JPH02259733A - 光スイッチ - Google Patents
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- JPH02259733A JPH02259733A JP8104289A JP8104289A JPH02259733A JP H02259733 A JPH02259733 A JP H02259733A JP 8104289 A JP8104289 A JP 8104289A JP 8104289 A JP8104289 A JP 8104289A JP H02259733 A JPH02259733 A JP H02259733A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高速度で動作する光スイッチに関するもので
ある。
ある。
(従来の技術)
従来、この種の光スイッチとしては、第2図に示す構成
を有するものが知られている(文献−M40JIsa
et al、、optlcal NORgate
uslng diode 1aser 5ou
rces”、Appl、Opt、、vol、25.no
、14.pp23L1〜2313.1988参照)。
を有するものが知られている(文献−M40JIsa
et al、、optlcal NORgate
uslng diode 1aser 5ou
rces”、Appl、Opt、、vol、25.no
、14.pp23L1〜2313.1988参照)。
第2図において、1は信号光Iを出射する信号光源、2
a、2b、2c、2dは集光用レンズ、3は制御光Cを
出射する制御用光源、4は信号光Iと制御光Cとを合波
する偏光ビームスプリッタ、5はファブリペロエタロン
で、誘電体多層膜からなる高反射膜5i、52間に、多
重量子井戸構造を有する光非線形媒質53を配置して構
成されている。
a、2b、2c、2dは集光用レンズ、3は制御光Cを
出射する制御用光源、4は信号光Iと制御光Cとを合波
する偏光ビームスプリッタ、5はファブリペロエタロン
で、誘電体多層膜からなる高反射膜5i、52間に、多
重量子井戸構造を有する光非線形媒質53を配置して構
成されている。
第3図は、第2図におけるファブリペロエタロン5の光
入力強度P1nに対する光出力強度P outの特性を
示す図で、横軸が光入力強度P1nを、縦軸が光出力強
度p outをそれぞれ表している。
入力強度P1nに対する光出力強度P outの特性を
示す図で、横軸が光入力強度P1nを、縦軸が光出力強
度p outをそれぞれ表している。
次に、第3図に基づいて、第2図の構成による動作を説
明する。なお、高反射膜51.52を有するファブリペ
ロエタロン5の初期状態が、入力信号光重の波長に対し
て透過率の低い状態、即ち、反射状態に設定しであるも
のとする。
明する。なお、高反射膜51.52を有するファブリペ
ロエタロン5の初期状態が、入力信号光重の波長に対し
て透過率の低い状態、即ち、反射状態に設定しであるも
のとする。
光源1より出射された信号光lと光源3より出射された
制御光Cの各々は、レンズ2a、2bを介して偏光ビー
ムスプリッタ4に入射して、互いの偏光面が直交するよ
うに合波される。合波光(1+C)は、レンズ2Cで集
光されて、ファブリペロエタロン5に入力する。
制御光Cの各々は、レンズ2a、2bを介して偏光ビー
ムスプリッタ4に入射して、互いの偏光面が直交するよ
うに合波される。合波光(1+C)は、レンズ2Cで集
光されて、ファブリペロエタロン5に入力する。
この時、入力光の強度が増加すると(制御光Cの強度を
増加させる)、光吸収により発生した自由キャリアのた
めに光非線形媒質53の屈折率が減少し、入力光強度が
、第3図中、Pcで示す強度に達した時点で、突然、フ
ァブリペロエタロン5は反射状態から透過状態に遷移す
る。これにより、入力光はファブリペロエタロン5を透
過し、レンズ2dを介して出力される。
増加させる)、光吸収により発生した自由キャリアのた
めに光非線形媒質53の屈折率が減少し、入力光強度が
、第3図中、Pcで示す強度に達した時点で、突然、フ
ァブリペロエタロン5は反射状態から透過状態に遷移す
る。これにより、入力光はファブリペロエタロン5を透
過し、レンズ2dを介して出力される。
一方、この透過状態から、入力光強度が減少すると(制
御光Cの強度を減少させる)、m3図に示すように、同
じ軌跡を描かずに、入力光強度が、第3図中、Paで示
す強度に達した時点で、突然、ファブリペロエタロン5
は透過状態から反射状態に遷移する。これにより、入力
