JPH02276201A - 抵抗体素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種電子機器において使用される抵抗体素子お
よびその製造方法に関するものである。

従来の技術 従来、薄膜抵抗体用の導電層は蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法などの真空法によって導電層を後付けする
という工程で形成されている。

方、厚膜方式による導電層も薄膜抵抗体の′ＦＬ極とし
てメツキ法やスクリーン印刷法によって導電層を後付け
するという工程で形成されている。薄膜抵抗体は従来は
真空法によってのみ製造されてきたが、近年、各種金属
化合物の熱分解法による抵抗体の製造も行われようとし
ている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では熱分解法による酸化
物抵抗体の中でも特に特性の優れた酸化ルテニウム系抵
抗体の場合は酸化ルテニウムが高温で揮発するので、導
電層の形成に際して耐マイグレーション性、半田溶出性
の小さいパラジウム含有銀などの高温で形成する導電体
を使用することができないという問題点を有していた。

また、窒化物、炭化物、ホウ化物の場合は抵抗体が酸化
されるために抵抗体形成後に大気中で導電層を形成する
ことができないといった問題点を有するものであった。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、導電層の
上に形成された薄膜抵抗体素子およびその製造方法を提
供することを目的とする。

課題を解決するための手段 この課組を解決するために本発明の抵抗体素子は基板上
に同じ厚みの導電層とガラス層を連続的に設け、その両
者の上に薄膜抵抗体および必要により保護ガラス層を積
層した構成を有している。

作用 この構成によって、抵抗体の製造に際して抵抗体を高温
状態に置く必要がないため、特性の優れた導電体が使用
でき、薄膜抵抗体と導電体との良好な接続が得られる。

実施例 以下、本発明の実施例の概要について、図面を参照しな
がら説明する。

第１図、第２図に本発明の抵抗体素子の構造の第１の実
施例を示しており、１は絶縁基板、２は導電層、３はガ
ラス層、４は薄膜抵抗体である。

導電層２とガラス層３とが絶縁基板１の上面に連続した
面をなすように設けられているため、両者の接触部分で
薄膜抵抗体４が切断されることはない。

ここに使用される絶縁基板１としてはガラス層３、導電
層２．薄膜抵抗体４を形成する際の温度に耐えうるちの
であれば任意に選ぶことができ、例えば、各種ガラス板
、各種セラミック板、ホーロー板などがある。

また、導電層２の材料としては金などの貴金属及びその
合金、銅、アルミニウム、タングステン、インジウムな
どの金属及びその合金があり、用途によって使用するこ
とができる。

ガラス層３には薄膜抵抗体４の焼成の際の温度に耐えう
ろことができ、かつ薄膜抵抗体４と相互作用の起こさな
いものであれば任意に選ぶことができ、耐湿性、焼成温
度の点からホウケイ酸鉛ガラスが最適である。

さらに、必要に応じて、全体に保護ガラス層を設けて薄
膜抵抗体４等の保護を図ることもできる。

以上のように構成された抵抗体素子について、以下その
具体的な製造方法を説明する。

（実施例１） 第２図に示すアルミナからなる絶縁基板１上の３で示す
部分にホウケイ酸鉛を主成分とするガラスペースト（日
本電硝子社製ＧＡ−１）を３００メツシユ、乳剤厚１５
μｍであるステンレスネットのスクリーン版を用いて印
刷、１５０℃、１０分間乾燥し、９５０℃、１時間焼成
後、第２図の２で示す部分に貴金属中にパラジウムが３
４重量％含有した銀−パラジウム導電ペースト（デュポ
ン社製９０５１）を３２５メツシユ、乳剤厚１２μｍで
あるステンレスネットのスクリーン版を用いて印刷、乾
燥し、８５０℃、１０分間焼成して平均膜厚１０μｍの
連続した面をなす下地の導電層２とガラス層３を設けた
。

ついで、２−エチルへキサン酸ルテニウムと２−エチル
ヘキサン酸コバルトとをケトン系溶剤および増粘剤に溶
解して調製したペーストを上記ガラスＷ！Ｊ３上にスク
リーン印刷して後、絶縁基板ｌを６５０℃、３０分間加
熱して、１００ＯＡの酸化物系の抵抗体４を製造した。

このようにして得られた抵抗体素子を２６０℃の半田槽
に５秒間浸し、半田食われ性を評価したところ面積の９
５％以上が新しい半田で覆われていた。上記半田食われ
性試験後の抵抗体４について電流ノイズを測定した結果
、抵抗体４にひび割れ等の以上が発生していないことが
確認され、熱衝撃性に優れていることが示された。

本実施例においては上記の条件のペーストおよびスクリ
ーン版を用いたが使用するペーストの焼成後の膜厚によ
ってスクリーン版の仕様を適宜変化させることができる
。

なお、本実施例においてはガラス層３と導電層２との段
差は認められなかったが、これらの段差が上部に形成す
る薄膜抵抗体４の厚みより小さい場合は実用上の特性面
で問題は生じない。

（実施例２） 第１図、第２図の構成において下地層の製造方法を以下
のように行った。実施例１において下地層を絶縁基板ｌ
上に印刷したガラスペーストを乾燥後、焼成せずに、続
いて導電ペーストを印刷。

乾燥し、同時焼成した場合平均膜厚１０μｍの連続した
面をなす下地の導電層２とガラス層３が形成された。こ
の上に抵抗体４を積層した抵抗体素子も実施例１と同様
に良好な特性を示した。

本実施例において下地の導電層２．ガラス層３の印刷膜
の形成方法としてスクリーン印刷法を用いたが、各種転
写印刷法を用いて絶縁基板１上にガラス層３と導電層２
の印刷膜を同時に形成する方法を採用することができる
。

ここに示した実施例が実施例１と異なるのは、導電層２
とガラス層３を同時に形成する点である。この方法によ
り工数が減り、コストダウンが実現できる。

なお、本実施例では熱分解法による酸化ルテニウム系抵
抗体について記載したが、本発明にかかる抵抗材料とし
てはこの他に従来から使用されている一般式Ｍｘ　Ｎｙ
　、Ｍｘ　Ｃｙ　１Ｍｘ　Ｂｙで表される金属と非金属
との化合物すなわち金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ
化物など公知の薄膜抵抗体も使用でき、これらの製造方
法として従来公知の真空法が採用できることは当然であ
る。

（比較例２） 実施例１においてガラス層を形成するためのスクリーン
版に代えて２００メツシユ、乳剤厚１５μｍであるステ
ンレスネットのスクリーン版を用いて抵抗体素子を製造
したところ、得られた抵抗体の導電層と下地ガラス層と
の段差約１０００Ａが生じ、連続した面をなす下地層が
得られなかった。この抵抗体素子の導電層とガラス層と
の界面で抵抗体層が切断された。

発明の効果 以上のように本発明は基板上に連続した面をなす導電層
とガラス層を設けるため、耐半田性、マイグレーション
性等に優れた導電体材料を使用することができ、熱衝撃
性、かつ耐環境性に優れた抵抗体素子を実現できるもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における抵抗体素子の断面図、
第２図は同上面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・導電層、３・
・・・・・ガラス層、４・・・・・・薄膜抵抗体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に連続した面をなすガラス層と導電層
   とを設け、このガラス層と導電層上に薄膜抵抗体を形成
   した抵抗体素子。
2. （２）連続した面をなすガラス層と導電層とを１つの工
   程において同時焼成する工程と、上記ガラス層と導電層
   の双方の上に薄膜抵抗体を形成する工程とを有すること
   を特徴とする抵抗体素子の製造方法。