JPH0210700A - プラズマトーチ - Google Patents
プラズマトーチInfo
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- JPH0210700A JPH0210700A JP1072030A JP7203089A JPH0210700A JP H0210700 A JPH0210700 A JP H0210700A JP 1072030 A JP1072030 A JP 1072030A JP 7203089 A JP7203089 A JP 7203089A JP H0210700 A JPH0210700 A JP H0210700A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はホルダーと非電導性ノズルを含むハウジングを
有し、このハウジングは、入口開口、出口開口を有する
ノズル、更に該ハウジングと同軸に配設されたロンド状
電極を有する、プラズマビームの高周波容量的発生用の
プラズマトーチに関するものである。
有し、このハウジングは、入口開口、出口開口を有する
ノズル、更に該ハウジングと同軸に配設されたロンド状
電極を有する、プラズマビームの高周波容量的発生用の
プラズマトーチに関するものである。
プラズマビームを発生するプラズマトーチは、材料の局
部加熱、溶接および切断、石英ガラスを含むガラスの加
工および成形、材料の溶射のような種々の工業分野で用
いられる。
部加熱、溶接および切断、石英ガラスを含むガラスの加
工および成形、材料の溶射のような種々の工業分野で用
いられる。
(従来の技術)
ドイツ国公開公報第1765104号にはプラズマビー
ムを容量的に発生する装置が開示されている。
ムを容量的に発生する装置が開示されている。
この目的で、高周波発生器の外部発振器回路がタングス
テン電極に接続されている。ガスがこの電極に沿って通
される。電気的共振に応じて高電圧が電極に発生され、
通過するガスを電離させる。
テン電極に接続されている。ガスがこの電極に沿って通
される。電気的共振に応じて高電圧が電極に発生され、
通過するガスを電離させる。
電極は非導電性管で包囲されている。この管の一方の側
には、その詳細は省略するノズルが設けられ、このノズ
ルからプラズマビームが出ることができる。このプラズ
マビームは、加工されるべき加工片と接触され、回路は
この加工片を経て容量的に閉じられる。このドイツ国公
開公報は5〜15mmのノズル−加工片距離を特定して
いる。
には、その詳細は省略するノズルが設けられ、このノズ
ルからプラズマビームが出ることができる。このプラズ
マビームは、加工されるべき加工片と接触され、回路は
この加工片を経て容量的に閉じられる。このドイツ国公
開公報は5〜15mmのノズル−加工片距離を特定して
いる。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、このようなプラズマトーチで発生されるプラ
ズマビームが15mmよりも大きなノズル−加工片距離
を架橋することができ、加工片上のプラズマビームの結
果的なスポットがこの加工片の加工に対し十分に有効で
あるようにこの種のプラズマトーチを改良することを目
的とするものである。
ズマビームが15mmよりも大きなノズル−加工片距離
を架橋することができ、加工片上のプラズマビームの結
果的なスポットがこの加工片の加工に対し十分に有効で
あるようにこの種のプラズマトーチを改良することを目
的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明によれば、前記の目的は次のようにすることによ
り達成される、すなわち、同軸に配設された非導電性の
ブツシュがノズルと電極の間に設けられ、ノズルの内側
とブツシュの外側は、出口開口に向ってテーパーをつけ
られた環状溝を取囲み、ブツシュの内面と電極の表面は
円筒状溝を取囲み、この円筒状溝は入口開口と連絡され
る。電極のまわりの円筒状溝は、この溝を通って流れる
ガスによる電極の冷却を可能にする。テーパーを付けら
れた環状溝は、この溝を通って流れるガスが発生プラズ
マビームを収斂するのを可能にし、このため、プラズマ
ビームは、ノズルと加工片間の大きなギャップを架橋す
ることができる。ガス流速は、例えば、ガス流が濁流で
あるように選ぶのが好ましい。ガス流が層流か否かは、
プラズマビームの形から見てとることができる。例えば
アルゴン、ヘリウム、窒素または窒素と水素の混合物の
ような種々のガスを使用することができる。
り達成される、すなわち、同軸に配設された非導電性の
ブツシュがノズルと電極の間に設けられ、ノズルの内側
とブツシュの外側は、出口開口に向ってテーパーをつけ
られた環状溝を取囲み、ブツシュの内面と電極の表面は
円筒状溝を取囲み、この円筒状溝は入口開口と連絡され
る。電極のまわりの円筒状溝は、この溝を通って流れる
ガスによる電極の冷却を可能にする。テーパーを付けら
れた環状溝は、この溝を通って流れるガスが発生プラズ
マビームを収斂するのを可能にし、このため、プラズマ
ビームは、ノズルと加工片間の大きなギャップを架橋す
ることができる。ガス流速は、例えば、ガス流が濁流で
あるように選ぶのが好ましい。ガス流が層流か否かは、
プラズマビームの形から見てとることができる。例えば
