JPH02276143A - 超微細形状用軟ｘ線発生装置および発生方法 - Google Patents

超微細形状用軟ｘ線発生装置および発生方法

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JPH02276143A
JPH02276143A JP1338805A JP33880589A JPH02276143A JP H02276143 A JPH02276143 A JP H02276143A JP 1338805 A JP1338805 A JP 1338805A JP 33880589 A JP33880589 A JP 33880589A JP H02276143 A JPH02276143 A JP H02276143A
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イー　ジン　ヒー
Jae Sing Lee
イー　ヂェー　シン
Kyu H Shim
シム　キュ　ファン
Jin Y Kang
カング　ジン　ヨング
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造用軟Ｘ線を発生させ半導体薄膜
等を部分的にエツチングさせる装置および軟Ｘ線の発生
方法に関し、特に、高温気体の放電により軟Ｘ線を発生
させる装置および発生方法に関する。
［従来の技術］ 情報化時代に際し電子技術は高集積、超高速化に向かっ
て進んでおり、それを実現させる技術の内の一つが軟Ｘ
線を利用した超微細形状技術（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
）である。すなわち、高温気体の中で軟Ｘ線を発生させ
る高圧放電装置は、一般に第１図のような同軸円筒電極
に１ｏｋＶ以上の高電圧をかけ、スリット（ｓｌｉｔ）
開閉器に短かい点火電圧を印加し、中央電極ｌと外側電
極２との間の絶縁体３の表面に沿って放電させる。そう
すると中央電極１を軸として方位角方向の磁場が発生し
、放電電流を遠心方向と軸方向とに押し出すことになり
、中央電極１の端部に到達した放電電流は相互衝突して
高温の電離気体すなわち、高温、高密度のプラズマを生
成する。
この高温、高密度のプラズマから軟Ｘ線が主に制動放射
形態で放出される。しかしこのような形態の装置は一般
に核融合実験やプラズマを研究するのに主に利用される
か、発電または宇宙工学でスイッチとして応用されてき
ただけで、超微細形状技術には応用されていなかった。
その主な理由は瞬間的に数百万アンペアの大電流と数十
ｋＶの高電圧放電による放電室１９内部の汚染と、電流
曲面１５〜１８の高速移動によって発生する放電室内部
の気流の振動である。そして、それは電流供給、帰還線
の大きいインビダンスおよび大電力スイッチ４の中心軸
方向のインビダンスに大きく影響を受ける。
〔発明が解決しようとする課題］ 従って、本発明の目的は、軟Ｘ線を利用して超高集積半
導体素子を製作する超微細形状装置の中で、電離された
気体の加速、衝突により軟Ｘ線を発生する装置において
、軟Ｘ線の発生点が不安定で装置の耐久性が弱く、甚は
だしい汚染により商業的利用が難かしい要因を除去し、
商業的に容易に利用できるようにした装置および方法を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明装置は高温の電離体すなわち放電プラズマより軟
Ｘ線を発生させる装置であって、調整ネジ１３と締付ネ
ジ１４を用いて長さを調整することができる中央電極１
と、電極棒あるいはガス流出入用孔のある円筒型外側電
極２と、大型蓄電器７と、外側電極２の外部から観測可
能な透明観測窓を有する円筒５６と、中央電極軸と垂直
に放出するようにした露光用放出部６と、真空室の真空
を保持するための手段であって、Ｂｅ放出窓６ｃ、観測
窓５３、５４．５５および真空遮蔽ゴムリング９．９１
．２４を有する手段と、環状突起部がある円筒型絶縁体
３と、中央電極１の端部から観測円筒の排気口５５ａま
での半円９円形、あるいは楕円形に近い金属容器と、大
電力スリットスイッチ（ｓｌｉｔ　５ｗ１ｔｃｈ）７１
、４１と、電流帰還線であってスイッチ放電室４の二つ
の電極７１．４１の間を通過する際、各帰還線を結ぶ円
径が最小である電流帰還線２５と、３次元的観察、測定
可能である観測部５３．５４．５５と、絶縁体３．４２
．４３の反対側に軸方向に円対称に設置した排気口５５
ａ及び排気ポンプ５と、中央円筒と外側電極２との間の
汚染除去用の電源５０と、放電室と絶縁体３との間に設
けられた孔２３を開けた金属円板２２と、放電室１９に
