JPH02251160A - Ｉｃチップ用キャリアフィルム - Google Patents
Ｉｃチップ用キャリアフィルムInfo
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- JPH02251160A JPH02251160A JP7346289A JP7346289A JPH02251160A JP H02251160 A JPH02251160 A JP H02251160A JP 7346289 A JP7346289 A JP 7346289A JP 7346289 A JP7346289 A JP 7346289A JP H02251160 A JPH02251160 A JP H02251160A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路（以下ＩＣという）を構成す
るＩＣチップのテープキャリアボンディングを行なうＩ
Ｃチップ用キャリアフィルムに関するものである。
るＩＣチップのテープキャリアボンディングを行なうＩ
Ｃチップ用キャリアフィルムに関するものである。
（従来の技術）
従来から、ＩＣチップの接続端子とＩＣパッケージのリ
ード端子を接続するマイクロボンディングの方式として
テープキャリア法が知られている（電波新聞社発行ＮＣ
用語辞典」２１２頁参照）。
ード端子を接続するマイクロボンディングの方式として
テープキャリア法が知られている（電波新聞社発行ＮＣ
用語辞典」２１２頁参照）。
第１２図〜第１４図はこのテープキャリア法におけるＩ
Ｃチップのマウント方法を示したものである。
Ｃチップのマウント方法を示したものである。
第１３図に示すマウント方法では、ＩＣチップをマウン
トする母材となる細長い絶縁フィルム１に、ＩＣチップ
マウント用のデバイス孔２が開口されている。このデバ
イス孔２は、略■Ｃチップ３の外周形状に対応してＩＣ
チップ３がデバイス孔２内に位置しうる大きさに形成さ
れている。このデバイス孔２の開口縁部には、ＩＣチッ
プ３のボンディング用接続部分４に接続される配線パタ
ーン５が形成されている。
トする母材となる細長い絶縁フィルム１に、ＩＣチップ
マウント用のデバイス孔２が開口されている。このデバ
イス孔２は、略■Ｃチップ３の外周形状に対応してＩＣ
チップ３がデバイス孔２内に位置しうる大きさに形成さ
れている。このデバイス孔２の開口縁部には、ＩＣチッ
プ３のボンディング用接続部分４に接続される配線パタ
ーン５が形成されている。
配線パターン５．５の先端部はＩＣチップ３の接続部分
４の上方に延在するリード端子５ａ、５ａとされている
。
４の上方に延在するリード端子５ａ、５ａとされている
。
このリード端子５ａ、５ａには、ＩＣチップ３の接続部
分４に金、ハンダなどの低温溶融金属からなるバンブ６
．６が設けられ、 このバンブ６．６に配線パターン５
．５のリード端子５ａ、５ａが導通接続される。
分４に金、ハンダなどの低温溶融金属からなるバンブ６
．６が設けられ、 このバンブ６．６に配線パターン５
．５のリード端子５ａ、５ａが導通接続される。
第１４図に示すマウント方法の場合、第１３図のマウン
ト方法と略同様に、絶縁フィルム１に、ＩＣチップ３が
配設可能なデバイス孔２が開口されるとともに、配線パ
ターン５，５が形成され、配線パターン５．５のリード
端子５ａ、５ａに低温溶融金属からなるバンブ７．７が
形成されている。バンブ７．７はＩＣチップ３の接続部
分４．４に接続される。接続部分４，４はパッド８．８
に支持される。
ト方法と略同様に、絶縁フィルム１に、ＩＣチップ３が
配設可能なデバイス孔２が開口されるとともに、配線パ
ターン５，５が形成され、配線パターン５．５のリード
端子５ａ、５ａに低温溶融金属からなるバンブ７．７が
形成されている。バンブ７．７はＩＣチップ３の接続部
分４．４に接続される。接続部分４，４はパッド８．８
に支持される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、第１２図〜第１４図に示す従来のＩＣチ
ップ用キャリアフィルムは、配線パターン５のリード端
子５ａがデバイス孔２内に突出しているので、キャリア
