JPH0227544A - 光磁気記録媒体及び記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び記録方法Info
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- JPH0227544A JPH0227544A JP63174965A JP17496588A JPH0227544A JP H0227544 A JPH0227544 A JP H0227544A JP 63174965 A JP63174965 A JP 63174965A JP 17496588 A JP17496588 A JP 17496588A JP H0227544 A JPH0227544 A JP H0227544A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10508—Recording by modulating only the magnetic field at the transducer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規なキュリー温度記録を行なう光磁気記録媒
体及びそれを用いた記録方法に関する。
体及びそれを用いた記録方法に関する。
現在消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスク
が知られている。光ディスクは、約１μｌの微小ビット
の記録が可能であり、従来の面内磁気記録に比して、
１００倍程度の高密度記録が可能である。今後は、さら
に高精細画像のファイル、あるいは動画の記録などの用
途が拡がると予想され、さらに記録密度を向上させる技
術の開発が強く望まれている。
が知られている。光ディスクは、約１μｌの微小ビット
の記録が可能であり、従来の面内磁気記録に比して、
１００倍程度の高密度記録が可能である。今後は、さら
に高精細画像のファイル、あるいは動画の記録などの用
途が拡がると予想され、さらに記録密度を向上させる技
術の開発が強く望まれている。
従来知られている光磁気ディスクの情報記録再生の原理
は、情報記録時にはディスク基板上の垂直磁化膜に磁化
反転方向に磁界を与えておき、記録したいビット部分に
レーザービームを照射しその部分の温度をキュリー点以
上に上昇させ磁化を反転させ、情報の再生時にはビット
にレーザービームを照射し反射光または透過光の偏光状
態を検出し信号を得るというものである。
は、情報記録時にはディスク基板上の垂直磁化膜に磁化
反転方向に磁界を与えておき、記録したいビット部分に
レーザービームを照射しその部分の温度をキュリー点以
上に上昇させ磁化を反転させ、情報の再生時にはビット
にレーザービームを照射し反射光または透過光の偏光状
態を検出し信号を得るというものである。
このように光磁気膜をキュリー点以上に昇温させ磁化を
反転することにより情報の記録を行なういわゆるキュリ
ー温度記録による光磁気記録媒体は高密度記録に適して
いる。
反転することにより情報の記録を行なういわゆるキュリ
ー温度記録による光磁気記録媒体は高密度記録に適して
いる。
しかしより高密度に記録を行なうには、１つのビットが
表わす情報が光磁気記録膜の磁化方向（上向き、下向き
）を示す２値だけでは限界がある。現在の光（磁気）デ
ィスクの記録密度は、用いる半導体レーザーの波長（こ
れがほぼビーム径になる：現在約８００ｎｍ ）でほぼ
決まる。例えば記録密度を２倍に上げようとするなら約
８００．＃２＝ ５７Ｏｒ＋ｍの波長の半導体レーザ
ーが必要であるが、これは未だ開発されていない。
表わす情報が光磁気記録膜の磁化方向（上向き、下向き
）を示す２値だけでは限界がある。現在の光（磁気）デ
ィスクの記録密度は、用いる半導体レーザーの波長（こ
れがほぼビーム径になる：現在約８００ｎｍ ）でほぼ
決まる。例えば記録密度を２倍に上げようとするなら約
８００．＃２＝ ５７Ｏｒ＋ｍの波長の半導体レーザ
ーが必要であるが、これは未だ開発されていない。
ところが例えば光磁気記録膜を積層し、磁化方向がそれ
ぞれの磁化方向の組み合わせの４値を表わすように出来
