JP2003157594A - 光磁気記録媒体およびその再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】再生光のエネルギーとして記録層の記録マーク
を消失するエネルギー値よりも低いエネルギー値におい
て再生が不可能となり、記録層の記録マークの消失を未
然に防ぐことができる光磁気記録媒体およびその再生方
法を提供する。 【解決手段】垂直磁化の向きの記録マークとして情報を
記録する磁性層である記録層１０と、記録層１０の上層
に形成され、記録層１０と交換結合する磁性層である再
生調整層１１と、再生調整層１１の上層に形成され、再
生調整層１１と交換結合する磁性層である切断層１２
と、切断層１２の上層に形成され、切断層１２と交換結
合し、記録マークを再生する磁性層である再生層１３と
を有し、再生層１３は再生調整層１１よりも磁壁抗磁力
が小さく磁壁移動度が大きい磁性層であり、再生調整層
１１の記録マークが消失する温度は、記録層１０の記録
マークが消失する温度より低い構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気信号の記録
または再生を行う光磁気ディスクなどの光磁気記録媒体
およびその再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、動画、静止画などのビデオデータ
をデジタルに記録する技術の発展に伴い、大容量のデー
タが取り扱われるようになり、従来より広く一般的に利
用されてきたフロッピー（登録商標）ディスク装置など
の磁気ディスク装置に変わって、さらに記録密度を高め
ることができる光磁気記録を利用した光磁気ディスク装
置などの光ディスク装置が普及してきている。

【０００３】例えば、上記の光ディスク装置の１つであ
る光磁気ディスク装置においてデータを記録する方法と
しては、光磁気ディスク上のデータを記録する位置にレ
ーザ光を照射して、その位置の磁性体材料（記録層を含
む光磁気記録積層体）の温度をキュリー温度まで上昇さ
せ、その位置に記録されているデータに対応する保磁力
を解消し、さらに、その位置（温度がキュリー温度にな
っている位置）に、新たに記録するデータに対応する磁
界を印加して、データを記録する。

【０００４】また、上記の光磁気ディスク装置において
データを再生する方法としては、レーザ光を光磁気記録
積層体に照射したときの反射光の偏光角が反射面の磁化
の状態で変化する現象（カー効果）を利用して、データ
の再生を行う。

【０００５】上記の光磁気ディスクの記録密度は、光源
のレーザ光のスポット径に依存し、レーザ光のスポット
径が小さいほど記録密度を高めることが可能となる。レ
ーザ光のスポット径はλ／ＮＡ（λ：レーザ光の波長、
ＮＡ：対物レンズの開口数）に比例する。したがって、
光磁気記録媒体の記録密度を高めるにはレーザ光を短波
長化し、ＮＡを高くする必要がある。

【０００６】上記のようなレーザ光の短波長化と開口率
を高めることなく光磁気記録媒体の記録密度を向上させ
る方法が、特開平６−２９０４９６号公報に記載されて
いる。これはＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ Ｗａｌｌ Ｄｉ
ｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれ
る記録再生方法である。

【０００７】図５は、上記の光磁気ディスクの断面図で
ある。ディスク基板１に、誘電膜２を介して、光磁気記
録積層体３が形成されており、保護層４で保護されてい
る。光磁気記録積層体３は、記録層１０、切断層１２お
よび再生層１３の３層の磁性層からなる構成である。

【０００８】図６（ａ）は光磁気記録積層体３のデータ
の記録および再生方法を説明するための模式図である。
上記のように、光磁気記録積層体３は３層の磁性層が積
層されて形成されており、垂直磁化の向きにより情報を
記録する磁性層である記録層１０と、記録層１０の上層
に形成され、記録層１０と交換結合する磁性層である切
断層１２と、切断層１２の上層に形成され、切断層１２
と交換結合し、記録層１０よりも磁壁抗磁力が小さく磁
壁移動度が大きい磁性層である再生層（移動層）１３と
を有する。

【０００９】図６（ｂ）は、上記の光磁気記録積層体３
に再生用のレーザ光Ｌが照射されたときの光磁気記録積
層体３の温度プロファイルを示す。レーザ光Ｌの強度プ
ロファイルに応じて、光磁気記録積層体３の温度は１つ
のピーク位置を形成して上昇する。このとき、光磁気記
録積層体３（光磁気ディスク本体）は図６（ａ）の矢印
Ｄ _M の方向に移動しており、光磁気記録積層体３におけ
る熱伝導速度が光磁気記録積層体３の移動速度よりも遅
いので、温度プロファイルのピーク位置は、再生用のレ
ーザ光Ｌのスポットから矢印Ｄ_M の方向にずれた位置と
なる。

【００１０】上記の光磁気記録積層体３の各磁性層は、
記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 、切断層１２のキュリ
ー温度Ｔ_C12 、再生層１３のキュリー温度Ｔ_C13 につい
て、記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 と再生層１３のキ
ュリー温度Ｔ_C13 は、切断層１２のキュリー温度Ｔ_C12
よりも高く設定されている。従って、図６（ｂ）の温度
プロファイルにおいて、切断層１２のキュリー温度Ｔ
_C12 よりも高温となった領域で、切断層１２と記録層１
０との交換結合および切断層１２と再生層１３との交換
結合が切断される。

