JPH02283069A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装１に関し、特に集積回路に好適な高耐
圧ラテラルトランジスタ及び高耐圧のラテラルサイリス
タの構造に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の高耐圧ラテラルトランジスタ及び高耐圧
ラテラルサイリスタは、例えば、ラテラルトランジスタ
の場合は、ｎ型半導体基板にｎ型不純物を拡散し、エミ
ッタ、コレクタ領域をそれぞれ形成し、ベース領域にコ
ンタクトを形成するために、ｎ型不純物を拡散し、濃度
の高いｎ＋型領領域形成し、これら領域から電極を取り
出す構造になっていた。

第４図は従来の半導体装置であるラテラルトランジスタ
の一例を示す半導体チップの模式断面図である。従来、
この種の半導体装置であるラテラルトランジスタは、例
えば、第４図に示すように、ｎ型半導体基板１の一生面
にｎ型不純物を拡散し、エミッタ領域２及びコレクタ領
域３を形成し、更に、ベース領域４にオーミックコンタ
クトを形成するために、半導体基板１の不純物濃度より
濃いｎ＋型領領域形成する。これら各領域にオーミック
コンタクトする電極を形成して、これらの電極を露出さ
せて半導体基板１を覆うように形成された酸化膜５と、
金属配線６を覆うように保護膜９を形成し、その外郭体
をモールド樹脂等で樹脂封止していた。

第５図は従来の半導体装置であるラテラルサイリスタの
一例を示す半導体チップの模式断面図である。一方、ラ
テラルサイリスタは、同図に示すように、ｎ型半導体基
板１の一生面にｎ型不純物を拡散し、アノード領域１１
及びゲート領域１２を形成し、更に、ゲート領域１４及
びカソード領域１３にオーミックコンタクト及びｎ型領
域を形成するために、半導体基板１の不純物濃度より濃
いｎ＋型の領域を形成する。これら各領域にオーミック
コンタクトする電極を形成して、これらの電極を露出さ
せて半導体基板１を覆うように形成された酸化膜５ａと
、金属配線６ａを覆う層間絶しかしながら、上述した従
来の樹脂封止されたラテラルトランジスタの構造では、
例えば、第４図に示すように、エミッタとコレクタ間に
数十７以上の高電圧を印加した際に、エミッタとベース
間上の酸化膜までに負電界が及び空乏層１ｏが形成され
、エミッタとベース間に反転層が生じ、エミッタとベー
ス間の実効的な距離Ｗｏが小さくなることが多々ある。

このため、リーク電流がながれ、あたかもトランジスタ
のｈＰ！が増加するという現象が起き、安定した特性が
得られないという欠点がある。

また、サイリスクの場合も、カソードとアノード間に電
圧を印加したときに、リーク電流がながれるという欠点
がある。

本発明の目的は、かかる問題を解消し、リーク電流の少
ない安定した特性が得られる半導体装置を提供すること
である。

〔課題を解決するための手段〕

１、本発明の第１の半導体装置は、一導電型半導体基板
の一主面上にそれぞれ並べて形成される第１及び第２の
逆導電型領域及び前記半導体基板の濃度より高い濃度の
第１の一導電型領域と、これらの導電領域にそれぞれに
形成されたオーミックコンタクトと、これらのオーミッ
クコンタクトから金属配線により引出した後に前記オー
ミックコンタクトを含む前記半導体基板を覆う絶縁膜と
を有する半導体装置において、前記絶８！膜を覆う金属
膜と、この金属膜と前記第１の一導電型領域あるいは前
記第１の逆道電型領域とがオーミックコンタクされる金
属膜とを備え構成される。

２、本発明の第２の半導体装置は、前記第１の一導電型
領域より第１の前記逆導電型領域を隔てて形成された第
２の逆導電型領域と、この第２の逆導電型領域中に形成
されたより高濃度の第２の一導電型領域と、これらの導
電領域にそれぞれに形成されたオーミックコンタクトと
、これらのオーミックコンタクトから金属配線により引
出した後に前記オーミックコンタクトを含む前記半導体
基板を覆う絶縁膜とを有する半導体装置において、前記
絶縁膜を覆う金属膜と、この金属膜と前記第１の一導電
型領域とオーミックコンタクトされた金属配線とを備え
構成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明による半導体装置であるラテラルトラン
ジスタの一実施例を示す半導体チップの断面図、第２図
は本発明による半導体装置であるラテラルトランジスタ
の他の構造例を示す半導体チップの断面図である。

