JPH02247575A - 電力モニタ及び電力監視方法 - Google Patents

電力モニタ及び電力監視方法

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JPH02247575A
JPH02247575A JP2019405A JP1940590A JPH02247575A JP H02247575 A JPH02247575 A JP H02247575A JP 2019405 A JP2019405 A JP 2019405A JP 1940590 A JP1940590 A JP 1940590A JP H02247575 A JPH02247575 A JP H02247575A
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    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/133Arrangements for measuring electric power or power factor by using digital technique
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は電力会社及び工業の用途に於ける電力系統の
パラメータの測定に一般的に関する。更に具体的に云え
ば、この発明は1本又は更に多くの電力線路又はその他
の導電通路に関連する電圧、電流及び電力を決定する電
力モニタに関する。
発明の要約 電力線路の測定は、特定の負荷に流れる電力並びに負荷
に電力が送出される時の力率(又は効率)を計算する為
に、複数個の入力パラメータを利用することが出来なけ
ればならない様なものである。
今日の業界では、工場又はその他の大電力ユーザに電気
エネルギを送出すのに、3相電力を用いるのが普通であ
る。こう云う場所に送出される電力を正確に測定する為
には、一般的に各相に対して、少なくとも2つの入力パ
ラメータ、即ち、電圧と電流を利用することが出来なけ
ればならない。この為、3相用の場合、6つの入力パラ
メータと、中性点を表わすパラメータを併せたものが、
電力の計算が出来る様にする為に利用出来なければなら
ない。各相の電圧及び電流を感知することが出来る様に
する為に、「インライン」形及び「クランプオン」形の
両方のセンサを市場で入手し得る。
機械形及び電気機械形の電力モニタ又は電力計は前から
知られている。
この発明の1つの目的は、特定の電力線路に関係するW
ATTS (実効電力)及びVARS (ボルトアンペ
ア無効電力)を決定することが出来る電子式電力モニタ
を提供することである。
この発明の別の目的は、その中にあるデータ収集回路の
速度条件を比較的低くした電力モニタをて提供すること
である。
この発明の別の目的は、波形解析を行なう為に波形情報
のデータベースを収集する電力モニタを提供することで
ある。
この発明の1実施例では、周期的な信号に関係する電力
を監視する電力モニタを提供する。電力モニタは、信号
の複数個のサイクルを含む観測窓の間、信号を標本化し
て、複数個の組の電圧−電流サンプルを発生する標本化
回路を含む。更に電力モニタが、標本化回路に結合され
ていて、電圧−電流サンプルの組が、観測窓内のサンプ
ル毎に、各サイクルの初めに対して相異なる時間位置に
分布するように、信号の標本化を調時するタイミング手
段を含む。
この発明の別の実施例では、複数個の観測窓にわたって
線路信号の電力を監視する電力モニタを提供する。各々
の観測窓は線路信号の予定数のサイクルを含む。電力モ
ニタが第1、第2及び第3のメモリ区域を有する。更に
電力モニタが、複数個の観測窓にわたって、線路信号の
電圧及び電流を標本化して、到来サンプル・データを発
生する標本化回路を含む。電力モニタは、夫々逐次的な
観測窓の間、到来サンプル・データを第1及び第2のメ
モリ区域に交代的に記憶する。モニタが、第1、第2及
び第3のメモリ区域に結合されていて、到来サンプル・
データが第2のメモリ区域に記憶されつ〜ある間、第1
のメモリ区域に記憶されたサンプル・データに対する電
力解析を行なうマイクロプロセッサを有する。この後、
マイクロプロセッサが、到来サンプル・データが第1の
メモリ区域に記憶されつ−ある間、第2のメモリ区域に
記憶されたサンプル・データに対する電力解析を行なう
。電力モニタが、現在の観測窓にあるサンプル・データ
が過渡的なデータを持っているかどうかを判定し、持っ
ていれば、現在の観測窓に続く次の観測窓の到来サンプ
ル・データを第3のメモリ区域に記憶させる様にする過
渡状態感知ルーチン又は同等のハードウェアを含む。
この発明の好ましい実施例では、電力モニタが周期的な
信号に関係する電力を監視する。モニタが、信号の複数
個のサイクルを含む観測窓の間、信号を標本化して、複
数個の電圧−電流サンプルの組を発生する標本化回路を
有する。各々のサンプルの組は略同時に求められた少な
くとも1つの電圧サンプル及び少なくとも1つの電流サ
ンプルを含む。更に電力モニタが、標本化回路に結合さ
れていて、電圧−電流サンプルの組が観測窓の各サイク
ル全体にわたって分布する様に、標本化回路による信号
の標本化を調時するタイミング回路を有する。作業デー
タ・メモリ区域が標本化回路に結合されて、観測窓の間
に発生するサンプルの組をインターリーブ形に記憶して
、データの1サイクルを模擬する。過渡的なデータ区域
が標本化回路に結合され、観測窓の間に発生するサンプ
ルの組を逐次的に記憶する。伝送データ区域が作業デー
タ区域及び過渡的なデータ区域に結合される。
送信データ区域が、送信データφメモリ区域にこうして
記憶されたデータを別の場所へ伝送するのに備えて、ホ
スト又はその他の装置の命令の通りに、作業データ・メ
モリ区域及び過渡的なデータ・メモリ区域の内の選ばれ
た一方の内容を記憶する。
この発明の新規と考えられる特徴は特許請求の範囲に具
体的に記載しであるが、この発明自体の構成、作用は、
以下図面について説明する所から最もよく理解されよう
発明の詳細な説明 10発明の第1の実施例 第1図はこの発明の電力モニタ10のブロック図である
。第1図に示す実施例の電力モニタは、3相系統の電力
パラメータを監視することが出来るが、当業者であれば