電離気体を供給することができる気体供給部８１．８と
を具えたことを特徴とする。
本発明方法は高温の電離気体すなわち放電プラズマより
軟Ｘ線を発生させる方法であって、”ネジを用いて長さ
の調整をする手段を有する中央電極１と、電極棒あるい
は孔の有る円筒型外側電極２と、大型蓄電器７と、外側
電極２の外部で観察可能かつ透明観測窓を有する金属円
筒５６と、中央電極軸と垂直に放出するようにした露光
用放出部６と、真空室の真空を保持するための手段であ
ってＢｅ放出窓６ａ、観測窓５３．５４．５５および真
空遮蔽ゴムリング９．９１．２４を有する手段と、環状
突起部がある円筒型絶縁体３と、中央電極ｌの端部から
観測円筒排気口５５ａに至るまでの半円９円形あるいは
楕円形に近い金属容器と、大電力スリットスイッチと、
電流帰還線であってスイッチ放電室４の二つの電極７１
．４１の間を通過する際各帰還線を結ぶ円径が最小であ
る円型電流帰還線２５と、３次元的観察、測定可能な観
測部５３．５４．５５と、絶縁体３．４２．４３の反対
側の軸方向に円対称に設置した排気口５５ａと、排気ポ
ンプ５と、中央円筒と外側電極２の間の汚染除去用電源
と、放電室１９と絶縁体３とを有する装置の放電室１９
と絶縁体３との間に孔２３を開けた金属円板２２を設け
、該金属円板２２を通して放電室１９に電離気体を供給
し、軟Ｘ線を発生させることを特徴とする。
〔実施例Ｊ 以下このような目的を実現するための望ましい一実施例
を詳細に説明する。
第２図に本発明装置の実施例の構造を、第３図に電極の
構造を、第４図にＸ線放出部の拡大図を示す。
まず第２図のように、金属円板２２を絶縁体３と外側電
極２の間に設け、開閉金属４１．７１からなる大電力ス
イッチを中央電極ｌの軸方向の延長上に設置し、電流帰
還線２５を軸方向とほぼ平行にスイッチ放電室４の近（
に設置する。絶縁体４２．４３は開閉金属４１．７１と
共にスイッチ放電室４を形成している。そして軸方向に
円形に配置された排気口５５ａを設け、観測口５３．５
４．５５を有する円筒５６を外側電極２の外側に取つけ
る。円筒５６は金属製であってよい。円筒５６．電極固
定用円形ベース２７および絶縁体は真空遮蔽ゴムリング
９．９１．２４によって封止され、真空室（放電室）　
１９を構成する。電極２は電極固定用ベース２６によっ
ても支持される。また放出口６ｂにはＢｅ放出窓６ａの
汚染を除去するための露光用放出部６を形成し、金属円
板２２と絶縁体３の間に気体供給室３０を設け、上記ス
イッチ放電室１９の必要に応じて供給すべき気体を供給
するようになっている。絶縁体３は例えばＭＣナイロン
製であり、その端部、すなわち電極固定用ベース２７と
接する部分の形状は４半分円であってもよい。
上記外側電極２は、第３図のように金属円板２２にガス
流出入用孔２３を開け、または図示しない円型金属棒を
設置する。上記金属円板２２の孔２３は孔の直径を中央
は大きく軸から遠ざかるにつれて小さくし、その方向は
上記外側電極２の電極棒と一致させるか、または外側電
極の円筒の孔２１と一致させる。孔２３の断面は垂直あ
るいは左右に傾いていてもよく、中心部の孔の数は８個
以上がよい。
気体の流れは、主要気体と補助気体とが気体源８１から
出て、気体電離室８を経て気体管８ａを通り、気体供給
室３０に供給され、つづいて金属円板２２を通過して軸
にほぼ平行に放電室１９を通って円型に配列された排気
口５５ａを通り、バルブ５７を通過した後排気ポンプ５
に達する。
放出部６の汚染除去用気体は、気体源７ｏを出て管７０
Ａを経て、管放出部６を通過してバルブ５８を通った後
、排気ポンプ５に達する。そしてまた他の気体は気体源
８４から気体電離室８３を通り、スイッチ放電室４を経
て、排気ポンプ５１に排気される。
電離室８．８３における電離は、それぞれ電源８２、８
５から直流、交流、超高周波を印加し、またはこのいず
れかと磁場とを同時に印°加することによって行われる
。電離気体を周期的に短かく繰り返して供給してもよく
、または点火前一定時間に供給してもよい。
一方、電流の流れを観察すると次の通りである。
先ず電流は充電された大型蓄電器７から開閉金属７１．
４１の間を、点火電圧源８６から絶縁連４Ｉ８７を経て
電圧を印加されることにより、または電離された気体に
より、高温、高密度のプラズマ形態で通過した後、中央
電極ｌに到達する。その後絶縁体３表面に沿って表面放
電の形態で流れ、順次電流曲面１５．１６．１７．１８
を伝って外側電極２または金属円板２２に流れ、電極固
定用ベース２７と電流帰還線２５を通って大型蓄電器７
に復帰する。そして中央電極１の端部に到達した放電電
流の相互衝突により主に制動放射の形態にて発生点２０