光は反射されて入力方向に対して逆進する。
御光Cの強度を減少させる)、m3図に示すように、同
じ軌跡を描かずに、入力光強度が、第3図中、Paで示
す強度に達した時点で、突然、ファブリペロエタロン5
は透過状態から反射状態に遷移する。これにより、入力
光は反射されて入力方向に対して逆進する。
このように、ファブリペロエタロン5の、いわゆる光双
安定素子としての機能を利用することによって、制御光
Cに基づく、信号光Iのスイッチング動作が行なわれる
。
安定素子としての機能を利用することによって、制御光
Cに基づく、信号光Iのスイッチング動作が行なわれる
。
上記した動作から分るように、制御光CをPc以上の光
強度でファブリペロエタロン5に注入してやれば、光強
度がPa以上の間に亘って透過状態となり、信号光Iも
透過することが可能となる。
強度でファブリペロエタロン5に注入してやれば、光強
度がPa以上の間に亘って透過状態となり、信号光Iも
透過することが可能となる。
なお、第2図の構成では、信号光Iと制御光Cとの合波
用に偏光ビームスプリッタ4を用いているのは、互いの
偏光面を直交させることにより挿入損失を少なくした状
態で合波させるためである。
用に偏光ビームスプリッタ4を用いているのは、互いの
偏光面を直交させることにより挿入損失を少なくした状
態で合波させるためである。
従って、3dBの挿入損失を許容すれば、半透鏡でも同
様な機能を得ることができる。
様な機能を得ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来の光スイッチでは、以下のよう
な欠点があった。
な欠点があった。
■ファブリペロエタロン5で反射された信号光が入力信
号光と同−光路を逆進し、信号光源1に悪影響を及ぼす
。
号光と同−光路を逆進し、信号光源1に悪影響を及ぼす
。
■ファブリペロエタロン5で反射された信号光を取り出
すためには、光サーキュレータあるいは半透鏡等が必要
となり、部品点数の増加を招くとともに構成が複雑化し
、かつ、挿入損失の増加を招く。
すためには、光サーキュレータあるいは半透鏡等が必要
となり、部品点数の増加を招くとともに構成が複雑化し
、かつ、挿入損失の増加を招く。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、入力ボートと出力ボートを分離でき、信号光
源に影響を与えることはなく、シかも簡易な構成で低損
失な光スイッチを提供することにある。
の目的は、入力ボートと出力ボートを分離でき、信号光
源に影響を与えることはなく、シかも簡易な構成で低損
失な光スイッチを提供することにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、請求項(1)では、平行に近
接した2本の導波路からなる方向性結合器の結合領域の
一部に、光の透過・反射を切り替える切替部を備え、前
記切替部の長さを前記結合領域の長さよりも十分に短く
設定し、かつ、光の入力側導波路の結合領域の長さを完
全結合長の(n + 1 / 2 )倍に設定した(但
し、n=0、1゜2.3…)。
接した2本の導波路からなる方向性結合器の結合領域の
一部に、光の透過・反射を切り替える切替部を備え、前
記切替部の長さを前記結合領域の長さよりも十分に短く
設定し、かつ、光の入力側導波路の結合領域の長さを完
全結合長の(n + 1 / 2 )倍に設定した(但
し、n=0、1゜2.3…)。
また、請求項(2)では、前記切替部をファブリペロエ
タロンまたはグレーティングにより構成した。
タロンまたはグレーティングにより構成した。
(作 用)
請求項(1)によれば、一方の導波路端に入力された信
号光は、この導波路を伝搬し、結合領域の入力側端部に
到達する。信号光は、結合領域の一方の導波路を伝搬す
る間に、少量の光が他方の光導波路に結合される。この
ようにして、信号光は結合領域を(n + 1 / 2
)の距離だけ伝搬して切替部に到達する。
号光は、この導波路を伝搬し、結合領域の入力側端部に
到達する。信号光は、結合領域の一方の導波路を伝搬す
る間に、少量の光が他方の光導波路に結合される。この
ようにして、信号光は結合領域を(n + 1 / 2
)の距離だけ伝搬して切替部に到達する。
ここで、切替部が反射状態に切替えられていると、信号
光は反射されて、入力側の結合領域を逆方向に伝搬し、
(n + 1 / 2 )の距離を伝搬した時点で、信
号光は、他方の導波路に100%結合され、他方の導波
路を伝搬後、その一端から出力される。
光は反射されて、入力側の結合領域を逆方向に伝搬し、