アルゴン、ヘリウム、窒素または窒素と水素の混合物の
ような種々のガスを使用することができる。
電極はタングステン、モリブデンまたは炭化珪素のよう
な高融点導電材料よりつくられる。ノズルとブツシュは
共に電気絶縁性のセラミック材料よりつくられることが
できる。電極に接続される高周波発生器は13.56か
ら27.12 MHzの周波数を有する交流電流を供給
する。通常の寸法のプラズマトーチでは、発生器は数1
00Wから数に−の電力を有する。
な高融点導電材料よりつくられる。ノズルとブツシュは
共に電気絶縁性のセラミック材料よりつくられることが
できる。電極に接続される高周波発生器は13.56か
ら27.12 MHzの周波数を有する交流電流を供給
する。通常の寸法のプラズマトーチでは、発生器は数1
00Wから数に−の電力を有する。
プラズマトーチは、解離されたガス分子や電離されたガ
ス分子および電子も含む。ガス中に蓄えられた解離およ
び電離エネルギは、プラズマビーム中に位置する加工片
の表面で再結合により開放される。利用可能なエネルギ
の値とビームの比較的小さな直径のために、極めて高い
温度を局部的に発生することができる。加工片は導電性
および非導電性の何れでもよい。プラズマビームは良好
な導電体なので、ビームが加工片に当てられたスポット
に強い高周波電磁界が発生され、加工片内に誘電または
伝導エネルギの形の付加的なエネルギが生じる。その大
きさはその時点の温度の材料の電気的特性によって決ま
る。
ス分子および電子も含む。ガス中に蓄えられた解離およ
び電離エネルギは、プラズマビーム中に位置する加工片
の表面で再結合により開放される。利用可能なエネルギ
の値とビームの比較的小さな直径のために、極めて高い
温度を局部的に発生することができる。加工片は導電性
および非導電性の何れでもよい。プラズマビームは良好
な導電体なので、ビームが加工片に当てられたスポット
に強い高周波電磁界が発生され、加工片内に誘電または
伝導エネルギの形の付加的なエネルギが生じる。その大
きさはその時点の温度の材料の電気的特性によって決ま
る。
供給されたガスに適当だエネルギが加えられると、この
プラズマトーチは、加工片上への、金属またはセラミッ
クの何れもの材料の溶射に使用することができる。
プラズマトーチは、加工片上への、金属またはセラミッ
クの何れもの材料の溶射に使用することができる。
米国特許第3.894,209号にもプラズマトーチが
開示されていことは注目に値する。この米国特許に記載
されたトーチは中空の電極を有し、その中をガスが流れ
ることができる。ガスは電極の内側に沿って流れること
ができる。けれどもこのトーチは、長くそして小さな直
径のプラズマビームが発生されるようにテーパーを付け
たノズル有していない。
開示されていことは注目に値する。この米国特許に記載
されたトーチは中空の電極を有し、その中をガスが流れ
ることができる。ガスは電極の内側に沿って流れること
ができる。けれどもこのトーチは、長くそして小さな直
径のプラズマビームが発生されるようにテーパーを付け
たノズル有していない。
本発明のプラズマトーチの一実施態様では、ブツシュは
ノズルに対して軸方向に調節可能である。
ノズルに対して軸方向に調節可能である。
テーパーを有する環状溝中のガス流はこれによって影響
を受け、したがってプラズマビームの収斂が生じる。ブ
ツシュとスリーブの一部との間のねし山結合がこの目的
に非常に適している。
を受け、したがってプラズマビームの収斂が生じる。ブ
ツシュとスリーブの一部との間のねし山結合がこの目的
に非常に適している。
本発明のプラズマトーチの別の実施態様では、電極はノ
ズルの流出開口に対して軸方向に調節可能である。この
調節もプラズマビームの形に影響を与えることができる
。
ズルの流出開口に対して軸方向に調節可能である。この
調節もプラズマビームの形に影響を与えることができる
。
本発明のプラズマトーチの特別な実施態様では、トーチ
は、テーパーを有する環状溝と連絡された第2の入口開
口を有する。このような設備を用いると、2つのガス流
すなわち電極に沿って流れるガス流とテーパーを有する
環状溝を通って流れるガス流を互に無関係に調節するこ
とができる。これによりプラズマビームの形に影響を与
えることが可能になる。2つのガスは同一のタイプでも
或は異なってもよい。
は、テーパーを有する環状溝と連絡された第2の入口開
口を有する。このような設備を用いると、2つのガス流
すなわち電極に沿って流れるガス流とテーパーを有する
環状溝を通って流れるガス流を互に無関係に調節するこ
とができる。これによりプラズマビームの形に影響を与
えることが可能になる。2つのガスは同一のタイプでも
或は異なってもよい。
本発明のプラズマトーチの好適な実施態様では、ノズル
および/またはブツシュを窒化硼素よりつくることがで
きる。このセラミック材料は機械加工が比較的容易であ
り、非常な高温すなわち略々2775°C迄耐えること
ができる。
および/またはブツシュを窒化硼素よりつくることがで
きる。このセラミック材料は機械加工が比較的容易であ
り、非常な高温すなわち略々2775°C迄耐えること
ができる。
本発明のプラズマトーチの別の好ましい実施態様では、
電極に、ノズルの流出開口の方向にとがった円錐状先端
が設けられる。このような先端の存在は電磁界の収束を
