JPH0268959A - 密着型メイージセンサ - Google Patents
密着型メイージセンサInfo
- Publication number
- JPH0268959A JPH0268959A JP63220909A JP22090988A JPH0268959A JP H0268959 A JPH0268959 A JP H0268959A JP 63220909 A JP63220909 A JP 63220909A JP 22090988 A JP22090988 A JP 22090988A JP H0268959 A JPH0268959 A JP H0268959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- semiconductor image
- sensor chip
- conductor layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical group C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリやディジタル複写機などの画像
入力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するも
のである。
入力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するも
のである。
従来の技術
近年、ファクシミリやディジタル複写機などの画像入力
装置に用いられる密着型イメージセンサには、ＣＯＤ、
ＭＯＳ、バイポーラＩＣ型等の単結晶シリコンから成る
半導体イメージセンサチップを用いるものがある。
装置に用いられる密着型イメージセンサには、ＣＯＤ、
ＭＯＳ、バイポーラＩＣ型等の単結晶シリコンから成る
半導体イメージセンサチップを用いるものがある。
以下、図面を参照しながら、上述した従来の半導体イメ
ージセンサチップを用いた密着型イメージセンサの一例
について説明する。
ージセンサチップを用いた密着型イメージセンサの一例
について説明する。
第６図、第６図は従来の半導体イメージセンサチップを
用いた密着型イメージセンサを示すものである。第６図
、第６図に示す様に、従来では、アルミナ基板１の表面
にムＵ及びムｇ系等の貴金属によシ所望する回路導体層
２を形成した回路基板上に、半導体イメージセンサチッ
プ３を複数個高精度に配列して、エポキシ系やシアノア
クリレート系の熱硬化型接着剤４によシ接着・固定して
いた。また半導体イメージセンサチップ３の電極端子と
回路導体層２は、金属細線６で電気的接続していた。然
る後、透光性のガラスでつくられた封止用専用容器６を
被せて熱硬化型接着剤７で接着・固定して封止していた
。またこの回路基板をクリップ端子８で外部実装回路９
と接続していた。
用いた密着型イメージセンサを示すものである。第６図
、第６図に示す様に、従来では、アルミナ基板１の表面
にムＵ及びムｇ系等の貴金属によシ所望する回路導体層
２を形成した回路基板上に、半導体イメージセンサチッ
プ３を複数個高精度に配列して、エポキシ系やシアノア
クリレート系の熱硬化型接着剤４によシ接着・固定して
いた。また半導体イメージセンサチップ３の電極端子と
回路導体層２は、金属細線６で電気的接続していた。然
る後、透光性のガラスでつくられた封止用専用容器６を
被せて熱硬化型接着剤７で接着・固定して封止していた
。またこの回路基板をクリップ端子８で外部実装回路９
と接続していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の様な構成では、半導体イメージセン
サチップ３を熱硬化型接着剤４により接着・固定する加
熱工程で、回路基板の反り量や半導体イメージセンサチ
ップ３間接続部の隙間量が著しく増大する。これを、第
７図のモデルで説明する。第７図において、２１はアル
ミナ製の回路基板、２２は半導体イメージセンサチップ
、２３は熱硬化型接着剤である。なお、モデμの動きを
わかり易くする為、図中に△マークを付して半導体イメ
ージセンサチップの裏面、回路基板の表・裏面の相対位
置を表わしている。以下第７図の各状態について説明す
る。まず、■は、室温で回路基板２１上に熱硬化型接着
剤２３を塗布し、この上Ｋ、複数個の半導体イメージセ
ンサチップ２２を高精度に配列した状態である。■は、
■を高温槽等に入れ、加熱し始めた頃の状態である。こ
の時、先ず、熱伝導度の良い半導体イメージセンサチッ
プ２２が、隣同士押し合いながら、個有の線熱膨張率に
