JPH02251190A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH02251190A JPH02251190A JP7253989A JP7253989A JPH02251190A JP H02251190 A JPH02251190 A JP H02251190A JP 7253989 A JP7253989 A JP 7253989A JP 7253989 A JP7253989 A JP 7253989A JP H02251190 A JPH02251190 A JP H02251190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser chip
- heat sink
- diode
- zener diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、特に半導体レーザの耐サ
ージ性の向上に関する。
ージ性の向上に関する。
従来、この種の半導体レーザは、第５図に示すようにヒ
ートシンク１３上に半導体レーザチップ１］を単独で設
置した構造を有し、順方向に電流を流して発振させてい
る。なお第６図は第５図回路を示している。このような
半導体レーザに誤って逆方向電流が印加された場合、半
導体レーザチップに直接逆方向電流が流れる。
ートシンク１３上に半導体レーザチップ１］を単独で設
置した構造を有し、順方向に電流を流して発振させてい
る。なお第６図は第５図回路を示している。このような
半導体レーザに誤って逆方向電流が印加された場合、半
導体レーザチップに直接逆方向電流が流れる。
上述した従来の半導体レーザにおいては半導体レーザを
駆動する時に、作業ミス及び回路上のトラブル等で半導
体レーザに逆方向電流が印加された場合、半導体レーザ
チップに直接逆方向電流が流れ、内部破壊あるいは端面
破壊を生じ半導体レーザチップを破壊させるという欠点
があった。
駆動する時に、作業ミス及び回路上のトラブル等で半導
体レーザに逆方向電流が印加された場合、半導体レーザ
チップに直接逆方向電流が流れ、内部破壊あるいは端面
破壊を生じ半導体レーザチップを破壊させるという欠点
があった。
本発明の半導体レーザは、半導体レーザチップの極性と
同方向にダイオードを並列に配置することにより、半導
体レーザに逆方向電流が印加した時、ダイオードの耐圧
以上であればダイオードがブレイクダウンし、半導体レ
ーザチップではなく、ダイオードに電流が流れるため、
半導体レーザチップは破壊せず、半導体レーザは故障し
ないという利点がある。
同方向にダイオードを並列に配置することにより、半導
体レーザに逆方向電流が印加した時、ダイオードの耐圧
以上であればダイオードがブレイクダウンし、半導体レ
ーザチップではなく、ダイオードに電流が流れるため、
半導体レーザチップは破壊せず、半導体レーザは故障し
ないという利点がある。
なお、半導体レーザチップの順方向に電流を印加する場
合本発明のダイオードのみでは半導体レーザの電流値が
増加する。これを防ぐために、本発明のダイオードと極
性を逆にし、直列にダイオードを配置させている。
合本発明のダイオードのみでは半導体レーザの電流値が
増加する。これを防ぐために、本発明のダイオードと極
性を逆にし、直列にダイオードを配置させている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例の構成図であり、第２図はダイ
オードにツェナーダイオードを用いた場合の等価回路図
である。この実施例では、作業ミス及び回路上のトラブ
ル等により発生する逆方向印加電流を防止するため、高
抵抗ヒートシンク３上に半導体レーザチップ１および半
導体レーザチップ１の極性と同方向のツェナーダイオー
ド７を並列にソルダーで融着し、この高抵抗ヒートシン
ク３をステム４にソルダーで融着する。さらに、半導体
レーザチップの極性と逆方向のツェナーダイオード７を
ヒートシンク３と異なる高抵抗ヒートシンク３′にソル
ダーで融着し、この高抵抗ヒートシンク３′をステム４
にソルダーで融着し、ボンディングワイヤを用いて第２
図のように配線することで、同一パッケージ内にツェナ
ーダイオード７を組込み一体化したことにより半導体レ
ーザを逆方向電流による破壊から防止できるという利点
がある。
は本発明の第１の実施例の構成図であり、第２図はダイ
オードにツェナーダイオードを用いた場合の等価回路図
である。この実施例では、作業ミス及び回路上のトラブ
ル等により発生する逆方向印加電流を防止するため、高
抵抗ヒートシンク３上に半導体レーザチップ１および半
導体レーザチップ１の極性と同方向のツェナーダイオー
ド７を並列にソルダーで融着し、この高抵抗ヒートシン
ク３をステム４にソルダーで融着する。さらに、半導体
レーザチップの極性と逆方向のツェナーダイオード７を
ヒートシンク３と異なる高抵抗ヒートシンク３′にソル
ダーで融着し、この高抵抗ヒートシンク３′をステム４
にソルダーで融着し、ボンディングワイヤを用いて第２
図のように配線することで、同一パッケージ内にツェナ
ーダイオード７を組込み一体化したことにより半導体レ
ーザを逆方向電流による破壊から防止できるという利点
がある。
例えば、半導体レーザに逆方向電流２４ｍＡ程度（電圧
１０Ｖ程度）で半導体レーザチップ１が破壊するとした
場合、第４図の半導体レーザチップの逆方向Ｉ−Ｖ特性
１ｏとツェナーダイオードの逆方向■−■特性９よりツ
ェナーダイオード７として降伏電圧が半導体レーザチッ