フィルムの製造途「民 検査、運搬時にリード端子５ａ
、５ａが曲がり易い、又、ＩＣチップ３のボンディング
用接続部分４，４と配線パターン５のリド端子５ａ 、
５ａとの接続時に、配線パターン５のリード端子５ａ
、 ５ａが絶縁フィルム１の平面方向や厚さ方向に曲
がり易いため、ボンディング不良の発生率が高いという
課題が残されていた。
ップ用キャリアフィルムは、配線パターン５のリード端
子５ａがデバイス孔２内に突出しているので、キャリア
フィルムの製造途「民 検査、運搬時にリード端子５ａ
、５ａが曲がり易い、又、ＩＣチップ３のボンディング
用接続部分４，４と配線パターン５のリド端子５ａ 、
５ａとの接続時に、配線パターン５のリード端子５ａ
、 ５ａが絶縁フィルム１の平面方向や厚さ方向に曲
がり易いため、ボンディング不良の発生率が高いという
課題が残されていた。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するために、本発明にががるＩＣチップ
用キャリアフィルムは、 ＩＣチップをマウントする絶縁フィルムに前記ＩＣチッ
プを配設するＩＣチップ配設用孔が開口され、前記絶縁
フィルムの一面側であってこのＩｃチップ配設用孔の開
口縁部に、前記ＩＣチップのボンディング用接続部分に
接続する配線パターンが形成され、前記絶縁フィルムの
他面側に前記ＩＣチップがマウントされるＩＣチップ用
キャリアフィルムにおいて、 前記ＩＣチップ配設用孔の開口縁部が前記ＩＣチップの
ボンディング用接続部分に対向する位置まで延在し、 前記開口縁部に前記ＩＣチップのボンディング用接続部
分に臨んで開口するスルーホールが貫通形成され、 前記配線パターンを形成する導通体がこのスルーホール
内に充填されて、少なくとも前記絶縁フィルムの他面側
に露出していることを特徴とする。
用キャリアフィルムは、 ＩＣチップをマウントする絶縁フィルムに前記ＩＣチッ
プを配設するＩＣチップ配設用孔が開口され、前記絶縁
フィルムの一面側であってこのＩｃチップ配設用孔の開
口縁部に、前記ＩＣチップのボンディング用接続部分に
接続する配線パターンが形成され、前記絶縁フィルムの
他面側に前記ＩＣチップがマウントされるＩＣチップ用
キャリアフィルムにおいて、 前記ＩＣチップ配設用孔の開口縁部が前記ＩＣチップの
ボンディング用接続部分に対向する位置まで延在し、 前記開口縁部に前記ＩＣチップのボンディング用接続部
分に臨んで開口するスルーホールが貫通形成され、 前記配線パターンを形成する導通体がこのスルーホール
内に充填されて、少なくとも前記絶縁フィルムの他面側
に露出していることを特徴とする。
（作 用）
本発明のＩＣチップ用キャリアフィルムの製造方法によ
れば、絶縁フィルムのスルーホール内に配線パターンの
導電体が保持されるため、ボンディング時に配線パター
ンのリード先端部が曲がらない。キャリアフィルムの製
造途中、検査、運搬時にリード先端部が曲がるといった
心配がない。故に、ＩＣチップのボンディング用接続部
分と配線パターンの導電体とを接続する時の位置ずれを
防止でき、ＩＣチップのボンディング不良の発生率を低
減出来る。
れば、絶縁フィルムのスルーホール内に配線パターンの
導電体が保持されるため、ボンディング時に配線パター
ンのリード先端部が曲がらない。キャリアフィルムの製
造途中、検査、運搬時にリード先端部が曲がるといった
心配がない。故に、ＩＣチップのボンディング用接続部
分と配線パターンの導電体とを接続する時の位置ずれを
防止でき、ＩＣチップのボンディング不良の発生率を低
減出来る。
（実施例）
以下、本発明の実施例にかかるＩＣチップ用キャリアフ
ィルムを第１図〜第１２図を用いて説明する。
ィルムを第１図〜第１２図を用いて説明する。
第１図〜第１２図に於て、１０はＩＣチップ搭載に必要
す絶縁フィルムである。この絶縁フィルム１０には、従
来技術で示した多数のＩＣナツプ３が搭載されるもので
、 絶縁フィルムｌＯは、 本実施例では、厚さ２０μ
ｍ、幅３５ｍｍの耐酸性、耐アルカリ性のある細長いポ
リイミドフィルムが用いられている。尚、このポリイミ
ドフィルムはヒドラジンとエチレンジアミンとを１対１
に混合させた混合液に可溶性を有している。絶縁フィル
ム１０には、ＩＣチップ３の配設のためのデバイス孔１