、相数が少ない場合にもこの電力モニタを使うことが出
来ることが理解されよう。後で詳しく説明するが、電力
モニタ10が、線路入力信号の幾つかのサイクルを含む
観測窓にわたって、線路入力信号を標本化する。電力モ
ニタ10は観測窓の各サイクルの間、何組かの電圧−電
流サンプルを求める。各々のサンプルの組は略同時に求
められた少なくとも1つの電圧サンプル及び少なくとも
1つの電流サンプルを含む。
更に詳しく云うと、電力モニタ10が、そのやり方は後
で説明するが、モニタ10によって感知されたデータの
標本化に使う高周波クロック信号を発生する為の逓倍器
として作用する位相固定ループ(PLL)20を有する
。PLL  20が入力20A及び出力20Bを有する
。例えば50tlz。
6011z、 40011z又はその他の線路周波数と
云う線路周波数FLを持つ略周期的な線路周波数信号が
PLL入力20Aに結合される。この例では、PLL入
力20Aに供給される線路周波数PLが60Hzである
が、これは同等制約となるものではない。便宜上、PL
は入力2oに供給される線路周波数信号の周波数だけで
なく、この線路信号をも表わすものとする。
PLL入力20Aが位相検出器30の(+)入力30A
に結合される。この位相検出器がPLL入力20Aに供
給された線路信号と、位相検出器30の(−)入力30
Bに供給された帰還信号との間の位相差を監視する。こ
の位相差に比例する直流電圧が位相検出器30の出力に
発生される。
位相検出器30の出力が電圧制御発振器(VCO)40
の人力に結合される。VCO40の出力が除算回路50
を介して位相検出器30の入力30Bに結合され、それ
に対して前に述べた帰還信号を供給する。この発明のこ
の特定の実施例では、除算回路50は除数1024の除
算器であるが、この発明がこの除算器に制限されないこ
とは云うまでもない。除算回路50の除数は、入力デー
タを正確に標本化するのに十分な位高いデータ標本化速
度を電力モニタ10が持てる様に、十分大きくするが、
これは後で更に詳しく説明する。
PLL  20の出力が、第1図のVCo  401:
結合されたPLL出力20Bの接続で判る様に、VCO
40の出力から取出される。PLL入力20Aに供給さ
れる線路周波数信号が周波数FL−60Hzであると仮
定すると、PLL出力周波数Fp−60X1024−6
1440Hz、即ち61゜44kHzである。便宜上、
FpはPLL出力信号の周波数だけでなく、PLL出力
信号自体をも表わすものとする。前に述べた所から、P
LL  20が実質的に逓倍器として振舞い、その出力
信号Fρが、基準クロック信号又は時間ベースとなり、
これから電力モニタ10のデータ標本化速度が導かれる
ことが理解されよう。PLL回路20はPLL出力信号
FPの周波数及び位相が6011zのFL線路信号に固
定される様に保証する。即ち、PLL出力信号FPが線
路信号FLと同期し、線路信号PLの1サイクル毎に、
PLL出力信号FPには整数個のパルスが発生される。
PLL出力20Bが除算回路6oを介して除算/アドレ
ス発生回路70の入力に結合される。この実施例では、
除算回路60の除数Mは9である。
こうすることにより、PLL出力信号FPがM−9で除
されてから或いは「減速コされてから、除算/アドレス
発生回路70の入力に供給される。
電力モニタは、以下の説明から明らかになるが、除算回
路60の除数を9にする場合に制限されない。然し、説
明を全うすれば、除算回路60の除数が9である時、除
算したPLL出力信号FPは周波数FDIが61440
Hz/9、即ち6826゜7Hzであり、これを以下F
DI信号と呼ぶ。
この特定の実施例の電力モニタは8個までの異なるパラ
メータを監視する為に使われるが、これもこの発明を制
約するものではない。例えば、3相電力系統(図面に示
してない)では、VA、VB、VCが3相の電圧を表わ
しIA、IB、ICが夫々この電圧に関連する対応する
電流を表わす。
8人力サンプルホールド回路80を用いて、これらの電
圧及び電流を標本化する。更に具体的に云うと、サンプ
ルホールド回路80の8人力が、種々の電圧及び電流セ
ンサ(後で示す)を介して3相に夫々結合されている。
即ち、普通の電圧センサを結合して電圧VA、VB、V
Cを感知し、この電圧を表わすものを夫々VA、VB、
VCと記したサンプルホールド人力に供給する。同様に
、普通の電流センサをこれらの3相、又は電圧VA。
VB、VCが存在する線路に結合して、夫々の電流を表
わす電流感知信号IA、IB、ICを発生する。電流セ
ンサが中性線路にも結合され、感知された中性点電流を
INで表わす。感知された電流信号IA、IB、IC,
INが夫々人力IA。
IB、IC,INと記すサンプルホールド回路80の入
力に結合される。この特定の実施例では、サンプルホー
ルド回路80の8番目の残りの入力はSと記されており
、これは使われない予備の入力である。(8人力サンプ
ルホールド回路は普通にあるが、7人力サンプルホール
ド回路は特別の装置である。)サンプルホールド回路8
0が各々の入力に対するアナログ出力を持つ。即ち、こ
の実施例では、サンプルホールド回路80が、対応する
8個の入力で標本化したデータを保持する8個のアナロ
グ出力を有する。
サンプルホールド回路80の付能入力(E N)に付能
信号を受取った時、VA、VB、VC,IA、IB、I
C(及びINと予備)のサンプルが求められることに注
意されたい。こうすることにより、サンプルホールド回
路80に付能信号が供給される度に、8個の電圧−電流
サンプルの組が求められる。更に、各々の電圧−電流サ
ンプルの組の中で、VA、VB、VC,IA、IB、I
C(及びIN及び予備)サンプルが同時に求められ、後
で説明するWATTS及びVARS (ボルトアンペア
無効電力)の計算に精度を持たせる。
サンプルの組を求める実際の速度は、サンプルホールド
回路80の付能入力をクロックで付勢する速度によって
決定される。サンプルホールド回路80の付能入力は周
波数FD2でクロック作用を受ける。この周波数は、除
算回路60の除数と除算/アドレス発生回路70の除数
との両方に関係する。この発明のこの実施例では、除算
/アドレス発生回路70の除数は、サンプルホールド回
路回路80の入力の数と等しく、即ち8に選ばれる。こ
の為、付能速度FD2はFDI/8、即ち、今の実施例
