JPH0226777B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0226777B2 JPH0226777B2 JP56073523A JP7352381A JPH0226777B2 JP H0226777 B2 JPH0226777 B2 JP H0226777B2 JP 56073523 A JP56073523 A JP 56073523A JP 7352381 A JP7352381 A JP 7352381A JP H0226777 B2 JPH0226777 B2 JP H0226777B2
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- JP
- Japan
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- light
- wafer
- mask
- spatial filter
- transfer device
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にホ
トリソグラフイ法に使用するマスクパターンを転
写するための装置に関する。
トリソグラフイ法に使用するマスクパターンを転
写するための装置に関する。
半導体装置の製造工程のひとつとして行なわれ
るホトリソグラフイ工程においては、レチクルパ
ターンをマスク基板に転写したり、ホトマスクパ
ターンを半導体ウエーハに転写したりするための
転写装置が必要とされる。この転写装置には、写
真の引伸機のような光学系を利用したものが使わ
れることが多く、特にパターン像を縮小する場合
には必ず光学系を利用したものが使用される。
るホトリソグラフイ工程においては、レチクルパ
ターンをマスク基板に転写したり、ホトマスクパ
ターンを半導体ウエーハに転写したりするための
転写装置が必要とされる。この転写装置には、写
真の引伸機のような光学系を利用したものが使わ
れることが多く、特にパターン像を縮小する場合
には必ず光学系を利用したものが使用される。
ところが、この転写装置にあつては、レチクル
やマスクのパターンをマスク基板やウエーハ表面
に写真のように単に転写するのみであるため、レ
チクルやマスクに塵埃等の異物が付着していると
きにはこの異物がそのままマスク基板やウエーハ
に転写され、形成するマスクやウエーハの歩留り
が低下するという問題が生じている。
やマスクのパターンをマスク基板やウエーハ表面
に写真のように単に転写するのみであるため、レ
チクルやマスクに塵埃等の異物が付着していると
きにはこの異物がそのままマスク基板やウエーハ
に転写され、形成するマスクやウエーハの歩留り
が低下するという問題が生じている。
したがつて本発明の目的はレチクルやマスクの
パターンをマスク基板やウエーハに転写する光学
レンズの後側焦点位置に空間フイルタを介装する
ことにより、異物像がマスク基板やウエーハに転
写されるのを防止し、これにより形成するマスク
やウエーハの歩留を向上することができる転写装
置を提供することにある。
パターンをマスク基板やウエーハに転写する光学
レンズの後側焦点位置に空間フイルタを介装する
ことにより、異物像がマスク基板やウエーハに転
写されるのを防止し、これにより形成するマスク
やウエーハの歩留を向上することができる転写装
置を提供することにある。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図はホトマスクパターンを半導体ウエーハ
に転写する場合の実施例であり、ホトマスク１に
は所要のパターンを形成し、ウエーハ２には表面
にホトレジストを塗布している。前記ホトマスク
１とウエーハ２との間には結像用の光学レンズ３
を介装しており、ホトマスク１はその物面位置、
ウエーハ２は像面位置に設置される。ホトマスク
１の上方（前方）には光源４を配置しており、こ
れによりホトマスク１のパターンは光の明暗とし
てウエーハ２表面に結像できる。そして、本発明
にあつては、前記光学レンズ３の後側焦点位置Ｆ
に空間フイルタ６を設置している。この空間フイ
ルタ６は、本例では光軸５を中心とする円形部分
７を光透過性とし他の部分８を光不透過性として
構成したものである。
に転写する場合の実施例であり、ホトマスク１に
は所要のパターンを形成し、ウエーハ２には表面
にホトレジストを塗布している。前記ホトマスク
１とウエーハ２との間には結像用の光学レンズ３
を介装しており、ホトマスク１はその物面位置、
ウエーハ２は像面位置に設置される。ホトマスク
１の上方（前方）には光源４を配置しており、こ
れによりホトマスク１のパターンは光の明暗とし
てウエーハ２表面に結像できる。そして、本発明
にあつては、前記光学レンズ３の後側焦点位置Ｆ
に空間フイルタ６を設置している。この空間フイ
ルタ６は、本例では光軸５を中心とする円形部分
７を光透過性とし他の部分８を光不透過性として
構成したものである。
したがつて、この空間フイルタ６を介装したこ
とにより、ホトマスク１のマスクパターンを結像
させる光は光透過性の円形部分７を通過してウエ
ーハ２の表面に結像するが、異物等の微小物体を
結像させる光は高周波成分が多いために焦点位置
では光軸よりも外側を通り、このためこの光は空
間フイルタ６の光不透過性の部分８によつて遮ら
れウエーハ２にまで到達することはない。この結
果、異物はウエーハ表面に結像されることはな
く、ウエーハの歩留を向上することができる。な
お、空間フイルタ６における光透過性の円形部分
７の寸法（半径）は実験により最適値を求めるよ
うにすることが好ましい。
とにより、ホトマスク１のマスクパターンを結像
させる光は光透過性の円形部分７を通過してウエ
ーハ２の表面に結像するが、異物等の微小物体を
結像させる光は高周波成分が多いために焦点位置
では光軸よりも外側を通り、このためこの光は空
間フイルタ６の光不透過性の部分８によつて遮ら
れウエーハ２にまで到達することはない。この結
果、異物はウエーハ表面に結像されることはな
く、ウエーハの歩留を向上することができる。な
お、空間フイルタ６における光透過性の円形部分
７の寸法（半径）は実験により最適値を求めるよ
うにすることが好ましい。
第２図は他の実施例を示すもので、ホトマスク
１Ａにはコンタクトマスクのような周期的なパタ
ーンを形成したものを用いた例である。図中、２
はマスクのパターンを転写するウエーハ、３は光
学レンズ、４は光源であり、いずれも前例と同じ