比例して膨張する。この為、半導体イメージセンサチッ
プ２２間接続部の隙間が増大する原因となる。＠は、■
よりしばらくした状態で、回路基板２１が個有の線熱膨
張率に比例して膨張する。この時、半導体イメージセン
サチップ２２も、回路基板２１と一緒に移動する。その
後、次第に熱硬化型接着剤２３が硬化し始め、完全に硬
化すると回路基板２１表面と半導体イメージセンサチッ
プ２２裏面との相対位置が固定される。■は、＠の状態
より室温に戻した時である。この時、回路基板２１の裏
面は■の時の長さまで戻るが、表面の半導体イメージセ
ンサチップ２２との接着面は、半導体イメージセンサチ
ップ２２との線熱膨張率の違いで■の長さまで戻りきれ
ず歪みを生じる。従って、回路基板２１は図の様に反っ
てしまう。この様にして、半導体イメージセンサチップ
２２と回路基板２１との線熱膨張率と熱伝導度の違いに
より、両者を加熱接着すると、回路基板２１の反り量や
半導体イメージセンサチップ２２間接続部の隙間量が著
しく増大するのである。
サチップ３を熱硬化型接着剤４により接着・固定する加
熱工程で、回路基板の反り量や半導体イメージセンサチ
ップ３間接続部の隙間量が著しく増大する。これを、第
７図のモデルで説明する。第７図において、２１はアル
ミナ製の回路基板、２２は半導体イメージセンサチップ
、２３は熱硬化型接着剤である。なお、モデμの動きを
わかり易くする為、図中に△マークを付して半導体イメ
ージセンサチップの裏面、回路基板の表・裏面の相対位
置を表わしている。以下第７図の各状態について説明す
る。まず、■は、室温で回路基板２１上に熱硬化型接着
剤２３を塗布し、この上Ｋ、複数個の半導体イメージセ
ンサチップ２２を高精度に配列した状態である。■は、
■を高温槽等に入れ、加熱し始めた頃の状態である。こ
の時、先ず、熱伝導度の良い半導体イメージセンサチッ
プ２２が、隣同士押し合いながら、個有の線熱膨張率に
比例して膨張する。この為、半導体イメージセンサチッ
プ２２間接続部の隙間が増大する原因となる。＠は、■
よりしばらくした状態で、回路基板２１が個有の線熱膨
張率に比例して膨張する。この時、半導体イメージセン
サチップ２２も、回路基板２１と一緒に移動する。その
後、次第に熱硬化型接着剤２３が硬化し始め、完全に硬
化すると回路基板２１表面と半導体イメージセンサチッ
プ２２裏面との相対位置が固定される。■は、＠の状態
より室温に戻した時である。この時、回路基板２１の裏
面は■の時の長さまで戻るが、表面の半導体イメージセ
ンサチップ２２との接着面は、半導体イメージセンサチ
ップ２２との線熱膨張率の違いで■の長さまで戻りきれ
ず歪みを生じる。従って、回路基板２１は図の様に反っ
てしまう。この様にして、半導体イメージセンサチップ
２２と回路基板２１との線熱膨張率と熱伝導度の違いに
より、両者を加熱接着すると、回路基板２１の反り量や
半導体イメージセンサチップ２２間接続部の隙間量が著
しく増大するのである。
再び第６図、第６図に戻って説明を続ける。
密着型イメージセンサは、原稿情報をセルフォックレン
ズアレイを通して、半導体イメージセンサチップ３表面
の受光部に結像させる方式の為、全受光部間のフラット
性が必要であるので、上述のごとく回路基板の反シがお
きると、焦点がずれ、全受光部間での読み増りの不均一
性や、ＭＴＦ（Ｍ□ｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の劣下を引き起こす。また、半
導体イメージセンサチップ３間接続部の隙間量の増大は
、この部分の受光部を疎にしてしまい、原稿情報の読み
取りを粗くし、解像度を低下させる。
ズアレイを通して、半導体イメージセンサチップ３表面
の受光部に結像させる方式の為、全受光部間のフラット
性が必要であるので、上述のごとく回路基板の反シがお
きると、焦点がずれ、全受光部間での読み増りの不均一
性や、ＭＴＦ（Ｍ□ｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の劣下を引き起こす。また、半
導体イメージセンサチップ３間接続部の隙間量の増大は
、この部分の受光部を疎にしてしまい、原稿情報の読み
取りを粗くし、解像度を低下させる。
この様に、従来例では、熱硬化型接着剤４で半導体イメ
ージセンサチップ３を加熱接着していた為、解像度・読
み取り品質を低下させてしまうという間雇点を有してい
た。
ージセンサチップ３を加熱接着していた為、解像度・読
み取り品質を低下させてしまうという間雇点を有してい
た。
本発明は上記の問題点に鑑み、回路基板の反り量や半導
体イメージセンサチップ間接続部の隙間の増大を極めて