では、6826. 7/8Hz或いは853.33Hz
に等しい。除算/アドレス発生回路70が、サンプルホ
ールド速度FD2の8倍の速度で、相異なる3ビツト・
アドレスを発生する。即ち、1実施例では、除算/アド
レス発生回路70は除数8のカウンタであり、これが0
から7まで計数し、こうして8サイクル毎に出力パルス
を発生する。このカウンタの内部状態は3ビツト・アド
レスとして外部で利用することが出来、それがマルチプ
レクサ90をアドレスする。例えば、除算/アドレス発
生回路70がアドレス出力A、B。
Cを持ち、これは最下位、中位及び最上位アドレス・ビ
ットを表わす。第2図は除算/アドレス発生回路70に
よって発生されるアドレスのアドレス・マツプである。
回路70が除算回路60からパルスF1を受取る度に、
考えられる8個の3ビツト・アドレスの内の異なる1つ
が、第2図のアドレス・マツプに見られる様に発生され
る。第1図に戻って説明すると、電力モニタ10がマル
チプレクサ90を持ち、これは8個のアナログ・サンプ
ル人力VA (S)、VB (S)、VC(S)。
IA (S)、IB (S)、IC(S)、IN (S
)及びS (S)と1つのアナログ出力とを持っている
。更にマルチプレクサ90がアドレス人力90A、90
B、90Cを持ち、これらがアドレス発生回路70のア
ドレス出力A、B、Cに夫々結合される。マルチプレク
サ90の8個のアナログ入力の各々が第1図に示す様に
、サンプルホールド回路80の8個のアナログ出力の内
の夫々1つに結合されている。マルチプレクサ90の出
力がアナログ・ディジタル(A/D)変換器100の入
力に結合される。A/D変換器100の付能入力が除算
回路60の出力に結合され、従って信号FD1が供給さ
れる。この為、夫々8個のサンプルからなる各々の組が
A/D変換器100の入力に逐次的に多重化される。A
/D変換器100が各々のサンプルをそれに相当するデ
ィジタル数に変換し、それが第1図に示すランダムアク
セス争メモリ(RAM)120に記憶する為に、母線1
15を介してマイクロプロセッサ110に供給される。
RAM  120が母線125を介してマイクロプロセ
ッサ120に結合される。マイクロプロセッサ120が
、固定メモリ(R′oM)130に記憶されている制御
プログラムの指示のもとに、標本化されたデータを操作
して記憶する。ROM130が母線135を介してマイ
クロプロセッサ120に結合されている。マイクロプロ
セッサ120は、標本化された入力線路信号PLの有効
電力(ワット数)及びボルトアンペア無効電力(VAR
)を決定する計算を行なう。
次に、線路入力信号の標本化と、入力VA、VB、 V
C,IA、  IB、  IC(及びIN及び予備のS
)から電力モニタ10を通る標本化されたデータの流れ
とを更に詳しく説明する。前に述べた様に、サンプルホ
ールド回路80の付能入力ENは、FD2を分周した速
度、即ち853.33Hzでクロック作用を受ける。従
って、サンプルホールド回路80が付能クロック・パル
スを受取る度に、VA、 VB、 VC,IA、  I
B、  IC(及びINと予備のS)の8個のサンプル
からなる1組が求められる。−旦標本化されると、これ
らの8個のサンプルが、次の付能クロック・パルスが来
るまで、サンプルホールド回路8oの夫々8個の出力に
保持される。除算/アドレス発生回路70は除数8の割
算器であるから、除算/アドレス発生回路70に対する
入力信号FDIは、出力信号FD2 (付能クロック)
の8倍の速さであり、それが6826.7Hzである。
従って、除算/アドレス発生回路70は、それが発生す
る出力パルスFD2毎に、第2図に示す8個の異なるア
ドレスを逐次的に発生する。云い換えれば、除算回路7
0は、それが出力パルスFD2を発生する度に、8個の
アドレスを循環的に発生する。
電力モニタ10の標本化、多重化及びA/D変換のメカ
ニズムを十分理解するには、除算/アドレス発生回路7
0の入力及びA/D変換器100の付能線の両方に供給
される各々のFDIパルスに対するモニタ10の挙動を
説明するのが便利である。FDI (1)、FDI (
2)、・旧・・FDI(10)と記す代表的な一連の1
0個のFDIパルスを考える。パルスFDI (1)が
除算回路70に供給される時、除算回路70が第2図の
表の1番目のアドレス000を発生する。これによって
マルチプレクサ90がそのVA (S)入力のサンプル
を選択し、マルチプレクサ90の出力にVA (S)サ
ンプルを供給する。次にパルスFDI(2)が除算回路
70に供給されると、除算回路70が第2図の表に見ら
れる2番目のアドレス001を発生する。これによって
マルチプレクサ90はそのVB (S)入力にあるサン
プルを選択し、マルチプレクサ90の出力にVB (S
)サンプルを供給する。同様に、パルスFDI (3)
が除算回路70に供給されると、除算回路70は第2図
の表に見られる3番目のアドレス010を発生する。
パルスFDI (4)、FDI (5)、FDI(6)
、FDI (7)及びFDI (8)でも、この過程が
続けられ、この結果、除算/アドレス発生回路70は夫
々アドレス811,100,101.110及び111
を発生する。これに対応すルサンプルVc (S)、I
A (S)、IB (S)。
IC(S)、IN (S)及びS (S)がマルチプレ
クサ90の出力に供給される。サンプルVA(S)、V
B  (S)、VC(S)、  IA  (S)。
IB (S)、IC(S)、IN (S)、及び5(S
)の各々がA/D変換器100の入力に達する時、A/
D変換器100は速度FDIで対応する付能パルスを受
取り、これが変換器100に各々のサンプルをそのディ
ジタル表示に変換させる。
もとのアナログ費サンプルのディジタル表示をVA (
S)’ 、VB (S)’ 、VC(S)’ 、IA(
S)’    IB  (S)’    IC(S)’
    I N(S)′及び5(S)’のディジタル・
サンプルと呼ぶ。こう云うディジタル・サンプルが後で
説明する様に操作して記憶する為、マイクロプロセッサ
110に供給される。
最後に、8番目のパルスFDI (8)が除算回路70
に供給された後、除算回路70が桁上げ出力を発生する
。これはサンプルホールド回路80に対するFD2又は
付能信号である。この時、記憶及び操作の為、ディジタ