(n + 1 / 2 )の距離を伝搬した時点で、信
号光は、他方の導波路に100%結合され、他方の導波
路を伝搬後、その一端から出力される。
一方、切替部が透過状態に切替えられていると、信号光
は、切替部を透過して、結合領域をさらに直進し、例え
ば、(n + 1 / 2 )の距離を伝搬した時点で
、他方の導波路に100%結合され、その他端から出力
される。
は、切替部を透過して、結合領域をさらに直進し、例え
ば、(n + 1 / 2 )の距離を伝搬した時点で
、他方の導波路に100%結合され、その他端から出力
される。
また、請求項(2)によれば、切替部がファブリペロエ
タロンまたはグレーティングにより構成され、透過及び
反射の切替制御が、制御光あるいは電界、電流、熱等の
入力条件に基づいて行なわれる。
タロンまたはグレーティングにより構成され、透過及び
反射の切替制御が、制御光あるいは電界、電流、熱等の
入力条件に基づいて行なわれる。
(実施例)
第1図は、本発明に係る光スイッチの第1の実施例を示
す図で、第1図(a)は構成図、第1図(b)は第1図
(a)のX−X線矢視方向の拡大断面図、第1図(c)
は第1図(a)のY−Y線矢視方向の拡大断面図である
。
す図で、第1図(a)は構成図、第1図(b)は第1図
(a)のX−X線矢視方向の拡大断面図、第1図(c)
は第1図(a)のY−Y線矢視方向の拡大断面図である
。
第1図において、11.12.13は導波路で、第1図
(b)及び(c)に示すように、幅約5μm1厚さが約
0,5μmに設定されたIn GO,720,28 As P からなるコアlla、12a、。
(b)及び(c)に示すように、幅約5μm1厚さが約
0,5μmに設定されたIn GO,720,28 As P からなるコアlla、12a、。
0.59 0.41
13aと、これらコアlla、12a、13aを被覆し
たInPよりなるクラッド14からそれぞれ構成されて
いる。
たInPよりなるクラッド14からそれぞれ構成されて
いる。
これらの導波路のうち、導波路11と12の2本は、光
の伝搬方向の一部において、コアliaと12aがクラ
ッド14を介して平行に近接して形成され、光方向性結
合器における結合領域15を構成している。さらに、導
波路11の一端が、波長1.55μmの信号光lの入力
ボートIInと、導波路11の他端及び導波路120両
端は、信号光Iの出力ボート0.0□、03として選定
しである。
の伝搬方向の一部において、コアliaと12aがクラ
ッド14を介して平行に近接して形成され、光方向性結
合器における結合領域15を構成している。さらに、導
波路11の一端が、波長1.55μmの信号光lの入力
ボートIInと、導波路11の他端及び導波路120両
端は、信号光Iの出力ボート0.0□、03として選定
しである。
一方、導波路13は、結合領域15を構成する導波路1
1.12のコアlla、12aのほぼ中央部の長手方向
側面に直交するように形成されており、その一端が波長
1.50μmの制御光Cの入力ボートC1nとして選定
しである。
1.12のコアlla、12aのほぼ中央部の長手方向
側面に直交するように形成されており、その一端が波長
1.50μmの制御光Cの入力ボートC1nとして選定
しである。
結合領域15は、完全結合長りを約5 mm+に設定し
てあり、そのほぼ中央部には後記するように切替部20
が配置され、この切替部20を中心として、図面に向か
って左側、即ち、入力側結合長Ω。1はL/2に設定し
である。同様に、切替部20の右側の結合長I。2もL
/2に設定しである。
てあり、そのほぼ中央部には後記するように切替部20
が配置され、この切替部20を中心として、図面に向か
って左側、即ち、入力側結合長Ω。1はL/2に設定し
である。同様に、切替部20の右側の結合長I。2もL
/2に設定しである。
20は例えばファブリペロエタロンからなる切替部で、
TfOとS i O2の多層膜をスパッタリングによっ
て形成した反射率0.82 (消光比20d、b以上)
を有する高反射膜21.22と、高反射膜21と22の
間に配置され、第1図(C)に示すように、I n
Ga Asからなる500.47 0.53 A厚の井戸層231とInPからなる75A厚の障壁層
232を交互に約40層積層した多重量子井戸構造を有
する光非線形媒質23a、23bとから構成されている
。なお、この光非線形媒質23a、23bは、室温にお
いて波長1.5μmに、電子と重いホールによって形成
されるエキシトンのピークを有し、かつ、これらの間に
は制御光、注入用の導波路13が形成されている。