から発生した軟Ｘ線は遠心方向に放出される。その中で
放出部６の放出口６ｂに向っている軟Ｘ線はＢｅ放出窓
６ａを通過してウェハ支持台６５に設けられるマスクま
たはウェハ６５ａの表面の感光膜に到達する。放電の延
長部１１は中心電極１の先端に直面する。中心電極１を
損傷から防ぐために、その先端部には凹所を設け、高融
点の耐熱金属１２を付設しておくのがよい。
ここで本発明の特徴は第１に光点の安定性である。気体
供給室３０と放電室１９との間の金属円板２２の孔２３
の大きさで気体伝導度を調整することにより、二基３０
．１９の間に差動真空を形成し、均一な流れを形成して
、金属円板２２の孔２３の大きさを中央部分にゆくにつ
れ大きくすることにより、気体の流れが電流曲面１５．
１６．１７．１８の後の部分を均等に満すことができ、
かくして気流の変動を減少することができる。また中央
電極１の終端点より観測円筒５６の排気口５５ａまでの
容器を半円１円形あるいは楕円形に近い形状にすること
により、気流はもちろん電位分布の歪を防ぎ、発生点２
０の位置の再現性を良好にすることができる。そして初
期放電が金属円板２２全体において均一に発生するよう
、対称的に孔２３を形成し、電流曲面１５゜１６、１７
．１８に沿って流れる剰余気体による気流混乱を減少さ
せるために外側電極２にガス流出入用孔２１を開けるか
金属棒を用いて放電の安定と再現性を高める。
第２に汚染除去性である。動作中多くの汚染による絶縁
体３の機能の低下を防止するため、適宜周期毎に除去電
源５０を作動させ、イオン衝突効果をもって汚染を除去
する。
同様に、露光用放出部６の汚染は、イオン衝突による電
気的方法により、或いは機械的回転式櫛の歯状部８０に
よってＢｅ放出窓６ａの汚染を除去した後、Ｂｅ放出窓
６ａを交代に用いることにより、はぼ連続的に装置を稼
動させることができる。電気的方法は、例えば電極６１
間の放電による気体の電離を利用する。これは露光用放
出部６に電極６１゜６６、真空室６ｃ、　６ｄ、真空遮
蔽バルブ６２．真空室６ｃ、　６ｄと放出口との間に設
けられた真空遮蔽バルブ６８、直線移動可能な透過窓支
持台６３．気体源７０、動力源６Ｑ、　６４．６７、６
９を設け、かつ独立した排気口５９を真空状態に形成す
ることで可能になる。電離の手段は、電離室８．８３に
おけると同様である。円筒型電極６６はＢｅ放出窓の直
径より太き（してもよい。電極６６には電源６７から連
結部６７ａを介して電力が供給される。そして露光放出
部６の内に反射鏡６ｅを設け、遠心方向に広がる軟Ｘ線
をウェハに集めることによりエネルギーの効率を高める
。
第３に、電気的に電流帰還線２５がスイッチ放電室４の
二つの電極である開閉金属７１．４１の間を通過する際
、その半径を最小に減らして放電室１９とスイッチ放電
室４のインビダンス比を小さ（することにより、流れの
速度を速くさせ、多くのエネルギーを発生点すなわち放
電室１９に供給することができる。
第４に観測円筒５６と立体的観測部５３．５４．５５を
設けることにより放電の全過程を測定、観察できる。そ
れによって放電状態を測定して調整することができる。
さらにとスイッチ放電室４に先に電離された気体を供給
することにより、放電開始電圧を調整することができ、
真空遮蔽ゴムリング９、９１．２４だけを用いて真空を
保持しながら、同時に調整ネジ１３と締付ネジ１４で中
央電極１の長さを自在に調整することもできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、光点の安定性を
増大させ、かつ汚染を周期的に除去して連続的稼動が可
能になり、インビダンス比を調整して光量を増加させる
と共に、立体的観測を通じて全体的放出を調整すること
ができる。すなわち従来の方法や装置に比べて研究用は
もちろん商業的利用が極めて容易になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の概略説明図、 第２図は本発明による軟Ｘ線発生装置の構成図、 第３図は本発明の外側電極の構成を示す斜視図および上
面図、 第４図は本発明のＸ線放出部の拡大図である。 １・・・中央電極、 ２・・・外側電極、 ３．４２．４３・・・絶縁体、 ７・・・大型蓄電器、 ９．９１．２４・・・真空遮蔽ゴムリング、１１・・・
放電延長部。 １２・・・高融点金属、 １３・・・調整ネジ。 １４・・・締付ネジ、 １５、１６．１７．１８・・・電流曲面、１９・・・放