ル・サンプルの第1組[VA (S)’ 、VB (S
)’ 、VC(S)’IA(S)’    1 B  
(S)’    IC(S)’    1N (S) 
’及びS (S) ’ )がマイクロプロセッサ110
に供給され、今度は2番目又は後続のサンプルの組を処
理する番である。8番目のFDIパルス(FDI (8
))及び前に述べたその結果生ずる桁上げ出力信号(付
能信号)により、サンプルホールド回路80が第2組の
サンプルVA。
VB、VC,IA、IB、IC,IN及びSを求める。
その次、即ち9番目のFDIパルスFDI(9)により
、除算/アドレス発生回路70のアドレス状態は000
、即ち1番目のアドレスに戻る。パルスFDI (10
)により次のアドレスに進むと云う様になる。こうして
、マルチプレクサ90によって8個のアナログ争サンプ
ルを多重化する過程が、第2組のサンプルに対して開始
され、第2組のサンプルの8個全部がこの後変換器10
0によって対応するディジタル表示に変換されて、記憶
及び走査の為に、マイクロプロセッサ110に供給され
る。
線路入力データのサンプルの組を求めるこう云う過程が
、この発明のこの特定の実施例では、853.3Hz/
線路入力周波数(60Hz)、即ち、入力線路サイクル
の14.22倍の速度で続けられる。云い換えれば、こ
の実施例では、入力線路サイクル毎に14.22組のサ
ンプルが発生される。電力モニタが入力線路サイクル当
たりぴったりこの数のサンプルの組を発生する場合に限
られないことは後で明らかになろう。入力サイクル毎に
求めるサンプルの組の数が整数ではないから、線路サイ
クル毎に見ると、サンプルの組を求める相対的な時間的
な位置は、サイクル毎に時間的に変化する。これによっ
て、線路サイクル毎に、サンプルの組を求める時刻が変
化すると云う「歩行」効果が生ずる。第3図の表は、サ
イクル1から現在のサイクルまでの累算サイクル数に対
し、線路入力サイクル番号を示しているが、観測窓の中
でサンプルの組を求める相対的な時間的な位置は、12
8組のサンプルを求める、即ち9個の線路入力サイクル
が経過するまでは、繰返されることがない。従ってこの
実施例の電力モニタでは、夫々8個のパラメータからな
る128個のサンプルの組が、9個の線路入力サイクル
毎に求められる。
線路入力波形を標本化する「観測窓」は、この実施例で
は%9FL線路サイクルと定められる。観測窓がM線路
サイクルに等しいことが判る。この実施例では、これが
9サイクルに等しく、これは除算回路60の除数に対応
する。
この「歩行」効果を更にはっきりと示す為、第4図には
重ね合せた9個の線路入力信号サイクルを示してあり、
これは1つには、線路入力サイクルに対する夫々のサン
プルの組の相対的な時間的。
な位置を示している。便宜上、最初の(サイクル1)線
路入力サイクルの1つの線路入力波及び最初の3つのサ
ンプルの組の位置と、最後(サイクル9)の入力サイク
ルに於ける最後の3つのサンプルの組の位置しか示して
ない。第4図で、S81はサイクル1の最初のサンプル
の組を表わし、SS2はサイクル1の2番目のサンプル
の組を表わし、・・・・・・5S15は15番目のサン
プルの組(サイクル2)を示し、5S16は16番目の
サンプルの組(サイクル2)を示すと云う様になってお
り、これが5512gまで続く。5512gは、128
番目のサンプルの組を表わしており、これはサイクル9
の終りに時間的に発生する。
(前に述べた様に、各々の電圧−電流サンプルの組はV
A (S)、VB (S)、VC(S)、IA(S)、
 IB (S)、 IC(S)、 IN (S)及びS
 (S)のサンプルを含む。) 観測窓の持続時間全体にわたって、この様な形で標本化
過程が続けられると、各々のアナログ入力に対するデー
タ点の「集合」が収集される。各々の入力に対して所定
数、即ちこの実施例では128個のサンプルをメモリ1
20に収集した後、その集合がこれから説明する様にマ
イクロプロセッサ110によって処理される。この為、
観測窓は、この実施例では、M−9線路入力サイクルに
わたって収集された128個のサンプルの組で構成され
る。
PLL出力周波数FPに対する電力モニタのタイミング
並びに除算回路60の除数の選び方による観測窓の選択
が更によ(理解される様に、次にPLL  20及び除
算回路60を更に詳しく説明する。
第1図に戻って説明すると、前に述べた様に位相固定ル
ープ(PLL)20が逓倍器として作用する。PLL 
 20に供給される入力信号は、電力線路入力周波数を
表わす信号である。PLLが入力信号周波数に精密に「
固定」され、上に述べた標本化過程が、50又は60H
z又はその他の線路周波数であっても、線路周波数に対
して既知の速度で正確に行なわれることを保証する。ル
ープが「固定」される時、位相検出a30の入力30A
、30Bの信号は、PLLの特定の設計に応じて、ぴっ
たり同じ周波数でなければならないが、ある位相のずれ
を持っていてよい。これによって、Nを整数の除数とし
て、PLL  20の出力周波数FPは線路周波数のN
倍になる。従って、線路入力信号は入力サイクル当たり
N個の期間を含む。
Nが大きな数であれば、VCO40は一層高い周波数[
NXF(線路)]で動作し、ループの分解能は非常に小
さくなる。どんな場合でも、ループは1つの期間内にし
か固定することが出来ない。
従って、Nが比較的小さい値であると、各々の入力に対
するデータ点の集合を収集することが出来る程、ループ
を固定した状態にと望めることが出来ない。逆に、Nが
大きいと、ループは固定状態になるのに禁止的に長い時
間を要することがある。
PLLの目的は、入力信号が正確に判っている数の整数
の線路サイクル(Nえば50或いは60Hz)にわたっ
て同期的に標本化される様に保証することである。この
為、PLLからの出力FPは正確に入力線路周波数のN
倍のディジタル信号である。
前に述べたマルチプレクサ90では、ナイキストの標本
化に関する判断基準を丁度充たすには(標本化速度−2
×線路周波数)、Nは少なくとも144でなければなら
ない。更に具体的に云うと、Nは式2FL X8X9−
FL XNによッテ決定される。ループが固定状態にな
り得る限り、実際の線路周波数FLは重要ではないこと
が理解されよう。
前に述べた様に、第1図はPLL  20と除算回路7