れば記録密度は２倍になり、従来の２値の記録と同じ速
度で記録再生が出来れば、記録再生速度も２倍になる。
ぞれの磁化方向の組み合わせの４値を表わすように出来
れば記録密度は２倍になり、従来の２値の記録と同じ速
度で記録再生が出来れば、記録再生速度も２倍になる。
これがさらに多値の記録が可能になれば、より高密度、
高速の記録再生が可能になる。
高速の記録再生が可能になる。
今までにも特開昭５９−１１６９０５や、米国特許公告
４．６１２．５８７などに開示されている様に、光磁気
層を多層にして、それぞれの層の磁化の向きを制御し、
多値記録を行なう試みがある。
４．６１２．５８７などに開示されている様に、光磁気
層を多層にして、それぞれの層の磁化の向きを制御し、
多値記録を行なう試みがある。
しかし多波長のレーザー光源を必要としたり、媒体の構
成、録再方式が複雑すぎたりといった問題点があった。
成、録再方式が複雑すぎたりといった問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑み、新しいデジタル多値記録用
の光磁気記録媒体及びそれを用いた記録方法を提供しよ
うとするものである。
の光磁気記録媒体及びそれを用いた記録方法を提供しよ
うとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明によれば、キュリー温度記録を行なう光磁気記録
媒体において、記録磁性膜が、基板面に垂直方向と、基
板面内方向の２軸異方性を有する光磁気記録媒体を用い
ることにより、記録時に記録信号に応じて印加するバイ
アス磁界を、基板面に垂直方向と、基板面内方向の、両
方向に加えることにより録再信号に充分子ｊ Ｓ Ｎ比
をもつ多値記録が可能となる。
媒体において、記録磁性膜が、基板面に垂直方向と、基
板面内方向の２軸異方性を有する光磁気記録媒体を用い
ることにより、記録時に記録信号に応じて印加するバイ
アス磁界を、基板面に垂直方向と、基板面内方向の、両
方向に加えることにより録再信号に充分子ｊ Ｓ Ｎ比
をもつ多値記録が可能となる。
本発明において２軸異方性を有する磁性膜とは、第２図
の記録磁性層の磁化曲線概念図（よこ軸が印加磁界で、
たて軸は磁化の大きさを示す。）に示したような特性を
もつ磁性膜であり、すなわち基板面に垂直方向に磁界を
印加したときの磁化曲線は実線で示したように保磁力、
角形比が大きく、又基板面内方向に磁界を印加したとき
においても点線で示したように保磁力は小さくなるもの
の角形比は大きく優れた磁気特性をもつものである。好
ましい保磁力、角形比は垂直方向、面内方向それぞれＩ
Ｋ Ｏｅｄ上、１にＯｅ以上、０．８以上、０．５以
上である。
の記録磁性層の磁化曲線概念図（よこ軸が印加磁界で、
たて軸は磁化の大きさを示す。）に示したような特性を
もつ磁性膜であり、すなわち基板面に垂直方向に磁界を
印加したときの磁化曲線は実線で示したように保磁力、
角形比が大きく、又基板面内方向に磁界を印加したとき
においても点線で示したように保磁力は小さくなるもの
の角形比は大きく優れた磁気特性をもつものである。好
ましい保磁力、角形比は垂直方向、面内方向それぞれＩ
Ｋ Ｏｅｄ上、１にＯｅ以上、０．８以上、０．５以
上である。
２軸異方性は磁性膜を積層構造とすることにより達成で
きる。たとえばＴｂとＦｅＣｏの磁性膜では、ＴｈとＦ
ｅＣｏを１対としてそれぞれ１５人〜４０人程度の厚み
で積層するようにし、最終的に １００人〜２０００人
程度の膜厚となるようにする。１対の厚さがこれより小
さくなると、垂直磁化膜となり面内磁化がされにくくな
る。また１対の厚さがこれより大きくなると、面内磁化
膜となり、良好な２軸異方性は得られない。好ましい１
対の厚みは使用する磁性材料により異なり、適宜垂直磁
化と面内磁化の特性をみて設定すればよい。
きる。たとえばＴｂとＦｅＣｏの磁性膜では、ＴｈとＦ
ｅＣｏを１対としてそれぞれ１５人〜４０人程度の厚み
で積層するようにし、最終的に １００人〜２０００人
程度の膜厚となるようにする。１対の厚さがこれより小
さくなると、垂直磁化膜となり面内磁化がされにくくな
る。また１対の厚さがこれより大きくなると、面内磁化