少なくして、高精度・高解像度な読み取りを可能とした
密着性イメージセンサを提供する事を目的とする。
体イメージセンサチップ間接続部の隙間の増大を極めて
少なくして、高精度・高解像度な読み取りを可能とした
密着性イメージセンサを提供する事を目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成する為に本発明の密着型イメージセンサ
は、回路導体層を有する基板上に、複数個の単結晶シリ
コンからなる半導体イメージセンサチップを、紫外線硬
化型接着剤で接着した構成を有している。
は、回路導体層を有する基板上に、複数個の単結晶シリ
コンからなる半導体イメージセンサチップを、紫外線硬
化型接着剤で接着した構成を有している。
作用
本発明は上記した構成によって、密着型イメージセンサ
の半導体イメージセンサチップを接着する工程で反り量
、隙間量増大の原因となる加熱工程を必要としないので
、線熱膨張率や熱伝導度の違いによる５回路基板の反シ
量や半導体イメージセンサチップ間接続部の隙間量の増
大を極めて小さいものとする事が出来る。
の半導体イメージセンサチップを接着する工程で反り量
、隙間量増大の原因となる加熱工程を必要としないので
、線熱膨張率や熱伝導度の違いによる５回路基板の反シ
量や半導体イメージセンサチップ間接続部の隙間量の増
大を極めて小さいものとする事が出来る。
実施例
以下本発明の一実施例の密着型イメージセンサについて
、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の第１
の実施例における密着型イメージセンサの斜視図、第２
図にその要部断面図を示すものである。第１図、第２図
において、３１は透光性を有するガラス基板、３２は回
路導体層、３３は半導体イメージセンサチップ、３４は
紫外線硬化型接着剤、３５はバンプ、３６はクリップ端
子、３８は外部実装回路部である。
、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の第１
の実施例における密着型イメージセンサの斜視図、第２
図にその要部断面図を示すものである。第１図、第２図
において、３１は透光性を有するガラス基板、３２は回
路導体層、３３は半導体イメージセンサチップ、３４は
紫外線硬化型接着剤、３５はバンプ、３６はクリップ端
子、３８は外部実装回路部である。
以上の様に構成された密着型イメージセンサについて、
以下その作製方法を説明する。
以下その作製方法を説明する。
予め、電極端子上にＡｕ等の金属のバンプ３５を形成し
、高精度に切断加工した半導体イメージセンサチップ３
３を作成する。次に透光性を有するガラス基板３１上に
、厚膜、薄膜技術を用いて回路導体層３２を形成して回
路基板を作成する。この回路基板の所定の位置に所定の
膜厚だけエポキシ系やアクリμ系の紫外線硬化型接着剤
３４をスクリーン印刷やデイスペンサー等で塗布し、こ
の上に半導体イメージセンサチップ３３をフェースダウ
ンする。そして、半導体イメージセンサチップ３３上の
バンプ３５と回路導体層３２の接触を確認して、ガラス
基板３１の透光性を利用し、紫外線硬化型接着剤３４を
硬化させて、半導体イメージセンサ３３の接着・固定と
電気的な接続を同時に行なう。又、この回路基板をクリ
ップ端子３６で外部実装回路部３７と接続する。この様
にして、本実施例の密着型イメージセンサを作成する。
、高精度に切断加工した半導体イメージセンサチップ３
３を作成する。次に透光性を有するガラス基板３１上に
、厚膜、薄膜技術を用いて回路導体層３２を形成して回
路基板を作成する。この回路基板の所定の位置に所定の
膜厚だけエポキシ系やアクリμ系の紫外線硬化型接着剤
３４をスクリーン印刷やデイスペンサー等で塗布し、こ
の上に半導体イメージセンサチップ３３をフェースダウ
ンする。そして、半導体イメージセンサチップ３３上の
バンプ３５と回路導体層３２の接触を確認して、ガラス
基板３１の透光性を利用し、紫外線硬化型接着剤３４を
硬化させて、半導体イメージセンサ３３の接着・固定と
電気的な接続を同時に行なう。又、この回路基板をクリ
ップ端子３６で外部実装回路部３７と接続する。この様
にして、本実施例の密着型イメージセンサを作成する。
以上の様に本実施例によれば、密着型イメージセンサの
半導体イメージセンサチップを接着・固定する工程にお
いて加熱工程を必要としないので、回路基板の反り量や
半導体イメージセンサチップ間接続部の隙間量の増大を
極めて小さいものとする事ができる。
半導体イメージセンサチップを接着・固定する工程にお