より大きくし、その結果、電極に沿って流れるガスの電
離の開始がより容易に起きる。電界の位相に応じて電子
か正イオンの何れかが電極の先端に衝突して該電極を短
期間で高温に加熱し、その結果、電子放出を増加し、し
たがってガスの解離および電離を増す。
電極に、ノズルの流出開口の方向にとがった円錐状先端
が設けられる。このような先端の存在は電磁界の収束を
より大きくし、その結果、電極に沿って流れるガスの電
離の開始がより容易に起きる。電界の位相に応じて電子
か正イオンの何れかが電極の先端に衝突して該電極を短
期間で高温に加熱し、その結果、電子放出を増加し、し
たがってガスの解離および電離を増す。
(実施例)
以下に本発明を添付の図面を参照して更に詳しく説明す
る。
る。
第1図において、符号3は外部共振回路5を有する高周
波発生器を示す。通常の周波数は13.56MHzまた
は27.12MHzである。前記の回路5は、プラズマ
トーチ1の電極7に接続される。このプラズマトーチ1
は、ノズル9と絶縁スリーブ11を有する。
波発生器を示す。通常の周波数は13.56MHzまた
は27.12MHzである。前記の回路5は、プラズマ
トーチ1の電極7に接続される。このプラズマトーチ1
は、ノズル9と絶縁スリーブ11を有する。
ガスは開口13を経て導入される。ガスはノズルの開口
15を経てプラズマトーチ1より出ることができる。共
振回路5が高周波発生器3の周波数に同調さると、共振
によって、極めて高い電圧が、電極7が接続されたコイ
ルの点に発生する。電極7を横切る大きな電界によって
、ピンに沿って流れるガスの初期電離が生じる。位相に
応して、電子か正イオンが電極に衝突してこの電極を極
めて短時間で加熱し、この結果電子放出が増加される。
15を経てプラズマトーチ1より出ることができる。共
振回路5が高周波発生器3の周波数に同調さると、共振
によって、極めて高い電圧が、電極7が接続されたコイ
ルの点に発生する。電極7を横切る大きな電界によって
、ピンに沿って流れるガスの初期電離が生じる。位相に
応して、電子か正イオンが電極に衝突してこの電極を極
めて短時間で加熱し、この結果電子放出が増加される。
ガス流中に含まれた電子は高周波電磁界からエネルギを
吸収し、衝突によってエネルギをガス原子および分子に
移すことができる。これによりガスの付加的な解離と電
離が生じる。ガス中に蓄えられた電離および解離エネル
ギは、例えば形成されたプラズマビーム17内に位置す
る加工片の表面で再結合により利用可能になる。加工片
19は導電体または非導電体でよい。プラズマビームは
良好な導電体なので、ビームが加工片に入射した点にお
いて強い高周波電磁界が生じ、この電周波電磁界により
加工片内に誘電または伝導エネルギが発生される。プラ
ズマビームに沿った方向にみて、エネルギ発生は場所に
より左右される。その大きさは、その時点の温度の材料
の電気的特性によって決まる。
吸収し、衝突によってエネルギをガス原子および分子に
移すことができる。これによりガスの付加的な解離と電
離が生じる。ガス中に蓄えられた電離および解離エネル
ギは、例えば形成されたプラズマビーム17内に位置す
る加工片の表面で再結合により利用可能になる。加工片
19は導電体または非導電体でよい。プラズマビームは
良好な導電体なので、ビームが加工片に入射した点にお
いて強い高周波電磁界が生じ、この電周波電磁界により
加工片内に誘電または伝導エネルギが発生される。プラ
ズマビームに沿った方向にみて、エネルギ発生は場所に
より左右される。その大きさは、その時点の温度の材料
の電気的特性によって決まる。
第2図において符号1′は本発明によるプラズマトーチ
の縦断面図を示す。このプラズマトーチは円筒状のホル
ダー3′とノズル5′とを有する。
の縦断面図を示す。このプラズマトーチは円筒状のホル
ダー3′とノズル5′とを有する。
ホルダー3′は真鍮よりつくられる。ノズル5′は窒化
硼素よりつくられる。このノズルは、出てくるプラズマ
ビームに対する開口17′を有する。
硼素よりつくられる。このノズルは、出てくるプラズマ
ビームに対する開口17′を有する。
トーチは導電性のタングステン電極7を有する。
この電極は円錐形の尖頭15′を有する。ノズル5′と
電極7の間には、ブツシュ9′、テーバ環状溝11′お
よび円筒状溝13′が形成されている。前記のブツシュ
および更にノズル5′も・窒化硼素でつくられる。電極
7は、電極ホルダー19′とスリーブ21によってホル
ダー3′に固定されている。電極ホルダー19′とスリ
ーブ21は共に真鍮でつくられる。電極ホルダーには溝
23が設けられている。
電極7の間には、ブツシュ9′、テーバ環状溝11′お
よび円筒状溝13′が形成されている。前記のブツシュ
および更にノズル5′も・窒化硼素でつくられる。電極
7は、電極ホルダー19′とスリーブ21によってホル
ダー3′に固定されている。電極ホルダー19′とスリ
ーブ21は共に真鍮でつくられる。電極ホルダーには溝
23が設けられている。
これ等の溝23は、ガス入口バイブ25と円筒状溝の連
絡部を形成する。ホルダー3′には第2のガス入口バイ
ブ27が設けられ、このガス入口バイブはテーバ環状溝
11′と連絡している。電極7は、電極ホルダー19′
、スリーブ21およびガス入口バイブ25を経て、高周