１ （ＩＣチップ配設用孔）と、絶縁フィルム１０自身
の給送のためのスプロケット孔１１ａ及びキャラクタ−
孔１１ｂ等が開口されている。
す絶縁フィルムである。この絶縁フィルム１０には、従
来技術で示した多数のＩＣナツプ３が搭載されるもので
、 絶縁フィルムｌＯは、 本実施例では、厚さ２０μ
ｍ、幅３５ｍｍの耐酸性、耐アルカリ性のある細長いポ
リイミドフィルムが用いられている。尚、このポリイミ
ドフィルムはヒドラジンとエチレンジアミンとを１対１
に混合させた混合液に可溶性を有している。絶縁フィル
ム１０には、ＩＣチップ３の配設のためのデバイス孔１
１ （ＩＣチップ配設用孔）と、絶縁フィルム１０自身
の給送のためのスプロケット孔１１ａ及びキャラクタ−
孔１１ｂ等が開口されている。
このパンチングは、所定の形状及び寸法に形成されたパ
ンチとダイ（図示せず）とによって行なわれる。なお、
本実施例では、デバイス孔１１の下方にＩＣチップ３が
マウントされるように、デバイス孔１１の開口縁部１０
ｃは、従来技術で述べたＩＣチップ３のボンディング用
接続部分４．４に対応してＩｃチツブ３の外周形状より
小さく形成され、ＩＣチップ３のボンディング用接続部
分４．４に対向する位置まで延在している。スプロケッ
ト孔１１ａには絶縁フィルム１０を給送するための同量
しないスプロケットが係合する。
ンチとダイ（図示せず）とによって行なわれる。なお、
本実施例では、デバイス孔１１の下方にＩＣチップ３が
マウントされるように、デバイス孔１１の開口縁部１０
ｃは、従来技術で述べたＩＣチップ３のボンディング用
接続部分４．４に対応してＩｃチツブ３の外周形状より
小さく形成され、ＩＣチップ３のボンディング用接続部
分４．４に対向する位置まで延在している。スプロケッ
ト孔１１ａには絶縁フィルム１０を給送するための同量
しないスプロケットが係合する。
パンチング完了後、第４図に示すように、シブレイＰ−
Ｔ−Ｈプロセス（商標）を用いて無電解メツキ法により
、絶縁フィルム１０の両面１０ａ、１０ｂに膜厚略１μ
ｍの銅膜１２を形成する。１μｍの銅膜１２の形成後、
第５図に示すように、開口縁部１０ｃに位置する銅膜１
２にＩＣチップ３のボンディング用接続部分４．４に対
応する微小孔１３ａ（スルーホール１３の一部）を形成
するために、 絶縁フィルム１０の両面１０ａ１０ｂに
フォトレジスト１４を設けて露光した後、現像する（第
６図、第７図参照）。フォトレジスト１４の現像後、第
６図に示すように、 液温４０度Ｃ，ｆＡｆｆ度６６５
ｇ／Ｑの塩化第２鉄のエツチング液によって銅膜１２を
スプレーエツチングし、スルーホール１３に対応した形
状の銅膜１２を除去する（第７図参照）。
Ｔ−Ｈプロセス（商標）を用いて無電解メツキ法により
、絶縁フィルム１０の両面１０ａ、１０ｂに膜厚略１μ
ｍの銅膜１２を形成する。１μｍの銅膜１２の形成後、
第５図に示すように、開口縁部１０ｃに位置する銅膜１
２にＩＣチップ３のボンディング用接続部分４．４に対
応する微小孔１３ａ（スルーホール１３の一部）を形成
するために、 絶縁フィルム１０の両面１０ａ１０ｂに
フォトレジスト１４を設けて露光した後、現像する（第
６図、第７図参照）。フォトレジスト１４の現像後、第
６図に示すように、 液温４０度Ｃ，ｆＡｆｆ度６６５
ｇ／Ｑの塩化第２鉄のエツチング液によって銅膜１２を
スプレーエツチングし、スルーホール１３に対応した形
状の銅膜１２を除去する（第７図参照）。
銅膜１２にＩＣチップ３の接続部分４．４に対応する微
小孔１３ａが開口されたら、第７図に示すように、フォ
トレジスト１４を除去し、銅膜１２をマスクとして絶縁
フィルム１０の両面側からスプレーエツチングを行ない
、絶縁フィルム１０にスルーホール１３を開口する。こ
のスプレーエツチング液としては、ヒドラジンとエチレ
ンジアミンとが１対１の割合の混合液を常温で用いる。
小孔１３ａが開口されたら、第７図に示すように、フォ
トレジスト１４を除去し、銅膜１２をマスクとして絶縁
フィルム１０の両面側からスプレーエツチングを行ない
、絶縁フィルム１０にスルーホール１３を開口する。こ
のスプレーエツチング液としては、ヒドラジンとエチレ
ンジアミンとが１対１の割合の混合液を常温で用いる。
