JPH02291157A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02291157A JPH02291157A JP11113989A JP11113989A JPH02291157A JP H02291157 A JPH02291157 A JP H02291157A JP 11113989 A JP11113989 A JP 11113989A JP 11113989 A JP11113989 A JP 11113989A JP H02291157 A JPH02291157 A JP H02291157A
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- Japan
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- heat sink
- heat
- semiconductor device
- electrode
- metal pipes
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関して、その放熱件の向上に
関するものである。
関するものである。
第２図は従来のトランジスタモジュールの構造を示す断
面斜視図である。図において、（１）はシリコンチップ
、＋２１ ． ＋３１および（４）ハシリコンチップ（
１と外部回路を接続するＬ字型の電極、（５）はシリコ
ンチップｉｌ＋で発生したヤ〜を放散させるための銅等
の放熱板、ｉ（ｉｌは電極（２），電極（３１，電極（
４１の裏面と放熱板（５）を絶縁するセラミック等σ）
絶縁板、（７）は電極（２）と絶縁板（６）を接合する
半田、（８）は絶縁板（６と放熱板（５）を接合する半
田、｛９）は放熱板（５）周囲に接着され千ツブ（ｌ）
，電極（２），電極（３），電極｛４｝，絶縁板｛６）
ヲ包囲するプラスチックパッケージ、（１０）はケース
内の少なくともチップ（１）を覆うように充填されるシ
リコンゲル、（ｌｌｉ ６−．．Ｘシリコンゲル（ｉｏ
＋の上に充填されろ｛〃｛詣である。
面斜視図である。図において、（１）はシリコンチップ
、＋２１ ． ＋３１および（４）ハシリコンチップ（
１と外部回路を接続するＬ字型の電極、（５）はシリコ
ンチップｉｌ＋で発生したヤ〜を放散させるための銅等
の放熱板、ｉ（ｉｌは電極（２），電極（３１，電極（
４１の裏面と放熱板（５）を絶縁するセラミック等σ）
絶縁板、（７）は電極（２）と絶縁板（６）を接合する
半田、（８）は絶縁板（６と放熱板（５）を接合する半
田、｛９）は放熱板（５）周囲に接着され千ツブ（ｌ）
，電極（２），電極（３），電極｛４｝，絶縁板｛６）
ヲ包囲するプラスチックパッケージ、（１０）はケース
内の少なくともチップ（１）を覆うように充填されるシ
リコンゲル、（ｌｌｉ ６−．．Ｘシリコンゲル（ｉｏ
＋の上に充填されろ｛〃｛詣である。
次に動作について．ｊ（１明する。シリコンチップ（１
で発生した感（１、電極（２），絶縁｛反｛６｝，放熱
板（５）へと伝達し、放熱され、かつシリコンゲル［１
０１からもケースｔｇ＋丸・よび招脂（１１）へと伝達
し放熱される。
で発生した感（１、電極（２），絶縁｛反｛６｝，放熱
板（５）へと伝達し、放熱され、かつシリコンゲル［１
０１からもケースｔｇ＋丸・よび招脂（１１）へと伝達
し放熱される。
従ラ７たσ）半憂体装置は以上ｌ７）ように構成されて
いるので、本装置を機器に搭載Ｌ ｆｃ場合、本装置の
性能を満ハ入させるために（・ユ、犬きｌよ外部放熱ブ
ロツクを必要としなければならず機器の小形化が困難で
あるなどの問題点があった。
いるので、本装置を機器に搭載Ｌ ｆｃ場合、本装置の
性能を満ハ入させるために（・ユ、犬きｌよ外部放熱ブ
ロツクを必要としなければならず機器の小形化が困難で
あるなどの問題点があった。
この発明は−ヒ記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、外部放一ト〜ブロックが小形にできるため
、本装置を搭載した機器の小形化ができる半導体装置を
得ることを目的とする。
れたもので、外部放一ト〜ブロックが小形にできるため
、本装置を搭載した機器の小形化ができる半導体装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半々４体装置は、放熱板下面に冷却液を
循環させるだめの金属パイプを設けたものである。
循環させるだめの金属パイプを設けたものである。
この発明における半導体装置（ｒｆ、放だー伏Ｆ面に金
属パイプ全設けたことにより、熱が金１ｒ４パイブ中の
冷却液へ伝わり、この熱は循環される冷却液により効率
よく冷却できる。
属パイプ全設けたことにより、熱が金１ｒ４パイブ中の
冷却液へ伝わり、この熱は循環される冷却液により効率
よく冷却できる。
以下、この究明の一実ノハ１１例を図について説明する
