JPS604254A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS604254A JPS604254A JP58112174A JP11217483A JPS604254A JP S604254 A JPS604254 A JP S604254A JP 58112174 A JP58112174 A JP 58112174A JP 11217483 A JP11217483 A JP 11217483A JP S604254 A JPS604254 A JP S604254A
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- image sensor
- glass plate
- photoelectric conversion
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- transparent resin
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Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は、ファクシミリ装置、走査型複写機、ＯＣＲ装
置等における原稿の読み取りに用いられるイメージセン
サに関する。
置等における原稿の読み取りに用いられるイメージセン
サに関する。
従来より、ファクシミリ装置、走査型複写機、ＯＣＲ装
置等における原稿面上の画像読み取り手段として、球面
レンズ系と組み合わせたｃｃＤあるいはＭＯＳ型等のＩ
Ｃイメージセンサが多く用いられていたが、最近では装
置の小型化とメインテナンスフリーに有利な、いわゆる
密着型イメージセンサが注目されるようになり、その開
発が盛んとなっている。密着型イメージセンサは原稿幅
と同寸法の読み取り幅を得る必要があるために、基板上
に光電変換素子として複数個のＣＯＤ等のＩＣイメージ
センサチップを実装したもの、基板上に原稿幅と同寸法
の光導電薄膜あるいはアモルファスシリコン膜を設けた
もの等が開発されている。
置等における原稿面上の画像読み取り手段として、球面
レンズ系と組み合わせたｃｃＤあるいはＭＯＳ型等のＩ
Ｃイメージセンサが多く用いられていたが、最近では装
置の小型化とメインテナンスフリーに有利な、いわゆる
密着型イメージセンサが注目されるようになり、その開
発が盛んとなっている。密着型イメージセンサは原稿幅
と同寸法の読み取り幅を得る必要があるために、基板上
に光電変換素子として複数個のＣＯＤ等のＩＣイメージ
センサチップを実装したもの、基板上に原稿幅と同寸法
の光導電薄膜あるいはアモルファスシリコン膜を設けた
もの等が開発されている。
これらのイメージセンサは、いずれも外気と接触する状
態で使用していると性能劣下や不良を引き起こすことが
一般に知られており、信頼性を上げるうえで光電変換素
子を封止し外気と遮断する必要がある。
態で使用していると性能劣下や不良を引き起こすことが
一般に知られており、信頼性を上げるうえで光電変換素
子を封止し外気と遮断する必要がある。
第１図はＣＯＤ等を用いたＩＣイメージセンサにおける
封止構造の一例を示す断面図である。光電変換素子とし
てのＣ−ＣＤ 、イメージセンサチップ１はアルミナ基
板２上に実装され、透明ガラス板３とアルミナ基板２と
を低融点ガラスあるいはエポキシ等の樹脂４により接着
することで、イメージセンサチップ１の封止を行なって
いる。原稿面からの光信号Ａは透明ガラス板３を透過し
てＣＯＤイメージセンサデツプ１上に入射し、電気信号
に変換される。
封止構造の一例を示す断面図である。光電変換素子とし
てのＣ−ＣＤ 、イメージセンサチップ１はアルミナ基
板２上に実装され、透明ガラス板３とアルミナ基板２と
を低融点ガラスあるいはエポキシ等の樹脂４により接着
することで、イメージセンサチップ１の封止を行なって
いる。原稿面からの光信号Ａは透明ガラス板３を透過し
てＣＯＤイメージセンサデツプ１上に入射し、電気信号
に変換される。
しかしながら、この構造のイメージセンサの場合、ガラ
ス板３を接着するためにアルミナ基板２として図の如く
断面凹形のものを使用するが、このような形状の基板は
多数枚のアルミナ板を積層して製造されるために工程数
が多く、非常に高価なものとなる。ざらに凹形アルミナ
基板２の凹部の底面にイメージセンサチップ１を設ける
ので、チップ１が複数個の場合（密着型イメージセンサ
では長い読取り幅を得るために通常複数個のイメージセ
ンサチップが用いられる）高精度に実装することが困難
