JPH02248088A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPH02248088A JPH02248088A JP1069502A JP6950289A JPH02248088A JP H02248088 A JPH02248088 A JP H02248088A JP 1069502 A JP1069502 A JP 1069502A JP 6950289 A JP6950289 A JP 6950289A JP H02248088 A JPH02248088 A JP H02248088A
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- JP
- Japan
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- magnetoresistive element
- resistor
- output
- magnetic field
- bridge
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- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、回転の検出ならびに微小長さ及び微小角度の
測定に使用される磁気抵抗素子に関し、特にバーバーポ
ール型の抵抗体により構成される磁気抵抗素子に関する
。
測定に使用される磁気抵抗素子に関し、特にバーバーポ
ール型の抵抗体により構成される磁気抵抗素子に関する
。
（従来の技術）
一般に、この種の磁気抵抗素子は、磁気信号に対し感磁
界感度が非常に優れているから、回転検出、微小長さの
測定、微小角度の測定を高い精度で行うための位置検出
用素子としてロータリーエンコーダー、リニアエンコー
ダー等に応用されている。−層の高感度化の要求に対応
するなめに、強磁性薄膜によって構成される抵抗ストラ
イプに短冊状シールドを並置した構造の磁気抵抗素子が
特開昭５６−３４１３４号、特開昭５７−７５４１６号
等で開示されている。また例えば、特公昭５４−４１３
３５号のように繰り返し磁気信号を発生する磁気記録媒
体から有限め距離を隔てた位置に磁気抵抗素子を直列に
接続し、接続部より出力を得るものがある。
界感度が非常に優れているから、回転検出、微小長さの
測定、微小角度の測定を高い精度で行うための位置検出
用素子としてロータリーエンコーダー、リニアエンコー
ダー等に応用されている。−層の高感度化の要求に対応
するなめに、強磁性薄膜によって構成される抵抗ストラ
イプに短冊状シールドを並置した構造の磁気抵抗素子が
特開昭５６−３４１３４号、特開昭５７−７５４１６号
等で開示されている。また例えば、特公昭５４−４１３
３５号のように繰り返し磁気信号を発生する磁気記録媒
体から有限め距離を隔てた位置に磁気抵抗素子を直列に
接続し、接続部より出力を得るものがある。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の磁気抵抗素子には、磁界零付近の０Ｎ−
ＯＦＦ、あるいは磁界の向きの変化に対しての反応が鈍
いという欠点があった。４５°方向にバイアス磁場を印
加する方法もあったが、この方法ではΔＲ／ΔＨの値が
大きくなる一方で、抵抗変化率の絶対値ΔＲ／ Ｒｏの
値が小さくなり、この従来方法にも欠点があった。
ＯＦＦ、あるいは磁界の向きの変化に対しての反応が鈍
いという欠点があった。４５°方向にバイアス磁場を印
加する方法もあったが、この方法ではΔＲ／ΔＨの値が
大きくなる一方で、抵抗変化率の絶対値ΔＲ／ Ｒｏの
値が小さくなり、この従来方法にも欠点があった。
（課題を解決するための手段）
前述の課題を解決するために本発明が提供する手段は、
強磁性体★膜薄膜で抵抗体が形成されている磁気抵抗素
子であって、水平方向に対し４５°の角をなし配置され
るバーバーポール型の抵抗体を複数本用いることによっ
てブリッジを構成し、該ブリッジの両端に入力端子およ
び接地端子を設け、該ブリッジにおける抵抗体相互の直
列接続部に出力端子を設けたことを特徴とする。
強磁性体★膜薄膜で抵抗体が形成されている磁気抵抗素
子であって、水平方向に対し４５°の角をなし配置され
るバーバーポール型の抵抗体を複数本用いることによっ
てブリッジを構成し、該ブリッジの両端に入力端子およ
び接地端子を設け、該ブリッジにおける抵抗体相互の直
列接続部に出力端子を設けたことを特徴とする。
（実施例）
次に実施例を挙げ、本発明を一層詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図実施例における抵抗ストライプと絶縁層との主体交叉
構造を切り出して示す斜視図である０図において、１は
バーバーポール磁気抵抗素子、２は抵抗ストライプ、３
は絶縁層である。本実施例においては、複数の抵抗スト