膜となり、良好な２軸異方性は得られない。好ましい１
対の厚みは使用する磁性材料により異なり、適宜垂直磁
化と面内磁化の特性をみて設定すればよい。
２軸異方性をもつ記録磁性膜の製造は公知技術で行なう
ことができ、スパッタリング法、蒸着法等により、Ｇｄ
Ｆｅ、 ＧｄＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＧｄＦｅ、 Ｔ
ｂＦｅＣｏ等の非晶質膜の他、ＭｎＣｕＢ１． ＭｎＢ
１等の多結晶材料を保護膜等とともに基板上に成膜すれ
ばよい。その中でも非晶質、特にＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅ（：ｏ等はキュリー温度が低く、ＳＮ比を比較的高く
できるので好ましい。
ことができ、スパッタリング法、蒸着法等により、Ｇｄ
Ｆｅ、 ＧｄＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＧｄＦｅ、 Ｔ
ｂＦｅＣｏ等の非晶質膜の他、ＭｎＣｕＢ１． ＭｎＢ
１等の多結晶材料を保護膜等とともに基板上に成膜すれ
ばよい。その中でも非晶質、特にＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅ（：ｏ等はキュリー温度が低く、ＳＮ比を比較的高く
できるので好ましい。
積層構造とするための方法としては、磁性材料を基板上
に形成する際複数種のターゲットを用意し、基板を回転
させながら成膜することにより、行なうことができる。
に形成する際複数種のターゲットを用意し、基板を回転
させながら成膜することにより、行なうことができる。
又回転数やターゲットからの距離を変えることにより１
対の厚みを調整することができる。
対の厚みを調整することができる。
本発明の光磁気記録媒体の記録磁性層の安定な磁化の向
きは第１図（Ｚ軸方向は、基板面垂直方向を示し、ｘ−
ｙ面は基板面に平行である。）に示した通りであり、２
軸異方性をもっている、すなわち磁化の安定な向きは基
板面に垂直で、上。
きは第１図（Ｚ軸方向は、基板面垂直方向を示し、ｘ−
ｙ面は基板面に平行である。）に示した通りであり、２
軸異方性をもっている、すなわち磁化の安定な向きは基
板面に垂直で、上。
下２方向であるが、面内方向には、自由に配向可能であ
るため、それぞれを合成した磁化の向きは、図に示す様
な２軸異方性をもつコーン状となる。
るため、それぞれを合成した磁化の向きは、図に示す様
な２軸異方性をもつコーン状となる。
次に上述したような２軸異方性を有する磁性膜により情
報の記録再生を行なう方法について述べる。
報の記録再生を行なう方法について述べる。
本発明の光磁気記録に用いることのできる装置の原理は
第３図に示した様であり、これを用いて以下消去記録再
生のプロセスの原理を説明する。
第３図に示した様であり、これを用いて以下消去記録再
生のプロセスの原理を説明する。
主として半導体レーザーなどの光源４から発したビーム
は、光変調装置５．ｌｊｉ光子５１を通して、ハーフミ
ラ−６に達する。ここである割合のビームは反射して、
対物レンズ７を通して、本発明の光磁気ディスクｌＯに
達する。ここで反射したビームは、対物レンズ７、ハー
フミラ−６、検光子８を通して光電変換素子９に達する
。光磁気ディスクＩＯは、スピンドルモータ３により回
転移動される。記録時には、信号に応じて光源４の光強
度を直接か、あるいは光変調装置５を介して変調する。
は、光変調装置５．ｌｊｉ光子５１を通して、ハーフミ
ラ−６に達する。ここである割合のビームは反射して、
対物レンズ７を通して、本発明の光磁気ディスクｌＯに
達する。ここで反射したビームは、対物レンズ７、ハー
フミラ−６、検光子８を通して光電変換素子９に達する
。光磁気ディスクＩＯは、スピンドルモータ３により回
転移動される。記録時には、信号に応じて光源４の光強
度を直接か、あるいは光変調装置５を介して変調する。
同時に基板垂直方向へのバイアス磁界発生部１と、基板
面内方向へのバイアス磁界発生部２を用いて、記録信号
に応じたバイアス磁界を印加する。基板面内方向へのバ
イアス磁界発生部２を装置上方より見ると第４図に示し
