JPH02284486A - 半導体レーザ波長安定化装置 - Google Patents
半導体レーザ波長安定化装置Info
- Publication number
- JPH02284486A JPH02284486A JP10558489A JP10558489A JPH02284486A JP H02284486 A JPH02284486 A JP H02284486A JP 10558489 A JP10558489 A JP 10558489A JP 10558489 A JP10558489 A JP 10558489A JP H02284486 A JPH02284486 A JP H02284486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- natural
- spectrum
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 9
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 17
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100086490 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) rbd-2 gene Proteins 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業」二の利用分野〉
本発明は、レーザ波長の安定化及びスペク１ヘル線幅の
狭帯域化を同時に実現した半導体レーザ波長安定化装置
に関するものである。
狭帯域化を同時に実現した半導体レーザ波長安定化装置
に関するものである。
〈従来の技術〉
この種の半導体レーザ波長安定化装置として、本出顆人
は特開昭６２−２５０６８２号１半導体レーザ波長安定
化装置、］を出願している。この先願によれば゛、出力
レーザ光をビームスプリッタで２方向に分け、一方の光
は波長選択素子（例えばエタロン）を通して通過レーザ
光を電気信号ＴＡに変換し、他方の光はそのまま光電変
換しそれを第１の増幅器で増幅して電気信号■８を得て
、この２つの電気信号ＩＡ、１Ｂの差分の信号Ｉ ｅｒ
ｒを積分器て積分し、その積分出力を第２の増幅器で増
幅してその信号を半導体レーザの注入電流に帰還する様
にしている。
は特開昭６２−２５０６８２号１半導体レーザ波長安定
化装置、］を出願している。この先願によれば゛、出力
レーザ光をビームスプリッタで２方向に分け、一方の光
は波長選択素子（例えばエタロン）を通して通過レーザ
光を電気信号ＴＡに変換し、他方の光はそのまま光電変
換しそれを第１の増幅器で増幅して電気信号■８を得て
、この２つの電気信号ＩＡ、１Ｂの差分の信号Ｉ ｅｒ
ｒを積分器て積分し、その積分出力を第２の増幅器で増
幅してその信号を半導体レーザの注入電流に帰還する様
にしている。
この様な構成によれば、割算器を使用しなくても等測的
に１８／Ｉ＾の一定な制御が出来るので構成が簡単にな
ると共に、積分器と第２の増幅器に広い帯域のものを使
用するとエタロン透過光パワー変動の高周波成分も帰還
されるので、スペクトル線幅の狭帯域化も実現出来る効
果が得られる。
に１８／Ｉ＾の一定な制御が出来るので構成が簡単にな
ると共に、積分器と第２の増幅器に広い帯域のものを使
用するとエタロン透過光パワー変動の高周波成分も帰還
されるので、スペクトル線幅の狭帯域化も実現出来る効
果が得られる。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、」記号既出願の「半導体レーザ波長安定化装
置」に示す波長選択素子として天然ルビジウム（以下、
単にＲｂという）を封入したガスセルを用い、この天然
Ｒｂ−Ｄ２線の吸収スペクトルを利用する様な構成とし
たものである。カスの吸収スペクトルを利用した周波数
の安定化光源に関しては既に公知であり、例えば１、Ｄ