この半導体装置、例えば、第１図に示すように、エミッ
タ接地のラテラルトランジスタでは、比較的に高い抵抗
値（５〜３０Ωｃｍ）のｎ型半導体基板１にｐ型不純物
拡散によりエミッタ領域３及びコレクタ領域４が設けら
れている。また、これら領域を含む半導体基板１は酸化
膜５で覆われており、コレクタ、エミッタ及びベースに
は金属配線６がそれぞれにオーミックコンタクトされて
いる。

さらに、これら配線６は層間絶縁膜７で被覆され、その
上にエミッタ電極と接続される金属膜８が少なくともエ
ミッタとベース間を覆うように設けられている。このこ
とにより、反転層を生ずることがなくなり、ｈＦＥの安
定が図ることが出来るようになった。

一方、例えば、第２図に示すように、眉間絶縁Ｈ７を覆
う金属膜８が、ベースに接続されていると、前述の実施
例と同じ効果がある。

第３図は本発明によるサイリスタの一実施例を示す半導
体チップの断面図である。また、同じ半導体装置でも、
サイリスタの場合は、第３図に示すように、眉間絶縁膜
７の上に覆うように金属膜８を形成し、この金属膜８を
ゲート領域１４にオーミックコンタクトすれば良い。こ
のことにより、第５図に示す空乏層１０ａが緩和され、
実効的距離が大きくなりリーク電流が減少する。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体装置であるラテラ
ルトランジスタのエミッタあるいはベース領域に接続さ
れた金属膜を絶縁膜を介して設けることにより、コレク
タとエミッタ間またはコレクタとベース間に数十Ｖ以上
の電圧を印加した際に、モールド樹脂材の分極等による
負電界がペースエミッタ間上の絶縁膜に印加されるのを
防ぎ、実効的にエミッタベース間のバスが短くなること
がないので、安定したｈＦＥをもつラテラルトランジス
タが得られるという効果がある。

また、サイリスタの場合にも、同様に金属膜を絶縁膜を
介して覆うように形成し、この金属膜をｎ型ゲートと接
続することによって、耐圧が向上し、リーク電流が減少
するサイリスタが得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体装置であるラテラルトラン
ジスタの一実施例を示す半導体チップの断面図、第２図
は本発明による半導体装置であるラテラルトランジスタ
の他の構造例を示す半導体チップの断面図、第３図は本
発明によるラテラルサイリスタの一実施例を示す半導体
チップの断面図、第４図は従来の半導体装置であるラテ
ラルトランジスタの一例を示す半導体チップの模式断面
図、第５図は従来の半導体装置であるラテラルサイリス
タの一例を示す半導体チップの模式断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・エミッタ領域、３・・・
コレクタ領域、４・・・ベース領域、５．５ａ・・・酸
化膜、６．６ａ・・・金属配線、７・・・層間絶縁膜、
８・・・金属膜、９・・・保護膜、１ｏ、１０ａ・・・
空乏層、１ドアノード領域、１２・・・ゲート領域、１
３・・・カソード領域、１４・・・ゲート領域。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一導電型半導体基板の一主面上にそれぞれ並べて形
   成される第１及び第２の逆導電型領域及び前記半導体基
   板の濃度より高い濃度の第１の一導電型領域と、これら
   の導電領域にそれぞれに形成されたオーミックコンタク
   トと、これらのオーミックコンタクトから金属配線によ
   り引出した後に前記オーミックコンタクトを含む前記半
   導体基板を覆う絶縁膜とを有する半導体装置において、
   前記絶縁膜を覆う金属膜と、この金属膜と前記第１の一
   導電型領域あるいは前記第１の逆道電型領域とがオーミ
   ックコンタクトされる金属膜とを有することを特徴とす
   る半導体装置。 ２、前記第１の一導電型領域より第１の前記逆導電型領
   域を隔てて形成された第２の逆導電型領域と、この第２
   の逆導電型領域中に形成されたより高濃度の第２の一導
   電型領域と、これらの導電領域にそれぞれに形成された
   オーミックコンタクトと、これらのオーミックコンタク
   トから金属配線により引出した後に前記オーミックコン
   タクトを含む前記半導体基板を覆う絶縁膜とを有する半
   導体装置において、前記絶縁膜を覆う金属膜と、この金
   属膜と前記第１の一導電型領域とオーミックコンタクト
   された金属配線とを有する半導体装置。