である。また光導電薄膜型あるいはアモルファスシリコ
ン膜形のイメージセンサにこの構造を応用すると、配線
パターンを形成することが困難となるという欠点がある
。
ス板３を接着するためにアルミナ基板２として図の如く
断面凹形のものを使用するが、このような形状の基板は
多数枚のアルミナ板を積層して製造されるために工程数
が多く、非常に高価なものとなる。ざらに凹形アルミナ
基板２の凹部の底面にイメージセンサチップ１を設ける
ので、チップ１が複数個の場合（密着型イメージセンサ
では長い読取り幅を得るために通常複数個のイメージセ
ンサチップが用いられる）高精度に実装することが困難
である。また光導電薄膜型あるいはアモルファスシリコ
ン膜形のイメージセンサにこの構造を応用すると、配線
パターンを形成することが困難となるという欠点がある
。
このような欠点を避けるため、第２図および第３図に示
すような透明樹脂による封止を用いたイメージセンサも
考えられている。第２図では、ＣＯＤイメージセンサチ
ップ１は平坦なアルミナ基板５上に実装されている。そ
してエポキシあるいはアクリル等の透明樹脂６でＣＯＤ
イメージセンサチップ１のまわりを覆うことにより、Ｃ
ＯＤイメージセンサチップ１を外気と遮断し封止を行な
っている。また第３図は、アルミナ基板５上に形成した
アモルファスシリコン膜８により光電変換を行なうイメ
ージセンサの例であり、第２図と同様に透明樹脂６でア
モルファスシリコン膜８のまわりを覆うことにより封止
を行なっている。
すような透明樹脂による封止を用いたイメージセンサも
考えられている。第２図では、ＣＯＤイメージセンサチ
ップ１は平坦なアルミナ基板５上に実装されている。そ
してエポキシあるいはアクリル等の透明樹脂６でＣＯＤ
イメージセンサチップ１のまわりを覆うことにより、Ｃ
ＯＤイメージセンサチップ１を外気と遮断し封止を行な
っている。また第３図は、アルミナ基板５上に形成した
アモルファスシリコン膜８により光電変換を行なうイメ
ージセンサの例であり、第２図と同様に透明樹脂６でア
モルファスシリコン膜８のまわりを覆うことにより封止
を行なっている。
ところが第２図およびに第３図に示した構造のイメージ
センサではいずれも、透明樹脂６の光信号Ａの入射面７
を光学研磨面あ−るいはそれと同等の面とする必要があ
るが、透明樹脂６の面加工が困難であり高価になること
と、透明樹脂６の外気に接する面積が大きいために気密
性が悪く不良を生じ易いという欠点がある。さらに通常
、透明樹脂６の熱膨張係数とアルミナ基板５の熱膨張係
数とが著しく異なるため、透明樹脂６を加熱硬化させた
ときに透明樹脂６およびにアルミナ基板５に反りが生じ
るという問題があった。
センサではいずれも、透明樹脂６の光信号Ａの入射面７
を光学研磨面あ−るいはそれと同等の面とする必要があ
るが、透明樹脂６の面加工が困難であり高価になること
と、透明樹脂６の外気に接する面積が大きいために気密
性が悪く不良を生じ易いという欠点がある。さらに通常
、透明樹脂６の熱膨張係数とアルミナ基板５の熱膨張係
数とが著しく異なるため、透明樹脂６を加熱硬化させた
ときに透明樹脂６およびにアルミナ基板５に反りが生じ
るという問題があった。
本発明の目的は、製造が容易かつ安価で、しかも反りな
どの機械的歪が生ぜず信頼性の高い封止ＩＭ 造を有す
るイメージセンサを提供することにある。
どの機械的歪が生ぜず信頼性の高い封止ＩＭ 造を有す
るイメージセンサを提供することにある。
本発明は、基板上に設けた光電変換素子の上方に透明ガ
ラス板を設置するとともに、基板および光電変換素子と
透明ガラス板どの間に透明樹脂を充填して、この透明樹
脂で光電変換素子のまわりを覆うことにより、光電変換
素子を外気と遮断し封止を行なうようにしたものである
。
ラス板を設置するとともに、基板および光電変換素子と
透明ガラス板どの間に透明樹脂を充填して、この透明樹
脂で光電変換素子のまわりを覆うことにより、光電変換
素子を外気と遮断し封止を行なうようにしたものである
。
本発明によれば、光電変換素子が設けられる基板は平坦
なものでよいので、光電変換素子として、例えばＣＯＤ
等の複数個のＩＣイメージセンサチップを実装する場合
、容易に高精度な実装を行なうことができ、また光導電
膜型やアモルファスシリコン膜帯のイメージセンサにお
いても容易に配線パターンを形成することができる。し
かも基板自体のコストも凹形の基板と比べて安価となる
。
なものでよいので、光電変換素子として、例えばＣＯＤ
等の複数個のＩＣイメージセンサチップを実装する場合
、容易に高精度な実装を行なうことができ、また光導電
膜型やアモルファスシリコン膜帯のイメージセンサにお