【００１１】図６（ｃ）は、再生層１３の温度プロファ
イルに従った磁壁エネルギー密度σのプロファイルを示
す。再生層１３は、記録層１０よりも磁壁抗磁力が小さ
く、磁壁移動度が大きい磁性層であることから、上記の
ような磁壁エネルギー密度σの低い領域が生成すると、
図６（ａ）に示すように、切断層１２と記録層１０との
交換結合および切断層１２と再生層１３との交換結合が
切断された領域において、再生層１３中の磁壁が再生層
１３の磁壁エネルギー密度の安定点に向かい、温度勾配
により駆動力を与えられて、例えば〜２０ｍ／秒の速度
で高速に移動する（図中ＷＤで示す）。上記のように再
生層中で磁壁の移動が生じることから、再生層を移動層
と呼ぶこともある。

【００１２】従って、再生層１３中の磁壁がレーザ光Ｌ
のスポット中に入ると、その磁壁が磁壁エネルギー密度
の安定点まで逐次移動していく。このため、記録層１０
中の記録マークと同じマークとなっている再生層１３中
の記録マークが、レーザ光Ｌのスポット領域内の再生層
１３中に広がっていくことになる。磁化の向きが逆転す
る次の記録マークとの境の磁壁がレーザ光Ｌのスポット
内に入ると、その記録マークが直ちにレーザ光Ｌのスポ
ット領域内の再生層１３中に広がっていく。

【００１３】尚、上記の磁壁の移動速度は限界があるの
で、レーザ光Ｌのスポット下を磁壁が移動するのに要す
る時間が、レーザ光Ｌのスポット下を記録層の最短記録
マークが通過するのに要する時間よりも長くならないよ
うに設定する必要がある。

【００１４】また、上記のスポットの後端側からもスポ
ット内から出ていこうとする磁壁が磁壁エネルギー密度
の安定点に逐次移動する、即ち、スポットの後端側か
ら、記録層１０における１つの記録マークがレーザ光Ｌ
のスポット領域内の再生層１３中に広がっていく現象も
知られている（図６（ａ）中、ＷＤ’で示す）。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上記の光磁気ディスク
を用いた光磁気ディスク装置においてデータを再生する
には、定期的に各エネルギーのレーザ光を光磁気記録層
（積層体）に照射してビットエラーレート（ｂｅｒ：ｂ
ｉｔ ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）を測定し、これが最小と
なるレーザ光のエネルギー範囲を探しながら行うが、測
定で得られた適切なエネルギー範囲内であっても、その
上限近傍では見かけ上は問題なく再生できているにもか
かわらず記録層の記録マークが消失してしまうという問
題があった。

【００１６】適切なエネルギー範囲内の低エネルギー側
の値を選択していても、光ディスク装置内の温度、即
ち、光ディスク媒体の温度が変化すると上記のｂｅに対
する適切なエネルギー範囲も変化するため、気がつかな
いうちにエネルギー範囲の高エネルギー側になっている
場合も想定され、しかも上述のようにｂｅｒが悪化しな
いのでそのままのエネルギーで使用してしまい、結果的
にデータを消去してしまうことになる場合もある。

【００１７】上記の問題は、ＤＷＤＤ方式の光ディスク
に限らず、記録層と再生層を有し、再生光のエネルギー
が高い場合において記録層の記録マークを消去してしま
う光磁気ディスクに共通の問題となっている。

【００１８】本発明は、上記の状況に鑑みてなされたも
のであり、従って本発明の目的は、再生光のエネルギー
として記録層の記録マークを消失するエネルギー値より
も低いエネルギー値において再生が不可能となり、記録
層の記録マークの消失を未然に防ぐことができる光磁気
記録媒体およびその再生方法を提供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光磁気記録媒体は、複数層の磁性層が積
層されている光磁気記録媒体であって、垂直磁化の向き
の記録マークとして情報を記録する磁性層である記録層
と、上記記録層の上層に形成され、上記記録層と交換結
合する磁性層である再生調整層と、上記再生調整層の上
層に形成され、上記再生調整層と交換結合する磁性層で
ある切断層と、上記切断層の上層に形成され、上記切断
層と交換結合し、上記記録マークを再生する磁性層であ
る再生層とを有し、上記再生層は上記再生調整層よりも
磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きい磁性層であり、
上記再生調整層の記録マークが消失する温度は、上記記
録層の記録マークが消失する温度より低い。

【００２０】上記の本発明の光磁気記録媒体は、好適に
は、上記切断層のキュリー温度以上となった領域におい
て、上記切断層と上記再生層との交換結合および上記切
断層と上記再生調整層との交換結合が切断され、上記再
生層中の磁壁が当該再生層の温度プロファイルに従った
磁壁エネルギー密度の安定点に向かって移動する。

