JPH0225025A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0225025A JPH0225025A JP88172675A JP17267588A JPH0225025A JP H0225025 A JPH0225025 A JP H0225025A JP 88172675 A JP88172675 A JP 88172675A JP 17267588 A JP17267588 A JP 17267588A JP H0225025 A JPH0225025 A JP H0225025A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
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- B22F3/1258—Container manufacturing
- B22F3/1266—Container manufacturing by coating or sealing the surface of the preformed article, e.g. by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6587—Influencing the atmosphere by vaporising a solid material, e.g. by using a burying of sacrificial powder
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置の製造方法として用いられる絶
縁膜のドライエツチング方法に係り、特に絶縁膜の側壁
を斜面にエツチングする方法に関するものである。
縁膜のドライエツチング方法に係り、特に絶縁膜の側壁
を斜面にエツチングする方法に関するものである。
（従来の技術）
半導体装置の製造方法において、絶縁膜の側壁を斜面に
ドライエツチングする方法の代表的な例としでは、コン
タクトホールに傾斜した形状を得る工程がある。その工
程の従来例は第４図に示す通りである。
ドライエツチングする方法の代表的な例としでは、コン
タクトホールに傾斜した形状を得る工程がある。その工
程の従来例は第４図に示す通りである。
すなわち、まず第４図（ａｌに示すように、シリコン基
板１上に酸化膜２を形成し、さらにその上に、内壁がオ
ーバーハング形状の開口部３を有するレジストパターン
４を形成する。
板１上に酸化膜２を形成し、さらにその上に、内壁がオ
ーバーハング形状の開口部３を有するレジストパターン
４を形成する。
次に、第４図（ｂｌに示すように、レジストパターン４
をマスクとして反応性イオンエツチングで酸化Ｍ２をド
ライエツチングし、開口部３に対応してコンタクトホー
ル５を形成する。その後、レジストパターン４を除去す
る。
をマスクとして反応性イオンエツチングで酸化Ｍ２をド
ライエツチングし、開口部３に対応してコンタクトホー
ル５を形成する。その後、レジストパターン４を除去す
る。
この工程では、レジストパターン４の開口部３内壁をオ
ーバーハング形状としたので、反応活性種の入射角度が
広がり、コンタクトホール５に傾斜した形状が得られた
。
ーバーハング形状としたので、反応活性種の入射角度が
広がり、コンタクトホール５に傾斜した形状が得られた
。
（発明が解決しようとする４１題）
しかしながら、前述の従来方法においては、コンタクト
ホール５の傾斜角度は、レジストパターン４の開口部３
の内壁オーバーハング形状に依存するため、該オーバー
ハング形状の形成が不安定であると、コンタクトホール
５の傾斜角度（絶縁膜側壁斜面の傾斜角度）も安定した
ものが得られないという問題点があった。
ホール５の傾斜角度は、レジストパターン４の開口部３
の内壁オーバーハング形状に依存するため、該オーバー
ハング形状の形成が不安定であると、コンタクトホール
５の傾斜角度（絶縁膜側壁斜面の傾斜角度）も安定した
ものが得られないという問題点があった。
この発明は、以上述べたマスクの側壁オーバーハング形
状に絶縁膜のエツチング側壁斜面の傾斜角度が依存して
安定性に難があるという問題点を除去し、絶縁膜の側壁
斜面を所望の傾斜角度に安定して制御できるドライエツ
チング方法を提供することを目的とする。
状に絶縁膜のエツチング側壁斜面の傾斜角度が依存して
安定性に難があるという問題点を除去し、絶縁膜の側壁
斜面を所望の傾斜角度に安定して制御できるドライエツ
チング方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明では、半導体基板上に形成した絶縁股上に、側
壁がオーバーハング形状のマスクを形成し、このマスク
をマスクとして反応性イオンエツチングで絶縁膜をエツ
チングし、その際、エツチングガス圧の制御により、絶
縁膜のエッチング側壁を所望の傾斜角度の斜面とする。
壁がオーバーハング形状のマスクを形成し、このマスク
をマスクとして反応性イオンエツチングで絶縁膜をエツ
チングし、その際、エツチングガス圧の制御により、絶
縁膜のエッチング側壁を所望の傾斜角度の斜面とする。
（作 用）
反応性イオンエツチングにおいて、エツチングガス圧（
エツチングチャンバー内の圧力）を高くすると、反応活
性種の入射角度が広がり、絶縁膜のエツチング側壁に斜
面を得ることができる。この時、絶縁膜の側壁斜面の傾