。第１図（１ζの発明の一実施例を示す半導体装置の断
面斜視図であり、（１）〜ｆ４１ ． ＋６１〜（１ｌ
）は従来装置におけるものと同等σ）もσ）であり、ｔ
ｊ斌明は省略する。図［．１．−いて、（１２）は冷却
液を循環させる複数の金属パイプであり、パイプ（１２
１ ｉ収納する凹形をなす放熱板。放熱板（１５）と金
属パイプ（ｌ２）の接合は、半田等σ）ろう材で行なー
う。
。第１図（１ζの発明の一実施例を示す半導体装置の断
面斜視図であり、（１）〜ｆ４１ ． ＋６１〜（１ｌ
）は従来装置におけるものと同等σ）もσ）であり、ｔ
ｊ斌明は省略する。図［．１．−いて、（１２）は冷却
液を循環させる複数の金属パイプであり、パイプ（１２
１ ｉ収納する凹形をなす放熱板。放熱板（１５）と金
属パイプ（ｌ２）の接合は、半田等σ）ろう材で行なー
う。
こ（／）ような実施例のものでは、シリコンチツフ１）
で発生し、電極｛２），絶縁４＊＋ｓ＋を経て放熱板（
１５）へと伝わる熱を金ｋ１慝パイプ中に冷却液を循環
させることにより、効率よく外部へ放煕させる。
で発生し、電極｛２），絶縁４＊＋ｓ＋を経て放熱板（
１５）へと伝わる熱を金ｋ１慝パイプ中に冷却液を循環
させることにより、効率よく外部へ放煕させる。
上記のように、この発明によれば放熱板下面に液冷用金
属パイプを備えるよう構成したので、放熱性が向上され
、放熱フイン等の放熱ブロックが小型化でき、かつ信頼
性σ）高い半．！１４体装置が得られる効果がある。
属パイプを備えるよう構成したので、放熱性が向上され
、放熱フイン等の放熱ブロックが小型化でき、かつ信頼
性σ）高い半．！１４体装置が得られる効果がある。
第１図はこσ）允明ｑ）一実施例を示す半導体装置の断
而斜ネＭ．図、第２図＋！．１従米σ）壬．・υ体装置
６′）１折面斜視図である。 図にｔ・いで、（１）はシリコンチップ、＋２） ，
！３１ ， ＋４（は電極、ｔｈｌは放熱板、（（ｉ）
は絶縁板、１７） ． ｔ８）ぱ公民田、（９）はケー
ス、（】０）はシリコンゲノレ、（ｌ１）は樹月旨、（
１２）は金属パイプである。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。 イＣ里人 大岩増雄 第１図 ！ シリコン千ノア ２ 電極 ７ ケース ７θ シνコンブル ｇ 柿 ！ｌ−Ｘ訂庁長宮殿 第２図 事件の表示 発明の名称 ３，補正をする者 平 持願曙 １−１１１１３９号 半導体装置 ４．代 理 人 代表者 岐 守 哉 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、図面の簡単な説明の欄
、及び図面。 ６ 補正の内容 （１）明細書の第４頁第２行に「金属パイプであり、パ
イプ図を」とあるのを「金属パイプであり． Ｑ５ぱパ
イプ＠を」に訂正する。 （２）明細書の第５頁第２行に「金属パイプである。」
とあるのを「金属パイプ、αＧは放熱板である。」に訂
正する。 （３）図面中第１図を別紙のとおり訂正する。 ７． 添付書類の目録 （１）訂正図面（第１図） １通以
上 第１１！！！！ ｌ ′Ｊリコン÷・冫７゜ ２ε柚 ３ 楊柳 ７ ゛ケース ／０ ．”／リコンゲル ｌｌ．引討 い ７ 千因 Ｉ 子田
而斜ネＭ．図、第２図＋！．１従米σ）壬．・υ体装置
６′）１折面斜視図である。 図にｔ・いで、（１）はシリコンチップ、＋２） ，
！３１ ， ＋４（は電極、ｔｈｌは放熱板、（（ｉ）
は絶縁板、１７） ． ｔ８）ぱ公民田、（９）はケー
ス、（】０）はシリコンゲノレ、（ｌ１）は樹月旨、（
１２）は金属パイプである。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。 イＣ里人 大岩増雄 第１図 ！ シリコン千ノア ２ 電極 ７ ケース ７θ シνコンブル ｇ 柿 ！ｌ−Ｘ訂庁長宮殿 第２図 事件の表示 発明の名称 ３，補正をする者 平 持願曙 １−１１１１３９号 半導体装置 ４．代 理 人 代表者 岐 守 哉 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、図面の簡単な説明の欄
、及び図面。 ６ 補正の内容 （１）明細書の第４頁第２行に「金属パイプであり、パ
イプ図を」とあるのを「金属パイプであり． Ｑ５ぱパ
イプ＠を」に訂正する。 （２）明細書の第５頁第２行に「金属パイプである。」
とあるのを「金属パイプ、αＧは放熱板である。」に訂
正する。 （３）図面中第１図を別紙のとおり訂正する。 ７． 添付書類の目録 （１）訂正図面（第１図） １通以
上 第１１！！！！ ｌ ′Ｊリコン÷・冫７゜ ２ε柚 ３ 楊柳 ７ ゛ケース ／０ ．”／リコンゲル ｌｌ．引討 い ７ 千因 Ｉ 子田
Claims (1)
- 半導体チップと、電極端子をその一方の面に接着させた
絶縁基板と、この絶縁基板の他方の面に半田等のろう材
で接着させた放熱板と、前記半導体チップ、電極端子の
