JPH02264822A - 熱式流量センサ - Google Patents

熱式流量センサ

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Publication number
JPH02264822A
JPH02264822A JP1086257A JP8625789A JPH02264822A JP H02264822 A JPH02264822 A JP H02264822A JP 1086257 A JP1086257 A JP 1086257A JP 8625789 A JP8625789 A JP 8625789A JP H02264822 A JPH02264822 A JP H02264822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
resistor
temperature
heating resistor
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP1086257A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Tanigawa
秀之 谷川
Kazuhisa Matsumoto
和久 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は自動車、家庭電化製品、工業計測機器などに使
用される熱式流量センサに関するものである。
従来の技術 熱式流量センサは気体や液体に奪われる熱量がその流量
によって換わることを利用して流量を測定しようとする
ものである。すなわち、センサを一定の温度に加熱する
ために必要な電力を知ることによって、そのときの流量
を測定することができる。従来、このセンサには、ホッ
トワイヤと呼ばれる金属細線を使用したものと、絶縁基
体丘に薄膜や厚膜のパターンを形成したものが使用され
ている。
金属細線を使用した流量センサは、その抵抗値が数Ωと
低いため、周辺回路が複雑になることや雑音の影響を受
けやすいこと、さらに、振動や衝撃に弱く、形状が大き
くなるという問題がある。
これに対し、薄膜あるいは厚膜を利用した流量センサの
場合は、抵抗値を高く作ることが容易なため、形状も小
形にでき、生産性も向上する。また、基体上に膜を形状
するため金属細線のみの場合に比較して、強度的にも改
善されることになる。このことは、最近の自動車用セン
サを中心とした堅牢で大量に使用でき、かつ高精度なセ
ンサへの要求に応えるものである。
第4図はその一例である。また、第3図にそのパターン
形状を示す。第4図において、絶縁基板1上に感温抵抗
膜2を蒸着あるいは印刷などで形成し、フォトエツヂン
グあるいはレーザートリミングなどによって抵抗値を調
整している。ここで、感温抵抗膜2は発熱体でもある。
端部には電極3を形成し、リード線4を取り付けた後、
ガラスなどで補強部5を形成する。6は保護膜である。
発明が解決しようとする課題 このような従来の構成では、センサを固定する場合に固
定部分での熱容量が増加し、センサ表面の温度分布が変
わるために、流量センサとしての応答特性が悪くなる。
センサと固定部との熱絶縁をするために、第5図のよう
にリード線7をセンサ8の両側に付けて固定リード9へ
のセンサの固定及び配線をすることが行われている。そ
れに対し、固定のもう一つの方法である樹脂モールドに
よる機械的強度は確保できるものの熱的な面を犠牲にす
ることになっていた。
本発明は、このような課題を解決するもので、熱式流量
センサの応答特性に影響を与えることなく、十分な機械
的強度でのセンサの固定を可能とするセンサの構造を得
ることを目的とする。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために、本発明は絶縁基板上に薄膜
あるいは厚膜による発熱体でもある感温抵抗体を形成し
、さらにこの感温抵抗体とセンサ固定部分との間に別の
発熱抵抗体を設ける。
作用 この構成により、センサ固定部分の熱容量の増加にとも
なうセンサの温度分布の変化を補償することができる。
そのため、応答特性に影響することなくセンサの固定を
十分に行うことができる。
実施例 第1図は本発明の一実施例による熱式流量センサのパタ
ーン形状を示している。第2図は固定用のホルダ10及
び外部リード11に取り付けた本センサの構造を示して
いる。本センサは、絶縁基板1に厚さ0.5mmのアル
ミナ基板を使用し、その上に真空蒸着法によりニッケル
膜を約0.2μm形成した後、フォトエツチング法によ
り感温抵抗体パターン(2,2’)および電極部3を形
成した。電極部3と外部リード11とをニッケル細線1
2により接続した後、樹脂モールドによりホルダ10を
形成して流量センサを作成した。
第5図の固定方法と比較して強固な固定が可能となり取
り扱いも容易になった。そのため、ユニットへの組み込
みの際の破損も大幅に減少した。また、応答特性につい
ては、第5図の構成のものと同等の特性を保っている。
ちなみに、温度補正をしない場合(第3図のパターン)
には、本実施例のセンサの2〜3倍の応答時間を必要と
する。
なお、本実施例では、基板表面に感温抵抗体2と補助発
熱抵抗体2゛を形成しているが、補助発熱抵抗体を基板
裏面に形成することでも同様の効果が得られる。また、
感温抵抗体2及び補助発熱体2゛の材料は特に同一であ
る必要はな(、実施例の他に感温抵抗体として白金、タ
ングステンなどの抵抗温度係数の大きな材料、また、補
助発熱抵抗体には、白金、タングステン、あるいはニク
ロムなどでもよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、感温抵抗体上センサ固定
部との間に別な発熱抵抗体を設けることによって流量セ
ンサの応答特性に影響することなく、十分に固定を行え
るという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による熱式流量センサのパタ
ーン形状を示す平面図、第2図はホルダ部を含めた本セ
ンサの斜視図、第3図は従来のセンサのパターン形状を
示す平面図、第4図はセンサ素子の構造を示す断面図、
第5図は従来のセンサ固定方法の一例を示す斜視図であ
る。 1・・・・・・基板、2・・・・・・感温抵抗体パター
ン、2′・・・・・・補助発熱抵抗体パターン、3,3
′・・・・・・電極、4・・・・・・リード線、5・・
・・・・リード補強、6・・・・・・保護膜、10・・
・・・・樹脂モールド、11・・・・・・外部リード。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか]名Z・−感1
拶l九体 2′−橢1功茫−オ&抗体 3、s’−*極 f −・基板 tO・」岨脂−一ルド

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基体上に薄膜あるいは厚膜による感温抵抗体を形成
    するとともに、その感温抵抗体を形成した部分とセンサ
    固定部との境界近傍に前記感温抵抗体とは別の発熱抵抗
    体を設けた熱式流量センサ。
JP1086257A 1989-04-05 1989-04-05 熱式流量センサ Pending JPH02264822A (ja)

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JP1086257A JPH02264822A (ja) 1989-04-05 1989-04-05 熱式流量センサ

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JP (1) JPH02264822A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396795A (en) * 1991-12-09 1995-03-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor sensor device for measuring intake flow rate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396795A (en) * 1991-12-09 1995-03-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor sensor device for measuring intake flow rate
JPH07174599A (ja) * 1991-12-09 1995-07-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体センサー装置およびその製造方法

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