斜角度は、エツチングガス圧に対応して安定して制御さ
れる。
エツチングチャンバー内の圧力）を高くすると、反応活
性種の入射角度が広がり、絶縁膜のエツチング側壁に斜
面を得ることができる。この時、絶縁膜の側壁斜面の傾
斜角度は、エツチングガス圧に対応して安定して制御さ
れる。
（実施例）
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例を示し、シリコン基板
上の酸化膜に傾斜した形状のコンタクトホールを形成す
る場合である。
上の酸化膜に傾斜した形状のコンタクトホールを形成す
る場合である。
まず第１図（ａｌに示すように、シリコン基板１１上に
形成された酸化膜１２上に、内壁がオーバーハング形状
の開口部１３を有するレジストパターン１４を形成する
。このレジストパターンエ４は、ノボラックのナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステル（ＬＭＲ−ＵＶ）を３
０Ｈｔ％メチルセルソルフアセテートに溶解して、スピ
ンコーティングにより基板１１上の酸化膜１２上に１．
２μ厚の皮膜としてコーティングし、水銀ランプ（４３
６ｎｍ）を光源とする１１５縮小投影型アライナ−で露
光を行い（露光１２００ ｍＪ／ａｊ）、専用現像液を
用いて液温２４℃で１００秒間現像を行うことにより、
得ることができる。
形成された酸化膜１２上に、内壁がオーバーハング形状
の開口部１３を有するレジストパターン１４を形成する
。このレジストパターンエ４は、ノボラックのナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステル（ＬＭＲ−ＵＶ）を３
０Ｈｔ％メチルセルソルフアセテートに溶解して、スピ
ンコーティングにより基板１１上の酸化膜１２上に１．
２μ厚の皮膜としてコーティングし、水銀ランプ（４３
６ｎｍ）を光源とする１１５縮小投影型アライナ−で露
光を行い（露光１２００ ｍＪ／ａｊ）、専用現像液を
用いて液温２４℃で１００秒間現像を行うことにより、
得ることができる。
次に、そのレジストパターン１４をマスクとして、反応
性イオンエツチング装置を用いて、酸化膜１２のエツチ
ングを行う。
性イオンエツチング装置を用いて、酸化膜１２のエツチ
ングを行う。
ここで、高周波電力１．７ ＫＷ、エツチングガス圧５
Ｑｔａｔｏｒｒ 、気体流ｊｉｃＨＦｓ ： １００
ＳＣＣＭ、 ｏｘ ： １２ｓｃｃＦＩの条件におい
てエツチングを行うと、この時はエツチングガス圧（エ
ツチングチャンバー内の圧力）が低いため、反応性活性
種がすべて入射角Ｏ゛に近い値であり、その結果として
第２図に示すように垂直にエツチングされたコンタクト
ホール１５が酸化膜１２に形成される。
Ｑｔａｔｏｒｒ 、気体流ｊｉｃＨＦｓ ： １００
ＳＣＣＭ、 ｏｘ ： １２ｓｃｃＦＩの条件におい
てエツチングを行うと、この時はエツチングガス圧（エ
ツチングチャンバー内の圧力）が低いため、反応性活性
種がすべて入射角Ｏ゛に近い値であり、その結果として
第２図に示すように垂直にエツチングされたコンタクト
ホール１５が酸化膜１２に形成される。
これに対して、この実施例では、上記エツチング条件の
うち、エツチングガス圧のみをＬｏｏｆｉｔｏｒｒに高
めてエツチングを行う、すると、ガス圧が大きくなった
ため、反応性活性種の入射角度が広くなり、第１図（ｂ
ｌに示すように、内壁が傾斜した形状のコンタクトホー
ル１５が酸化膜１２に形成される。この時、コンタクト
ホール１５の傾斜角度αはエツチングガス圧に対応して
安定して制御され、レジストパターン１４の開口部１３
内壁のオーバーハング角度βには関係なくなる。
うち、エツチングガス圧のみをＬｏｏｆｉｔｏｒｒに高
めてエツチングを行う、すると、ガス圧が大きくなった
ため、反応性活性種の入射角度が広くなり、第１図（ｂ
ｌに示すように、内壁が傾斜した形状のコンタクトホー
ル１５が酸化膜１２に形成される。この時、コンタクト
ホール１５の傾斜角度αはエツチングガス圧に対応して
安定して制御され、レジストパターン１４の開口部１３
内壁のオーバーハング角度βには関係なくなる。
したがって、第３図のこの発明の第２の実施例のように
、レジストパターン１４の開口部１３内壁のオーバーハ
ング角度βが第１の実施例の場合よりも大きくても、第
１の実施例と同様にエツチングガス圧１０ （ｌｓｔｏ
ｒｒでエツチングを行うことにより、第３図（ｂｌに示
すように、第１の実施例の場合と同等の傾斜角度αを有
するコンタクトホール１５を形成することができる。
、レジストパターン１４の開口部１３内壁のオーバーハ
ング角度βが第１の実施例の場合よりも大きくても、第
１の実施例と同様にエツチングガス圧１０ （ｌｓｔｏ
ｒｒでエツチングを行うことにより、第３図（ｂｌに示
すように、第１の実施例の場合と同等の傾斜角度αを有
するコンタクトホール１５を形成することができる。
コンタクトホールの１頃斜角度とエツチングガス圧の関
係を以下数値で具体的に示す。ここでは、ＢＰＳＧ膜６
０００人上に、内壁がオーバーハング形状の開口部（開
口部上部寸法１．１μ、下部寸法１．６μ）を有するレ
ジストパターンを形成して反応性イオンエツチングを行
った。ガス圧６００ｍ Ｌｏｒｒにおいては、傾斜角α
−６７°のコンタクトホールが得られた。この時、コン
タクトホールの下部寸法はレジストパターンの開口部上
部寸法と一致し、コンタクトホールの上部寸法はレジス