いて加熱工程を必要としないので、回路基板の反り量や
半導体イメージセンサチップ間接続部の隙間量の増大を
極めて小さいものとする事ができる。
次に、本発明の第２の実施例について図面を５照しなが
ら説明する。第３図は本発明の第２の実施例における密
着型イメージセンサの斜視図、第４図はその要部断面図
を示すものである。第３図。
ら説明する。第３図は本発明の第２の実施例における密
着型イメージセンサの斜視図、第４図はその要部断面図
を示すものである。第３図。
第４図において、３８は金属細線、３９は封止用専用容
器である。
器である。
以上の様に構成された密着型イメージセンサについて、
以下その作製方法を説明する。
以下その作製方法を説明する。
実施例１と同様に、透光性を有するガラス基板３１の表
面に、回路導体層３２を形成した回路基板を作成し、こ
の回路基板上に、所定の位置に所定の膜厚の紫外線硬化
型接着剤３４を塗布する。
面に、回路導体層３２を形成した回路基板を作成し、こ
の回路基板上に、所定の位置に所定の膜厚の紫外線硬化
型接着剤３４を塗布する。
この上に、高精度切断加工した半導体イメージセンサチ
ップ３３を複数個高精度に配列して、ガラス基板の透光
性を利用して紫外線硬化型接着剤３４にて接着・固定す
る。それから各半導体イメージセンサチップ３３の電極
端子と回路導体層３２をムＵ等の金属細線３８で電気的
に接続する。
ップ３３を複数個高精度に配列して、ガラス基板の透光
性を利用して紫外線硬化型接着剤３４にて接着・固定す
る。それから各半導体イメージセンサチップ３３の電極
端子と回路導体層３２をムＵ等の金属細線３８で電気的
に接続する。
然る後、透光性を有する材料、例えばガラスでつくられ
た封止用専用容器を被せ、紫外線硬化型接着剤３４でガ
ラス基板３１上に接着・固定し、封止を施す。又、回路
基板をクリップ端子３６で外部実装回路部３７と接続す
る。この様にして本実施例の密着型イメージセンサを作
製する。
た封止用専用容器を被せ、紫外線硬化型接着剤３４でガ
ラス基板３１上に接着・固定し、封止を施す。又、回路
基板をクリップ端子３６で外部実装回路部３７と接続す
る。この様にして本実施例の密着型イメージセンサを作
製する。
以上の様に本実施例によれば、上記実施例と同様に、半
導体イメージセンサチップを接着・固定する際、加熱工
程を必要としない為、回路基板の反り量や半導体イメー
ジセンサチップ間接続部の隙間量の増大を極めて小さい
ものとする事ができる。又、従来では、封止用専用容器
を回路基板と加熱接着していた為、両者の線熱膨張率の
差が大きすぎると回路基板の反り量が増大するので、限
定された範囲内にある線熱膨張率をもつ特定のガラスで
封止用専用容器をつくっていた。しかし、本実施例のご
とく紫外線硬化型接着剤３４を用いて、加熱を廃止する
事で、他のプラチック等の透光性を有する材料が使える
為、コストダウンや機能・性能の向上が可能となる。
導体イメージセンサチップを接着・固定する際、加熱工
程を必要としない為、回路基板の反り量や半導体イメー
ジセンサチップ間接続部の隙間量の増大を極めて小さい
ものとする事ができる。又、従来では、封止用専用容器
を回路基板と加熱接着していた為、両者の線熱膨張率の
差が大きすぎると回路基板の反り量が増大するので、限
定された範囲内にある線熱膨張率をもつ特定のガラスで
封止用専用容器をつくっていた。しかし、本実施例のご
とく紫外線硬化型接着剤３４を用いて、加熱を廃止する
事で、他のプラチック等の透光性を有する材料が使える
為、コストダウンや機能・性能の向上が可能となる。
発明の効果
以上の様に本発明は、回路導体層を設けた透光性を有す
る基板上に、複数個の単結晶シリコンからなる半導体イ
メージセンサチップを紫外線硬化型接着剤で接着・固定
するので、加熱工程を必要としなくなる。従って、基板
と半導体イメージセンサチップの線熱膨張率や熱伝導度
の違いによる基板の反シ量や半導体イメージセンサチッ
プ間接続部の隙間量の増大を極めて小さいものとする事
ができ、高精度・高解像度な読み取りを可能とする密着
型イメージセンサが実現できる。
る基板上に、複数個の単結晶シリコンからなる半導体イ
メージセンサチップを紫外線硬化型接着剤で接着・固定
するので、加熱工程を必要としなくなる。従って、基板
と半導体イメージセンサチップの線熱膨張率や熱伝導度
の違いによる基板の反シ量や半導体イメージセンサチッ
プ間接続部の隙間量の増大を極めて小さいものとする事
ができ、高精度・高解像度な読み取りを可能とする密着
型イメージセンサが実現できる。
第１図は本発明の第１の実施例における密着型イメージ
センサの斜視図、第２図は第１図の要部断面図、第３図