いても容易に配線パターンを形成することができる。し
かも基板自体のコストも凹形の基板と比べて安価となる
。
また、光信号の入射面はガラス板の表面であるため、特
に光学研磨面に加工する必毀もない。この場合、ガラス
板として熱膨張係数がアルミナ等の基板のそれにほぼ等
しい材料を使用することで、加熱硬化による反りを避け
ることができる。
に光学研磨面に加工する必毀もない。この場合、ガラス
板として熱膨張係数がアルミナ等の基板のそれにほぼ等
しい材料を使用することで、加熱硬化による反りを避け
ることができる。
さらにガラス板自体の気密性が優れていることと、気密
性の劣る透明樹脂が外気とふれる面積は基板とガラス板
との間のみで非常に小さいことがら、水分等の侵入は生
じにくく信頼性が著しく向上されるという利点がある。
性の劣る透明樹脂が外気とふれる面積は基板とガラス板
との間のみで非常に小さいことがら、水分等の侵入は生
じにくく信頼性が著しく向上されるという利点がある。
第４図は、本発明の一実施例に係るイメージセンサを示
すものである。光電変換素子としてのＣＯＤイメージセ
ンサチップ１１は平坦なアルミナ基板１２上に実装され
ている。このＣＯＤイメージセンサチップ１１の上方に
は透明ガラス板１３が置かれていおり、ＣＯＤイメージ
センサチップ１１およびアルミナ基板１２と、このガラ
ス板１３との間に透明樹脂１４が充填されている。
すものである。光電変換素子としてのＣＯＤイメージセ
ンサチップ１１は平坦なアルミナ基板１２上に実装され
ている。このＣＯＤイメージセンサチップ１１の上方に
は透明ガラス板１３が置かれていおり、ＣＯＤイメージ
センサチップ１１およびアルミナ基板１２と、このガラ
ス板１３との間に透明樹脂１４が充填されている。
透明樹脂１４の厚みは、ガラス板１３がＣＧ［）イメー
ジセンサチップ１１の配線としてのボンディングワイヤ
（図示せず）に触れない程度の厚さを必要とする。
ジセンサチップ１１の配線としてのボンディングワイヤ
（図示せず）に触れない程度の厚さを必要とする。
原稿面から反射される光信号Ａはガラス板１３および透
明樹脂１４を透過してＣＣ［）イメージセンサチップ１
１上に入射し、このイメージセンサチップ１１により電
気信号に変換され、画信号として取出される。このとき
の光信号への入射面１５はガラス板１３の表面であり、
この面は特別に光学研磨等の加工が行なわれていなくと
も光信号Ａはほとんど反射されることなくＣＯＤイメー
ジセンサチップ１１上に入射される。従って、得られる
画信号の歪み、Ｓ／Ｎ等は実用上問題ない。
明樹脂１４を透過してＣＣ［）イメージセンサチップ１
１上に入射し、このイメージセンサチップ１１により電
気信号に変換され、画信号として取出される。このとき
の光信号への入射面１５はガラス板１３の表面であり、
この面は特別に光学研磨等の加工が行なわれていなくと
も光信号Ａはほとんど反射されることなくＣＯＤイメー
ジセンサチップ１１上に入射される。従って、得られる
画信号の歪み、Ｓ／Ｎ等は実用上問題ない。
さらに、アルミナ基板１２の熱膨張係数と等しい熱膨張
係数のガラス板１３を使用したところ、透明樹脂１４を
カロ熱硬化しても基板１２およびガラス板１３に反りは
生じなかった。また、３Ｂ明樹脂１４が外気と接触して
いる部分（ま側面１６だ（〕であるために気密性に優れ
ており、Δ（等の１受入力（なグワイヤがないので、透
明ガラス板を基板１２【こほぼ密着することができ、特
【こ信頼１生の高０生］止を行なうことができる。
係数のガラス板１３を使用したところ、透明樹脂１４を
カロ熱硬化しても基板１２およびガラス板１３に反りは
生じなかった。また、３Ｂ明樹脂１４が外気と接触して
いる部分（ま側面１６だ（〕であるために気密性に優れ
ており、Δ（等の１受入力（なグワイヤがないので、透
明ガラス板を基板１２【こほぼ密着することができ、特
【こ信頼１生の高０生］止を行なうことができる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるもので１よなく、
例えば光電変換素子に番よ複数個のＣＯＤチップを組合
せて用いたもの、ある（＋）１よ光Ｓ電薄ＩＩＩ等を用
いることもできる。また、基４反【こ（まアルミナ基板
のほかガラス基板を用いることもできる。
例えば光電変換素子に番よ複数個のＣＯＤチップを組合
せて用いたもの、ある（＋）１よ光Ｓ電薄ＩＩＩ等を用
いることもできる。また、基４反【こ（まアルミナ基板
のほかガラス基板を用いることもできる。
さらに、第６図に示したような、透ｑ１脂１４の側面１
６のまわりを透明樹脂１４よりも気密性に優れている不
透明樹脂１８で覆ってさらに気曳封止効果を上げること