トパターンの開口部下部寸法と一致する。
係を以下数値で具体的に示す。ここでは、ＢＰＳＧ膜６
０００人上に、内壁がオーバーハング形状の開口部（開
口部上部寸法１．１μ、下部寸法１．６μ）を有するレ
ジストパターンを形成して反応性イオンエツチングを行
った。ガス圧６００ｍ Ｌｏｒｒにおいては、傾斜角α
−６７°のコンタクトホールが得られた。この時、コン
タクトホールの下部寸法はレジストパターンの開口部上
部寸法と一致し、コンタクトホールの上部寸法はレジス
トパターンの開口部下部寸法と一致する。
これに対して、ガス圧１２０ｍｔｏｒｒでは、傾斜角α
＝７６°でコンタクトホールが得られた。この時、コン
タクトホールの下部寸法は、６００ｍ ｔｏｒｒの場合
と同様にレジストパターンの開口部上部寸法に一致する
が、コンタクトホール上部寸法は、レジストパターンの
開口部下部寸法より小さく、１．４μとなる。
＝７６°でコンタクトホールが得られた。この時、コン
タクトホールの下部寸法は、６００ｍ ｔｏｒｒの場合
と同様にレジストパターンの開口部上部寸法に一致する
が、コンタクトホール上部寸法は、レジストパターンの
開口部下部寸法より小さく、１．４μとなる。
また、参考までにガス圧４５ｍｔｏｒｒでは、傾斜のな
い垂直のコンタクトホールが得られ、コンタクトホール
の下部、上部寸法は、レジストパターンの開口部上部寸
法と一致する。
い垂直のコンタクトホールが得られ、コンタクトホール
の下部、上部寸法は、レジストパターンの開口部上部寸
法と一致する。
なお、以上は、傾斜した形状のコンタクトホールを形成
する場合であるが、この発明は、その他の絶縁膜斜面エ
ツチング形成法として利用できることは勿論である。
する場合であるが、この発明は、その他の絶縁膜斜面エ
ツチング形成法として利用できることは勿論である。
（発明の効果）
以上詳述したように、この発明のドライエツチング方法
によれば、エツチングガス圧（エツチングチャンバー内
の圧力）の制御により絶縁膜のエツチング側壁を斜面と
したから、エツチングガス圧に対応して前記斜面の傾斜
角度を安定して制御することができる。
によれば、エツチングガス圧（エツチングチャンバー内
の圧力）の制御により絶縁膜のエツチング側壁を斜面と
したから、エツチングガス圧に対応して前記斜面の傾斜
角度を安定して制御することができる。
第１図はこの発明のドライエツチング方法の第１の実施
例を示す工程断面図、第２図は比較例を示す断面図、第
３図はこの発明の第２の実施例を示す工程断面図、第４
図は従来のコンタクトホール形成工程を示す工程断面図
である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・酸化膜、１３・・
・開口部、１４・・・レジストパターン、１５・・・コ
ンタクトホール。 ネ売Ｂ月の第；芙１乞例 第１図 化 学５１イダ１１ 第２図 オｐた日月の第２英が已り”暮Ｉ 第３図
例を示す工程断面図、第２図は比較例を示す断面図、第
３図はこの発明の第２の実施例を示す工程断面図、第４
図は従来のコンタクトホール形成工程を示す工程断面図
である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・酸化膜、１３・・
・開口部、１４・・・レジストパターン、１５・・・コ
ンタクトホール。 ネ売Ｂ月の第；芙１乞例 第１図 化 学５１イダ１１ 第２図 オｐた日月の第２英が已り”暮Ｉ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体基板上に形成した絶縁膜上に、側壁がオー
バーハング形状のマスクを形成し、 （ｂ）このマスクをマスクとして反応性イオンエッチン
グで絶縁膜をエッチングし、 （ｃ）その際、エッチングガス圧の制御により、絶縁膜
のエッチング側壁を所望の傾斜角度の斜面とするドライ
エッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88172675A JPH0225025A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-13 | ドライエッチング方法 |
| US07/380,066 US4935199A (en) | 1988-07-14 | 1989-07-14 | Process for producing high density sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88172675A JPH0225025A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-13 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225025A true JPH0225025A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15946285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP88172675A Pending JPH0225025A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-13 | ドライエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4935199A (ja) |