TfOとS i O2の多層膜をスパッタリングによっ
て形成した反射率0.82 (消光比20d、b以上)
を有する高反射膜21.22と、高反射膜21と22の
間に配置され、第1図(C)に示すように、I n
Ga Asからなる500.47 0.53 A厚の井戸層231とInPからなる75A厚の障壁層
232を交互に約40層積層した多重量子井戸構造を有
する光非線形媒質23a、23bとから構成されている
。なお、この光非線形媒質23a、23bは、室温にお
いて波長1.5μmに、電子と重いホールによって形成
されるエキシトンのピークを有し、かつ、これらの間に
は制御光、注入用の導波路13が形成されている。
このような構成の切替部20の長さgEは、約5μm(
コアの幅と同一)に設定しである。また、光非線形媒質
23aの光軸が導波路11のコア11aの光軸と、光非
線形媒質23bの光軸が導波路12のコア12aの光軸
とそれぞれ一致し、かつ、光非線形媒質23aの長さ方
向外側面が導波路13のコア13aの端面と直交して接
合するように、結合領域15の光伝搬方向のほぼ中央部
に配置されている。
コアの幅と同一)に設定しである。また、光非線形媒質
23aの光軸が導波路11のコア11aの光軸と、光非
線形媒質23bの光軸が導波路12のコア12aの光軸
とそれぞれ一致し、かつ、光非線形媒質23aの長さ方
向外側面が導波路13のコア13aの端面と直交して接
合するように、結合領域15の光伝搬方向のほぼ中央部
に配置されている。
次に、上記結合領域15の動作原理について説明する。
導波路11.12が平行に近接している結合領域15に
おいては、互いに直交する正規モードとして偶及び奇対
称モードが存在し、各々の伝搬定数はβe、β0である
。入力端z−0で導波路11から光が入力されると、こ
の入力端2で電界振幅が等しい偶・奇モードが同相で励
起される。
おいては、互いに直交する正規モードとして偶及び奇対
称モードが存在し、各々の伝搬定数はβe、β0である
。入力端z−0で導波路11から光が入力されると、こ
の入力端2で電界振幅が等しい偶・奇モードが同相で励
起される。
これらのモードが結合領域〕5を伝搬していくにつれて
、二つのモード間に位相差(βe−β0)2が生じ、伝
搬距離が L−π/(βe−β0) となったときに位相差がπになる。このとき、偶・奇モ
ードの合成電界分布は、結合領域15外における導波路
12の導波モードの電界分布と一致しており、結合領域
15の長さ(結合長)がLであれば、導波路11へ入力
された光が損失なく100%導波路12に移行すること
になり、このときのしが完全結合長である。
、二つのモード間に位相差(βe−β0)2が生じ、伝
搬距離が L−π/(βe−β0) となったときに位相差がπになる。このとき、偶・奇モ
ードの合成電界分布は、結合領域15外における導波路
12の導波モードの電界分布と一致しており、結合領域
15の長さ(結合長)がLであれば、導波路11へ入力
された光が損失なく100%導波路12に移行すること
になり、このときのしが完全結合長である。
次に、第1図の構成よる動作を説明する。なお、切替部
20を構成するファブリペロエタロンの初期設定は、入
力する信号光Iの波長1.55μmに対して透過率の低
い状態にしてあり、波長1.50μmの制御光Cが光非
線形媒質23a。
20を構成するファブリペロエタロンの初期設定は、入
力する信号光Iの波長1.55μmに対して透過率の低
い状態にしてあり、波長1.50μmの制御光Cが光非
線形媒質23a。
23bに注入されると、吸収され信号光!の波長1.5
5μmでの屈折率が変化して、透過率の高い状態になる
ものとする。
5μmでの屈折率が変化して、透過率の高い状態になる
ものとする。
入力ボートfinから入力された信号光■は、入力用導
波路111を伝搬して、結合領域15の入射端2に到達
し、さらに結合領域15をL/2の距離だけ伝搬して、
切替部20に入力する。
波路111を伝搬して、結合領域15の入射端2に到達
し、さらに結合領域15をL/2の距離だけ伝搬して、
切替部20に入力する。
このとき、導波路13を介して、切替部20の光非線形
媒質23a、23bに制御光Cが注入されていない場合
には、信号光Iは切替部20で反射されて、結合領域1
5を往復する。これにより、信号光Iは、結合領域15
を2fIo1−Lだけ伝搬して、出力用導波路121に
100%結合される。
媒質23a、23bに制御光Cが注入されていない場合
には、信号光Iは切替部20で反射されて、結合領域1
5を往復する。これにより、信号光Iは、結合領域15