スルーホール１３が開口したら、再び、シブレイＰ−Ｔ
−Ｈプロセス（商標）を用いて無電解メツキ法により膜
厚略０．２μｍの銅膜１５をスルーホール１３内及び銅
膜１２上に形成する。０．２μｍの銅膜１５の形成後、
カパラシド）ＩＬ（商品名）を用い、浴温２０〜２５度
Ｃ１電流密度１〜２Ａ／ｄｍ２、浴電圧１〜６ｖの条件
で３５μｍの膜厚を有する銅膜１６を、スルーホール１
３内及び絶縁フィルム１０の両面１０ａ、１０ｂの銅膜
１２上に形成する（第８図参照）。この銅膜１６は、デ
バイス孔１１の開口縁部にＩＣチップ３の接続部分４．
４に接続する配線パターン１７の下地を形成すると共に
、スルーホール１３内に等連体としてのバンブ１８を形
成するものである。
−Ｈプロセス（商標）を用いて無電解メツキ法により膜
厚略０．２μｍの銅膜１５をスルーホール１３内及び銅
膜１２上に形成する。０．２μｍの銅膜１５の形成後、
カパラシド）ＩＬ（商品名）を用い、浴温２０〜２５度
Ｃ１電流密度１〜２Ａ／ｄｍ２、浴電圧１〜６ｖの条件
で３５μｍの膜厚を有する銅膜１６を、スルーホール１
３内及び絶縁フィルム１０の両面１０ａ、１０ｂの銅膜
１２上に形成する（第８図参照）。この銅膜１６は、デ
バイス孔１１の開口縁部にＩＣチップ３の接続部分４．
４に接続する配線パターン１７の下地を形成すると共に
、スルーホール１３内に等連体としてのバンブ１８を形
成するものである。
銅膜１６の形成後、第９図に示すように、絶縁フィルム
ｌＯの」−面１０ｂ側の銅膜１６に、配線パターン１７
の形状に合わせたフォトレジスト１９を形成すると共に
、絶縁フィルム１０の下面１０ａ側の銅膜１６にバンブ
１８を形成するフ第１・レジスト２０を形成する。フォ
トレジスト１９．２０の露光、硬化後、液温４０１度Ｃ
，６６５ｇ／ｇの塩化第２鉄の溶液を用いてスプレーエ
ツチングを行うと、第１０図に示すように、デバイス孔
１２の開口縁部１０ｃには、ＩＣチップ３のボンディン
グ用接続部分４．４に対応する配線パターン１７と、バ
ンブ１８とが形成される。バンブ１８は、本実施例では
、銅膜１６の厚みによって絶縁フィルム１０の下面から
突出する（第１０図、第１１図参照）。
ｌＯの」−面１０ｂ側の銅膜１６に、配線パターン１７
の形状に合わせたフォトレジスト１９を形成すると共に
、絶縁フィルム１０の下面１０ａ側の銅膜１６にバンブ
１８を形成するフ第１・レジスト２０を形成する。フォ
トレジスト１９．２０の露光、硬化後、液温４０１度Ｃ
，６６５ｇ／ｇの塩化第２鉄の溶液を用いてスプレーエ
ツチングを行うと、第１０図に示すように、デバイス孔
１２の開口縁部１０ｃには、ＩＣチップ３のボンディン
グ用接続部分４．４に対応する配線パターン１７と、バ
ンブ１８とが形成される。バンブ１８は、本実施例では
、銅膜１６の厚みによって絶縁フィルム１０の下面から
突出する（第１０図、第１１図参照）。
配線パターン１７の形成後、サブスターＳＮ（商品名）
を用い、浴温５５° （プラス、マイナス２°）Ｃの錫
メツキ液に、配線パターン１７が形成された絶縁フィル
ム１０を浸漬し、 無電解メツキ法により０．３〜０．
５μＭの厚さの錫膜２１を配線パターン１７及びバンブ
１８．１８の表面に形成すると、ＩＣチップ用キャリア
フィルムが出来上がる。
を用い、浴温５５° （プラス、マイナス２°）Ｃの錫
メツキ液に、配線パターン１７が形成された絶縁フィル
ム１０を浸漬し、 無電解メツキ法により０．３〜０．
５μＭの厚さの錫膜２１を配線パターン１７及びバンブ
１８．１８の表面に形成すると、ＩＣチップ用キャリア
フィルムが出来上がる。
尚、本実施例では、絶縁フィルム１０の下面１０ａ側の
銅膜１６にバンブ１８，１Ｂの先端部を遮蔽するフォト
レジスト２０を形成したが、フォトレジスト２０の代わ
りに、スルーホール１３内の銅膜１６，１６の先端部に
金をメツキしても良い。
銅膜１６にバンブ１８，１Ｂの先端部を遮蔽するフォト
レジスト２０を形成したが、フォトレジスト２０の代わ
りに、スルーホール１３内の銅膜１６，１６の先端部に
金をメツキしても良い。
本実施例のＩＣチップ用キャリアフィルムによれば、絶
縁フィルム１０のスルーホール１３内に配線パターン１
７．１７のバンブ１８，１８が保持されるため、ＩＣチ