た様であり、ビームが入射する点Ｐをはさんで、例えば
Ａｌ−Ａ３のコイル群とＢＩＮ８５のコイル群より成る
。＾ｌ〜＾５のコイル群より１つ、８１ＮＢ５のコイル
群より１つを選んで電流を流して、それぞれのコイルを
結ぶ一方向に面内磁界を発生させ、この発生面内磁界方
向を、記録信号に応じて変調することによって基板面内
に磁化の方向性を与えることができる。
面内方向へのバイアス磁界発生部２を用いて、記録信号
に応じたバイアス磁界を印加する。基板面内方向へのバ
イアス磁界発生部２を装置上方より見ると第４図に示し
た様であり、ビームが入射する点Ｐをはさんで、例えば
Ａｌ−Ａ３のコイル群とＢＩＮ８５のコイル群より成る
。＾ｌ〜＾５のコイル群より１つ、８１ＮＢ５のコイル
群より１つを選んで電流を流して、それぞれのコイルを
結ぶ一方向に面内磁界を発生させ、この発生面内磁界方
向を、記録信号に応じて変調することによって基板面内
に磁化の方向性を与えることができる。
まず、光磁気記録媒体は記録の前に情報の消去を行なう
が、一連の消去プロセスは次のように行なうことができ
る。第３図において、光磁気ディスク１０を回転させて
、連続のレーザービームを照射しながら基板垂直方向へ
のバイアス磁界発生部１により、記録時と逆方向へ５０
〜５０００ｅ程度の磁界を印加する。同時に基板面内方
向バイアス磁界発生部２により、例えば第４図において
＾３−８３方向に磁界を印加する。この消去操作により
本発明の記録膜の磁化は、例えば第５図の様に一方向を
向く。
が、一連の消去プロセスは次のように行なうことができ
る。第３図において、光磁気ディスク１０を回転させて
、連続のレーザービームを照射しながら基板垂直方向へ
のバイアス磁界発生部１により、記録時と逆方向へ５０
〜５０００ｅ程度の磁界を印加する。同時に基板面内方
向バイアス磁界発生部２により、例えば第４図において
＾３−８３方向に磁界を印加する。この消去操作により
本発明の記録膜の磁化は、例えば第５図の様に一方向を
向く。
次に一連の記録プロセスは次のように行なうことができ
る。第３図において、光磁気ディスクｌＯを回転させて
、記録信号に応じて光源４よりレーザービームを照射し
ながら、基板垂直方向へのバイアス磁界発生部１により
、消去時と逆方向へ５０〜５０００ｅ程度の磁界を印加
する。同時に、基板面内方向バイアス磁界発生部２によ
り、記録信号に応じて第３図のＡｌ−Ａ３とＢ１−８５
の組み合わせを変化させながら（面内方向磁界を変化さ
せながら）５０〜５０００ｅ程度の磁界を印加する。こ
の記録操作により、本発明の記録膜の磁化は、第６図の
様に、信号に応じて（面内に印加磁界方向を変化させる
ことで）多値の状態にすることができる。
る。第３図において、光磁気ディスクｌＯを回転させて
、記録信号に応じて光源４よりレーザービームを照射し
ながら、基板垂直方向へのバイアス磁界発生部１により
、消去時と逆方向へ５０〜５０００ｅ程度の磁界を印加
する。同時に、基板面内方向バイアス磁界発生部２によ
り、記録信号に応じて第３図のＡｌ−Ａ３とＢ１−８５
の組み合わせを変化させながら（面内方向磁界を変化さ
せながら）５０〜５０００ｅ程度の磁界を印加する。こ
の記録操作により、本発明の記録膜の磁化は、第６図の
様に、信号に応じて（面内に印加磁界方向を変化させる
ことで）多値の状態にすることができる。
尚、レーザービームを照射する際、光変調袋Ｗ５及び偏
光子５１を通じて記録信号に応じてビーム強度を変調さ
せて（レーザーの出力を変化させて）レーザービームを
照射しながら、基板面内方向に加えるバイアス磁界の印
加方向を変化させてもよい。この場合、大きな出力のレ
ーザービームを照射したときは、基板面垂直方向ベクト
ルが反転し、第６図の様な記録が行なわれる。
光子５１を通じて記録信号に応じてビーム強度を変調さ
せて（レーザーの出力を変化させて）レーザービームを
照射しながら、基板面内方向に加えるバイアス磁界の印
加方向を変化させてもよい。この場合、大きな出力のレ
ーザービームを照射したときは、基板面垂直方向ベクト
ルが反転し、第６図の様な記録が行なわれる。
小さな出力のレーザービームを照射したときは、基板面
内方向ベクトルだけが変化した記録となる。この様にレ
