JPH02287128A - 基板温度較正方法 - Google Patents
基板温度較正方法Info
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- JPH02287128A JPH02287128A JP10721289A JP10721289A JPH02287128A JP H02287128 A JPH02287128 A JP H02287128A JP 10721289 A JP10721289 A JP 10721289A JP 10721289 A JP10721289 A JP 10721289A JP H02287128 A JPH02287128 A JP H02287128A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は基板温度較正方法に関し、さらに詳しくは電子
線回折装置を装備した分子線エピタキシー薄膜結晶成長
装置における正確な基板温度の較正方法に関するもので
ある。
線回折装置を装備した分子線エピタキシー薄膜結晶成長
装置における正確な基板温度の較正方法に関するもので
ある。
［従来の技術］
分子線エピタキシー装置での結晶成長において、基板の
温度較正を行うには、一般に第３図に示すような方法が
用いられていた。即ち、第３図（ａ）および（ｂ）は、
それぞれ基板支持台の平面図および縦断面図で、基板４
が載置された支持台５に、熱電対６と融点が既知である
金属３ａ〜３Ｃが数種類取り付けられている。そして、
基板温度の較正は、該金属の融点を目視によって観察し
ながら金属の形状変化を確認し、基板温度較正曲線を描
くことによって行われてきた。
温度較正を行うには、一般に第３図に示すような方法が
用いられていた。即ち、第３図（ａ）および（ｂ）は、
それぞれ基板支持台の平面図および縦断面図で、基板４
が載置された支持台５に、熱電対６と融点が既知である
金属３ａ〜３Ｃが数種類取り付けられている。そして、
基板温度の較正は、該金属の融点を目視によって観察し
ながら金属の形状変化を確認し、基板温度較正曲線を描
くことによって行われてきた。
例えば、テルル化水銀カドミウムの結晶成長においては
、熱電対で基板温度を測定していたが、熱電対が測定し
ている温度は基板裏面のモリブデンの支持台の温度なの
で、実際の基板温度を較正するために、支持台の上で基
板と同一面上に融点が既知の温度較正用金属を載せて行
われる。基板温度較正用金属としてはスズなどが用いら
れ、その既知の融点を利用する（ケストナー（ｉ！！
：ジャーナル・オフ・バキューム・サイエンス・アンド
・テクノロジー（Ｒ，Ｊ、Ｋｏｅｓｔｎｅｒ： Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎ
ｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏＱＶ ） 、 Ａ ６．２８３４
゜１９８８）。
、熱電対で基板温度を測定していたが、熱電対が測定し
ている温度は基板裏面のモリブデンの支持台の温度なの
で、実際の基板温度を較正するために、支持台の上で基
板と同一面上に融点が既知の温度較正用金属を載せて行
われる。基板温度較正用金属としてはスズなどが用いら
れ、その既知の融点を利用する（ケストナー（ｉ！！
：ジャーナル・オフ・バキューム・サイエンス・アンド
・テクノロジー（Ｒ，Ｊ、Ｋｏｅｓｔｎｅｒ： Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎ
ｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏＱＶ ） 、 Ａ ６．２８３４
゜１９８８）。
基板温度の較正を行うには、熱電対で検出される起電力
に基づき、温度制御器に表示される温度を見ながら、基
板の温度を徐々に上げていく。電子銃で温度較正用金属
（数種類取り付けた場合はそのうち融点の最も低いもの
）を照射し、その影像を蛍光板上に映し出す。金属が溶
融して形状が変化する時点での温度制御器の表示温度を
読み取り、縦軸に熱電対による表示温度を、横軸を実際
の温度とし、横軸上に各々の金属の融点を取って、温度
制御器の表示温度を記入する。伯の温度較正用金属につ
いても同様なことを行い、こうして得られた曲線から成
長させるべき基板の実際の温度を決定する。
に基づき、温度制御器に表示される温度を見ながら、基
板の温度を徐々に上げていく。電子銃で温度較正用金属
（数種類取り付けた場合はそのうち融点の最も低いもの
）を照射し、その影像を蛍光板上に映し出す。金属が溶
融して形状が変化する時点での温度制御器の表示温度を
読み取り、縦軸に熱電対による表示温度を、横軸を実際
の温度とし、横軸上に各々の金属の融点を取って、温度
制御器の表示温度を記入する。伯の温度較正用金属につ
いても同様なことを行い、こうして得られた曲線から成
長させるべき基板の実際の温度を決定する。
［発明が解決しようとする課題］
上記の方法において、温度較正用金属の影像を蛍光板上
に映し出し、目で確認するとき、金属が溶けたかどうか
を判断し易くするために、通常、その金属の形状を円錐
に近い形状にして先を尖らせる。従って、蛍光板上に投
影される影像は第４図（ａ）に示すようなもので（支持
台の温度が融点に達すると第４図（ｂ）のような変化を
するが、溶けても形状に変化が認められないことがしば
しば起こり、温度較正の正確さが期せないという問題が
あった。
に映し出し、目で確認するとき、金属が溶けたかどうか
を判断し易くするために、通常、その金属の形状を円錐
に近い形状にして先を尖らせる。従って、蛍光板上に投
影される影像は第４図（ａ）に示すようなもので（支持
台の温度が融点に達すると第４図（ｂ）のような変化を