【００２１】上記の本発明の光磁気記録媒体は、好適に
は、上記再生調整層の記録マークが消失する温度以上と
なった領域において、上記再生層での再生が不可能とな
る。

【００２２】上記の本発明の光磁気記録媒体は、好適に
は、上記再生調整層のキュリー温度は、上記記録層のキ
ュリー温度よりも低い。さらに好適には、上記再生調整
層のキュリー温度は、上記記録層のキュリー温度よりも
１０〜６０℃低い。

【００２３】上記の本発明の光磁気記録媒体は、好適に
は、上記再生調整層のキュリー温度は、上記記録層のキ
ュリー温度よりも高く、上記再生調整層の記録マークが
消失する温度近傍において、上記再生調整層の保磁力が
上記記録層の保磁力より低い。

【００２４】上記の本発明の光磁気記録媒体は、記録層
と切断層の間に再生調整層を有している。記録層、再生
調整層、切断層、および、再生層は、それぞれ上下に接
する層との間で交換結合しており、再生層において記録
マークを再生する光磁気記録媒体であって、切断層のキ
ュリー温度以上となった領域で、切断層と再生層との交
換結合および切断層と再生調整層との交換結合が切断さ
れ、再生調整層と再生層の交換結合が切断された領域に
おいて、再生層中の磁壁が再生層の温度プロファイルに
従った磁壁エネルギー密度の安定点に向かって移動す
る、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体となっている。

【００２５】上記の本発明の光磁気記録媒体において、
再生調整層の記録マークが消失する温度は、記録層の記
録マークが消失する温度より低いことから、再生光のエ
ネルギー値を上げていって光スポット内の媒体の温度が
高くなると、再生調整層の記録マークが記録層よりも先
に消失する。ここで、再生調整層の記録マークが消失す
る温度以上となった領域において、再生調整層の記録マ
ークの消失の結果、再生層におけるデータの再生ができ
なくなる。しかしながら、この再生光のエネルギー値で
は記録層の記録マークは消失してはおらず、記録層の記
録マークの消失を未然に防ぐことができる。

【００２６】再生調整層の記録マークが消失する温度
は、記録層の記録マークが消失する温度より低い構成と
するには、再生調整層のキュリー温度が記録層のキュリ
ー温度よりも、例えば１０〜６０℃低い構成とするか、
あるいは、再生調整層のキュリー温度が記録層のキュリ
ー温度よりも高い場合には、再生調整層の記録マークが
消失する温度近傍において、再生調整層の保磁力が記録
層の保磁力より低い構成とすることで実現できる。

【００２７】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光磁気記録媒体は、複数層の磁性層が積層されてい
る光磁気記録媒体であって、垂直磁化の向きの記録マー
クとして情報を記録する磁性層である記録層と、上記記
録層の上層に形成され、上記記録層と交換結合する磁性
層である再生調整層と、上記再生調整層の上層に形成さ
れ、上記再生調整層と交換結合し、上記記録マークを再
生する磁性層である再生層とを有し、上記再生調整層の
記録マークが消失する温度は、上記記録層の記録マーク
が消失する温度より低く、上記再生調整層の記録マーク
が消失する温度以上となった領域において、上記再生層
での再生が不可能となる。

【００２８】上記の本発明の光磁気記録媒体は、好適に
は、上記再生調整層のキュリー温度は、上記記録層のキ
ュリー温度よりも低い。さらに好適には、上記再生調整
層のキュリー温度は、上記記録層のキュリー温度よりも
１０〜６０℃低い。

【００２９】上記の本発明の光磁気記録媒体は、好適に
は、上記再生調整層のキュリー温度は、上記記録層のキ
ュリー温度よりも高く、上記再生調整層の記録マークが
消失する温度近傍において、上記再生調整層の保磁力が
上記記録層の保磁力より低い。

【００３０】ＤＷＤＤ方式の光ディスクに限らず、ＣＡ
Ｄ方式などの記録層と再生層を有し、再生光のエネルギ
ーが高い場合において記録層の記録マークを消去してし
まう光磁気ディスクにおいても、記録層と再生層の間に
再生調整層を設け、再生調整層の記録マークが消失する
温度以上となった領域において、再生層での再生が不可
能となっている。再生調整層の記録マークが消失する温
度以上となった領域において、再生調整層の記録マーク
の消失の結果、再生層におけるデータの再生ができなく
なるが、この再生光のエネルギー値では記録層の記録マ
ークは消失してはおらず、記録層の記録マークの消失を
未然に防ぐことができる。

【００３１】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光磁気記録媒体の再生方法は、複数層の磁性層が積
層されている光磁気記録媒体の再生方法であって、垂直
磁化の向きの記録マークとして情報を記録する磁性層で
ある記録層と、上記記録層の上層に形成され、上記記録
層と交換結合する磁性層である再生調整層と、上記再生
調整層の上層に形成され、上記再生調整層と交換結合す
る磁性層である切断層と、上記切断層の上層に形成さ
れ、上記切断層と交換結合し、上記記録マークを再生す
る磁性層である再生層とを有し、上記再生層は上記再生
調整層よりも磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きい磁
性層であり、上記再生調整層の記録マークが消失する温
度は、上記記録層の記録マークが消失する温度より低い
光磁気記録媒体に対して、再生光を照射したときに記録
層が達する温度が、少なくとも上記記録層の記録マーク
が消失する温度以下となるように再生光を照射する。