である。そして、本例では光学レンズ３の後側焦
点位置Ｆに介装する空間フイルタ６Ａの光透過性
の部分７Ａはホトマスクの周期パターンの回折パ
ターンに対応した光斑と一致するように形成して
いるのである。８Ａは光不透過性の部分である。
１Ａにはコンタクトマスクのような周期的なパタ
ーンを形成したものを用いた例である。図中、２
はマスクのパターンを転写するウエーハ、３は光
学レンズ、４は光源であり、いずれも前例と同じ
である。そして、本例では光学レンズ３の後側焦
点位置Ｆに介装する空間フイルタ６Ａの光透過性
の部分７Ａはホトマスクの周期パターンの回折パ
ターンに対応した光斑と一致するように形成して
いるのである。８Ａは光不透過性の部分である。
この実施例によれば、ホトマスク１Ａの周期的
パターンは空間フイルタ６Ａにより回折像がウエ
ーハ２に結像されるので、ウエーハ表面において
像の重ね合せが生じ像が強調されてコントラスト
や解像度の高い像が得られる。本実施例では周期
的パターンの像が強調されることにより周期的に
存在しない異物の像は極めて弱く、ウエーハに殆
んど転写されることはない。
パターンは空間フイルタ６Ａにより回折像がウエ
ーハ２に結像されるので、ウエーハ表面において
像の重ね合せが生じ像が強調されてコントラスト
や解像度の高い像が得られる。本実施例では周期
的パターンの像が強調されることにより周期的に
存在しない異物の像は極めて弱く、ウエーハに殆
んど転写されることはない。
なお、前記各実施例はいずれもホトマスクのパ
ターンをウエーハに転写する実施例であるが、レ
チクルのパターンをマスク基板に転写する場合も
同じである。
ターンをウエーハに転写する実施例であるが、レ
チクルのパターンをマスク基板に転写する場合も
同じである。
ここで、空間フイルタは不透明板に孔を穿けて
形成してもよいが、写真乾板を利用して写真技術
により形成するようにしてもよい。
形成してもよいが、写真乾板を利用して写真技術
により形成するようにしてもよい。
以上のように本発明の転写装置によれば、転写
用光学レンズの後側焦点位置に光透過性の部分を
所定のパターンに形成した空間フイルタを介装し
ているので、異物等がマスク基板やウエーハに結
像することを防止しあるいは抑制することがで
き、これにより異物による転写不良を低減してマ
スクやウエーハのパターン形成歩留りを大巾に向
上することができるのである。
用光学レンズの後側焦点位置に光透過性の部分を
所定のパターンに形成した空間フイルタを介装し
ているので、異物等がマスク基板やウエーハに結
像することを防止しあるいは抑制することがで
き、これにより異物による転写不良を低減してマ
スクやウエーハのパターン形成歩留りを大巾に向
上することができるのである。
第１図は本発明装置の概略構成図、第２図は他
の実施例の概略構成図である。 １，１Ａ……ホトマスク、２……ウエーハ、３
……光学レンズ、６，６Ａ……空間フイルタ、
７，７Ａ……光透過性部分、８，８Ａ……光不透
過性部分、Ｆ……後側焦点。
の実施例の概略構成図である。 １，１Ａ……ホトマスク、２……ウエーハ、３
……光学レンズ、６，６Ａ……空間フイルタ、
７，７Ａ……光透過性部分、８，８Ａ……光不透
過性部分、Ｆ……後側焦点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レチクルやホトマスクに形成したマスクパタ
ーンを光学系を通してマスク基板やウエーハに結
像させるようにしたマスクパターンの転写装置に
おいて、前記光学系の後側焦点位置には光透過性
の部分を所定パターンに形成した空間フイルタを
介装したことを特徴とするマスクパターンの転写
装置。 ２ 空間フイルタは光透過性の部分を光軸を中心
とする円形とし、光の低周波成分のみを透過し得
るよう構成してなる特許請求の範囲第１項記載の
マスクパターンの転写装置。 ３ 空間フイルタは光透過性の部分をマスクの周
期的パターンの回折像に一致するように構成して
なる特許請求の範囲第２項記載のマスクパターン
の転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56073523A JPS57188824A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Transfer device for mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56073523A JPS57188824A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Transfer device for mask pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188824A JPS57188824A (en) | 1982-11-19 |
| JPH0226777B2 true JPH0226777B2 (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=13520677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56073523A Granted JPS57188824A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Transfer device for mask pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57188824A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567368B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-07-28 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography |
-
1981
- 1981-05-18 JP JP56073523A patent/JPS57188824A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188824A (en) | 1982-11-19 |
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