を2fIo1−Lだけ伝搬して、出力用導波路121に
100%結合される。
出力用導波路121に結合した信号光!は、出力用導波
路121を伝搬した後、出力ポート0□より出力される
。
路121を伝搬した後、出力ポート0□より出力される
。
一方、入力信号光Iが切替部20に到達したときに、切
替部20の光非線形媒質23a、23bに制御光Cが注
入されると、信号光Iは、切替部20を透過して、出力
用導波路112,122を伝搬する。このようにして結
合領域15をL/2だけ伝搬すると、信号光lは、’
Gl” G2”” Lだけ伝搬したことになり、これに
より、出力用導波路122に100%結合される。出力
用導波路122に結合し、た信号光■は、出力用導波路
122を伝搬した後、出力ポート02より出力される。
替部20の光非線形媒質23a、23bに制御光Cが注
入されると、信号光Iは、切替部20を透過して、出力
用導波路112,122を伝搬する。このようにして結
合領域15をL/2だけ伝搬すると、信号光lは、’
Gl” G2”” Lだけ伝搬したことになり、これに
より、出力用導波路122に100%結合される。出力
用導波路122に結合し、た信号光■は、出力用導波路
122を伝搬した後、出力ポート02より出力される。
なお、実際は、結合領域15における透過あるいは反射
した信号光Iの伝搬距離は、最大、切替部20の長さ、
QE−5μm分、完全結合長L−5龍からずれることに
なるが、本節1の実施例においては、L)IEなる関係
を満足しているため、実際上問題とはならず、上記ずれ
は無視できる。
した信号光Iの伝搬距離は、最大、切替部20の長さ、
QE−5μm分、完全結合長L−5龍からずれることに
なるが、本節1の実施例においては、L)IEなる関係
を満足しているため、実際上問題とはならず、上記ずれ
は無視できる。
以上のように、本節1の実施例によれば、入力ボートI
inより人力され、切替部20で反射された信号光Iを
、光サーキュレータ等を用いることなく入力ボート11
nとは異なる出力ポート01により出力することができ
るので、信号光源に悪影響を与えることはなく、しかも
、簡易な構成を有するとともに、低損失であり、しかも
導波路構造のため、動作が安定した高速動作の光スイッ
チを実現している。
inより人力され、切替部20で反射された信号光Iを
、光サーキュレータ等を用いることなく入力ボート11
nとは異なる出力ポート01により出力することができ
るので、信号光源に悪影響を与えることはなく、しかも
、簡易な構成を有するとともに、低損失であり、しかも
導波路構造のため、動作が安定した高速動作の光スイッ
チを実現している。
なお、本節1の実施例においては、結合領域15の入力
側及び出力側の結合長g 及びg。2を、Gl 完全結合長しの1/2倍に設定したが、これに限定され
るものではなく、結合長g 及びg。2を以l 下に示す条件を満足するように変化させることにより、
信号光!を結合させる出力用導波路を任意に選択するこ
とも可能である。即ち、入力側結合長g。1を、 D ct−(n + 1 / 2) L(但し、n=0
、1,2,3…) なる関係を満足するように選択すると、入力用導波路1
11へ入射され、切替部20で反射された信号光Iを、
出力用導波路121に結合させることができる。一方、
切替部20を透過した信号光Iは、結合長flG2に応
じて出力用導波路112あるいは122に結合させるこ
とができる。即ち、入力側結合長g。1が上の条件を満
たすとき、DG2− (n+1/2)L (但し、n = 0 、 1 、 2 、 3 ”・)
なる関係を満足すれば、出力用導波路122に結合し、 !l 62− (n +3/2) L (但し、n=0、1* 2.3…) なる関係を満足すれば、出力用導波路112に結合する
。
側及び出力側の結合長g 及びg。2を、Gl 完全結合長しの1/2倍に設定したが、これに限定され
るものではなく、結合長g 及びg。2を以l 下に示す条件を満足するように変化させることにより、
信号光!を結合させる出力用導波路を任意に選択するこ
とも可能である。即ち、入力側結合長g。1を、 D ct−(n + 1 / 2) L(但し、n=0
、1,2,3…) なる関係を満足するように選択すると、入力用導波路1
11へ入射され、切替部20で反射された信号光Iを、
出力用導波路121に結合させることができる。一方、
切替部20を透過した信号光Iは、結合長flG2に応
じて出力用導波路112あるいは122に結合させるこ
とができる。即ち、入力側結合長g。1が上の条件を満
たすとき、DG2− (n+1/2)L (但し、n = 0 、 1 、 2 、 3 ”・)