電室、 ２０・・・発生点、 ２１．２３・・・孔、 ２２・・・金属円板、 ２５・・・電流帰還線、 ２７・・・電極固定用金属ベース、 ３０・・・気体供給室。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）高温の電離体すなわち放電プラズマより軟Ｘ線を発
    生させる装置であって、調整ネジ１３と締付ネジ１４を
    用いて長さを調整することができる中央電極１と、電極
    棒あるいはガス流出入用孔のある円筒型外側電極２と、
    大型蓄電器７と、外側電極２の外部から観測可能な透明
    観測窓を有する円筒５６と、中央電極軸と垂直に放出す
    るようにした露光用放出部６と、真空室の真空を保持す
    るための手段であって、Ｂｅ放出窓６ｃ、観測窓５３、
    ５４、５５および真空遮蔽ゴムリング９、９１、２４を
    有する手段と、環状突起部がある円筒型絶縁体３と、中
    央電極１の端部から観測円筒の排気口５５ａまでの半円
    、円形、あるいは楕円形に近い金属容器と、大電力スリ
    ットスイッチ（ｓｌｉｔ　ｓｗｉｔｃｈ）７１、４１と
    、電流帰還線であってスイッチ放電室４の二つの電極７
    １、４１の間を通過する際、各帰還線を結ぶ円径が最小
    である電流帰還線２５と、３次元的観察、測定可能であ
    る観測部５３、５４、５５と、絶縁体３、４２、４３の
    反対側に軸方向に円対称に設置した排気口５５ａ及び排
    気ポンプ５と、中央円筒と外側電極２との間の汚染除去
    用の電源５０と、放電室と絶縁体３との間に設けられた
    孔２３を開けた金属円板２２と、放電室１９に電離気体
    を供給することができる気体供給部８１、８とを具えた
    ことを特徴とする超微細形状用軟Ｘ線発生装置。 ２）前記中央電極１の端部の縁が円形であり、中央が円
    形状に凹んでいることを特徴とする請求項１に記載の超
    微細形状用軟Ｘ線発生装置。 ３）前記絶縁体３は端部が４半分円であり、ＭＣナイロ
    ンからなることを特徴とする請求項１に記載の超微細形
    状用軟Ｘ線発生装置。 ４）前記金属円板２２の孔２３が中央部に近づくにつれ
    て大きく、円対称であり、遠心方向の孔の延長線と電極
    棒とが一致するかまたは円筒の孔の間にあって、中心孔
    の数が８個以上で、孔の断面が垂直または左右に傾いて
    なることを特徴とする請求項１に記載の超微細形状用軟
    Ｘ線発生装置。 ５）前記露光用放出部６は放出口円筒内面の反射鏡６ｅ
    と、円筒内の真空遮蔽バルブ６２と放出口６ｂ端部の二
    つの独立した真空室６ｃ、６ｄと放出口の間のバルブ６
    ８と、二つの真空室６ｃ、６ｄの間で直線に移動できる
    透過窓支持台６３と、真空遮蔽バルブ６２及びＢｅ放出
    窓の間に設けられたＢｅ放出窓の直径よりも大きい円筒
    型電極６６と、その電源６７と、真空室電源６４とから
    構成されることを特徴とする請求項１に記載の超微細形
    状用軟Ｘ線発生装置。 ６）前記独立真空室６ｃ、６ｄは二つの円板電極６１と
    、気体注入口７０Ａと排気口５９と、汚染除去用電源６
    ４、６７との連結部６７ａと、回転軌道式櫛の歯状部８
    ０から構成されたことを特徴とする請求項５に記載の超
    微細形状用軟Ｘ線発生装置。 ７）独立真空室６ｃ、６ｄの電離手段は直流、交流、超
    高周波またはこのいずれかと磁場効果とを付加した電源
    であることを特徴とする請求項１に記載の超微細形状用
    軟Ｘ線発生装置。 ８）高温の電離気体すなわち放電プラズマより軟Ｘ線を
    発生させる方法であって、 ネジを用いて長さの調整をする手段を有する中央電極１
    と、電極棒あるいは孔の有る円筒型外側電極２と、大型
    蓄電器７と、外側電極２の外部で観察可能かつ透明観測
    窓を有する金属円筒５６と、中央電極軸と垂直に放出す
    るようにした露光用放出部６と、真空室の真空を保持す
    るための手段であってＢｅ放出窓６ａ、観測窓５３、５
    ４、５５および真空遮蔽ゴムリング９、９１、２４を有
    する手段と、環状突起部がある円筒型絶縁体３と、中央
    電極１の端部から観測円筒排気口５５ａに至るまでの半
    円、円形あるいは楕円形に近い金属容器と、大電力スリ
    ットスイッチと、電流帰還線であってスイッチ放電室４
    の二つの電極７１、４１の間を通過する際各帰還線を結
    ぶ円径が最小である円型電流帰還線２５と、３次元的観
    察、測定可能な観測部５３、５４、５５と、絶縁体３、
    ４２、４３の反対側の軸方向に円対称に設置した排気口
    ５５ａと、排気ポンプ５と、中央円筒と外側電極２の間
