濃淡をデジタイズする、＝
とにより、半導体装置のマウントヌレ性を定量測定でき
るという効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図である。 １・・・Ｘ線撮影装置 ２・・・ＸＲ源３・・・
入射Ｘ線 ４・・・半導体装置５・・・透過
Ｘ線 ６・・・Ｘ線電気信号変換部 ７・・・電気信号デジタイズ部 ８・・・デジタイズ像計数部
明の実施例２を示す構成図である。 １・・・Ｘ線撮影装置 ２・・・ＸＲ源３・・・
入射Ｘ線 ４・・・半導体装置５・・・透過
Ｘ線 ６・・・Ｘ線電気信号変換部 ７・・・電気信号デジタイズ部 ８・・・デジタイズ像計数部
Claims (1)
- （１）半導体装置のマウントヌレ性をＸ線で撮影する手
段と、その像の濃淡をデジタイズする手段と、その出力
信号に基いて半導体装置のマウントヌレ性を定量測定す
る手段とを有することを特徴とする半導体装置のマウン
トヌレ性定量測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121093A JPH02300860A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 半導体装置のマウントヌレ性定量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121093A JPH02300860A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 半導体装置のマウントヌレ性定量測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02300860A true JPH02300860A (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14802704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1121093A Pending JPH02300860A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 半導体装置のマウントヌレ性定量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02300860A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57199945A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-08 | Toshiba Corp | Measuring and evaluating device for solder wettability |
| JPS62219632A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-26 | アイア−ルテイ−・コ−ポレ−シヨン | 回路基板のろう接状態の自動検査装置及びその方法 |
| JPS63293468A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Cable Ltd | 半田ぬれ性試験方法 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1121093A patent/JPH02300860A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57199945A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-08 | Toshiba Corp | Measuring and evaluating device for solder wettability |
| JPS62219632A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-26 | アイア−ルテイ−・コ−ポレ−シヨン | 回路基板のろう接状態の自動検査装置及びその方法 |
| JPS63293468A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Cable Ltd | 半田ぬれ性試験方法 |
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