JPH022615A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH022615A JPH022615A JP14748788A JP14748788A JPH022615A JP H022615 A JPH022615 A JP H022615A JP 14748788 A JP14748788 A JP 14748788A JP 14748788 A JP14748788 A JP 14748788A JP H022615 A JPH022615 A JP H022615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion implantation
- oxide film
- thermal oxide
- slice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イオン注入のダメージを無視できる半導体装
置の製造方法に関するものである。
置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置製造の不純物導入にはイオン注入法が
一般に利用されている。
一般に利用されている。
以下に従来のイオン注入法について説明する。
第２図は従来のイオン注入法を示す図であり、１１はシ
リコン基板、１２は熱酸化膜、１３はイオン注入領域で
ある。
リコン基板、１２は熱酸化膜、１３はイオン注入領域で
ある。
第２図において、イオン注入は、スライス表面から、す
なわち、熱酸化膜１２を介して行われる。
なわち、熱酸化膜１２を介して行われる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成ではスライス表面からイ
オン注入を行うため、スライス表面や熱酸化膜１２にイ
オン注入のダメージが残るという問題があった。
オン注入を行うため、スライス表面や熱酸化膜１２にイ
オン注入のダメージが残るという問題があった。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、イオン注
入のダメージを考虜しな（でもよい半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
入のダメージを考虜しな（でもよい半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方
法はスライス裏面よりイオン注入を行うものである。
法はスライス裏面よりイオン注入を行うものである。
作用
このように構成すれば、スライス表面や熱酸化膜にダメ
ージを与えることな（、所定の位置にｒオン注入を行う
ことができる。
ージを与えることな（、所定の位置にｒオン注入を行う
ことができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるイオン注入法を示す
図であり、１はシリコン基板、２は熱酸化膜、３はイオ
ン注入領域である。第１図においてイオン注入はスライ
ス裏面からイオン注入加速電圧２００ＭｅＶ以上の条件
で行なわれる。
図であり、１はシリコン基板、２は熱酸化膜、３はイオ
ン注入領域である。第１図においてイオン注入はスライ
ス裏面からイオン注入加速電圧２００ＭｅＶ以上の条件
で行なわれる。
このように本実施例によれば、スライス表面や熱酸化膜
２を介さずにイオン注入が行なえるため、イオン注入の
ダメージを考慮しなくてもよい。
２を介さずにイオン注入が行なえるため、イオン注入の
ダメージを考慮しなくてもよい。
発明の効果
本発明はスライス裏面よりイオン注入を行なうことによ
り、半導体素子を形成するスライス表面近傍にイオン注
入のダメージを与えることのない半導体装置の製造方法
を実現できるものである。
り、半導体素子を形成するスライス表面近傍にイオン注
入のダメージを与えることのない半導体装置の製造方法
を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例におけるイオン注入法を示す
図、第２図は従来のイオン注入法を示す図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２，１２・・・・
・・熱酸化膜、３．１３・・・・・・イオン注入領域。 ソ甚仮 １１ −・・ 基 榎
図、第２図は従来のイオン注入法を示す図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２，１２・・・・
・・熱酸化膜、３．１３・・・・・・イオン注入領域。 ソ甚仮 １１ −・・ 基 榎
Claims (1)
- シリコン基板内の表面近傍にまで、同シリコン基板の裏
面よりイオン注入することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14748788A JPH022615A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14748788A JPH022615A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022615A true JPH022615A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15431503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14748788A Pending JPH022615A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093587A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sony Corp | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14748788A patent/JPH022615A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093587A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sony Corp | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3211865B2 (ja) | イオン注入方法 | |
| JPH022615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6395669A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH01251631A (ja) | ウェハ | |
| JPS58132922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0328833B2 (ja) | ||
| JPS60733A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS62198162A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS6211516B2 (ja) | ||
| JPS61207076A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6316654A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63293986A (ja) | ホ−ル素子 | |
| JPH01122167A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01173712A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB2000643A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| JPS59194462A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63293987A (ja) | ホ−ル素子 | |
| JPH04249317A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01300563A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6451660A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH01143331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62248222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05315670A (ja) | ホール素子の製造方法 | |
| JPH01315142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62273765A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置 |