ップ３のボンディング時に配線パターン１７．１７の先
端部が曲がり難い。従って、ＩＣチップ３のボンディン
グ用接続部分４．４と配線パターン１７．１７のバンブ
１８ 、１８とを接続する時の位置ずれや曲がり、ある
いはバラツキが防止され、ＩＣチップ３のボンディング
不良の発生率が低減される。
縁フィルム１０のスルーホール１３内に配線パターン１
７．１７のバンブ１８，１８が保持されるため、ＩＣチ
ップ３のボンディング時に配線パターン１７．１７の先
端部が曲がり難い。従って、ＩＣチップ３のボンディン
グ用接続部分４．４と配線パターン１７．１７のバンブ
１８ 、１８とを接続する時の位置ずれや曲がり、ある
いはバラツキが防止され、ＩＣチップ３のボンディング
不良の発生率が低減される。
（発明の効果）
本発明にかかるＩＣチップ用キャリアフィルムの製造方
法は、以上説明したように、ＩＣチップ配設用孔の開口
縁部が前記ＩＣチップのボンディング用接続部分に対向
する位置まで延在し、開口縁部に前記１ｃチツプのボン
ディング用接続部分に臨んで開口するスルーホールが貫
通形成され、配線パターンを形成する導通体がこのスル
ーホール内に充填されて、少なくとも前記絶縁フィルム
の他面側に露出しているので、従来のキャリアフィルム
に較べてＩＣチップのリード端子にバンブを位置ずれな
く精密に接続でき、ボンディングミスの発生率がきわめ
て少なくなる。しかも、バンブとＩＣチップとを位置ず
れなく精密に接続できる。更に、キャリアフィルムの取
扱が容易になると共に、ノ＼ンブ形成を簡略化出来る。
法は、以上説明したように、ＩＣチップ配設用孔の開口
縁部が前記ＩＣチップのボンディング用接続部分に対向
する位置まで延在し、開口縁部に前記１ｃチツプのボン
ディング用接続部分に臨んで開口するスルーホールが貫
通形成され、配線パターンを形成する導通体がこのスル
ーホール内に充填されて、少なくとも前記絶縁フィルム
の他面側に露出しているので、従来のキャリアフィルム
に較べてＩＣチップのリード端子にバンブを位置ずれな
く精密に接続でき、ボンディングミスの発生率がきわめ
て少なくなる。しかも、バンブとＩＣチップとを位置ず
れなく精密に接続できる。更に、キャリアフィルムの取
扱が容易になると共に、ノ＼ンブ形成を簡略化出来る。
第１図乃至第１０図は本発明の実施例にかかるキャリア
フィルムの製造工程を示す説明図であり、第１図は本実
施例の絶縁フィルムの主要断面の構成図、 第２図はパンチング後の絶縁フィルムの説明図第３図は
第２図の絶縁フィルムのデバイス孔近傍の断面図、 第４図は第３図の絶縁フィルムに膜厚の薄νＸ銅膜を形
成した状態の説明図、 第５図は第４図の絶縁フィルムに微小孔形成用のフォト
レジストを設けた状態の説明図、 第６図は第５図の絶縁フィルムをエツチングした状態の
説明図、 第７図は第５図のフォトレジストを除去してスルーホー
ルを開口した状態の説明図、 第８図は膜厚の厚い銅膜なスルーホール内に充填した状
態の説明図、 第９図はスルーホールの銅膜先端部にバンブ形成用のフ
ォトレジストを設けた状態の説明図、第１０図はエツチ
ングによって配線パターンを形成した状態の説明図、 第１１図はバンブが形成された絶縁フィルムに鈴膜を形
成した状態の説明図、 第１２図〜第１４図は従来のＩＣチップ用キャリアフィ
ルムの説明図である。 ３・・・ＩＣチップ ４・・・接続部分８・・・
パッド ｌＯ・・・絶縁用フィルム １０ｃ・・・開口縁部１１
・・・デバイス孔（ＩＣチップ配設用孔）１３・・・ス
ルーホール １７・・・配線パターン １Ｂ・・・バンブ ２１・・・錫膜 一〇へ
フィルムの製造工程を示す説明図であり、第１図は本実
施例の絶縁フィルムの主要断面の構成図、 第２図はパンチング後の絶縁フィルムの説明図第３図は
第２図の絶縁フィルムのデバイス孔近傍の断面図、 第４図は第３図の絶縁フィルムに膜厚の薄νＸ銅膜を形
成した状態の説明図、 第５図は第４図の絶縁フィルムに微小孔形成用のフォト
レジストを設けた状態の説明図、 第６図は第５図の絶縁フィルムをエツチングした状態の
説明図、 第７図は第５図のフォトレジストを除去してスルーホー
ルを開口した状態の説明図、 第８図は膜厚の厚い銅膜なスルーホール内に充填した状
態の説明図、 第９図はスルーホールの銅膜先端部にバンブ形成用のフ