【００３２】上記の光磁気記録媒体の再生方法は、好適
には、上記再生光として、上記再生調整層の記録マーク
が消失した時点での再生光よりも低エネルギーの再生光
のみを照射する。

【００３３】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光磁気記録媒体の再生方法は、複数層の磁性層が積
層されている光磁気記録媒体の再生方法であって、垂直
磁化の向きの記録マークとして情報を記録する磁性層で
ある記録層と、上記記録層の上層に形成され、上記記録
層と交換結合する磁性層である再生調整層と、上記再生
調整層の上層に形成され、上記再生調整層と交換結合
し、上記記録マークを再生する磁性層である再生層とを
有し、上記再生調整層の記録マークが消失する温度は、
上記記録層の記録マークが消失する温度より低く、上記
再生調整層の記録マークが消失する温度以上となった領
域において、上記再生層での再生が不可能となる光磁気
記録媒体に対して、再生光を照射したときに記録層が達
する温度が、少なくとも上記記録層の記録マークが消失
する温度以下となるように再生光を照射する。

【００３４】上記の光磁気記録媒体の再生方法は、好適
には、上記再生光として、上記再生調整層の記録マーク
が消失した時点での再生光よりも低エネルギーの再生光
のみを照射する。

【００３５】上記の光磁気記録媒体の再生方法は、再生
光のエネルギー値を上げていって光スポット内の媒体の
温度が高くなると、再生調整層の記録マークが記録層よ
りも先に消失するので、再生調整層の記録マークが消失
した時点で、再生光よりも高エネルギーの再生光の照射
を行わないようにすることができ、記録層の記録マーク
の消失を未然に防ぐことができる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。

【００３７】第１実施形態 図１は、本実施形態に係るＤＷＤＤ方式の光磁気ディス
クの断面図である。ディスク基板１に、誘電膜２を介し
て、光磁気記録積層体３が形成されており、保護層４で
保護されている。光磁気記録積層体３は、記録層１０、
再生調整層１１、切断層１２および再生層１３の４層の
磁性層からなる構成である。上記の記録層１０、再生調
整層１１、切断層１２および再生層１３の光磁気記録層
を構成する各磁性層は、それぞれ多層構成とすることが
できる。

【００３８】図２（ａ）は光磁気記録積層体３のデータ
の記録および再生方法を説明するための模式図である。
上記のように、光磁気記録積層体３は少なくとも４層の
磁性層が積層されて形成されており、垂直磁化の向きに
より情報を記録する磁性層である記録層１０と、記録層
１０の上層に形成され、記録層１０と交換結合する磁性
層である再生調整層１１と、再生調整層１１の上層に形
成され、再生調整層１１と交換結合する磁性層である切
断層１２と、切断層１２の上層に形成され、切断層１２
と交換結合し、記録層１０よりも磁壁抗磁力が小さく磁
壁移動度が大きい磁性層である再生層（移動層）１３と
を有する。

【００３９】図２（ｂ）は、上記の光磁気記録積層体３
に再生用のレーザ光Ｌが照射されたときの光磁気記録積
層体３の温度プロファイルを示す。レーザ光Ｌの強度プ
ロファイルに応じて、光磁気記録積層体３の温度は１つ
のピーク位置を形成して上昇する。このとき、光磁気記
録積層体３（光磁気ディスク本体）は図２（ａ）の矢印
Ｄ _M の方向に移動しており、光磁気記録積層体３におけ
る熱伝導速度が光磁気記録積層体３の移動速度よりも遅
いので、温度プロファイルのピーク位置は、再生用のレ
ーザ光Ｌのスポットから矢印Ｄ_M の方向にずれた位置と
なる。

【００４０】上記の光磁気記録積層体３の各磁性層は、
記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 、再生調整層１１のキ
ュリー温度Ｔ_C11 、切断層１２のキュリー温度Ｔ_C12 、
再生層１３のキュリー温度Ｔ_C13 について、記録層１０
のキュリー温度Ｔ_C10 、再生調整層１１のキュリー温度
Ｔ_C11 と再生層１３のキュリー温度Ｔ_C13 は、切断層１
２のキュリー温度Ｔ_C12 よりも高く設定されている。従
って、図２（ｂ）の温度プロファイルにおいて、切断層
１２のキュリー温度Ｔ_C12 よりも高温となった領域で、
切断層１２と再生調整層１１との交換結合および切断層
１２と再生層１３との交換結合が切断される。

【００４１】図２（ｃ）は、再生層１３の温度プロファ
イルに従った磁壁エネルギー密度σのプロファイルを示
す。再生層１３は、記録層１０よりも磁壁抗磁力が小さ
く、磁壁移動度が大きい磁性層であることから、上記の
ような磁壁エネルギー密度σの低い領域が生成すると、
図２（ａ）に示すように、切断層１２と再生調整層１１
との交換結合および切断層１２と再生層１３との交換結
合が切断された領域において、再生層１３中の磁壁が再
生層１３の磁壁エネルギー密度の安定点に向かい、温度
勾配により駆動力を与えられて、例えば〜２０ｍ／秒の
速度で高速に移動する（図中ＷＤで示す）。