なる関係を満足すれば、出力用導波路122に結合し、 !l 62− (n +3/2) L (但し、n=0、1* 2.3…) なる関係を満足すれば、出力用導波路112に結合する
。
また、本節1の実施例では、制御光Cを導波路13を介
して注入するようにしたが、ビーム状にして注入しても
、同様の効果を得ることができる。
して注入するようにしたが、ビーム状にして注入しても
、同様の効果を得ることができる。
さらに、ファブリペロエタロンの屈折率の制御は、ここ
で示した光によるものの他に、エタロンにpn接合を設
けて逆方向電界を印加する方法、順方向電流を流す方法
、あるいはエタロンを加熱・冷却する方法でも可能であ
る。この場合も、制御領域が小さいので、高速動作が可
能である。
で示した光によるものの他に、エタロンにpn接合を設
けて逆方向電界を印加する方法、順方向電流を流す方法
、あるいはエタロンを加熱・冷却する方法でも可能であ
る。この場合も、制御領域が小さいので、高速動作が可
能である。
第4図は、本発明に係る光スイッチの第2の実施例を示
す図で、第4図(a)は構成図、第4図(b)は第1図
(a)のz−2線矢視方向の拡大断面図である。なお、
第4図(b)においては、図面を見易くするために、コ
ア11a、クラッド14部分のハツチングを省略してい
る。
す図で、第4図(a)は構成図、第4図(b)は第1図
(a)のz−2線矢視方向の拡大断面図である。なお、
第4図(b)においては、図面を見易くするために、コ
ア11a、クラッド14部分のハツチングを省略してい
る。
水弟1の実施例と前記第1の実施例の異なる点は、切替
部24をファブリペロエタロンで構成する代わりに、光
非線形媒質と同一媒質からなる長さg が508m1最
大反射率約98%のグレーティング24a、24bで構
成し、さらに、これに応じて制御光用導波路1−3の幅
を約50μmとしたことにある。
部24をファブリペロエタロンで構成する代わりに、光
非線形媒質と同一媒質からなる長さg が508m1最
大反射率約98%のグレーティング24a、24bで構
成し、さらに、これに応じて制御光用導波路1−3の幅
を約50μmとしたことにある。
グレーティング24a、24bのピッチは、波長1.5
5μmの2次波長0.48μmに一致している。従って
、ピッチΔは0.48μm1厚さtは0.5μmに設定
しである。さらに、グレーティング24 a、24bの
多重量子井戸構造部分及びクラッド14の屈折率は、そ
れぞれ約3.5及び3.2であるため、グレーティング
24a。
5μmの2次波長0.48μmに一致している。従って
、ピッチΔは0.48μm1厚さtは0.5μmに設定
しである。さらに、グレーティング24 a、24bの
多重量子井戸構造部分及びクラッド14の屈折率は、そ
れぞれ約3.5及び3.2であるため、グレーティング
24a。
24bにおける反射結合係数には約0.05μm−1以
上となっている。
上となっている。
第5図は、グレーティング24 a、24bの波長(λ
)に対する反射率(R)の特性を示す図で、横軸が波長
λ、縦軸が反射率Rをそれぞれ表している。第5図にお
いて、Aで示す波形は、制御光Cが入射されていない、
いわゆる初期状態(反射状態)を示し、Bで示す波形は
、制御光Cが入射された時の状e<透過状態)を示して
いる。
)に対する反射率(R)の特性を示す図で、横軸が波長
λ、縦軸が反射率Rをそれぞれ表している。第5図にお
いて、Aで示す波形は、制御光Cが入射されていない、
いわゆる初期状態(反射状態)を示し、Bで示す波形は
、制御光Cが入射された時の状e<透過状態)を示して
いる。
第5図から分かるように、反射率が最初零となる反射帯
域幅Δλは183Aとなる。従って、波長1.55μm
の信号光!のみがグレーティングに入射された場合には
、グレーティング24a。
域幅Δλは183Aとなる。従って、波長1.55μm
の信号光!のみがグレーティングに入射された場合には
、グレーティング24a。
24bは反射状態となる。ここで、グレーティング24
a、24bに制御光Cを入射して、多重量子井戸構造部
分の屈折率を変化させ、反射率の中心波長λCをΔλだ
け変化させれば、グレーティング24 a、24 bは
反射状態から透過状態へとスイッチングされる。
a、24bに制御光Cを入射して、多重量子井戸構造部
分の屈折率を変化させ、反射率の中心波長λCをΔλだ
け変化させれば、グレーティング24 a、24 bは
反射状態から透過状態へとスイッチングされる。
従って、水弟2の実施例においても、前記第1の実施例