波発生器(27,12MHz)と接続される。ブツシュ
9′はノズル5′に対して軸方向に調節可能である。こ
のために、ブツシュ9′とスリーブ21の接触面29に
はねじ山(M20x1.5)が設けられている。電極ホ
ルダー19’ とスリーブ21の接触面31にもねじ山
(M12)が設けられている。
絡部を形成する。ホルダー3′には第2のガス入口バイ
ブ27が設けられ、このガス入口バイブはテーバ環状溝
11′と連絡している。電極7は、電極ホルダー19′
、スリーブ21およびガス入口バイブ25を経て、高周
波発生器(27,12MHz)と接続される。ブツシュ
9′はノズル5′に対して軸方向に調節可能である。こ
のために、ブツシュ9′とスリーブ21の接触面29に
はねじ山(M20x1.5)が設けられている。電極ホ
ルダー19’ とスリーブ21の接触面31にもねじ山
(M12)が設けられている。
この装置の特徴によって、層流が開口17′を通ってノ
ズルを出ることが可能になる。電極の直径は3mmで、
ノズルの開口は5mmである。ガスの流速は秒当り5〜
10リツトルになり、発生器の電力は略々l0K−であ
る。発生されたプラズマトーチの長さは略々1メートル
になり得る。ノズルと電極は共に35mmのプラズマビ
ーム長に対して60時間以上の動作寿命を有する。
ズルを出ることが可能になる。電極の直径は3mmで、
ノズルの開口は5mmである。ガスの流速は秒当り5〜
10リツトルになり、発生器の電力は略々l0K−であ
る。発生されたプラズマトーチの長さは略々1メートル
になり得る。ノズルと電極は共に35mmのプラズマビ
ーム長に対して60時間以上の動作寿命を有する。
第1図は本発明のプラズマトーチの基本的な全体概略図
、 第2図は本発明のプラズマトーチの縦断面図である。 1・・・プラズマトーチ 3・・・高周波発生器3′
・・・ホルダー 5・・・外部共振回路5′ 9
・・・ノズル 7・・・電極9′・・・ブツシュ
11・・・絶縁スリーブ11′・・・テーパ状環
状溝 13.15.17・・・開口13′・・・円筒状
溝 15′・・・電極先端19′・・・電極ホル
ダー 21・・・スリーブ23・・・ilt
25.27・・・ガス入口バイブ29、31
・・・接触面 FIG、1 F I G、 2
、 第2図は本発明のプラズマトーチの縦断面図である。 1・・・プラズマトーチ 3・・・高周波発生器3′
・・・ホルダー 5・・・外部共振回路5′ 9
・・・ノズル 7・・・電極9′・・・ブツシュ
11・・・絶縁スリーブ11′・・・テーパ状環
状溝 13.15.17・・・開口13′・・・円筒状
溝 15′・・・電極先端19′・・・電極ホル
ダー 21・・・スリーブ23・・・ilt
25.27・・・ガス入口バイブ29、31
・・・接触面 FIG、1 F I G、 2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ホルダーと非電導性ノズルを含むハウジングを有し
、このハウジングは、入口開口、出口開口を有するノズ
ル、更に該ハウジングと同軸に配設されたロッド状電極
を有する、プラズマビームの高周波容量的発生用のプラ
ズマトーチにおいて、同軸に配設された非導電性のブッ
シュがノズルと電極の間に設けられ、ノズルの内側とブ
ッシュの外側は、出口開口に向ってテーパーをつけられ
た環状溝を取囲み、ブッシュの内面と電極の表面は円筒
状溝を取囲み、この円筒状溝は入口開口と連絡されたこ
とを特徴とするプラズマトーチ。 2、ブッシュはノズルに対して軸方向に調節可能である
請求項1記載のプラズマトーチ。 3、電極はノズルの流出開口に対して軸方向に調節可能
な請求項1又は2記載のプラズマトーチ。 4、トーチには、テーパーをつけた環状溝と連絡された
第2の入口開口が設けられた請求項1乃至3の何れか1
項記載のプラズマトーチ。 5、ノズルは窒化硼素でつくられた請求項1乃至4の何
れか1項記載のプラズマトーチ。 6、ブッシュは窒化硼素よりつられた請求項1乃至4の
何れか1項記載のプラズマトーチ。 7、電極には、ノズルの流出開口の方向にとがった円錐
状先端が設けられた請求項1乃至6の何れか1項記載の
プラズマトーチ。
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US5464961A (en) * | 1993-09-10 | 1995-11-07 | Olin Corporation | Arcjet anode |
US5455401A (en) * | 1994-10-12 | 1995-10-03 | Aerojet General Corporation | Plasma torch electrode |
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US6362450B1 (en) | 2001-01-30 | 2002-03-26 | The Esab Group, Inc. | Gas flow for plasma arc torch |
US20020122896A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-05 | Skion Corporation | Capillary discharge plasma apparatus and method for surface treatment using the same |