の周波数を微小変調し出力の１次微分信号がゼロとなる
様にロックインアンプを通してフィー ドパツクを行う
様な装置があるが、制御帯域がロックインアンプで制限
されてしまう為、スペクトル幅の狭帯域化を行う事が出
来ないという課題があった。
置」に示す波長選択素子として天然ルビジウム（以下、
単にＲｂという）を封入したガスセルを用い、この天然
Ｒｂ−Ｄ２線の吸収スペクトルを利用する様な構成とし
たものである。カスの吸収スペクトルを利用した周波数
の安定化光源に関しては既に公知であり、例えば１、Ｄ
の周波数を微小変調し出力の１次微分信号がゼロとなる
様にロックインアンプを通してフィー ドパツクを行う
様な装置があるが、制御帯域がロックインアンプで制限
されてしまう為、スペクトル幅の狭帯域化を行う事が出
来ないという課題があった。
本発明は上記既出願のＩ″半導体レーザ波長安定化装置
、Ｉと同様の構成で、波長選択素子として天然Ｒｂ−Ｄ
２線の吸収スベク１〜ルを用い、レーザ波長の安定化
と同時に狭帯域化を行い、更に吸収スペクトルＤ２線の
うち特定のスロープを限定して用いる事により、より狭
いスベク）〜ル線幅を実現させる半導体レーザ波長安定
化装置を提供する事を目的としたものである。
、Ｉと同様の構成で、波長選択素子として天然Ｒｂ−Ｄ
２線の吸収スベク１〜ルを用い、レーザ波長の安定化
と同時に狭帯域化を行い、更に吸収スペクトルＤ２線の
うち特定のスロープを限定して用いる事により、より狭
いスベク）〜ル線幅を実現させる半導体レーザ波長安定
化装置を提供する事を目的としたものである。
く課題を解決するための手段〉
」記号課題を解決する為の本発明の構成は、半導体レー
ザの出力光を２方向に分け、一方の光は波長選択素子へ
照射しそれから得られる光を電気信号に変換し、他方の
光はそのまま光電変換しそれを増幅器で増幅して電気信
号を得て、この２つの電気信号の差分の信号を積分器で
積分し、その積分出力により半導体レーザの注入電流を
制御する様にした半導体レーザ波長安定化装置において
、前記波長選択素子として天然Ｒｂを封入したガスセル
を用い、この天然Ｒｂ −Ｄ ２線の吸収スペクトルの
うち特定のスロープを限定して利用する様にした事を特
徴とするものである。
ザの出力光を２方向に分け、一方の光は波長選択素子へ
照射しそれから得られる光を電気信号に変換し、他方の
光はそのまま光電変換しそれを増幅器で増幅して電気信
号を得て、この２つの電気信号の差分の信号を積分器で
積分し、その積分出力により半導体レーザの注入電流を
制御する様にした半導体レーザ波長安定化装置において
、前記波長選択素子として天然Ｒｂを封入したガスセル
を用い、この天然Ｒｂ −Ｄ ２線の吸収スペクトルの
うち特定のスロープを限定して利用する様にした事を特
徴とするものである。
く作用〉
この様に、波長選択素子として天然Ｒｂを封入したガス
セルを用いた構成とすることにより、７８０ ｎｌＮの
半導体レーザの周波数を安定化する場合、天然Ｒｂ−Ｄ
２線のどの超微細構造を用いても可能となり、発振スペ
クトル幅の狭帯域化も同時に行う場合においても、天然
ＲｂＤ２線Ａの周波数の高い側のスロープを限定して用
いる事により、より狭いスペクトル幅を実現する事が可
能となる。
セルを用いた構成とすることにより、７８０ ｎｌＮの
半導体レーザの周波数を安定化する場合、天然Ｒｂ−Ｄ
２線のどの超微細構造を用いても可能となり、発振スペ
クトル幅の狭帯域化も同時に行う場合においても、天然
ＲｂＤ２線Ａの周波数の高い側のスロープを限定して用
いる事により、より狭いスペクトル幅を実現する事が可
能となる。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に基すいて説明する。
第１図は本発明に係わる半導体レーザ波長安定化装置の
一実施例を示す回路構成図である。
一実施例を示す回路構成図である。
第１図において、Ｌ Ｄは半導体レーザタイオド（以下
、単にＬ Ｄという）であり、このＬＤは温度変動によ
る波長の変動を抑制する為に図示しない恒温槽内に配置