0/マルチプレクサ90の間に除算回路60があること
を示している。観測窓を既知数の整数の入力線路サイク
ルにわたって調節することが出来るようにするのは、こ
の除算回路60である。
これまでの説明から、マルチプレクサ90及びPLL 
 20の設計により、この点で2つの条件が判っている
。即ち 1)PLL出力周波数FpIi線路周波数のN倍である
2)マルチプレクサの入力周波数FDIは標本化速度F
D2の8倍である。
割算回路60を含めると、こう云う変数の間の相互関係
全体が次の様に定められる。
FD2− (N/8)/MXFL ニーでKはPLLの後の除算回路60に関係する整数の
除数である。N−1024でに−9であれば FD2     1024 FL       9X8 或いは FD2     12111 FL         9 この式は、N及びKが整数に拘束されるので、整数の割
合と見なすべきである。即ち、9個の線路入力サイクル
の間に整数の128個のサンプルの組がある。観測窓は
整数個のサイクルでなければならないから、最低の観測
窓は、この特定の例では、9個の入力線路サイクルでな
ければならない。
この例で観測窓を長くする場合、9個の入力サイクルの
倍数として長くされる。これが除数にの選択と観測窓の
間の相互関係の説明である。例えば、別の実施例として
、K−8であれば、入力サイクル毎に整数個のサンプル
があり、観測窓は任意の整数個の入力サイクルにするこ
とが出来る。更に別の実施例で、N−2048でに−5
であれば、整数である256個のサンプルを5入力サイ
クルの観測時間又はその倍数にわたって収集することが
出来る。
■1発明の第2の実施例 次にに−8であって、8個の入力線路サイクルにわたっ
て120個のサンプルの組を求めるこの発明の詳細な説
明する。この実施例では、前に述べた実施例と同じ様に
、RAM  120が3つのメモリ区域、即ちRAM 
(1)、RAM (2)及びRAM (3)を持ってい
る。ROM  130に記憶された制御プログラムの監
視のもとに、特定の集合(第1の集合)の120個の点
の全部がその中に蓄積されるまで、データが3つのメモ
リ区域の内の1つに記憶される。その後、データが3つ
のメモリ区域の内の2番目に記憶されて更新が続行され
、この間マイクロプロセッサ110がデータの第1の集
合に作用し、それを解析する。
第1の集合の解析が完了した時、マイクロプロセッサ1
10は第1のメモリ区域に切換わってデータを記憶し、
その間第2のメモリ区域のデータを解析する。制御プロ
グラムは到来データを絶えず監視して、何れかのサンプ
ルが、過渡状態を表わす様な予定の閾値レベルを越える
振幅を持つかどうかを調べる。こうして過渡状態が検出
されると、現在の集合の内、その点までの記憶されたデ
ータは、後で表示する為又は過渡状態を解析する為に保
管され、次の集合からのデータを記憶するには第3のメ
モリ区域が使われる。過渡的なデータを解析した後、過
渡的なデータを含むメモリ区域は、再びデータを記憶す
るのに利用出来る様になる。
要約すれば、3つのメモリ区域の内の2つがデータ記憶
及び解析の作業に使われ、第3のメモリ区域は過渡状態
を記憶する為に利用し得る。
第5図は、標本化されたデータが適当なRAMのメモリ
120にどの様に記憶されるかを示すメモリψマツプで
ある。この発明のこの実施例では、8個の線路入力サイ
クルにわたって120個のサンプルを求めるから、各々
のサンプルV (1)又はI  (i)は3°離れてい
る。このマツプでは、“l”は000から119まで変
化する指数と定義する。こうすると、特定の集合内の1
20個のV (1)及びI (1)の全部に独特のラベ
ルが付けられる。第5図の一番左の列は、1つのサンプ
ルから次のサンプルまでの角変位を表わす。この角度情
報はメモリ120に別個に記憶せず、線路入力信号に対
する対応するV (i)及び!(1)サンプルの相対位
置をはっきり示す為に第5図に示しである。第2列は、
対応するV (i)及び!(i)サンプルに隣接して、
0から119まで変化する今述べた指数“loである。
列3及び4は、120個のサンプルからなる各々の集合
に対するV (1)及びI(i)?ンプルテあ、S。I
 (1)サンプルが実際には角度情報を含んでいて、■
(i)サンプルは、実際にはI(i)cos(θ)であ
る。ここでCOSθは普通力率と呼ばれる。力率は、電
力がどの位の効率で負荷に送出されるかの目安である。
電流センサ(図面に示してない)が標本化時点に於ける
瞬時電流を測定しているから、感知された電流の値は力
率を含む。入力センサが、所定の時点に於ける実際の電
流及び電圧を測定する。従って、これらの2つの量の積
が、センサを通り越した実効電力である。更に、力率は
、電圧及び電流波形がある位相角だけ位相外れになって
いることを表わす数学的な表示である。理想的な状態で
は、電圧及び電流波形は同相である。
即ち、理想的な状態では、全ての電力が実効(WATT
S)であり、虚数の電力(無効電力(VARS:ボルト
・アンペア無効電力)は存在しない。
然し、実際には、配電系統にはりアクタンス負荷が存在
する場合が多く、従って、虚数電力が存在する。この発
明の電力モニタは実数電力(WATTS)及び虚数電力
(VARS)の両方を監視するのに役立つ。マイクロプ
ロセッサ110が、次の式に従って、V (i)及び1
(i)eos(θ)データの特定の集合に関係する電力
又 はWATTSを計算する。
即ち、マイクロプロセッサ110が、M個の入力サンプ
ル(今の場合はM−120)にわたって120個全部の
(1−000−119)の積を加算して、WATTSP
RODSUMと云う量を求める。この後、WATTSP
RODSUMをMで除して、選ばれた観測窓に関係する
実数電力である量WATTSを求める。
マイクロプロセッサ110は、次の式に従って、V (
i)及びI (t)データの特定の集合に関係する虚数
電力又はVARS (ボルト・アンペア無効電力)をも
計算する。
第5図に示す様なRAMのメモリ・マツプが、上に示し
たVARSの式で要求されるI (i)sln (θ)
情報ではなく、I(L)cos(θ)情報を持つことが
理解されよう。都合の悪いことに、前に述べた様に、無
効電力の計算にはI、(i)81n(θ)が必要なのに
、電流セ・ンサは複合値I(i)cos(θ)しか測定