ーザーの出力を変化させるとほぼ２倍の多値情報を記録
することができるので好ましい。又、基板面内方向への
バイアス磁界のベクトルの向きは上記＾ｌ−＾５． Ｂ
１−Ｂ５の組み合わせの場合１０種類であるが、バイア
ス磁界発生部のコイル群の数を増やすことにより、ベク
トルの向きの数を増やすことができ、又単に１方向のベ
クトルで行なっても良い。ベクトルの向きの数が増える
と信号の種類は増えるが、ＳＮ比が低下する可能性があ
るため、磁性膜の種類、構造等により適宜選定する。以
上の方法により情報記録を基板面内方向のベクトルの向
き、垂直方向のベクトルの向き、及びレーザービーム強
度の３つのパラメーターにより行なうことができる。
内方向ベクトルだけが変化した記録となる。この様にレ
ーザーの出力を変化させるとほぼ２倍の多値情報を記録
することができるので好ましい。又、基板面内方向への
バイアス磁界のベクトルの向きは上記＾ｌ−＾５． Ｂ
１−Ｂ５の組み合わせの場合１０種類であるが、バイア
ス磁界発生部のコイル群の数を増やすことにより、ベク
トルの向きの数を増やすことができ、又単に１方向のベ
クトルで行なっても良い。ベクトルの向きの数が増える
と信号の種類は増えるが、ＳＮ比が低下する可能性があ
るため、磁性膜の種類、構造等により適宜選定する。以
上の方法により情報記録を基板面内方向のベクトルの向
き、垂直方向のベクトルの向き、及びレーザービーム強
度の３つのパラメーターにより行なうことができる。
次に一連の信号再生プロセス例を示すが、再生は従来方
法により行なうことができる。第３図において、光磁気
ディスクｌＯを回転させて、光源４からの連続ビームを
照射しながら、反射光を検光子８を通して光電変換素子
９で受ける。記録ビットの磁化状態は第７図に示した様
に２軸異方性を有している。ディスク上面より見たのが
（ａ）で、ビットの長さは、記録ビームのパルス巾によ
って決まる。形成された、それぞれのビットの磁化状態
をディスクの径方向に切断してみると例えば（ｂ）のよ
うになっている。面内磁界方向をＡＩ−＾５とＢ１−８
５の組み合わせで、記録信号に応じて変化させることに
より（ｂ）の様に基板面垂直方向へは、いずれも消去状
態に比べて反転した上で、面内方向への磁化が、それぞ
れ変化した記録ビットが形成されている。これらの記録
ビットから反射された再生光は、光磁気効果により偏光
状態が変化するが、特にビームの光軸をディスク基板面
に対し傾ける工夫をすることにより、各記録ビット間の
面内方向への磁化の変化を効率良く検出することができ
る。以上の方法によれば、記録密度は従来の光磁気記録
膜に比べて３〜１０倍程度まで向上させることが可能で
ある。
法により行なうことができる。第３図において、光磁気
ディスクｌＯを回転させて、光源４からの連続ビームを
照射しながら、反射光を検光子８を通して光電変換素子
９で受ける。記録ビットの磁化状態は第７図に示した様
に２軸異方性を有している。ディスク上面より見たのが
（ａ）で、ビットの長さは、記録ビームのパルス巾によ
って決まる。形成された、それぞれのビットの磁化状態
をディスクの径方向に切断してみると例えば（ｂ）のよ
うになっている。面内磁界方向をＡＩ−＾５とＢ１−８
５の組み合わせで、記録信号に応じて変化させることに
より（ｂ）の様に基板面垂直方向へは、いずれも消去状
態に比べて反転した上で、面内方向への磁化が、それぞ
れ変化した記録ビットが形成されている。これらの記録
ビットから反射された再生光は、光磁気効果により偏光
状態が変化するが、特にビームの光軸をディスク基板面
に対し傾ける工夫をすることにより、各記録ビット間の
面内方向への磁化の変化を効率良く検出することができ
る。以上の方法によれば、記録密度は従来の光磁気記録
膜に比べて３〜１０倍程度まで向上させることが可能で
ある。
次に本発明の光磁気記録媒体を作成した実施例を示す。
（実施例〕
実施例１
案内溝の設けられたポリカーボネイトディスク基板に、
Ｓｉ３Ｎ４ターゲットをスパッタリングすることで、
７００人の厚さにＳｉ３Ｎ４膜を設けた。次にＦｅ８５
Ｃｏ、５合金ターゲツトと、Ｔｂターゲットを同時スパ
ッタすることで、８００人のＴｂ、、Ｆｅ６９Ｃｏ、、