するが、溶けても形状に変化が認められないことがしば
しば起こり、温度較正の正確さが期せないという問題が
あった。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたもので、正確な温度較正を行うことのでき
る基板温度較正方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、正確な温度較正を行うことのでき
る基板温度較正方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、支持台上に基板と融点が既知の基板温度較正
用金属とを設置し、熱雷対により測定される基板温度を
前記金属の溶融点を利用して較正する基板温度較正方法
において、基板温度較正用金属は、弾性部材により支持
台に押圧しつつ設置してなることを特徴とする基板温度
較正方法である。
用金属とを設置し、熱雷対により測定される基板温度を
前記金属の溶融点を利用して較正する基板温度較正方法
において、基板温度較正用金属は、弾性部材により支持
台に押圧しつつ設置してなることを特徴とする基板温度
較正方法である。
［作用］
弾性部材、例えば金属の板ばねで温度較正用の金属を支
持台に押圧しつつ固定すると、支持台と温度較正用金属
との熱接触が飛躍的に向上する。
持台に押圧しつつ固定すると、支持台と温度較正用金属
との熱接触が飛躍的に向上する。
また、金属がその融点で溶けると、ばねの弾性により治
具が支持台に接触する。このとき、蛍光板上でのその影
像の挙動は、はっきりと確認できる。
具が支持台に接触する。このとき、蛍光板上でのその影
像の挙動は、はっきりと確認できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の方法を分子線エピタキシー装置に適
用した時の基板用支持台の平面図および縦断面図である
。結晶成長では基板４を支持台５に載置し、温度較正用
金属３ａ〜３Ｃを支持台５に強く密着するように貼り付
け、高純度のリン青銅の板ばね１で固定する。図中、２
は固定ネジである。このようにすることによって、支持
台５と温度較正用金属との熱接触を従来よりも向上させ
ることができる。
用した時の基板用支持台の平面図および縦断面図である
。結晶成長では基板４を支持台５に載置し、温度較正用
金属３ａ〜３Ｃを支持台５に強く密着するように貼り付
け、高純度のリン青銅の板ばね１で固定する。図中、２
は固定ネジである。このようにすることによって、支持
台５と温度較正用金属との熱接触を従来よりも向上させ
ることができる。
熱電対６で検出される起電力に基づき、温度制御器に表
示される温度を見ながら、基板の温度を徐々に上げてい
く。電子銃で温度較正用金属を照射し、焦点をぼかして
蛍光板上に映し出すと、第２図（ａ）のような像が得ら
れる。その金属の融点に達すると、第２図（ｂ）のよう
に板ばねが支持台に接触するのが確認される。そのとき
の温度制御器の表示温度を読み取り、縦軸を熱電対によ
る（温度制御器の）表示温度、横軸を実際の基板温度（
金属の融点）とし、横軸上の各々の金属の融点上に、温
度制御器の表示温度を記入する。他の湿度較正用金属に
ついても同様なことを行い、得られた較正曲線から、実
際に成長させるときの基板温度を横軸上に取り、曲線と
の交点から温度制御器の温度を何度にするか決定する。
示される温度を見ながら、基板の温度を徐々に上げてい
く。電子銃で温度較正用金属を照射し、焦点をぼかして
蛍光板上に映し出すと、第２図（ａ）のような像が得ら
れる。その金属の融点に達すると、第２図（ｂ）のよう
に板ばねが支持台に接触するのが確認される。そのとき
の温度制御器の表示温度を読み取り、縦軸を熱電対によ
る（温度制御器の）表示温度、横軸を実際の基板温度（
金属の融点）とし、横軸上の各々の金属の融点上に、温
度制御器の表示温度を記入する。他の湿度較正用金属に
ついても同様なことを行い、得られた較正曲線から、実
際に成長させるときの基板温度を横軸上に取り、曲線と
の交点から温度制御器の温度を何度にするか決定する。
本発明では、温度較正用金属が溶けると同時に、第２図
（ｂ）のように、ばねの作用によって、ばねの先端が基
板支持台に接触するのが容易に確認できる。基板支持台
と温度較正用金属との熱接触の向上ともあいまって、基
板温度の較正精度は更に向上する。
（ｂ）のように、ばねの作用によって、ばねの先端が基
板支持台に接触するのが容易に確認できる。基板支持台
と温度較正用金属との熱接触の向上ともあいまって、基
板温度の較正精度は更に向上する。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によれば、薄膜成長におけ
る実際の基板温度の較正精度が一段と向上し、単結晶の
できる基板温度領域の狭い材料の薄膜結晶成長では特に
有効な基板温度較正方法が提供される。
る実際の基板温度の較正精度が一段と向上し、単結晶の
できる基板温度領域の狭い材料の薄膜結晶成長では特に
有効な基板温度較正方法が提供される。
第１図は本発明の方法の一実施例を示す基板支持台の平
面図および縦断面図、第２図は本発明における電子線回
折用蛍光板上に投影された温度較正用金属とばね治具の
金属溶融前後の影像を示す図、第３図は従来例による基
板支持台の平面図および縦断面図、第４図は従来例にお
ける電子線回折用蛍光板上に投影された基板温度較正用
金属の金属溶融前後の影像を示す図である。 １・・・板ばね ２・・・固定ねじ３．３ａ
〜３Ｃ・・・金属 ４・・・基板 ５・・・支持台６・・・熱
電対
面図および縦断面図、第２図は本発明における電子線回
折用蛍光板上に投影された温度較正用金属とばね治具の
金属溶融前後の影像を示す図、第３図は従来例による基