され、温度コントローラＴ Ｃによりその温度が一定に
制御されている。恒温槽内の温度か予め決められた温度
になった事を判別する図示しない温度判別器の信号を受
６すなのち、波長安定化回路は動作する様に構成されて
いる。
、単にＬ Ｄという）であり、このＬＤは温度変動によ
る波長の変動を抑制する為に図示しない恒温槽内に配置
され、温度コントローラＴ Ｃによりその温度が一定に
制御されている。恒温槽内の温度か予め決められた温度
になった事を判別する図示しない温度判別器の信号を受
６すなのち、波長安定化回路は動作する様に構成されて
いる。
ＬＤから出た光はレンズＬ、で平行光にコリメー１〜さ
れ、ハーフミラ−１１Ｍ”Ｃ帰還用に使用する反射光と
出力光としての透過光に分岐される。ハーフミラ−Ｊ−
Ｉ Ｍで反射された帰還用の光は１／２λ板Ｚを通って
ビームスプリッタＰ Ｆ３ Ｓで分岐され、このビーム
スプリッタＰ Ｂ Ｓを透過した一方の光は第１の光電
変換素子Ｐ Ｉ） １で電気信号に変換されたのち増幅
器Ａ１の反転入力端子に入力される。
れ、ハーフミラ−１１Ｍ”Ｃ帰還用に使用する反射光と
出力光としての透過光に分岐される。ハーフミラ−Ｊ−
Ｉ Ｍで反射された帰還用の光は１／２λ板Ｚを通って
ビームスプリッタＰ Ｆ３ Ｓで分岐され、このビーム
スプリッタＰ Ｂ Ｓを透過した一方の光は第１の光電
変換素子Ｐ Ｉ） １で電気信号に変換されたのち増幅
器Ａ１の反転入力端子に入力される。
一方、ビームスプリッタＰＢＳで反射された光は天然Ｒ
，ｂを封入したガスセルＴに入射され、その天然Ｒ，ｂ
−Ｔ） ２線の吸収スペクトルに応じてパワの減衰を
受けた光は第２の光電変換素子ＰＤ２で電気信号に変換
されたのち、第１の増幅器Ａ１からの出力と共に帰還抵
抗ＲＯ及び帰還コンデンサＣを有する積分器Ｂの反転入
力端子に入力される。この積分器Ｂの出力は抵抗Ｒ２を
経て、抵抗Ｒ３を経なＶｉｎからの出力と共に第２の増
幅器Ａ２を構成するトランジスタ′１゛ｒのベースに接
続される。トランジスタ’Ｉ” ｒのコレクタ側は抵抗
Ｒ５を経てＩ＝ Ｄに接続されており、エミッタ側は抵
抗Ｒ４を経て接地されている。
，ｂを封入したガスセルＴに入射され、その天然Ｒ，ｂ
−Ｔ） ２線の吸収スペクトルに応じてパワの減衰を
受けた光は第２の光電変換素子ＰＤ２で電気信号に変換
されたのち、第１の増幅器Ａ１からの出力と共に帰還抵
抗ＲＯ及び帰還コンデンサＣを有する積分器Ｂの反転入
力端子に入力される。この積分器Ｂの出力は抵抗Ｒ２を
経て、抵抗Ｒ３を経なＶｉｎからの出力と共に第２の増
幅器Ａ２を構成するトランジスタ′１゛ｒのベースに接
続される。トランジスタ’Ｉ” ｒのコレクタ側は抵抗
Ｒ５を経てＩ＝ Ｄに接続されており、エミッタ側は抵
抗Ｒ４を経て接地されている。
上記構成において、帰還されたベース電圧に基すいて１
−Ｄにｌ５１４動電流■が流れる。
−Ｄにｌ５１４動電流■が流れる。
ここで、第２図に天然Ｒｂ −Ｄ ２線の吸収スペクト
ルを示す。図において、Ａ及びＢはＲ，ｌ：＋ ””カ
スーＤ２線の吸収スペ２１〜ルの超微細イ４造、２１及
びｂはＲｂ８７ガス＝Ｄ２線の超微細構造である。
ルを示す。図において、Ａ及びＢはＲ，ｌ：＋ ””カ
スーＤ２線の吸収スペ２１〜ルの超微細イ４造、２１及
びｂはＲｂ８７ガス＝Ｄ２線の超微細構造である。
７８０ ｎｉｎの半導体レーザの周波数を安定化する場
合においては、このＲｂ−Ｃ２線のどの超微細構造（ｂ
、Ｂ、Ａ、ａ）を用いても可能である。又、発振スペク
トル幅の狭帯域化を同時に行う際においても第２図の超
微細構造のとのスロープを用いても可能である力釈より
狭いスベク１〜ル線幅を得る為には、スペクトル線幅の
狭帯域化に対して、その結果の最もよいスロープを限定
して用いる事により実現する事が出来る。ここで、第３
図（］）〜（６）に第２図の■〜■の各スロープを用い
て発振スペクトル幅の狭帯域化を行った結果をそれぞれ
示す。なお、第３図の（Ｄ図〜・（６）図る」第２図の
■〜■で示す超微細＋Ｉｌへ造の各スロープを用いたも
のをそれぞれ対応して示すものである。