【００４２】従って、再生層１３中の磁壁がレーザ光Ｌ
のスポット中に入ると、その磁壁が磁壁エネルギー密度
の安定点まで逐次移動していく。このため、記録層１０
中の記録マークと同じマーク、即ち、再生調整層１１中
の記録マークと同じマークとなっている再生層１３中の
記録マークが、レーザ光Ｌのスポット領域内の再生層１
３中に広がっていくことになる。磁化の向きが逆転する
次の記録マークとの境の磁壁がレーザ光Ｌのスポット内
に入ると、その記録マークが直ちにレーザ光Ｌのスポッ
ト領域内の再生層１３中に広がっていく。再生調整層１
１は、記録層１０と交換結合している層であるので、上
記により記録層１０に記録されたデータを再生すること
ができる。

【００４３】尚、上記の磁壁の移動速度は限界があるの
で、レーザ光Ｌのスポット下を磁壁が移動するのに要す
る時間が、レーザ光Ｌのスポット下を記録層の最短記録
マークが通過するのに要する時間よりも長くならないよ
うに設定する必要がある。

【００４４】ここで、上記の光磁気ディスクにおいて、
再生調整層１１の記録マークが消失する温度は、記録層
１０の記録マークが消失する温度より低い構成となって
いる。即ち、再生光のエネルギー値を上げていって光ス
ポット内の媒体の温度が高くなると、再生調整層１１の
記録マークが記録層１０よりも先に消失する。通常、再
生光を照射したときに記録層１０が達する温度が、少な
くとも記録層１０の記録マークが消失する温度以下とな
るように再生光を照射するが、再生光のエネルギー値を
上げていって光スポット内の媒体の温度が高くなると、
あるエネルギー値において再生調整層１１の記録マーク
の消失が生じ、この結果、再生層１３におけるデータの
再生ができなくなる。

【００４５】しかしながら、この再生光のエネルギー値
では記録層１０の記録マークは消失してはいない。上記
のように再生層１３におけるデータの再生ができなくな
ったと判断した時点で、それよりも高エネルギーの光を
入射させないようにすることで、記録層１０の記録マー
クの消失を未然に防ぐことができる。記録層１０の記録
マークが消失していなければ、媒体の温度が下がってく
ると再び記録層１０と再生調整層１１の交換結合が生じ
るので、上記と同様にして再生することが可能となる。

【００４６】再生調整層１１の記録マークが消失する温
度は、記録層１０の記録マークが消失する温度より低い
構成とするには、再生調整層１１のキュリー温度Ｔ_C11
が記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 よりも低い構成とす
ることで実現できる。再生調整層１１のキュリー温度Ｔ
_C11 は、記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 よりも１０〜
６０℃低い構成とすることが好ましい。

【００４７】あるいは、再生調整層１１のキュリー温度
Ｔ_C11 が記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 よりも高い場
合には、再生調整層１１の記録マークが消失する温度近
傍において、再生調整層１１の保磁力が記録層１０の保
磁力より低い構成とすることで実現できる。

【００４８】上記の本実施形態に係る光磁気ディスクに
おいて、記録層１０、再生調整層１１、切断層１２およ
び再生層１３など、光磁気記録積層体３を構成する各磁
性層は、上記特性を満たす磁性材料を用いることがで
き、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＡｌ、ＧｄＦｅＣｏなどの合金を用いることが
できる。また、ディスク基板１は、光透過性の基板であ
ればよく、例えばポリカーボネートなどの樹脂基板を用
いることができる。誘電膜２は、光ディスクで広く用い
られている、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ あるいは窒化シリコンな
どを用いることができる。保護層４は、光ディスクで広
く用いられている、紫外線硬化樹脂あるいはＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）フイルムと紫外線硬化樹脂
の積層体などを用いることができる。

【００４９】本実施形態に係る光磁気ディスクは、再生
光のエネルギーとして、記録層の記録マークを消失する
エネルギー値よりも低いエネルギー値において再生が不
可能となるので、記録層の記録マークの消失を未然に防
ぐことができる。

【００５０】（実施例） （１）試料Ａ（本発明）の作成 図１に示す構成のＤＷＤＤ方式の光磁気ディスクを作成
した。即ち、光磁気記録積層体３として、ＴｂＦｅＣｏ
（Ｔ_C ＝２８０℃）からなる７０ｎｍの記録層１０、Ｔ
ｂＦｅＣｏ（Ｔ_C ＝２５０℃）からなる１０ｎｍの再生
調整層１１、ＴｂＦｅＣｏＡｌ（Ｔ_C ＝１５０℃）から
なる１０ｎｍの切断層１２、ＧｄＦｅＣｏ（Ｔ_C ＝２５
０℃）からなる３０ｎｍの再生層１３を積層して形成し
た。