板支持台の平面図および縦断面図、第４図は従来例にお
ける電子線回折用蛍光板上に投影された基板温度較正用
金属の金属溶融前後の影像を示す図である。 １・・・板ばね ２・・・固定ねじ３．３ａ
〜３Ｃ・・・金属 ４・・・基板 ５・・・支持台６・・・熱
電対
Claims (1)
- （１）支持台上に基板と融点が既知の基板温度較正用金
属とを設置し、熱電対により測定される基板温度を前記
金属の溶融点を利用して較正する基板温度較正方法にお
いて、基板温度較正用金属は、弾性部材により支持台に
押圧しつつ設置してなることを特徴とする基板温度較正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10721289A JPH02287128A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 基板温度較正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10721289A JPH02287128A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 基板温度較正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02287128A true JPH02287128A (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14453329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10721289A Pending JPH02287128A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 基板温度較正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02287128A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177038A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Nec Corp | 分子線エピタキシー法による水銀カドミウムテルル薄膜の形成方法およびそれに用いる基板ホルダー |
| JP2012008235A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Shinshu Univ | 液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構 |
| JP2012078285A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Ricoh Co Ltd | 電気素子、集積素子及び電子回路 |
| JP2012122861A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2012122862A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2012122863A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2014509391A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-17 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 高温燃焼環境中のタービン部品を温度マッピングする装置と方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP10721289A patent/JPH02287128A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177038A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Nec Corp | 分子線エピタキシー法による水銀カドミウムテルル薄膜の形成方法およびそれに用いる基板ホルダー |
| JP2012008235A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Shinshu Univ | 液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構 |
| JP2012078285A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Ricoh Co Ltd | 電気素子、集積素子及び電子回路 |
| JP2012122861A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2012122862A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2012122863A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2014509391A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-17 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 高温燃焼環境中のタービン部品を温度マッピングする装置と方法 |
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