合においては、このＲｂ−Ｃ２線のどの超微細構造（ｂ
、Ｂ、Ａ、ａ）を用いても可能である。又、発振スペク
トル幅の狭帯域化を同時に行う際においても第２図の超
微細構造のとのスロープを用いても可能である力釈より
狭いスベク１〜ル線幅を得る為には、スペクトル線幅の
狭帯域化に対して、その結果の最もよいスロープを限定
して用いる事により実現する事が出来る。ここで、第３
図（］）〜（６）に第２図の■〜■の各スロープを用い
て発振スペクトル幅の狭帯域化を行った結果をそれぞれ
示す。なお、第３図の（Ｄ図〜・（６）図る」第２図の
■〜■で示す超微細＋Ｉｌへ造の各スロープを用いたも
のをそれぞれ対応して示すものである。
第３図に示す様に、スペクトル線幅の狭ｆ域化に対して
は（３）図、即ちｆｉ、 ｂ −Ｄ ２線Ａの周波数の
高い側のスロープを用いた場合が曲のスロープを用いた
場合に比へて発振スペク１−ル幅をより狭帯域化に出来
る事になり、安定化と同時に狭帯域化を行う際、用いる
スロープを限定して使用する事により、より狭い発振ス
ベクｌ−ル幅とする事か出来る。
は（３）図、即ちｆｉ、 ｂ −Ｄ ２線Ａの周波数の
高い側のスロープを用いた場合が曲のスロープを用いた
場合に比へて発振スペク１−ル幅をより狭帯域化に出来
る事になり、安定化と同時に狭帯域化を行う際、用いる
スロープを限定して使用する事により、より狭い発振ス
ベクｌ−ル幅とする事か出来る。
第４図は他の実施例を示す回路構成図である。
なお、第４図において第１図と同一要素には同一符号を
付して重複する説明は省略するが、この例においては、
更に定電流回路と制御回路を設けた構成としたものであ
り、波長安定化の制御系が大きく変動した場合（例えは
、装置の電源投入時）においても、引込み動作を行う事
なく、自動的にある特定の目標値にレーザ波長が安定化
される様にしたものである。
付して重複する説明は省略するが、この例においては、
更に定電流回路と制御回路を設けた構成としたものであ
り、波長安定化の制御系が大きく変動した場合（例えは
、装置の電源投入時）においても、引込み動作を行う事
なく、自動的にある特定の目標値にレーザ波長が安定化
される様にしたものである。
この様な構成において、増幅器Ｕと１〜ランジスタＱ２
と抵抗Ｒ２は定電流回路を構成し、１−ランジスタＱ２
に流れる電流値ＩｉｎはＶｒ／Ｒ２である。コンデンサ
Ｃ２と抵抗Ｒ３はトランジスタＱ１のベースに印加され
る帰還電圧ＶＢの高周波の信号を通過させる回路であり
、直流に対してはオープンとなる。抵抗Ｒ４は帰還電圧
ＶＢの低周波の信号を通過させる回路であり、ｌ＝ Ｄ
の波長が丁度ロック点にある時の帰還電圧ＶＢをＶＢＯ
とすると、抵抗Ｒ４には （ＶＢＯ−ＶＢＥ）／Ｒ４−１４ＶＢ ／Ｒ４の電流が
流れる。なお、△ＶＢはフィードバックによるＶＢの変
動分であり、ＶＢ［は）ヘランジスタＱ１のべ〜ス・エ
ミッタ間の電圧である。
と抵抗Ｒ２は定電流回路を構成し、１−ランジスタＱ２
に流れる電流値ＩｉｎはＶｒ／Ｒ２である。コンデンサ
Ｃ２と抵抗Ｒ３はトランジスタＱ１のベースに印加され
る帰還電圧ＶＢの高周波の信号を通過させる回路であり
、直流に対してはオープンとなる。抵抗Ｒ４は帰還電圧
ＶＢの低周波の信号を通過させる回路であり、ｌ＝ Ｄ
の波長が丁度ロック点にある時の帰還電圧ＶＢをＶＢＯ
とすると、抵抗Ｒ４には （ＶＢＯ−ＶＢＥ）／Ｒ４−１４ＶＢ ／Ｒ４の電流が
流れる。なお、△ＶＢはフィードバックによるＶＢの変
動分であり、ＶＢ［は）ヘランジスタＱ１のべ〜ス・エ
ミッタ間の電圧である。
帰還電圧ＶＢの最大変化量を」：△ＶＩＩＨＡＸとする
と、注入電流［（ＬＤ電流）の直流分、即ち、（Ｉ団＋
ｌｌ１４）の変化量は土△ＶＢＩ保×／Ｒ４て決まるの
で、この電流変化によるＬ Ｄの波長変化が天然Ｒｂ−
Ｃ２線の吸収スベク１〜ルの超微細構造のスペクｌ〜ル
の単調変化領域内であれは、引込み動作なしに自動的に
波長か［１標値に安定する。即ち、Ｌ、 Ｄに流れる注
入電流■は、定電流回路に流れる一定電流ｆｉｎと、制
御回路に流れる制御電流（Ｉ １１４＋Ｉ Ｃ２＞の和