膜を、基板回転数８ｒｐ■で、成膜時間４分間のう゛ち
に設けた。ＴｂＩｇＦｅｓｓ（：ｏ＋□膜は、ＴｂとＦ
ｅにｏの積層構造になっているが、１対の厚さ（周期）
は、２５人であワた。次に５ｊ３Ｎ４ターゲツトをスパ
ッタリングすることで、１０００人の厚さにＳｉ３Ｎ４
膜を設けた。この基板はホットメルト接着剤により貼り
合わせ用ポリカーボネイトディスク基板と貼り合わせら
れ、光磁気記録媒体が完成した。
Ｓｉ３Ｎ４ターゲットをスパッタリングすることで、
７００人の厚さにＳｉ３Ｎ４膜を設けた。次にＦｅ８５
Ｃｏ、５合金ターゲツトと、Ｔｂターゲットを同時スパ
ッタすることで、８００人のＴｂ、、Ｆｅ６９Ｃｏ、、
膜を、基板回転数８ｒｐ■で、成膜時間４分間のう゛ち
に設けた。ＴｂＩｇＦｅｓｓ（：ｏ＋□膜は、ＴｂとＦ
ｅにｏの積層構造になっているが、１対の厚さ（周期）
は、２５人であワた。次に５ｊ３Ｎ４ターゲツトをスパ
ッタリングすることで、１０００人の厚さにＳｉ３Ｎ４
膜を設けた。この基板はホットメルト接着剤により貼り
合わせ用ポリカーボネイトディスク基板と貼り合わせら
れ、光磁気記録媒体が完成した。
作成した光磁気記録媒体（Ｔｂ＊ｅＦｅｓ＊ＣＯ＋ｚ膜
）の磁化曲線を試料振動型磁化測定器により調べた。
）の磁化曲線を試料振動型磁化測定器により調べた。
基板面に垂直方向の保磁力は約９にＯｅであった。
基板面内方向は、保磁力が約５０００ｅであり、１〜２
ＫＯｅ程度の印加磁界での磁化成分は、基板面垂直方向
に比べて約号であり、２軸異方性を有していた。
ＫＯｅ程度の印加磁界での磁化成分は、基板面垂直方向
に比べて約号であり、２軸異方性を有していた。
次に作成した光磁気記録媒体を、前述の様に線速３Ｉｌ
／秒で回転させながら、約６■Ｗのレーザーパワーで垂
直方向にバイアス磁界５０００ｅを印加して消去を行な
った。次に５ｍＷのレーザーパワーを５０％のデユーテ
ィ比、ＩＭＨｚの周波数で ０Ｎ１０ＦＦしながら、印
加するバイアス磁界を基板面垂直方向には２０００ｅ、
面内方向にも２０００ｅ加えた。そして面内方向には、
記録信号に従い印加磁界方向を変化させながら記録した
。
／秒で回転させながら、約６■Ｗのレーザーパワーで垂
直方向にバイアス磁界５０００ｅを印加して消去を行な
った。次に５ｍＷのレーザーパワーを５０％のデユーテ
ィ比、ＩＭＨｚの周波数で ０Ｎ１０ＦＦしながら、印
加するバイアス磁界を基板面垂直方向には２０００ｅ、
面内方向にも２０００ｅ加えた。そして面内方向には、
記録信号に従い印加磁界方向を変化させながら記録した
。
次にこの記録ビットを１ｍＷの連続ビームで再生したと
ころ、それぞれ再生信号レベルの変化した、ビット信号
を確認でき、多値記録に充分な信号ＣＮ比（約４０ｄＢ
）をもつ光磁気記録媒体であフた。
ころ、それぞれ再生信号レベルの変化した、ビット信号
を確認でき、多値記録に充分な信号ＣＮ比（約４０ｄＢ
）をもつ光磁気記録媒体であフた。
実施例２
実施例１と同様の方法により案内溝の設けられたガラス
２Ｐ（紫外線硬化樹脂）基板を用いて、５ｉ３Ｌ膜 ９
００人、Ｄｙ２ｏＦｅ＋５ｏＣＯｚｏ膜 ８００人、
Ｓｉ、Ｎ４膜９００人の順で成膜した。尚、Ｄ３／２
ｏＦｅａｏｃＯｔｏ膜の積層構造は基板回転数１３．３
ｒｐｍ ４分間で形成し１対の厚さは１５人であった
。このものの磁性曲線を測定したところ基板面に垂直方
向の保磁力約７にＯｅ、面内方向の保磁力約１にＯＣで
、印加磁界１〜２ＫＯｅ程度での磁化成分は、面内方向
／垂直方向の比で約０．６であり、２軸異方性を有して
いた。このものに記録信号に応じて光変調装置によりレ
ーザー出力を３ｍＷと６１の２値で変化させた以外は実
施例１と同様の方法により磁界を印加した後、記録ビッ
トを１ｍＷの連続ビームで再生したところそれぞれ再生
信号レベルの変化したビット信号を確認でき、又、ＣＮ
比は約４０ｄＢで、多値記録に充分なものであった。
２Ｐ（紫外線硬化樹脂）基板を用いて、５ｉ３Ｌ膜 ９
００人、Ｄｙ２ｏＦｅ＋５ｏＣＯｚｏ膜 ８００人、
Ｓｉ、Ｎ４膜９００人の順で成膜した。尚、Ｄ３／２
ｏＦｅａｏｃＯｔｏ膜の積層構造は基板回転数１３．３
ｒｐｍ ４分間で形成し１対の厚さは１５人であった
。このものの磁性曲線を測定したところ基板面に垂直方