| JP (1) | JPH0225025A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5114749A (en) * | 1989-08-01 | 1992-05-19 | Nkk Corporation | Method for manufacturing carbon material having good resistance to oxidation by coating the carbon material with an inorganic polysilazane and then heating |
| JP3596910B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2004-12-02 | 新原 ▲晧▼一 | セラミックス多孔体及びその製造方法 |
| US5364586A (en) * | 1993-08-17 | 1994-11-15 | Ultram International L.L.C. | Process for the production of porous membranes |
| US5628938A (en) * | 1994-11-18 | 1997-05-13 | General Electric Company | Method of making a ceramic composite by infiltration of a ceramic preform |
| NL1007456C2 (nl) * | 1997-11-05 | 1999-05-07 | Tno | Werkwijze voor het vervaardigen van holle vezelmembranen voor microfiltratie, ultrafiltratie of gasscheiding. |
| US7604678B2 (en) * | 2004-08-12 | 2009-10-20 | Hoeganaes Corporation | Powder metallurgical compositions containing organometallic lubricants |
| BRPI0516621A (pt) * | 2004-10-19 | 2008-09-16 | Valspar Sourcing Inc | composição de revestimento, artigo, e, método de revestir um substrato |
| KR102318231B1 (ko) * | 2015-01-29 | 2021-10-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 무기충전재, 이를 포함하는 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 방열 기판 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1523571A (en) * | 1977-02-07 | 1978-09-06 | Chloride Silent Power Ltd | Production of beta-alumina ceramic articles |
| US4427785A (en) * | 1982-05-25 | 1984-01-24 | General Electric Company | Optically translucent ceramic |
| US4502983A (en) * | 1983-06-28 | 1985-03-05 | Mamoru Omori | Composite silicon carbide sintered shapes and its manufacture |
| DE3511457A1 (de) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren und vorrichtungen zur herstellung von glaskoerpern |
| US4657754A (en) * | 1985-11-21 | 1987-04-14 | Norton Company | Aluminum oxide powders and process |
| US4840763A (en) * | 1987-08-06 | 1989-06-20 | Ltv Aerospace And Defense Company | Method for the production of reinforced composites |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP88172675A patent/JPH0225025A/ja active Pending
-
1989
- 1989-07-14 US US07/380,066 patent/US4935199A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4935199A (en) | 1990-06-19 |
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