の電流である。Ｌ Ｄて出力されるレーザの波長はこの
注入電流■で決定される（但し温度はある値に制御され
ている）がへ、この注入電流Ｉの直流分に対応する波長
が第２図に示す天然Ｒｂ Ｃ２線の吸収スペクトルの
特定のスロープとなる様に回路定数を定めれば、電源を
投入後、必ず上述した安定化動作を経て、目標値の波長
でロック出来る事になる。
と、注入電流［（ＬＤ電流）の直流分、即ち、（Ｉ団＋
ｌｌ１４）の変化量は土△ＶＢＩ保×／Ｒ４て決まるの
で、この電流変化によるＬ Ｄの波長変化が天然Ｒｂ−
Ｃ２線の吸収スベク１〜ルの超微細構造のスペクｌ〜ル
の単調変化領域内であれは、引込み動作なしに自動的に
波長か［１標値に安定する。即ち、Ｌ、 Ｄに流れる注
入電流■は、定電流回路に流れる一定電流ｆｉｎと、制
御回路に流れる制御電流（Ｉ １１４＋Ｉ Ｃ２＞の和
の電流である。Ｌ Ｄて出力されるレーザの波長はこの
注入電流■で決定される（但し温度はある値に制御され
ている）がへ、この注入電流Ｉの直流分に対応する波長
が第２図に示す天然Ｒｂ Ｃ２線の吸収スペクトルの
特定のスロープとなる様に回路定数を定めれば、電源を
投入後、必ず上述した安定化動作を経て、目標値の波長
でロック出来る事になる。
〈発明の効果〉
以」二、実施例と共に具体的に説明した様に、本発明に
よれは、波長選択素子として天然Ｒｂを封入したガスセ
ルを用い、この天然Ｒｂ −Ｄ ２線の吸収スペクｌ〜
ルを利用する様にした構成とする事により、７８０ ｎ
ｍの半導体レーザの周波数安定化を行う際は天然Ｒ，Ｄ
−Ｄ ２線の吸収スペクトルのどの超微細構造（ｂ、Ｂ
、Ａ、ａ）を用いても可能であり、同時に狭帯域化を行
う際においても、吸収スペクトルＤ ２線−Ａの周波数
の高い側のスロープを限定して用いる事により、他のス
ロープを用いた場合に比べてより狭い発振スペクトル幅
を実現する事が出来、レー→ノ゛波長の安定化と同時に
スペク１ヘル線幅の狭帯域化を行う際、用いるスロープ
を限定する事により、より狭い発振スペクトル線幅を実
現する事が出来る。
よれは、波長選択素子として天然Ｒｂを封入したガスセ
ルを用い、この天然Ｒｂ −Ｄ ２線の吸収スペクｌ〜
ルを利用する様にした構成とする事により、７８０ ｎ
ｍの半導体レーザの周波数安定化を行う際は天然Ｒ，Ｄ
−Ｄ ２線の吸収スペクトルのどの超微細構造（ｂ、Ｂ
、Ａ、ａ）を用いても可能であり、同時に狭帯域化を行
う際においても、吸収スペクトルＤ ２線−Ａの周波数
の高い側のスロープを限定して用いる事により、他のス
ロープを用いた場合に比べてより狭い発振スペクトル幅
を実現する事が出来、レー→ノ゛波長の安定化と同時に
スペク１ヘル線幅の狭帯域化を行う際、用いるスロープ
を限定する事により、より狭い発振スペクトル線幅を実
現する事が出来る。
第１図は本発明に係わる半導体レーザ波長安定化装置の
一実施例を示す回路構成図、第２図は天然Ｒｂ−Ｄ ２
線の吸収スベク１〜ルを示ず図、第３図は第２図の超微
細構造の各スロープを用いた狭帯域化を示す図、第４図
は本発明の曲の実施例を示す回路構成図である。 Ａ１・・・第１の増幅器、Ａ２・・・第２の増幅器、Ｉ
３・・積分器、Ｃ・・・帰還コンデンサ、Ｊ（Ｍ・・・
ハーフミラ−１Ｌ・・・レンズ、Ｌ Ｄ・・・半尋（水
レーーーナダイオド、ＰＢＳ・・・ビームスプリッタ、
Ｐ Ｄ １・・・第１の光電変換素子、ＰＤ２・・・第
２の光電変換素子、ＲＯ・・・帰還抵抗、Ｒ１−Ｒ５・
・抵抗、′■゛・・・天然ルビジウムを封入したガスセ
ル、′Ｉ″Ｃ・・温度コンｌ−ローラ、Ｚ・・・１／２
λ板。 第 図 周液数 ｍｆ校 （、≦−ン １問♂４又
一実施例を示す回路構成図、第２図は天然Ｒｂ−Ｄ ２
線の吸収スベク１〜ルを示ず図、第３図は第２図の超微
細構造の各スロープを用いた狭帯域化を示す図、第４図
は本発明の曲の実施例を示す回路構成図である。 Ａ１・・・第１の増幅器、Ａ２・・・第２の増幅器、Ｉ
３・・積分器、Ｃ・・・帰還コンデンサ、Ｊ（Ｍ・・・
ハーフミラ−１Ｌ・・・レンズ、Ｌ Ｄ・・・半尋（水
レーーーナダイオド、ＰＢＳ・・・ビームスプリッタ、
