JPH02267702A - オーバライト用電磁石 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気光学記憶素子へのオーバライトに使用す
るオーバライト用電磁石に関するものである。

〔従来の技術］ 従来、レーザ光等により記録媒体を加熱した状態で磁気
的に記録を行う磁気光学記憶素子において、記録済の媒
体に再記録を行う際には、再記録前に、−旦、記録済の
情報を消去するようにしていた。ところが、その場合は
、磁気ディスク等の記録媒体では不要な消去工程が必要
となる欠点があった。

そこで、近年、記録済の媒体に消去工程を経ることなく
、そのまま再記録する、オーバライトの研究が進められ
ている。このようなオーバライトの方式としては、磁気
ヘッドとして電磁石を使用し、記録すべき情報に応じて
磁界の向きを反転させる、いわゆる磁界変調方式が有力
視されている。

ところで、上記の電磁石としては、従来、巻線型のもの
が使用されているが（特開昭６２−２７９５０４号公報
参照）、このものでは、磁界の向きのスイッチング周波
数が比較的低いことからオーバライトの実現が困難であ
るとともに、記録媒体上の特定の区域のみに効率的に磁
界を印加することが難しいため、消費電力が増大する等
の問題を有していた。

そのため、高速でスイッチングが可能なオーバライト用
の電磁石として、基台上に薄膜コイルを形成したものが
提案されている（１９８８年９月２０日に東京のカザル
スホールで開催された光メモリシンポジウム°８８にお
ける報告資料「光磁気記録における高速オーバーライド
（ソニー株式会社　光デイスクドライブ事業部作成・報
告）」を参照）。

〔発明が解決しようとする課題］ 本発明は、上記のオーバライト用電磁石を改良すること
により、スイッチング周波数の一層の向上環を図ること
ができるオーバライト用電磁石を提供することを課題と
するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るオーバライト用電磁石は、上記の課題を解
決するために、磁気光学記憶素子への情報の記録に使用
するオーバライト用電磁石において、基体上に誘電体膜
を介して薄膜コイルが少なくとも２層形成されているこ
とを特徴とするものである。

（作　用） 上記の構成によれば、薄膜コイルが少なくとも２層に形
成されているので、ＷＪ膜ココイルインピーダンスを低
減させることができ、それにより、スイッチング周波数
を上昇させることができるようになる。又、薄膜コイル
が多層に形成されているので、磁界の強度を増大させる
ことができる。

更に、電磁石を小型化して記録媒体上の特定の区域のみ
に効率的に磁界の印加を行うことができるようになる。

〔実施例１］ 本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。

第３図に、磁気光学記憶素子としての光磁気ディスク１
１への情報の記録・再生及び消去を行う記録再生装置を
示す。この記録再生装置は、光磁気ディスク１１を回転
させるためのモータ１２、対物レンズ１６を上下左右に
駆動することで光ビーム１７の光スポットを光磁気ディ
スク１１の図示しないトラックに沿って追従させる対物
レンズ駆動装置１４、レーザ光源１３ａから照射された
光ビーム１７をミラー１３ｂを介して光磁気ディスク１
１の記録層１１ａに導く光ヘッド１３、情報の初期記録
及びオーバライト時において一定の磁界を記録層１１ａ
に印加するオーバライト用電磁石５、並びに、光ヘッド
１３及び対物レンズ駆動装置１４を移動させることで目
標トラックに対する高速アクセスを行うリニアモータ１
８等を備えている。

第・２図に示すように、オーバライト用電磁石５は、フ
ェライトからなる基体としての基台１上に薄膜コイル２
を形成してなるものである。

薄膜コイル２につき、より詳細に説明すると、第１図に
示すように、基台１には、両側面がテーバ状に形成され
た環状溝１ａが設けられている。

環状溝ｌａ内を含む基台１の表面には、例えば、Ａｆｉ
Ｎからなる第１の誘電体膜３が形成されている。第１の
誘電体膜３上には、例えば、ＡｕＣｒからなる第１層の
薄膜コイル２ａが複数巻に形成されている。

そして、薄膜コイル２ａ上には、上述と同様に例えば、
ＡｉＮからなる第２の誘電体膜４が形成され、第２の誘
電体膜４上には、例えば、ＡｕＣｒからなる第２層の薄
膜コイル２ｂが薄膜コイル２ａと平行に複数巻に形成さ
れている。