ォトレジストを設けた状態の説明図、第１０図はエツチ
ングによって配線パターンを形成した状態の説明図、 第１１図はバンブが形成された絶縁フィルムに鈴膜を形
成した状態の説明図、 第１２図〜第１４図は従来のＩＣチップ用キャリアフィ
ルムの説明図である。 ３・・・ＩＣチップ ４・・・接続部分８・・・
パッド ｌＯ・・・絶縁用フィルム １０ｃ・・・開口縁部１１
・・・デバイス孔（ＩＣチップ配設用孔）１３・・・ス
ルーホール １７・・・配線パターン １Ｂ・・・バンブ ２１・・・錫膜 一〇へ
Claims (1)
- （１）ＩＣチップをマウントする絶縁フィルムに前記Ｉ
Ｃチップを配設するＩＣチップ配設用孔が開口され、前
記絶縁フィルムの一面側であってこのＩＣチップ配設用
孔の開口縁部に、前記ＩＣチップのボンディング用接続
部分に接続する配線パターンが形成され、前記絶縁フィ
ルムの他面側に前記ＩＣチップがマウントされるＩＣチ
ップ用キャリアフィルムにおいて、 前記ＩＣチップ配設用孔の開口縁部が前記ＩＣチップの
ボンディング用接続部分に対向する位置まで延在し、 前記開口縁部に前記ＩＣチップのボンディング用接続部
分に臨んで開口するスルーホールが貫通形成され、 前記配線パターンを形成する導通体がこのスルーホール
内に充填されて、少なくとも前記絶縁フィルムの他面側
に露出していることを特徴とするＩＣチップ用キャリア
フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7346289A JPH02251160A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Ｉｃチップ用キャリアフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7346289A JPH02251160A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Ｉｃチップ用キャリアフィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251160A true JPH02251160A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13518950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7346289A Pending JPH02251160A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Ｉｃチップ用キャリアフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02251160A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363041A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-12-15 | Nec Corp | フィルムキャリア型半導体装置 |
| JP2016219846A (ja) * | 2013-12-26 | 2016-12-22 | インテル コーポレイション | 可撓性マイクロ電子アセンブリ及び方法 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP7346289A patent/JPH02251160A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363041A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-12-15 | Nec Corp | フィルムキャリア型半導体装置 |
| JP2016219846A (ja) * | 2013-12-26 | 2016-12-22 | インテル コーポレイション | 可撓性マイクロ電子アセンブリ及び方法 |
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