【００５１】（２）試料Ｂ（比較例）の作成 図５に示す構成のＤＷＤＤ方式の光磁気ディスクを作成
した。即ち、光磁気記録積層体３として、ＴｂＦｅＣｏ
（Ｔ_C ＝２８０℃）からなる７０ｎｍの記録層１０、Ｔ
ｂＦｅＣｏＡｌ（Ｔ_C ＝１５０℃）からなる１０ｎｍの
切断層１２、ＧｄＦｅＣｏ（Ｔ_C ＝２５０℃）からなる
３０ｎｍの再生層１３を積層して形成した。

【００５２】（３）ｂｅｒ（ビットエラーレート）測定
試験 上記の試料Ａ，Ｂについて、ｂｅｒの値を各再生光のエ
ネルギー（パワーＰｒ）に対して測定した。図３（ａ）
は試料Ａの測定結果を、図３（ｂ）は試料Ｂの測定結果
を示す。図３（ｂ）中、ａはスイープ１回目の測定結
果、ｂはスイープ１０００回後の結果、ｃはスイープ５
万回後の結果を示す。

【００５３】図３（ｂ）に示すように、試料Ｂではスイ
ープの回数を重ねるにつれて、高エネルギー側でｂｅｒ
の値が上昇してくる閾値が次第に低下してきており、こ
の領域のエネルギーの光を照射することで記録層の記録
マークが消失してきていることを示している。図３
（ａ）の試料Ａでは、ｂｅｒが最小となるレーザ光のエ
ネルギー範囲（例えば１×１０^-5以下の範囲）が試料Ｂ
よりも狭くなっているものの、上記のようなスイープの
回数を重ねるにつれて、高エネルギー側でｂｅｒの値が
上昇して、閾値が次第に低下する現象は生じなかった。

【００５４】上記の結果から、記録層１０のキュリー温
度Ｔ_C10 と再生調整層１１のキュリー温度Ｔ_C11 の差の
１０℃あたり０．１ｍＷずつ再生光エネルギーマージン
の上限が低下することがわかる。ｂｅｒが最小となるエ
ネルギー範囲の上限での再生が頻繁に起こるわけではな
いが、少なくともこのエネルギー範囲の上限で数万回の
再生に耐えられる設計とするには、試料Ｂの高エネルギ
ー側でｂｅｒの値の変動幅（約０．１ｍＷ）から、記録
層１０のキュリー温度Ｔ_C10 と再生調整層１１のキュリ
ー温度Ｔ_C11 の差が１０℃以上とすることが好ましい。

【００５５】また、あまりに記録層１０のキュリー温度
Ｔ_C10 と再生調整層１１のキュリー温度Ｔ_C11 の差を大
きくすると、再生光エネルギーマージンが狭くなりすぎ
てしまう。通常の再生エネルギーマージンとして±１０
％程度が必要とされており、上記のように１０℃あたり
０．１ｍＷずつマージンが狭くなることを考慮すると、
記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 と再生調整層１１のキ
ュリー温度Ｔ_C11 の差が６０℃以下とすることが好まし
い。

【００５６】第２実施形態 図４は、本実施形態に係る光磁気ディスクの断面図であ
り、例えばＣＡＤ方式などの超解像方式の光磁気ディス
クである。ディスク基板１に、誘電膜２を介して、光磁
気記録積層体３が形成されており、保護層４で保護され
ている。光磁気記録積層体３は、記録層１０、再生調整
層１１および再生層１３の３層の磁性層からなる構成で
ある。上記の記録層１０、再生調整層１１および再生層
１３の光磁気記録層を構成する各磁性層は、それぞれ多
層構成とすることができる。

【００５７】上記のように、光磁気記録積層体３は少な
くとも３層の磁性層が積層されて形成されており、垂直
磁化の向きにより情報を記録する磁性層である記録層１
０と、記録層１０の上層に形成され、記録層１０と交換
結合する磁性層である再生調整層１１と、再生調整層１
１の上層に形成された磁性層である再生層１３とを有す
る。ＣＡＤ方式の場合、常温での再生層１３における磁
化方向は反磁界が交換結合に勝るために面内に揃えられ
ているが、再生光が照射されて閾温度以上の温度となっ
た領域で、交換結合が勝って磁化方向は垂直方向とな
り、上向きか下向きかは再生調整層１１の磁化の上下を
反映するようになる。これにより、再生光が照射されて
所定温度以上となった極めて狭い領域のみを再生するこ
とができる。

【００５８】上記の光磁気ディスクにおいて、再生調整
層１１の記録マークが消失する温度は、記録層１０の記
録マークが消失する温度より低い構成となっており、さ
らに、再生調整層の記録マークが消失する温度以上とな
った領域において、再生層での再生が不可能となってい
る。即ち、再生光のエネルギー値を上げていって光スポ
ット内の媒体の温度が高くなると、再生調整層１１の記
録マークが記録層１０よりも先に消失する。通常、再生
光を照射したときに記録層１０が達する温度が、少なく
とも記録層１０の記録マークが消失する温度以下となる
ように再生光を照射するが、再生光のエネルギー値を上
げていって光スポット内の媒体の温度が高くなると、あ
るエネルギー値において再生調整層１１の記録マークの
消失が生じ、この結果、再生層１３におけるデータの再
生が不可能となる構成である。