は本発明の第２の実施例における密着型イメージセンサ
の斜視図、第４図は第３図の要部断面図、第６図は従来
の密着型イメージセンサの斜視図、第６図は第６図の要
部断面図、第７図は回路基板の反り量と半導体イメージ
センサチップ１′！Ｊ５接続部の隙間量が増大する時の
モデルを示す図である。 ３１・・・・・・ガラス基板、３２・川・・回路導体層
、３３・・・・・半導体イメージセンサチップ、３４・
・・・・・紫外線硬化型樹脂、３６・・・・・・バンプ
、３６・・・・・・クリップ端子、３７・・・・・・外
部実装回路部、３８・・・・・・金属細線、３９・・・
・・・封止用専用容器。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１ 図 ３１゛−ガラス基板 ３こ一回誇導イ不層 、３ａ−：’＃’４（＋イメージセンブナッフゝ３７°
−タト都芙シ芝凹訃恭ｐ ３４− 紫外線不更化−言口旨 図 第 図 図 （兄槁償’＠） 第 図 （原翅ｐ
センサの斜視図、第２図は第１図の要部断面図、第３図
は本発明の第２の実施例における密着型イメージセンサ
の斜視図、第４図は第３図の要部断面図、第６図は従来
の密着型イメージセンサの斜視図、第６図は第６図の要
部断面図、第７図は回路基板の反り量と半導体イメージ
センサチップ１′！Ｊ５接続部の隙間量が増大する時の
モデルを示す図である。 ３１・・・・・・ガラス基板、３２・川・・回路導体層
、３３・・・・・半導体イメージセンサチップ、３４・
・・・・・紫外線硬化型樹脂、３６・・・・・・バンプ
、３６・・・・・・クリップ端子、３７・・・・・・外
部実装回路部、３８・・・・・・金属細線、３９・・・
・・・封止用専用容器。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１ 図 ３１゛−ガラス基板 ３こ一回誇導イ不層 、３ａ−：’＃’４（＋イメージセンブナッフゝ３７°
−タト都芙シ芝凹訃恭ｐ ３４− 紫外線不更化−言口旨 図 第 図 図 （兄槁償’＠） 第 図 （原翅ｐ
Claims (2)
- （１）回路導体層を設けた透光性を有する基板上に、複
数個の単結晶シリコンからなる半導体イメージセンサチ
ップを、紫外線硬化型接着剤で接着した密着型イメージ
センサ。 - （２）透光性を有する材料でつくられた封止用専用容器
を、紫外線硬化型接着剤で基板上に接着・固定した請求
項１に記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220909A JPH0268959A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 密着型メイージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220909A JPH0268959A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 密着型メイージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268959A true JPH0268959A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16758433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220909A Pending JPH0268959A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 密着型メイージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100738595B1 (ko) * | 2000-01-11 | 2007-07-11 | 피비알 오스트레일리아 피티와이 리미티드 | 브레이크 어셈블리 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972761A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Canon Inc | 色分離フイルタ−の接着方法 |
| JPS62279302A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp | 耐放射線性検査用カラ−テレビカメラ |