と同様に、制御光Cの有無に応じて信号光Iを入力ボー
ト11nとは異なる出力ボート01または02から出力
させることができ、第1の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
と同様に、制御光Cの有無に応じて信号光Iを入力ボー
ト11nとは異なる出力ボート01または02から出力
させることができ、第1の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
なお、水弟2の実施例においても、結合領域15の完全
結合長りは5 m+iであり、切替部24の長さ、即ち
、グレーティング24 a、24bの長さΩ (−5
0μm)との関係は、L>、IJ を満g 足し、グレーティング分のずれは前記第1の実施例の場
合と同様に無視できる。
結合長りは5 m+iであり、切替部24の長さ、即ち
、グレーティング24 a、24bの長さΩ (−5
0μm)との関係は、L>、IJ を満g 足し、グレーティング分のずれは前記第1の実施例の場
合と同様に無視できる。
また、グレーティング24a、24bの屈折率の制御に
関しても、前記第1の実施例の場合と同様に、ビーム状
の光、あるいは電界、電流、熱等でも制御可能である。
関しても、前記第1の実施例の場合と同様に、ビーム状
の光、あるいは電界、電流、熱等でも制御可能である。
この電界等による制御の場合も、制御領域が小さいので
、高速動作が可能である。
、高速動作が可能である。
(発明の効果)
以上説明したように、請求項(1)または請求項(2)
によれば、以下のような利点がある。
によれば、以下のような利点がある。
■信号光の入力ボートと出力ボート(複数)が分離でき
る。
る。
■切替部で反射された信号光が信号光源へ悪影響を及ぼ
さない。
さない。
■切替部で反射された信号光を取り出す際に、光サーキ
ュレータ、半透鏡等が不要となり、簡易な構成が実現で
きる。
ュレータ、半透鏡等が不要となり、簡易な構成が実現で
きる。
■原理的に損失が小さい。
■導波路型で構成できるため制御パワーが小さくてすみ
、また多段接続が可能である。
、また多段接続が可能である。
■導波路型で構成できるため、動作が安定する。
■制御領域が方向性結合器の一部で領域が小さいため、
同一の制御法で比較したとき、高速動作が可能である。
同一の制御法で比較したとき、高速動作が可能である。
第1図(a)は本発明に係る光スイッチの第1の実施例
を示す構成図、第1図(b)は第1図(a)のX−X線
矢視方向の拡大断面図、第1図(C)は第1図(a)の
Y−Y線矢視方向の拡大断面図、第2図は従来の光スイ
ッチの構成図、第3図はファブリペロエタロンの光入力
強度に対する光出力強度の特性図、第4図(a)は本発
明に係る光スイッチの第2の実施例を示す構成図、第4
図(b)は第4図(a)のZ−Z線矢視方向の拡大断面
図、第5図はグレーティングの波長に対する反射率の特
性図である。 図中、11,12.13…導波路、11a。 I2a、13a…コア、14…クラッド、15…結合領
域、20…切替部(ファブリペロエタロン”) 、21
.22…高反射膜、23a、23b−光非線形媒質、2
4…切替部、24a、24b…グレーティング。 グレーティング。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 吉 1) 精 孝第1図(a)
の×−X線矢視方向の拡大断面図第1図(b) 第1図(8)のY−Y線矢視方向の拡大断面図III
図 (c) pa I)b pc 光入力強度(pln) ファブリペロエタロンの光入力強度に対する光出力強度
の特性図画 図 第4図(a)のC C線矢視方向の拡大断面図 第 図 (b) 反射率 グレーティングの反射率−波長特性図 画 図
を示す構成図、第1図(b)は第1図(a)のX−X線
矢視方向の拡大断面図、第1図(C)は第1図(a)の
Y−Y線矢視方向の拡大断面図、第2図は従来の光スイ
ッチの構成図、第3図はファブリペロエタロンの光入力
強度に対する光出力強度の特性図、第4図(a)は本発
明に係る光スイッチの第2の実施例を示す構成図、第4
図(b)は第4図(a)のZ−Z線矢視方向の拡大断面
図、第5図はグレーティングの波長に対する反射率の特
性図である。 図中、11,12.13…導波路、11a。 I2a、13a…コア、14…クラッド、15…結合領
域、20…切替部(ファブリペロエタロン”) 、21
.22…高反射膜、23a、23b−光非線形媒質、2