【００５９】しかしながら、この再生光のエネルギー値
では記録層１０の記録マークは消失してはいない。上記
のように再生層１３におけるデータの再生ができなくな
ったと判断した時点で、それよりも高エネルギーの光を
入射させないようにすることで、記録層１０の記録マー
クの消失を未然に防ぐことができる。記録層１０の記録
マークが消失していなければ、媒体の温度が下がってく
ると再び記録層１０と再生調整層１１の交換結合が生じ
るので、上記と同様にして再生することが可能となる。

【００６０】再生調整層１１の記録マークが消失する温
度は、記録層１０の記録マークが消失する温度より低い
構成とするには、再生調整層１１のキュリー温度Ｔ_C11
が記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 よりも低い構成とす
ることで実現できる。再生調整層１１のキュリー温度Ｔ
_C11 は、記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 よりも１０〜
６０℃低い構成とすることが好ましい。

【００６１】あるいは、再生調整層１１のキュリー温度
Ｔ_C11 が記録層１０のキュリー温度Ｔ_C10 よりも高い場
合には、再生調整層１１の記録マークが消失する温度近
傍において、再生調整層１１の保磁力が記録層１０の保
磁力より低い構成とすることで実現できる。

【００６２】上記の本実施形態に係る光磁気ディスクに
おいて、記録層１０、再生調整層１１、切断層１２およ
び再生層１３など、光磁気記録積層体３を構成する各磁
性層は、上記特性を満たす磁性材料を用いることがで
き、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＡｌ、ＧｄＦｅＣｏなどの合金を用いることが
できる。また、ディスク基板１は、光透過性の基板であ
ればよく、例えばポリカーボネートなどの樹脂基板を用
いることができる。誘電膜２は、光ディスクで広く用い
られている、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ あるいは窒化シリコンな
どを用いることができる。保護層４は、光ディスクで広
く用いられている、紫外線硬化樹脂あるいはＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）フイルムと紫外線硬化樹脂
の積層体などを用いることができる。

【００６３】本実施形態に係る光磁気ディスクは、再生
光のエネルギーとして、記録層の記録マークを消失する
エネルギー値よりも低いエネルギー値において再生が不
可能となるので、記録層の記録マークの消失を未然に防
ぐことができる。

【００６４】本発明は、上記の実施の形態に限定されな
い。例えば、第１実施形態はＤＷＤＤ方式の光磁気ディ
スクについて説明しているが、これに限らず、第２実施
形態のようなＣＡＤ方式の光磁気ディスクなどの、記録
層と再生層を有し、再生光のエネルギーが高い場合にお
いて記録層の記録マークを消去してしまう光磁気ディス
クに適用可能である。また、光磁気記録積層体を構成す
る各磁性層のキュリー温度やその材料および膜厚など
は、上記の実施形態で説明したものに限定されず、適宜
選択することが可能である。その他、本発明の要旨を変
更しない範囲で種々の変更をすることができる。

【００６５】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体によれば、再生
光のエネルギーとして、記録層の記録マークを消失する
エネルギー値よりも低いエネルギー値において再生が不
可能となるので、記録層の記録マークの消失を未然に防
ぐことができる。

【００６６】また、本発明の光磁気記録媒体の再生方法
によれば、再生光のエネルギー値を上げていって光スポ
ット内の媒体の温度が高くなると、再生調整層の記録マ
ークが記録層よりも先に消失するので、再生調整層の記
録マークが消失した時点で、再生光よりも高エネルギー
の再生光の照射を行わないようにすることができ、記録
層の記録マークの消失を未然に防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は第１実施形態に係る光磁気記録媒体の断
面図である。

【図２】図２（ａ）は第１実施形態に係る光磁気記録媒
体の光磁気記録層の断面図であり、（ｂ）は再生用レー
ザ光が照射されたときの光磁気記録層の温度プロファイ
ルであり、（ｃ）は再生層の磁壁エネルギー密度のプロ
ファイルである。

【図３】図３は実施例に係るｂｅｒ（ビットエラーレー
ト）の再生光エネルギー（パワー）依存性を示す図であ
る。

【図４】図４は第２実施形態に係る光磁気記録媒体の断
面図である。

【図５】図５は従来例に係る光磁気記録媒体の断面図で
ある。

【図６】図６（ａ）は従来例に係る光磁気記録媒体の光
磁気記録層の断面図であり、（ｂ）は再生用レーザ光が
照射されたときの光磁気記録層の温度プロファイルであ
り、（ｃ）は再生層の磁壁エネルギー密度のプロファイ
ルである。

【符号の説明】

１…ディスク基板、２…誘電膜、３…光磁気記録積層
体、４…保護層、１０…記録層、１１…再生調整層、１
２…切断層、１３…再生層、Ｌ…レーザ光、ＷＤ…磁壁
移動、Ｄ_M …光磁気記録積層体の移動方向。

フロントページの続き (72)発明者 坂本 哲洋 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 EE03 FF12 FF13