プの耐圧より十分低い２■程度のものを用い−れば、半
導体レーザチップ１に逆方向電流は印加せず半導体レー
ザの故障を防止できる。なお、上記実施例ではツェナー
ダイオードを用いた場合を示したが、通常のタイオード
を用いてもよい。
１０Ｖ程度）で半導体レーザチップ１が破壊するとした
場合、第４図の半導体レーザチップの逆方向Ｉ−Ｖ特性
１ｏとツェナーダイオードの逆方向■−■特性９よりツ
ェナーダイオード７として降伏電圧が半導体レーザチッ
プの耐圧より十分低い２■程度のものを用い−れば、半
導体レーザチップ１に逆方向電流は印加せず半導体レー
ザの故障を防止できる。なお、上記実施例ではツェナー
ダイオードを用いた場合を示したが、通常のタイオード
を用いてもよい。
第３図は本発明の第２の実施例の等価回路図である。こ
の実施例では、特に短パルスによる逆方向電流が印加さ
れた場合のなめにツェナーダイオード７より応答速度の
速いダイオード８をツェナーダイオード７と並列に第３
図のように配線している。この場合も第１の実施例と同
様に同一パッケージ内にツェナーダイオード７とツェナ
ーダイオード７より応答速度の速いダイオード８を組込
み一体化する。この実施例によれば半導体レーザが短パ
ルスの逆方向電流で破壊することを防止できるという利
点がある。
の実施例では、特に短パルスによる逆方向電流が印加さ
れた場合のなめにツェナーダイオード７より応答速度の
速いダイオード８をツェナーダイオード７と並列に第３
図のように配線している。この場合も第１の実施例と同
様に同一パッケージ内にツェナーダイオード７とツェナ
ーダイオード７より応答速度の速いダイオード８を組込
み一体化する。この実施例によれば半導体レーザが短パ
ルスの逆方向電流で破壊することを防止できるという利
点がある。
以上説明したように本発明は、半導体レーザを駆動する
時、作業ミス及び回路上のトラブル等による逆方向印加
電流から半導体レーザチップの破壊を防ぐため、ダイオ
ードを半導体レーザチップと同一パッケージ内に並列に
組込み一体化することで、半導体レーザチップが逆方向
印加電流により破壊することがなくなるという効果があ
る。
時、作業ミス及び回路上のトラブル等による逆方向印加
電流から半導体レーザチップの破壊を防ぐため、ダイオ
ードを半導体レーザチップと同一パッケージ内に並列に
組込み一体化することで、半導体レーザチップが逆方向
印加電流により破壊することがなくなるという効果があ
る。
の第２の実施例の等価回路図、第４図は半導体レーザチ
ップとタイオードのＩ−Ｖ特性曲線、第５図は従来の半
導体レーザの構成図、第６図は従来の等価回路図である
。
ップとタイオードのＩ−Ｖ特性曲線、第５図は従来の半
導体レーザの構成図、第６図は従来の等価回路図である
。
１．１１・・・半導体レーザチップ、３．３′１３・・
・高抵抗ヒートシンク、４，１４・・ステム、５．１５
・・・ボンディングワイヤ、６，１６・・ポスト、７・
・・ツェナーダイオード、８・・・応答スピードの速い
ダイオード。
・高抵抗ヒートシンク、４，１４・・ステム、５．１５
・・・ボンディングワイヤ、６，１６・・ポスト、７・
・・ツェナーダイオード、８・・・応答スピードの速い
ダイオード。
Claims (1)
- ダイオード極性が異なるようにダイオードを配線し、こ
れと半導体レーザチップを並列に配線し、半導体レーザ
チップとダイオードを同一パッケージ内に組込んだこと
を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7253989A JPH02251190A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7253989A JPH02251190A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251190A true JPH02251190A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13492259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7253989A Pending JPH02251190A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02251190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5636234A (en) * | 1995-03-23 | 1997-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device including heat sink with pn junction |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP7253989A patent/JPH02251190A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5636234A (en) * | 1995-03-23 | 1997-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device including heat sink with pn junction |
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