ライプ２が絶縁層３で隔てられて立体的に交叉すること
により、ブリッジが構成されている。
図実施例における抵抗ストライプと絶縁層との主体交叉
構造を切り出して示す斜視図である０図において、１は
バーバーポール磁気抵抗素子、２は抵抗ストライプ、３
は絶縁層である。本実施例においては、複数の抵抗スト
ライプ２が絶縁層３で隔てられて立体的に交叉すること
により、ブリッジが構成されている。
第３図は本発明の他の実施例を示す平面図である。この
実施例は連続折り返し型バーバーポール磁気抵抗素子で
ある。この実施例においても、複数の抵抗ストライプが
絶縁層で隔てられて立体的に交叉する構造が採用され、
ブリッジが形成されている。
実施例は連続折り返し型バーバーポール磁気抵抗素子で
ある。この実施例においても、複数の抵抗ストライプが
絶縁層で隔てられて立体的に交叉する構造が採用され、
ブリッジが形成されている。
第３図の磁気抵抗素子においては、各素子群は連続的に
折り返され、かつ繰り返し磁気信号や発生する磁気記録
媒体のＮ−３着磁とッチλに対し各素子群の中心間の距
離が（１／２±１／４ｎ）λとなるように配置されてい
る。
折り返され、かつ繰り返し磁気信号や発生する磁気記録
媒体のＮ−３着磁とッチλに対し各素子群の中心間の距
離が（１／２±１／４ｎ）λとなるように配置されてい
る。
また、第３図の磁気抵抗素子においては、水平に対して
４５°および１３５°の角度を有して配置される２本の
抵抗ストライプが、ＳｔｏｗあるいはＳｉＮ系等の絶縁
層を間に挟み立体的に交叉している。
４５°および１３５°の角度を有して配置される２本の
抵抗ストライプが、ＳｔｏｗあるいはＳｉＮ系等の絶縁
層を間に挟み立体的に交叉している。
第３図の磁気抵抗素子においては、交叉している複数の
素子群が直列に連結され、その両端に入力および接地端
子を設け、かつ連結部には出力端子を設けである。この
第３図の磁気抵抗素子では、バイアス磁石を配置するこ
とによってより深いバイアスレベルを得ることができる
。
素子群が直列に連結され、その両端に入力および接地端
子を設け、かつ連結部には出力端子を設けである。この
第３図の磁気抵抗素子では、バイアス磁石を配置するこ
とによってより深いバイアスレベルを得ることができる
。
第４図は技術誌ｒｌＥＥＥ ＴＲＡＮＳ、 ＭＡＧ
、Ｖｏｌ、ＭＡＧ−１３Ｎｏ、５，１９７７、バーバー
ポール型磁気抵抗素子」に掲載されている磁気抵抗素子
の部分平面図であり、第３図の実施例との対比でここに
参考として掲げる０本図において、５は抵抗ストライプ
を示し、１０は導体を示す。
、Ｖｏｌ、ＭＡＧ−１３Ｎｏ、５，１９７７、バーバー
ポール型磁気抵抗素子」に掲載されている磁気抵抗素子
の部分平面図であり、第３図の実施例との対比でここに
参考として掲げる０本図において、５は抵抗ストライプ
を示し、１０は導体を示す。
第５図（ａ＞は磁気抵抗素子における一般的なＲ−Ｈ特
性を示す図であり、第５図（ｂ）はそのＲ−Ｈ特性にお
ける出力波形を示す図である。同図（ｂ）の波形６は同
図（ａ）のＡ点における出力波形、即ちバイアス磁場が
００ときの出力波形を示す、また波形７は同図（ａ）の
Ｂ点における出力波形、即ち磁界Ｈにバイアスを設定し
たときの出力波形を示す、第５図から分るようにバイア
ス磁場を印加することにより、Ｒ−Ｈ曲線においてＨと
Ｒとが直線的な関係にある領域が増える。
性を示す図であり、第５図（ｂ）はそのＲ−Ｈ特性にお
ける出力波形を示す図である。同図（ｂ）の波形６は同
図（ａ）のＡ点における出力波形、即ちバイアス磁場が
００ときの出力波形を示す、また波形７は同図（ａ）の
Ｂ点における出力波形、即ち磁界Ｈにバイアスを設定し
たときの出力波形を示す、第５図から分るようにバイア
ス磁場を印加することにより、Ｒ−Ｈ曲線においてＨと
Ｒとが直線的な関係にある領域が増える。
特に４５°方向にバイアスされた状態では、第５図（ａ
）におけるＨ点が縦軸に一致し、磁場Ｈ＝０のときに傾
きが最大の曲線となる。
）におけるＨ点が縦軸に一致し、磁場Ｈ＝０のときに傾
きが最大の曲線となる。
第６図は第４図の構造の磁気抵抗素子における出力波形
を示す図、第７図は本発明の実施例、即ち第１図および
第３図の構造の磁気抵抗素子における出力波形を示す図
である。
を示す図、第７図は本発明の実施例、即ち第１図および
第３図の構造の磁気抵抗素子における出力波形を示す図
である。
（発明の効果）
以上に説明したように、本発明では、バーバーポール型
の構造を有する複数本の磁気抵抗ストライプを組み合わ
せてブリッジ回路を構成する構造が採用されている。こ
のような構造を採用すればＲ−Ｈ曲線のＲ軸すなわちＨ
＝ＯにおけるｄＲ／ｄＨの値を最大に設定することによ
って、磁場の０Ｎ−ＯＦＦに対して敏感でかつ出力波形
も滑らかで、加えて出力の絶対値も大きな磁気抵抗素子
を作成できる。
の構造を有する複数本の磁気抵抗ストライプを組み合わ
せてブリッジ回路を構成する構造が採用されている。こ
のような構造を採用すればＲ−Ｈ曲線のＲ軸すなわちＨ
＝ＯにおけるｄＲ／ｄＨの値を最大に設定することによ
って、磁場の０Ｎ−ＯＦＦに対して敏感でかつ出力波形
も滑らかで、加えて出力の絶対値も大きな磁気抵抗素子
を作成できる。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図実施例における抵抗ストライプと絶縁層との立体交叉
構造を切り出して示す斜視図、第３図は本発明の他の実
施例を示す平面図、第４図は従来の磁気抵抗素子の例を
示す部分平面図、第５図（ａ）は磁気抵抗素子のＲ−Ｈ
特性を示す図、第５図（ｂ）は同図（ａ）に示す特性の
磁気抵抗素子の出力波形図、第６図は第４図に示す構造
の磁気抵抗素子の出力波形図、第７図は第１図および第
３図に示す本発明の実施例で得られる出力の波形図であ
る。 １・・・直線型交叉バーバーポール磁気抵抗素子、２・
・・抵抗ストライプ、３・・・絶縁層、４・・・連続折
り返し型バーバーポール磁気抵抗素子、５・・・ＩＥＥ
Ｅ ＴＲＡＮＳ、に掲載された磁気抵抗素子、１０・
・・導体。
図実施例における抵抗ストライプと絶縁層との立体交叉
構造を切り出して示す斜視図、第３図は本発明の他の実
施例を示す平面図、第４図は従来の磁気抵抗素子の例を
示す部分平面図、第５図（ａ）は磁気抵抗素子のＲ−Ｈ
特性を示す図、第５図（ｂ）は同図（ａ）に示す特性の
磁気抵抗素子の出力波形図、第６図は第４図に示す構造
の磁気抵抗素子の出力波形図、第７図は第１図および第
３図に示す本発明の実施例で得られる出力の波形図であ
る。 １・・・直線型交叉バーバーポール磁気抵抗素子、２・
・・抵抗ストライプ、３・・・絶縁層、４・・・連続折
り返し型バーバーポール磁気抵抗素子、５・・・ＩＥＥ
Ｅ ＴＲＡＮＳ、に掲載された磁気抵抗素子、１０・
・・導体。
Claims (4)
- （１）強磁性体金属薄膜で抵抗体が形成されている磁気
抵抗素子において、水平方向に対し４５゜の角をなし配
置されるバーバーポール型の抵抗体を複数本用いること
によってブリッジを構成し、該ブリッジの両端に入力端
子および接地端子を設け、該ブリッジにおける抵抗体相
互の直列接続部に出力端子を設けたことを特徴とする磁
気抵抗素子。 - （２）各々の抵抗体がそれぞれ連続的に折り返されて成
ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子。 - （３）各々の抵抗体がそれぞれ連続的に折り返され、該
折り返しのパターンを構成する抵抗はそれぞれ略平行に
配置され、かつ折り返し部はＡｕ等の導体で形成されて
いて折り返し部の抵抗値が略零であることを特徴とする
請求項１記載の磁気抵抗素子。 - （４）各抵抗体の両側に高透磁率の磁性体薄膜を配置し
たことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069502A JPH02248088A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069502A JPH02248088A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248088A true JPH02248088A (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=13404571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1069502A Pending JPH02248088A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02248088A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750863B2 (ja) * | 1973-09-28 | 1982-10-29 | ||
| JPS6422076A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistance element |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1069502A patent/JPH02248088A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750863B2 (ja) * | 1973-09-28 | 1982-10-29 | ||
| JPS6422076A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistance element |
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