向の保磁力約７にＯｅ、面内方向の保磁力約１にＯＣで
、印加磁界１〜２ＫＯｅ程度での磁化成分は、面内方向
／垂直方向の比で約０．６であり、２軸異方性を有して
いた。このものに記録信号に応じて光変調装置によりレ
ーザー出力を３ｍＷと６１の２値で変化させた以外は実
施例１と同様の方法により磁界を印加した後、記録ビッ
トを１ｍＷの連続ビームで再生したところそれぞれ再生
信号レベルの変化したビット信号を確認でき、又、ＣＮ
比は約４０ｄＢで、多値記録に充分なものであった。
（発明の効果）
以上説明したように２軸異方性を有する記録膜に、垂直
方向と面内方向にバイアス磁界を印加することによって
今までにない高密度記録ができるデジタル多値記録が可
能となる。
方向と面内方向にバイアス磁界を印加することによって
今までにない高密度記録ができるデジタル多値記録が可
能となる。
第１図は、本発明の記録磁性層の安定な磁化の向きを示
す概念図、第２図は、本発明の記録磁性層の磁化曲線の
概念図、第３図は、本発明の光磁気記録に用いる装置の
原理図、第４図は、基板面内方向へのバイアス磁界発生
部を装置上方より見た模式図、第５図は、本発明の記録
法において、消去時の磁化の向きを示す概念図、第６図
は、本発明の記録法において、多値の記録時の磁化の向
きを示す概念図、第７図は、本発明にかかわる記録ビッ
トの磁化状態を示す概念図である。 １：基板垂直方向へのバイアス磁界発生部２：基板面内
方向へのバイアス磁界発生部３ニスピンドルモータ ４：光源 ５：光変調装置 ５１：偏光子 ６：ハーフミラ− ７：対物レンズ ８：検光子 ９：光電変換素子 ＩＯ＝光磁気ディスク ＾Ｉ ＮＡ５．８１ Ａ−ｄ８５：基板面内方向へのバ
イアス磁界発生部のコイル群 Ｐ：ビームが入射する点
す概念図、第２図は、本発明の記録磁性層の磁化曲線の
概念図、第３図は、本発明の光磁気記録に用いる装置の
原理図、第４図は、基板面内方向へのバイアス磁界発生
部を装置上方より見た模式図、第５図は、本発明の記録
法において、消去時の磁化の向きを示す概念図、第６図
は、本発明の記録法において、多値の記録時の磁化の向
きを示す概念図、第７図は、本発明にかかわる記録ビッ
トの磁化状態を示す概念図である。 １：基板垂直方向へのバイアス磁界発生部２：基板面内
方向へのバイアス磁界発生部３ニスピンドルモータ ４：光源 ５：光変調装置 ５１：偏光子 ６：ハーフミラ− ７：対物レンズ ８：検光子 ９：光電変換素子 ＩＯ＝光磁気ディスク ＾Ｉ ＮＡ５．８１ Ａ−ｄ８５：基板面内方向へのバ
イアス磁界発生部のコイル群 Ｐ：ビームが入射する点
Claims (3)
- （１）、キュリー温度記録を行なう光磁気記録媒体にお
いて、記録磁性膜が、基板面に垂直方向と、基板面内方
向の２軸異方性を有することを特徴とする光磁気記録媒
体。 - （２）、請求項１に記載の光磁気記録媒体を用いて記録
時に記録信号に応じて印加するバイアス磁界を、基板面
に垂直方向と、基板面内方向の両方向に加えることを特
徴とする光磁気記録方法。 - （３）、記録信号に応じてレーザーの出力を変化させる
と同時にバイアス磁界を印加することを特徴とする請求
項２に記載の光磁気記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174965A JPH0227544A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
| US08/011,847 US5410521A (en) | 1988-07-15 | 1993-01-28 | Method and apparatus for recording information on a medium having biaxial magnetic anisotropy using parallel and perpendicular magnetic fields |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174965A JPH0227544A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227544A true JPH0227544A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=15987833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174965A Pending JPH0227544A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5410521A (ja) |