DE10231037C1 (de) * | 2002-07-09 | 2003-10-16 | Heraeus Tenevo Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Vorform aus synthetischem Quarzglas mittels plasmaunterstütztem Abscheideverfahren |
DE10323014B4 (de) * | 2003-04-23 | 2007-11-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Düse für Plasmabrenner |
US6969819B1 (en) * | 2004-05-18 | 2005-11-29 | The Esab Group, Inc. | Plasma arc torch |
CN103273180B (zh) * | 2013-05-14 | 2015-11-25 | 哈尔滨工业大学 | 自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工方法 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5768269A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-26 | Hitachi Ltd | Plasma cutting torch |
Family Cites Families (10)
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---|---|---|---|---|
NL271417A (ja) * | 1960-11-15 | 1900-01-01 | ||
DE1464755B2 (de) * | 1962-07-09 | 1970-09-10 | Kabushiki Kaisha Hitachi Seisakusho, Tokio | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmastrahls mittels einer Hochfrequenz-Gasentladung |
DE1765104A1 (de) * | 1967-04-17 | 1971-07-01 | Boehler & Co Ag Geb | Verfahren zur raschen Erhitzung elektrisch leitender Werkstoffe |
AT318768B (de) * | 1972-09-08 | 1974-11-11 | Boehler & Co Ag Geb | Verfahren und Vorrichtung zum Zünden eines Hochfrequenzplasmabrenners |
US3895209A (en) * | 1974-02-06 | 1975-07-15 | Maruma Tractor & Equip | Metal build-up apparatus |
CH593754A5 (ja) * | 1976-01-15 | 1977-12-15 | Castolin Sa | |
US4147916A (en) * | 1976-04-05 | 1979-04-03 | Sirius Corporation | Split-flow nozzle for energy beam system |
DE3627218C2 (de) * | 1985-11-01 | 1995-08-03 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Anordnung zur Verbesserung des Zündens von induktiv gekoppelten Plasmabrennern |
US4780591A (en) * | 1986-06-13 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Plasma gun with adjustable cathode |
US4766287A (en) * | 1987-03-06 | 1988-08-23 | The Perkin-Elmer Corporation | Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector |
-
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Patent Citations (1)
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JPS5768269A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-26 | Hitachi Ltd | Plasma cutting torch |
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