Ｐ Ｄ １・・・第１の光電変換素子、ＰＤ２・・・第
２の光電変換素子、ＲＯ・・・帰還抵抗、Ｒ１−Ｒ５・
・抵抗、′■゛・・・天然ルビジウムを封入したガスセ
ル、′Ｉ″Ｃ・・温度コンｌ−ローラ、Ｚ・・・１／２
λ板。 第 図 周液数 ｍｆ校 （、≦−ン １問♂４又
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザの出力光を２方向に分け、一方の光は波長
選択素子へ照射しそれから得られる光を電気信号に変換
し、他方の光はそのまま光電変換しそれを増幅器で増幅
して電気信号を得て、この２つの電気信号の差分の信号
を積分器で積分し、その積分出力により半導体レーザの
注入電流を制御する様にした半導体レーザ波長安定化装
置において、 前記波長選択素子として天然ルビジウムを封入したガス
セルを用い、この天然ルビジウム−Ｄ２線の吸収スペク
トルのうち特定のスロープを限定して利用する様にした
事を特徴とする半導体レーザ波長安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10558489A JPH02284486A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体レーザ波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10558489A JPH02284486A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体レーザ波長安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02284486A true JPH02284486A (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14411551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10558489A Pending JPH02284486A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体レーザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02284486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6522675B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-02-18 | Nec Corporation | Wavelength control circuit and wavelength control method of light emitting device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154683A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Yokogawa Electric Corp | レ−ザ発生装置 |
| JPS62155578A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | Yokogawa Electric Corp | レ−ザ発生装置 |
| JPS62198724A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Yokogawa Electric Corp | 可変波長光源 |