| JPS6318326A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Seiko Epson Corp | 透明基板の光学接着方法 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63220909A patent/JPH0268959A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972761A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Canon Inc | 色分離フイルタ−の接着方法 |
| JPS62279302A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp | 耐放射線性検査用カラ−テレビカメラ |
| JPS6318326A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Seiko Epson Corp | 透明基板の光学接着方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100738595B1 (ko) * | 2000-01-11 | 2007-07-11 | 피비알 오스트레일리아 피티와이 리미티드 | 브레이크 어셈블리 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5405809A (en) | Semiconductor device, an image sensor device, and methods for producing the same | |
| EP0355522B1 (en) | Solid state image pickup device | |
| US9887222B2 (en) | Method of manufacturing optical apparatus | |
| JP3173586B2 (ja) | 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH09260626A (ja) | 光電変換装置及びその作製方法及び物質透過撮像装置及び実装装置 | |
| JPH03167957A (ja) | 小型の走査アレイを組み合せて長尺のアレイを形成する方法 | |
| JPH0268959A (ja) | 密着型メイージセンサ | |
| JPH0883859A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2561329B2 (ja) | 光結合型半導体装置 | |
| JP4269767B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS62109357A (ja) | 密着型イメ−ジセンサとその組立方法 | |
| JPH0536960A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| JPS61234161A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2000164803A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62230048A (ja) | 密着型イメ−ジセンサの組立方法 | |
| JPH07114291B2 (ja) | 光学センサ素子 | |
| JPH01228178A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02303161A (ja) | 密着型イメージセンサの製造方法 | |
| JPH03142880A (ja) | 半導体装置とそれを用いたイメージセンサ及びイメージセンサユニット | |
| JPH02265275A (ja) | マルチチップ型イメージセンサの実装方法 | |
| JPS61234159A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS61234160A (ja) | 密着型イメ−ジセンサの組立て方法 | |
| JPH01201967A (ja) | 半導体受光素子の取り付け方法及び半導体受光装置 | |
| JP2685004B2 (ja) | 密着型イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JPH01289279A (ja) | 密着型イメージセンサ |