    の汚染除去用電源と、放電室１９と絶縁体３とを有する
    装置の放電室１９と絶縁体３との間に孔２３を開けた金
    属円板２２を設け、該金属円板２２を通して放電室１９
    に電離気体を供給し、軟Ｘ線を発生させることを特徴と
    する超微細形状用軟Ｘ線構成方法。 ９）電離気体を周期的に短かく繰り返えして供給するか
    、または点火前一定時間に供給することを特徴とする請
    求項８に記載の超微細形状用軟Ｘ線構成方法。 １０）前記大電力スイッチは絶縁真空容器と、二つの半
    円電極と、気体注入口と、排気口と、中央電極（１）と
    、連結電極（２）、（２７）、（２５）の中で絶縁され
    た点火電極（４１）、（７１）にて構成されたことを特
    徴とする請求項８に記載の超微細形状用軟Ｘ線発生方法
    。
JP1338805A 1988-12-30 1989-12-28 超微細形状用軟ｘ線発生装置および発生方法 Expired - Lifetime JPH0614456B2 (ja)

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KR1019880017987A KR920004961B1 (ko) 1988-12-30 1988-12-30 초미세형상용 연 x선 발생장치
KR1988-17987 1988-12-30

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JPH0614456B2 JPH0614456B2 (ja) 1994-02-23

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6400069B1 (en) 1998-07-22 2002-06-04 Robert Espinosa E-M wave generation using cold electron emission
US6271614B1 (en) * 1998-11-20 2001-08-07 Christopher J. Arnold Pulsed plasma drive electromagnetic motor generator
JP4147008B2 (ja) * 2001-03-05 2008-09-10 株式会社日立製作所 有機ｅｌ素子に用いるフィルム及び有機ｅｌ素子
US6765987B2 (en) 2001-03-15 2004-07-20 Safe Food Technologies, Inc. Resonant plasma x-ray source
KR20030062814A (ko) * 2002-01-19 2003-07-28 주식회사 이노에너지 전기분해조
DE102011115228A1 (de) * 2011-09-28 2013-03-28 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Halterung mit mindestens einer Elektrode

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084749A (ja) * 1983-09-10 1985-05-14 カ−ル・ツアイス−スチフツング Ｘ線領域の高い放射強度を有するプラズマ源を発生するための装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59108249A (ja) * 1982-12-13 1984-06-22 Fujitsu Ltd Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置
US4644576A (en) * 1985-04-26 1987-02-17 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for producing x-ray pulses
JPH0687408B2 (ja) * 1986-03-07 1994-11-02 株式会社日立製作所 プラズマｘ線発生装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084749A (ja) * 1983-09-10 1985-05-14 カ−ル・ツアイス−スチフツング Ｘ線領域の高い放射強度を有するプラズマ源を発生するための装置

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