することが出来ない。
然し、sin及びeO8関数は三角関数として次の関係
を持つ。
sin (θ) = COS (θ+90)従って、V
ARSを計算する時、特定のV (1)の値に対応する
I (i)  5in(θ)の値を発生するのに、90
°のオフセットを使う。即ち、特定のV (1)の値に
対応するI (i)の値は、上に示した三角関数の関係
を用いることによって求められる。具体的に云うと、次
の式を用いて、前に述べた90@のオフセットを利用し
て、この場合のVARSを計算する。
このオフセット方式の1つの見方が第6図の表に示され
ている。この図は、夫々の指数の隣りに、集合のV (
i) I (i)の対を示している。例えば、最初ノV
 (i) I (i) ノ対は、RAM  120の指
数000(0@の角度)から求められたV (i) (
7)値とRAM  120(7)指数030(90°の
角度)から求められた■口→の値との積によって形成さ
れる。同様に、2番目の■(1)1 (1)の対は、R
AMの指数001(3@の角度)から求められたV(i
)の値とRAMの指数031(93°の角度)から求め
られたI  (i)の値との積によって形成される。こ
うして、集合の中の最後のサンプルが処理されるまで、
乗算過程がこの様に続けられる。即ち、最後のV (i
)1 (i)の対は、RAMの指数119(357’の
角度)から求められたV (1)の値とRAMの指数0
29(87@の角度)から得られたI (i)の値との
積によって形成される。この集合に対するVARSを求
める為、この集合に関係する全てのV口→■(1)の積
を加算し、観シ1窓にあるサイクルの数、この実施例で
は8 (M−8)で除す。
■、フローチャート この発明を理解し易い様に、次にROM  130にあ
る制御プログラムのフローチャートを説明する。これか
ら説明する制御プログラムは、M−8の線路サイクルを
含む観測窓内で120個のサンプルを求める、前に述べ
た第2の実施例に関するものであるが、異なる数の線路
サイクル及び異なる数のサンプルを含む観測窓にも容易
に適応し得る。第7図に示す制御プログラムが、マイク
ロプロセッサ110のデータ収集、メモリの記憶及びデ
ータ解析の動作を制御する。変数5TORE及びANA
Lをブロック200の1及び2で夫々初期設定する。5
TORE及びANALはフローチャートの以下の説明か
ら明らかになるが、データの記憶及びそのデータの分析
の為に、現在3つのメモリ記憶区域RAM (1)、R
AM (2)及びRAM (3)の内のどれを利用し得
るかを表わす。EAFLAG、即ち解析付能フラグを0
に初期設定して、メモリ記憶区域RAM (1)及びR
AM (2)の内の一方にデータが充たされるまで、デ
ータ解析を防止する。ロックアウト・フラグLOFLA
G (1)、LOFLAG (2)及びLOFLAG 
(3)をOに初期設定して、3つのメモリ記憶区域(R
AM (1)、RAM (2)及びRAM (3)の全
てがデータ記憶に利用出来ることを示す。指数iを0に
初期設定するが、この実施例で選ばれた観測窓の中にあ
るサンプルの数を表わす範囲0−119を有する。WA
TTSPRODSUM及びVARSPRODSUMは、
ブO−/り200でOの値に初期設定する。WATTS
PRODSUM及びVARSPRODSUMが、後で説
明するWATTS及びVARS計算サブルーチンで使わ
れる。変数k及びpは、RAM(1)又はRAM (2
)内のメモリ位置を表わし、両方とも000に初期設定
される。VARSサブルーチンで使われる変数qも0に
初期設定される。
サンプル・データの組、即ちVA (i)、VB(i)
、VC(i)、IA (i)、IB (i)。
IC(i)、IN (i)及びS (i)をブロック2
05で求める。このサンプルの組の中の各々のサンプル
は、同様な符号を持つサンプルホールド回路80の夫々
の入力に対応する。サンプルデータの組の中の各員がア
ナログ・サンプルからそのディジタル表示にブロック2
10で変換される。
次にブロック215で、3つのメモリ区域RAM(1)
、RAM (2)及びRAM (3)のどれがデータ記
憶及びデータ解析の為に現在利用し得るかを判定する。
即ち、メモリ記憶区域RAM(1)、RAM (2)及
びRAM (3) の内(7)!’tLカ’−”。
夫々のロックアウト・フラグが1にセットされることに
よって、ロックアウトされているかどうかを判断する。
更に具体的に云うと、ブロック215で、LOFLAG
 (1)が1に等しくなく、LOFLAG (2)が1
に等しくなければ、RAM(1)又はRAM (2)に
対応して、5TORE及びANALは1又は2の何れか
の値をとることが許される。この場合、RAM(1)及
びRAM(2)が記憶及びデータ解析の為に利用し得る
LOFLAG (1)が1に等しければ、5TORE及
びANALは2又は3の値をとることが許され、RAM
 (2)及びRAM (3)が記憶及びブタ解析に利用
し得る。然し、LOFLAG (2)が1に等しければ
、5TORE及びANALは1又は3の値をとることが
許され、RAM(1)及びRAM (3)が記憶及びデ
ータ解析に利用し得る。
サンプルノ組VA (i)、VB (i)、VC(i)
、  IA  (i)、  IB  (i)、  IC
(i)。
IN (i)及びS (i)のディジタル表示が、ブロ
ック220で、メモリRAM (1)、RAM(2)又
はRAM (3)の3つの区域の内の1つに記憶される
。このプログラムを初期設定した直後、5TORE−1
であるから、記憶に使う最初のRAM区域はRAM(1
)である。標本化の時、判定ブロック225で、過渡電
流試験を実施して、3つの電流サンプルIA(i)、I
B(i)及びIC(1)の内の何れかり、予定の閾値電
流(THRESH)より大きい振幅を持つかどうかを判
定する。THRESHは、3つのサンプル!A(i)、
1B(i)及びIC(i)(D内のどれかVTHRES
Hを越えれば、THRESHを越えたサンプルは過渡的
な電流であると見なす位、十分大きく選ばれる値である
。過渡状態が検出されなければ、プログラムはブロック
230に続き、そこでEAFLAGを試験して、それが
セットされているかどうかを判断する。EAFLAGが
0の値を持つと判ると、これは初期設定直後の最初のラ
ンの時がそうであるが、WATTS、VARS及びTR