一部及び絶縁基板等を覆つて放熱板上に接着させるケー
スとを備え、前記ケース内にエポキシ樹脂などの充填材
を充填硬化させてなる半導体装置において、前記放熱板
の下面に冷却液を循環させる金属パイプを備えたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113989A JPH02291157A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113989A JPH02291157A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291157A true JPH02291157A (ja) | 1990-11-30 |
Family
ID=14553448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113989A Pending JPH02291157A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02291157A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5925929A (en) * | 1992-07-03 | 1999-07-20 | Hitachi, Ltd. | Cooling apparatus for electronic elements |
| JP2002353405A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置 |
| US6744136B2 (en) * | 2001-10-29 | 2004-06-01 | International Rectifier Corporation | Sealed liquid cooled electronic device |
| JP2007067258A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Mitsubishi Materials Corp | 冷却器及びパワーモジュール |
| JP2010199622A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置，それを用いた電力変換装置及び車載用電機システム |
| JP2014033119A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP11113989A patent/JPH02291157A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5925929A (en) * | 1992-07-03 | 1999-07-20 | Hitachi, Ltd. | Cooling apparatus for electronic elements |
| JP2002353405A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置 |
| JP4573467B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2010-11-04 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
| US6744136B2 (en) * | 2001-10-29 | 2004-06-01 | International Rectifier Corporation | Sealed liquid cooled electronic device |
| JP2007067258A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Mitsubishi Materials Corp | 冷却器及びパワーモジュール |
| JP4600220B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2010-12-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 冷却器及びパワーモジュール |
| JP2010199622A (ja) * | 2010-05-31 | 2010-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置，それを用いた電力変換装置及び車載用電機システム |
| JP2014033119A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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