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数層の磁性層が積層されている光磁気記
   録媒体であって、 垂直磁化の向きの記録マークとして情報を記録する磁性
   層である記録層と、 上記記録層の上層に形成され、上記記録層と交換結合す
   る磁性層である再生調整層と、 上記再生調整層の上層に形成され、上記再生調整層と交
   換結合する磁性層である切断層と、 上記切断層の上層に形成され、上記切断層と交換結合
   し、上記記録マークを再生する磁性層である再生層とを
   有し、 上記再生層は上記再生調整層よりも磁壁抗磁力が小さく
   磁壁移動度が大きい磁性層であり、 上記再生調整層の記録マークが消失する温度は、上記記
   録層の記録マークが消失する温度より低い光磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】上記切断層のキュリー温度以上となった領
   域において、上記切断層と上記再生層との交換結合およ
   び上記切断層と上記再生調整層との交換結合が切断さ
   れ、上記再生層中の磁壁が当該再生層の温度プロファイ
   ルに従った磁壁エネルギー密度の安定点に向かって移動
   する請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】上記再生調整層の記録マークが消失する温
   度以上となった領域において、上記再生層での再生が不
   可能となる請求項１記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】上記再生調整層のキュリー温度は、上記記
   録層のキュリー温度よりも低い請求項１記載の光磁気記
   録媒体。
5. 【請求項５】上記再生調整層のキュリー温度は、上記記
   録層のキュリー温度よりも１０〜６０℃低い請求項４記
   載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】上記再生調整層のキュリー温度は、上記記
   録層のキュリー温度よりも高く、 上記再生調整層の記録マークが消失する温度近傍におい
   て、上記再生調整層の保磁力が上記記録層の保磁力より
   低い請求項１記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】複数層の磁性層が積層されている光磁気記
   録媒体であって、 垂直磁化の向きの記録マークとして情報を記録する磁性
   層である記録層と、 上記記録層の上層に形成され、上記記録層と交換結合す
   る磁性層である再生調整層と、 上記再生調整層の上層に形成され、上記再生調整層と交
   換結合し、上記記録マークを再生する磁性層である再生
   層とを有し、 上記再生調整層の記録マークが消失する温度は、上記記
   録層の記録マークが消失する温度より低く、 上記再生調整層の記録マークが消失する温度以上となっ
   た領域において、上記再生層での再生が不可能となる光
   磁気記録媒体。
8. 【請求項８】上記再生調整層のキュリー温度は、上記記
   録層のキュリー温度よりも低い請求項７記載の光磁気記
   録媒体。
9. 【請求項９】上記再生調整層のキュリー温度は、上記記
   録層のキュリー温度よりも１０〜６０℃低い請求項８記
   載の光磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】上記再生調整層のキュリー温度は、上記
    記録層のキュリー温度よりも高く、 上記再生調整層の記録マークが消失する温度近傍におい
    て、上記再生調整層の保磁力が上記記録層の保磁力より
    低い請求項７記載の光磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】複数層の磁性層が積層されている光磁気
    記録媒体の再生方法であって、 垂直磁化の向きの記録マークとして情報を記録する磁性
    層である記録層と、上記記録層の上層に形成され、上記
    記録層と交換結合する磁性層である再生調整層と、上記
    再生調整層の上層に形成され、上記再生調整層と交換結
    合する磁性層である切断層と、上記切断層の上層に形成
    され、上記切断層と交換結合し、上記記録マークを再生
    する磁性層である再生層とを有し、上記再生層は上記再
    生調整層よりも磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きい
    磁性層であり、上記再生調整層の記録マークが消失する
    温度は、上記記録層の記録マークが消失する温度より低
    い光磁気記録媒体に対して、 再生光を照射したときに記録層が達する温度が、少なく
    とも上記記録層の記録マークが消失する温度以下となる
    ように再生光を照射する光磁気記録媒体の再生方法。
12. 【請求項１２】上記再生光として、上記再生調整層の記
    録マークが消失した時点での再生光よりも低エネルギー
    の再生光のみを照射する請求項１１に記載の光磁気記録
    媒体の再生方法。
13. 【請求項１３】複数層の磁性層が積層されている光磁気
    記録媒体の再生方法であって、 垂直磁化の向きの記録マークとして情報を記録する磁性
    層である記録層と、上記記録層の上層に形成され、上記
    記録層と交換結合する磁性層である再生調整層と、上記
    再生調整層の上層に形成され、上記再生調整層と交換結
    合し、上記記録マークを再生する磁性層である再生層と
    を有し、上記再生調整層の記録マークが消失する温度
    は、上記記録層の記録マークが消失する温度より低く、
    上記再生調整層の記録マークが消失する温度以上となっ
    た領域において、上記再生層での再生が不可能となる光
    磁気記録媒体に対して、 再生光を照射したときに記録層が達する温度が、少なく
    とも上記記録層の記録マークが消失する温度以下となる
    ように再生光を照射する光磁気記録媒体の再生方法。
14. 【請求項１４】上記再生光として、上記再生調整層の記
    録マークが消失した時点での再生光よりも低エネルギー
    の再生光のみを照射する請求項１３に記載の光磁気記録
    媒体の再生方法。