ANS I ENTの解析は許されない。この場合、W
ATTS、VARS及びTRANS IENTサブルー
チンのブロック235,240゜245にある入口を側
路し、プログラムは判定ブロック250に達する。判定
ブロック250で、指数iが119に達したかどうかを
判断する。即ち、現在の到来データの集合にある全ての
サンプルの組又は現在の観測窓が記憶されたかどうかで
ある。そうなっていなければ、ブロック255で指数l
を1だけインクレメントし、プログラムはブロック20
5に戻り、そこで次のサンプルの組VA (1)、VB
 (i)、VC(i)、IA (i)IB (i)、I
C(i)、IN (i)及び5(i)を求める。
選ばれた観測窓の中の全てのサンプル(今の実施例では
120個のサンプル)を求めた後、ブロック250の試
験では、1−119となり、プログラムはブロック26
0に続く。ブロック260では、5TORE及びANA
Lの値を交換して、データ記憶の為に今使われたRAM
のメモリ記憶区域を解析し、解析されていたメモリ記憶
区域があれば、それを今度はデータ記憶に使う。こうし
て、120個のサンプルの組からなる最初の集合をRA
M (STORE)−RAM (1)に記憶した後、即
ち、5TORE−1及びANAL−2である時(但しこ
れまでRAM (2)にはデータが記憶されていない)
、次に5TORE及びANALの値を交換して、サンプ
ルの組の次の集合に対しては、サンプルがRAM (2
)に記憶され、既にRAM(1)に集められているサン
プルを次に解析する。この後プログラムはブロック26
5に続き、そこで解析付能フラグEAFLAGを1にセ
ットして、プログラムがサンプルの次の集合の収集を開
始するブロック205に続く時に、WATTS及びVA
RSの解析を付能する。即ち、プログラムがブロック2
10,215,220及び225を介して判定ブロック
230に続く時、2番目又はその後の集合に対し、EA
FLAGは1にセットされている。そうなった時、ブロ
ック235.240,245のWATTS、VARS及
びTRANS I ENTサブルーチンの入口は側路し
ない。その代りに、2番目又はその後の集合の間、EA
FLAG−1である時、ブロック235のに03UB 
(サブルーチンへ行け)でWATTSサブルーチンに入
る。即ち、WATTS解析サブルーチンに入り、RAM
 (ANAL)にそれが適用される。これは普通、過渡
状態がない時には、RAM (1)又はRAM (2)
である。例として、この時RAM (AN、AL)がR
AM(1)であると仮定すると、WATTS解析サブル
ーチンがメモリ記憶区域RAM (1)に対して作用す
る。
第8図のWATTS解析サブルーチンのブロック300
に見られる様に、指数■の現在の値に対し、V (i)
及びI (i)をRAM(1)から再生する。便宜上、
第8図のWATTSサブルーチンでは、V (1) I
 (i)の1個の対だけがRAM (ANAL)から再
生されて処理されることが示されているが、実際には、
3つのV(i)1(i)(D対、即ち、VA (1)I
A (i)、VB(i)IB (i)及びVC(i) 
I C(i) 1.:対して、略同様なWATTS解析
が行なわれる。ブロック305でWATTPROD (
i)を決定し、それが指数lの現在の値に対するV (
1)にI(1)を乗じたものに等しいと判る。ブロック
310で、WATTPRODSUMが、今ブロック30
5で決定したWATTPROD (i)をWATTPR
ODSUM (0に初期設定される)に加えたものに等
しいと計算される。
その後プログラムがブロック315に進み、そこで1−
119であるかどうか、即ちRAM (ANAL)にあ
る全てのサンプルの対V(i)I(i)が解析されたか
どうかを判定する。全てのサンプルの対が解析されてい
なければ、プログラムはブロック320に進み、これに
よって制御作用は第7図の主プログラムでブロック23
5の入口に戻る。然し、ニーで例として、WATTSサ
ブルーチンのブロック315に達した時、1−119で
、全てのサンプルの対が処理されていると仮定する。こ
の場合、プログラムはブロック325に続き、そこでW
ATTS−WATTPRODSUM/Mと云う計算をす
る。ニーでMは観測窓にある合計のサンプルの数に等し
い。次にブロック330でWATTSと云う量を記憶し
、ブロック335でユーザに表示する。ブロック340
で、−旦WATTS解析サブルーチンが完了すると、制
御作用は第7図の主プログラムのブロック235の入口
に戻る。
WATTS解析サブルーチンから制御作用がブロック2
35に戻る度に、プログラムがブロック240に進む。
そうなった時、VARS解析サブルーチンに入り、第9
図に示すVARSサブルーチンのブロック400で、量
pを1+30に等しいと定める。この方法を使うのは、
前に述べたVARSの計算でl5ln(θ)について前
に述べた90°のオフセットを求める為である。電圧サ
ンプルV (t)及び対応するオフセットした電流の値
1 (p)をブロック405でメモリ区域RAM(AN
AL)から再生する。便宜上、第9図のVARSサブル
ーチンテハ、V (1) !  (p) (7)1対だ
けがRAM (ANAL)から再生されて処理されるも
のとして示しであるが、実際には、■(1)I (p)
(7)3対全部、即ち、VA(i)IA (p) 、 
VB (i) I B (p)及びVC(i)IC(p
)に対して、略同様なVAR8解析が実施される。ブロ
ック410でVAR8PORD(i)が決定され、それ
が指数lの現在の値に対するV (1)にI (p)を
乗じたものに等しいことが判ル。ブロック415で、V
ARSPRODSUMが、VARSPRODSUM (
01,:初期設定されている)にブロック410で今決
定したVARSPORD (i)を加えたものに等しい
と計算される。
次にブロック420で、L−119であるかどうかを判
断する。即ち、RAM (ANAL)にあるサンプルの
対V (i) I (E))の全てが解析されたかどう
かを判定する。全てのサンプルの対が解析されていなけ
れば、プログラムはブロック425へ進み、それによっ
て制御作用は第7図の主プログラムでブロック240の
入口に戻る。然し、例としてVARSサブルーチンのブ
