JPH02299223A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はガス放電電極を反応器内に設けた光ＣＶＤ装置
に関する。

［従来の技術］ 従来、この種の光ＣＶＤ装置は反応器の外に光源を配設
している。そして、反応器に透明窓を設け、光源からの
光をこの透明窓を介して反応器内に導入するように構成
されている。これにより、反応器内に供給された反応ガ
スは、透明窓を介して反応器内に導入された光のエネル
ギにより分解されて反応器内の基板上に薄膜が堆積され
る。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した従来の光ＣＶＤ装置により膜を
形成しようとすると、光エネルギによってガス分解反応
が進むにつれて分解生成物等が透明窓に付着するため、
透明窓が儂って光の透過量が減少し、反応器内への光の
導入量が減少する。

このため、反応速度が徐々に低下してしまうという問題
点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
反応速度の安定性が優れた光ＣＶＤ装置を提供すること
を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る光ＣＶＤ装置は、反応器と、この反応器内
のプラズマ放電域を規定するシールドメツシュ及びシー
ルド板と、前記プラズマ放電域に臨ませて反応器内に配
置されたガス放電電極と、前記プラズマ放電域外の反応
器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを有する
ことを特徴とする。

［作用］ 本発明においては、反応器内のシールドメツシュ及びシ
ールド板により規定されたプラズマ放電域内でガス放電
電極によりプラズマ放電が生起される。そして、反応ガ
ス供給手段により反応器内に供給された反応ガスはプラ
ズマ放電の発光スペクトルにより化学分解して反応器内
の基板上に薄膜が堆積する。このように、従来の光ＣＶ
Ｄ装置と異なり、本発明においてはガス放電電極が反応
器内に設けられているため、処理中に光量が低下するこ
とはなく、常に一定の光量が供給されるので、安定した
反応ガスの反応速度が得られる。

［実施例コ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。

第１図は本発明の実施例に係る光ＣＶＤ装置を示す模式
的断面図である。反応器１は中央に配置されたシールド
板４により上部のプラズマ放電部１２と、下部のガス反
応部１３とに仕切られている。また、シールド板４には
ガス反応部１３に光を照射するための穴が設けられてお
り、放電の際に荷電粒子がガス反応部１３内に散乱しな
いように、このシールド板４の穴部にはシールドメツシ
ュ３が設けられている。また、このシールド板４及びシ
ールドメツシュ３の上方には、これらと対向するように
シールドメツシュ３が配設されており、結局このシール
ド板４及びシールドメツシュ３により囲まれた領域がプ
ラズマ放電部１２として規定される。このプラズマ放電
部１２＋：Ｊｉ！ム反応器１の側壁には、その対向する
位置に夫々筒状のＡｒガス放電電極２が配置されており
、更に、各Ａｒガス放電電極２にはＡｒガス供給源（図
示せず）に接続されたＡｒガス供給管５が連結されてい
る。

一方、ガス反応部１３においては、シールド板４の穴部
の直下に外部のバイアス電源１０と接続された基板ホル
ダー８が設けられており、基板１１はこの基板ホルダー
８上に設置される。反応ガス供給管６は一端を反応ガス
供給源（図示せず）に接続され、他端は反応器１の側壁
を挿通して基板ホルダー８とシールド板４の穴部とが対
向する領域の側方にまで延出している。そして、この反
応ガス供給管６の他端部には２個の反応ガス吹出しロア
が設けられている。また、排気口９は基板１１に対して
均一な反応ガスかの流れが得られるように反応器１の底
壁の適所に設けられている。

上述の如く構成される装置を使用して基板１１上に薄膜
を堆積させる場合は、先ず、基板ホルダー８上に基板１
１を設置する。そして、Ａｒガス供給管５によりプラズ
マ放電部１２内にＡｒガスを供給した後、Ａｒガス放電
電極２に高電圧を印加することにより、Ａｒガスをプラ
ズマ放電させる。これにより、発光する光はシールド板
４の穴部に設けられたシールドメツシュ３を通過してガ
ス反応部１３に供給される。また、反応ガスを反応ガス
供給管６を介して反応ガス吹出しロアからガス反応部１
３内に導入する。そうすると、反応ガスは上述のプラズ
マ放電の発光スペクトルにより化学分解される。基板ホ
ルダー８はバイアス電源１０に接続されていてホルダー
８上の基板１１とシールドメツシュ３との間には電界が
生じており、反応ガスが分解して生じる粒子は基板１１
上に収集されて、薄膜として基板１１上に堆積される。

本実施例によれば、Ａｒガス放電電極２が反応器１内に
設置されているので、反応ガスの分解生成物等により光
の透過１が減少するということがなく、常に一定の光が
ガス反応部１３に導入される。このため、常に一定の反
応速度が得られ、均一性が優れた薄膜が形成される。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係る光ＣＶＤ装置によれば
、反応器内に放電電極が設置されていて光源自体が反応
器内に配設されているので、成膜時に光の透過量が減少
するということがないため、膜成長工程全般において安
定した反応速度を維持することができる。これにより、
膜の均−性及び膜特性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る光ＣＶＤ装置を示す模式
的断面図である。 １：反応器、２；Ａｒガス放電電極、３；シールドメツ
シュ、４；シールド板、５；Ａｒガス供給管、８；反応
ガス供給管、７；反応ガス吹出し口、８；基板ホルダー
、９；排気口、１０；バイアス電源、１１；基板、１２
；プラズマ放電部、１３；ガス反応部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）反応器と、この反応器内のプラズマ放電域を規定
   するシールドメッシュ及びシールド板と、前記プラズマ
   放電域に臨ませて反応器内に配置されたガス放電電極と
   、前記プラズマ放電域外の反応器内に反応ガスを供給す
   る反応ガス供給手段とを有することを特徴とする光ＣＶ
   Ｄ装置。