| JPS62250682A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS6377180A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10558489A patent/JPH02284486A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154683A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Yokogawa Electric Corp | レ−ザ発生装置 |
| JPS62155578A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | Yokogawa Electric Corp | レ−ザ発生装置 |
| JPS62198724A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Yokogawa Electric Corp | 可変波長光源 |
| JPS62250682A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS6377180A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6522675B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-02-18 | Nec Corporation | Wavelength control circuit and wavelength control method of light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI97579C (fi) | Vaihelukitun silmukan silmukkasuodatin | |
| JPS5828884A (ja) | レ−ザ制御装置 | |
| US8867579B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH02284486A (ja) | 半導体レーザ波長安定化装置 | |
| GB2250394A (en) | Optical frequency synthesis | |
| JP2541095B2 (ja) | レ―ザの波長安定化方法 | |
| JPH02244782A (ja) | 周波数安定化半導体レーザー装置 | |
| KR100211583B1 (ko) | 파장 분할 다중방식 광전송 시스템을 위한 광원 안정화 시스템 | |
| JPH0482193B2 (ja) | ||
| JPH06148706A (ja) | 光周波数基準光源発生装置 | |
| JPS62250682A (ja) | 半導体レ−ザ波長安定化装置 | |
| JP2520740B2 (ja) | 波長可変安定化光源 | |
| JPS62154683A (ja) | レ−ザ発生装置 | |
| JP2864814B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63102381A (ja) | Ｌｅｄ安定化光源 | |
| SU584262A1 (ru) | Преобразователь частоты с фазовой автоподстройкой | |
| JPH05275788A (ja) | 周波数安定化半導体レーザ装置 | |
| JPH04137575A (ja) | 周波数安定化レーザ光源 | |
| JP2995854B2 (ja) | 半導体レーザ発振器 | |
| JPH04158591A (ja) | 周波数安定化光源 | |
| JPH07159442A (ja) | 標準電圧発生装置 | |
| JPS63204779A (ja) | 半導体光源の光周波数安定化法 | |
| SU1640812A2 (ru) | Многочастотный кварцевый генератор | |
| Riley | A rubidium clock for seek-talk | |
| JPH02238684A (ja) | 安定化光源装置 |