もできる。また７３＜ンデイングワイヤが触れないよう
に透明樹脂を厚くうる場合に基板とガラス板との１１１
にスペーサをはさみ、透明樹脂を充填した後もスペーサ
を固定したままの構造をとることも可能である。要する
に本発明（よその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
６のまわりを透明樹脂１４よりも気密性に優れている不
透明樹脂１８で覆ってさらに気曳封止効果を上げること
もできる。また７３＜ンデイングワイヤが触れないよう
に透明樹脂を厚くうる場合に基板とガラス板との１１１
にスペーサをはさみ、透明樹脂を充填した後もスペーサ
を固定したままの構造をとることも可能である。要する
に本発明（よその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
第１図は従来のイメージセン→］−の封止構造の一例を
示す断面図、第２図および第３図は従来のイメージセン
サの封止構造の他の例を示す一部断面斜視図、第４図は
本発明の一実施例を示す一部断面斜視図、第５図および
第６図は本発明の他の実施例を示す一部断面斜視図およ
び断面図である。 Ａ・・・光信号、１１・・・ＣＯＤイメージセンサチッ
プ（光電変換素子〉、１２・・・アルミナ基板、１３出
願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Δ 第２図 第３図 第４図 第６図 １４ Ｉｔ １７
示す断面図、第２図および第３図は従来のイメージセン
サの封止構造の他の例を示す一部断面斜視図、第４図は
本発明の一実施例を示す一部断面斜視図、第５図および
第６図は本発明の他の実施例を示す一部断面斜視図およ
び断面図である。 Ａ・・・光信号、１１・・・ＣＯＤイメージセンサチッ
プ（光電変換素子〉、１２・・・アルミナ基板、１３出
願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Δ 第２図 第３図 第４図 第６図 １４ Ｉｔ １７
Claims (1)
- 原稿面からの光信号を電気信号に変換して画信号を得る
イメージセンサにおいて、基板と、この基板上に設けら
れた光電変換素子と、この光電変換素子の上方に設置さ
れた透明ガラス板と、前記基板および光電変換素子と前
記透明ガラス板との間に充填された透明樹脂とを具備し
たことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112174A JPS604254A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112174A JPS604254A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604254A true JPS604254A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14580100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112174A Pending JPS604254A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604254A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256667A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165078A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor |
| JPS5869174A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112174A patent/JPS604254A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165078A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor |
| JPS5869174A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256667A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
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