| JP (1) | JPH0227544A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007024058A1 (de) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Illinois Tool Works Inc., Glenview | Vorrichtung und Verfahren zur Prüfmittel-Kontrolle |
| US10115415B1 (en) * | 2018-03-23 | 2018-10-30 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic pulse recording scheme in perpendicular magnetic recording |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3521294A (en) * | 1967-03-13 | 1970-07-21 | Ampex | Magneto thermal recording process and apparatus |
| US3876994A (en) * | 1972-06-22 | 1975-04-08 | Ibm | Planar bias field control of magnetic bubble domain apparatus |
| NL7907217A (nl) * | 1979-09-28 | 1981-03-31 | Philips Nv | Magnetische beldomeinstructuur. |
| JPS5760506A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Hitachi Ltd | Magnetic recording and reproducing method |
| JPH0677349B2 (ja) * | 1985-03-20 | 1994-09-28 | 株式会社日立製作所 | 光磁気デイスクフアイル装置 |
| JPS6280810A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Sony Corp | 光磁気記録用磁気ヘツド |
| JP2579631B2 (ja) * | 1986-03-27 | 1997-02-05 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録方法 |
| US4857415A (en) * | 1987-05-29 | 1989-08-15 | Raytheon Company | Method of producing single crystalline magnetic film having bi-axial anisotropy |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63174965A patent/JPH0227544A/ja active Pending
-
1993
- 1993-01-28 US US08/011,847 patent/US5410521A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5410521A (en) | 1995-04-25 |
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