なお、第１及び第２の誘電体膜３・４は蒸着又はスパッ
タリング等により形成され、第１層及び第２層のコイル
２ａ・２ｂは、例えば、蒸着又はスパッタリング等の工
程にフォトレジストを使用したエツチング工程を組み合
わせることにより形成される。又、第１及び第２の誘電
体膜３・４の膜厚は、例えば、それぞれ１００〜１００
０　ｎ　ｍ程度とされ、第１層及び第２層のコイル２ａ
・２ｂの膜厚は、例えば、それぞれ１００〜３０００　
ｎ　ｍ程度とされる。

上記の構成において、第１及び第２の誘電体膜３・４を
Ａｌ２Ｎにより形成すると、誘電体膜３・４の熱伝導性
が良くなるので、薄膜コイル２ａ・２ｂからの発熱によ
るオーバライト用電磁石５の温度上昇を抑制することが
できる。

ここで、第１表に各種材料の熱伝導率を示す。

第１表 である。

第１表から明らかなように、ＡＩＮは熱伝導率が高く、
第１及び第２の誘電体膜３・４の材料として好適である
。

なお、上記の実施例では、基台１と薄膜コイル２ａとの
間に、熱伝導性を高めるために第１の誘電体膜３を形成
しているが、この第１の誘電体膜３は省略して、基台１
上に直接薄膜コイル２ａを形成するようにしても良い。

又、薄膜コイル２ａ・２ｂは、ＡｕＣｒ以外に、例えば
、Ａｕにより形成して°も良く、がっ、薄膜コイルを３
層以上に形成することもできるもの〔実施例２〕 次に、第２実施例を説明する。

この第２実施例は、第４図に示すように、第１実施例に
おける第１及び第２の誘電体膜３・４を、Ｃｕからなる
伝熱膜６の両側をそれぞれＳｉＯ□からなる誘電体膜７
・７で挟んだ３層構造としたものである。

この場合、伝熱膜６は主として薄膜コイル２ａ・２ｂの
熱を放熱する役割を果たし、誘電体１１ｉ７・７は主と
して薄膜コイル２ａ・２ｂ同士の絶縁の役割を果たす。

なお、伝熱膜６としては、Ｃｕ以外に、例えば、ＡＡ、
Ａｇ、Ａｕ５ＡｕＣｒ等を使用することができる。

一方、誘電体膜７・７としては、Ｓｉｎ、以外に、例え
ば、ＳｉＮ、ＴｉＯ□、Ａ／！２０．．５ｉＮｏ、１ｊ
２Ｎｏ、Ａｊｌ！ＳｉＮ又はそれらに若干のＹ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｎｉ等を含有したものを使用することができる。

〔発明の効果〕

本発明に係るオーバライト用電磁石は、以上のように、
磁気光学記憶素子への情報の記録に使用するオーバライ
ト用電磁石において、基体上に誘電体膜を介して薄膜コ
イルが少なくとも２層形成されている構成である。

これにより、薄膜コイルが２層以上に形成されているの
で、薄膜コイルのインピーダンスを低減させることがで
き、その結果、スイッチング周波数を上昇させることが
できるようになる。

又、薄膜コイルが多層に形成されているので、磁界の強
度を増大させることができ、従って、記録媒体が比較的
低温であっても記録が可能になるので、レーザ光源等の
出力の低下に寄与するものである。

更に、電磁石を小型化して記録媒体上の特定の区域のみ
に効率的に磁界の印加を行うことができるので、消費電
力の抑制を図る上で有利になる。

第１図乃至第３図は本発明の実施例を示すものである。

第１図はオーバライト用電磁石の継断面図である。

第２図はオーバライト用電磁石の概１１ＨｉＩ断面図で
ある。

第３図は光磁気ディスクへの記録再生を行う記録再生装
置の説明図である。

第４図は本発明の他の実施例によるオーバライト用電磁
石における誘電体膜の詳細構造を示ず奮断面図である。

■は基台（基体）、２ａ・２ｂは薄膜コイル、３・４は
第１・第２の誘電体膜、１１は光磁気ディスク（磁気光
学記憶素子）である。

特許出願人　　　　　シャープ　株式会社

【図面の簡単な説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．磁気光学記憶素子への情報の記録に使用するオーバ
   ライト用電磁石において、 基体上に誘電体膜を介して薄膜コイルが少なくとも２層
   形成されていることを特徴とするオーバライト用電磁石
   。