4…切替部、24a、24b…グレーティング。 グレーティング。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 吉 1) 精 孝第1図(a)
の×−X線矢視方向の拡大断面図第1図(b) 第1図(8)のY−Y線矢視方向の拡大断面図III
図 (c) pa I)b pc 光入力強度(pln) ファブリペロエタロンの光入力強度に対する光出力強度
の特性図画 図 第4図(a)のC C線矢視方向の拡大断面図 第 図 (b) 反射率 グレーティングの反射率−波長特性図 画 図
Claims (2)
- (1)平行に近接した2本の導波路からなる方向性結合
器の結合領域の一部に、光の透過・反射を切り替える切
替部を備え、 前記切替部の長さを前記結合領域の長さよりも十分に短
く設定し、 かつ、光の入力側導波路の結合領域の長さを完全結合長
の(n+1/2)倍に設定した(但し、n=0、1、2
、3…) ことを特徴とする光スイッチ。 - (2)前記切替部をファブリペロエタロンまたはグレー
ティングにより構成した請求項(1)記載の光スイッチ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1081042A JP2713598B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1081042A JP2713598B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光スイッチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02259733A true JPH02259733A (ja) | 1990-10-22 |
JP2713598B2 JP2713598B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=13735382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1081042A Expired - Fee Related JP2713598B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2713598B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161707A (en) * | 1981-03-09 | 1982-10-05 | Siemens Ag | 180 degree |
JPS63197130A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Hitachi Ltd | 光周波数選択受信方式 |
JPS63234227A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 方向性結合型光スイツチ |
JPS6450016A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Nec Corp | Demultiplexing and photodetecting device |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1081042A patent/JP2713598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161707A (en) * | 1981-03-09 | 1982-10-05 | Siemens Ag | 180 degree |
JPS63197130A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Hitachi Ltd | 光周波数選択受信方式 |
JPS63234227A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 方向性結合型光スイツチ |
JPS6450016A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Nec Corp | Demultiplexing and photodetecting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2713598B2 (ja) | 1998-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |