JPH02248075A - 密着型イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 童業上の利用分野 本発明は、ファクシミリやディジタル複写機などの画像
入力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するも
のである。

従来の技術 近年、ファクシミリやディジタル複写機などの画像入力
装置に用いられる密着型イメージセンサには、ＣＯＤ、
ＭＯＳ、バイポーラｒＣ型等の単結晶シリコンから成る
半導体イメージセンサチップを用いるものがある。

以下、図面を参照しながら、上述した従来の半導体イメ
ージセンサチップを用いた密着型イメージセンサの一例
について説明する。

第３図、第４図は従来の半導体イメージセンサチップを
用いた密着型イメージセンサを示すものである。第３図
、第４図に示す様に、従来では、アｔｖミナからなる基
板１０表面に、ムＵ及び五ｇ系等の貴金属により所望す
る回路導体層２を形成するとともに、半導体イメージセ
ンサチップ３を複数個高精度に配列して、これをエポキ
シ系やシアノクリルレート系の熱硬化型接着剤４により
接着・固定していた。さらに、半導体イメージセンサチ
ップ３の電極端子と回路導体層２は、金属細線６で電気
的接続していた。然る後、透光性のガラスでつくられた
封止用専用容器６を被せて熱硬化型接着剤Ｔでアルミナ
基板１上に接着・固定してい友。

この様な実装構成において、集束性ロッドレンズアレイ
を通過させた原稿の光情報８を、半導体イメージセンサ
チップ３表面の受光部に結像させて、原稿を読み取って
いた。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の様な構成では、アルミナ製の基板１
上にガラスでつくられた封止用専用容器６を熱硬化型接
着剤７を用いて加熱接着した際、両者の線熱膨張率等の
熱特性の不整合により、基板１に反りが発生する。これ
は、接着が高温環境下で行われるからであシ、基板１や
封止用専用容器６は熱膨張した状態で接着するので、両
者の膨張度合いが異なることによりバイメタルの様に反
シを発生する事となる。この時の反りの発生方向は、主
に線熱膨張率の大きさによって決定し、線熱膨張率が小
さい方を凸として反る。すなわち、第６図に示す様に、
基板１０線熱膨張率が大きい場合は■の様になシ、逆に
封止用専用容器６の方が大きい場合は＠の様になる。

ところで上述のごとく、密着型イメージセンサは、原稿
の光情報を集束性ロッドレンズアレイを通して半導体イ
メージセンサチップ３の表面の受光部に結像させ電気信
号に変換する方式であるので、全受光部間での平面精度
が必要となる。この精度はレンズ等の性能より±ｏ、１
ｍｍ以内である。

したがって、基板１０反シが発生すると、全受光部間の
平面精度も悪くなり、原稿の光情報が受光部上に結像し
なくなり、全受光部間においての読み増りの不均一性や
、ＭＴＦ　（ＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＴｒａｎｓｆｅｒ　
Ｆｕｎｃｔｉｏｎ　）の劣化の原因となる。また反シの
度合いは、基板１や封止用専用容器６及びその界面の接
着剤７に蓄積される内部応力に比例してくるので、反り
度合いが大きいと蓄積内部応力も大きくなシ、耐湿性や
剛性を劣化させる。

場合によっては、基板１上の回路導体層２部の断線や基
板１、封止用専用容器６のクラック等を引き起こす事も
ある。特に、反り度合いや蓄積内部応力は大型になる程
大きく、ム３判よシ大きいブイズの密着型イメージセン
サ作製が困難な要因となっている。

この様に、従来例では、熱硬化型接着剤７にて熱特性の
異なる基板１と封止用専用容器６を加熱接着していたの
で、読み取り品質や信頼性を低下させるという問題点を
有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、基板の反シ及び内部応力を
低減し、高品質な読み取シが可能で、信頼性に優れた密
着型イメージセンサを提供する事を目的とする。

課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の密着型イメージセン
サは、半導体イメージセンサチップラ実装する基板の材
質と封止用専用容器の材質を同一にしたものである。

作用 本発明は上記した構成によって、密着をイメージセンサ
の基板上に封止用専用容器を接着剤で固定した際、両者
の熱特性が等しいので、高温環境下で接着時の基板と封
止用専用容器の膨張度合いが等しく、基板の反シ及び基
板、封止用専用容器。

熱硬化型接着剤に蓄えられる内部応力を低減する事がで
きる。

実施例 以下本発明の一実施例の密着型イメージセンサについて
、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施
例における密着型イメージセンサの斜視図、第２図にそ
の要部断面図を示すものである。第１図、第２図におい
て、２１は透光性を有するガラスよりなる基板、２２は
回路導体層、２３は半導体イメージセンサチップ、２４
　、２７は熱硬化型接着剤、２５は金属細線、２６は基
板２１と同じガラスでつくられた封止用専用容器である
。

以上の様に構成された密着型イメージセンサについて、
以下その作製方法を説明する。

透光性のガラスよりなる基板２１０表面に、回路導体層
２２を形成し、この基板２１上に、所定の位置に所定の
膜厚の熱硬化型接着剤２４を塗布する。この上に、高精
度切断加工した半導体装置−ジセンサチップ２３を複数
個高精度に配列して、加熱し接着・固定する。それから
各半導体イメージセンサチップ２３の電極端子と回路導
体層２２をムＵ等の金属細線２５で電気的に接続する。

然る後、基板２１と同じガラス材でつくられた封止用専
用容器２６を被せ、熱硬化型接着２．７で基板２１上に
接着・固定し、封止する。この様にして本実施例の密着
型イメージセンサを作製する。

以上の様に本実施例によれば、基板２１上に封止用専用
容器２６を加熱接着した際、両者が同一のガラス材であ
るので、線熱膨張率等の熱特性が等しく、基板２１０反
り及び基板２１．熱硬化型接着剤２４．封止用専用容器
２６に蓄積される内部応力を低減させる事ができる。な
お２８は原稿の光情報である。

発明の効果 以上の様に本発明は、基板の基板材とその上に加熱接着
する封止用専用容器の材質を同一なものとする事により
、熱特性が等しく温度に対する両者の整合がとれる。従
って、基板と封止用専用容器を加熱接着した際の反シ及
び蓄積される内部応力を低減する事ができ、大型の密着
型イメージセンサにおいても高品質な読み取り性能をも
ち、信頼性も優れた密着型イメージセンサが実現できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における密着型イメージセン
サの斜視図、第２図は第１図の要部断面図、第３図は従
来の密着型イメージセンサの斜視図、第４図は第３図の
要部断面図、第５図（ａ）　、　（１））は基板と封止
用専用容器の線熱膨張率と反り方向の関係を示す正面図
である。 ２１・・・・・・基板、２．２２・・・・・・回路導体
層、２３・・・・・半導体イメージセンサチップ、２４
　、２７・・・・・熱硬化型接着剤、２６・・・・・・
金属細線、２６・・・・・・封止用専用容器、２８・・
・・・・原稿の光情報。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名ぐっ 派

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に設けた半導体イメージセンサチップを、
   この基板上に接着剤で接着して設けた封止用専用容器で
   封止するとともに、前記基板と封止用専用容器の材質を
   同一とした密着型イメージセンサ。
2. （２）基板と封止用専用容器に透光性を有する材質を用
   いた請求項１に記載の密着型イメージセンサ。
3. （３）基板と封止用専用容器にガラス材を用いた請求項
   ２に記載の密着型イメージセンサ。