ロック420に達したと仮定すると、全てのサンプルの
対が処理されていて、l−119であり、この場合、プ
ログラムはブロック430に続き、そこでVARS−V
AR5PRODSUM/Mの計算を行なう。
こ\でMは観測窓の中にあるサンプルの合計の数に等し
い。次にブロック435で量VAR3を記憶し、ブロッ
ク440でユーザに表示する。ブロック445でVAR
3解析サブルーチンが一旦完了すると、制御作用は第7
図の主プログラムのブロック240の入口に戻る。
次に前に述べた過渡状態の解析を詳しく説明すル、[流
サンプルIA (i)、IB (i)又ハIC(1)の
何れか1つが、ブロック225で、量THRESHより
大きい振幅を持つと判定された場合、プログラムはブロ
ック500へ進み、そこでLOFLAG (STORE
)を1にセットする。
こうして、検出されたばかりの過渡電流が記憶されてい
るメモリ区域RAM (STORE)を「ロックアウト
コシ、このメモリ区域が、そのメモリ区域にある過渡的
なデータが表示されるか解析されるまでは、この後のサ
ンプルの集合の記憶に利用出来ない様にする。ブロック
505で、ラベルTRANを5TOREに設定して、過
渡状態が発生したメモリ区域RAM (STORE)の
ラベル、即ち、RAM (TRAN)を保存する。この
後のブロック51(1,515,520,525及び5
30で、現在のRAM (ANAL)の集合に対するW
ATTS及びVARSの解析を続行して完了する。即ち
、ブロック510がWATTSサブルーチンの人口にな
る。ブロック515がVARSサブルーチンの入口にな
る。ブロック520で、RAM (TRAN)に入って
いる過渡的なデータを表示するか、或いは別の実施例で
は、これから説明する様に、サブルーチンTRANS 
I ENTに入る。
RAM (TRAN)に記憶されている現在の集合のT
RANS I ENTサブルーチンは、標準的な周知の
任意の過渡状態解析方式のどれにしてもよい。この様な
過渡状態の解析が全体的に、第10図に示すTRANS
 I ENTサブルーチンのブロック600で示されて
いる。この代りに、過渡的なデータは、この発明の電力
モニタのユーザが観察する様に、単に表示するものであ
ってよい。
その後、判定ブロック205で試験を行なって、過渡状
態の解析が完了したかどうかを決定する。
過渡状態の解析が未完了であると判ると、プログラムは
ブロック610に進み、それによって制御作用は主プロ
グラムのブロック520の入口に戻る。
判定ブロック605で、過渡状態の解析が完了していな
いと判った場合、プログラムはブロック610から第7
図の主制御プログラムの判定ブロック525に戻る。ブ
ロック525が、RAM(ANAL)にある全てのサン
プルの組が解析されたかどうかに関して判断を下す。解
析されていなければ、ブロック530でiを1だけイン
クレメントし、プログラムはブロック510に戻り、そ
こでRAM (ANAL)にある集合の次のサンプルの
組に対して再びWATTSサブルーチンに入る。最後に
RAM (ANAL)にある集合の全てのサンプルの組
が解析された時、プログラムはブロック535へ進み、
そこでTRANが2の値を持っていれば、5TOREを
1に設定し、ANALを3に設定する。然し、TRAN
が1の値を持っていれば、5TOREを2に設定し、A
NALを3に設定する(ブロック540)。こうしてデ
ータ記憶及びデータ解析に使うべき次のメモリ記憶区域
をその作用の為の目印として付ける。こうすることによ
り、過渡的な情報が入っているメモリ区域であるRAM
 (TRAN)にあるデータは、過渡状態の解析が完了
するまで、保存される。
ブロック545で、解析付能フラグ(EAFLAG)を
0にリセットして、次の集合に対するデータが収集され
るまで、解析を防止する。その後プログラムはブロック
205に続き、そこで標本化を再開する。
ブロック245に達した時、解析が未完了であると判っ
た場合、過渡状態の解析が続けられる。
即ち、第10図のTRANS I ENTサブルーチン
に再び入り、ブロック600で更に過渡状態の解析を行
なう。ブロック605で、過渡状態の解析が今度は完了
していると判ると、過渡状態の解析結果をブロック61
5で表示する。その後ブロック620でロックアウト・
フラグをOにリセットして、LOFLAG (1)−0
及びLOFLAG (2)−0とし、RAM(1)又は
RAM (2)をもう−度データ記憶の為に解放する。
過渡状態の解析が一旦完了したら、解析付能フラグをブ
ロック625で0にリセットして、ブロック630で行
なわれる様に、システムの初期設定のやり直しの直後の
解析を防止する。即ち、TRANS IENTサブルー
チンのブロック630で、プログラムは第7図の主制御
プログラムの初期設定ブロック200に戻され、システ
ムを再び安定化することが出来る様にし、その後データ
・サンプルの集合の収集及びその集合の解析を続ける。
この発明の1実施例の電力モニタでは、kAM(TRA
N)にある電流サンプルのどれだけの百分率が値THR
ESHを越えるかの判断をする。
この実施例では、制御プログラムを修正して、最初の過
渡的なサンプルが検出された前後の観測窓の持続時間全
体にわたってサンプルを求めて、過渡状態に関してより
多くの情報を求める様にする。
この他の公知の過渡状態解析方式を用いてもよく、この
発明は同等特定の1つの過渡状態解析方式に制限されな
い。
■、この発明の好ましい実施例 この発明の好ましい実施例の電力モニタが、電力モニタ
800として、第11図にブロック図で示されている。
以下述べる変更を別にすると、電力モニタ800は実質
的に第1図の電力モニタ10と同様であり、同様な要素
には同じ参照符号を用いている。電力モニタ800では
、例として、8サイクルの長さを持つ様に選んだ観測窓
の間、線路入力信号FLの1サイクル当たり整数個のサ
ンプルを求める。この特定の例では、除算回路50.6
0の除数は、信号FLの8サイクル毎に、信号FLの1
サイクル当たり16個のサンプルの組を求める様に選ば
れている。即ち、データの集合は、集合の8サイクルに
わたって収集された128組のサンプルを含み、信号P
Lの各サイクルの間に16組のサンプルが収集される。
この実施例では、1サイクル当たり16個のサンプルの
組の標本化時刻は、観測窓の各サイクル全体にわたって
略−様に分布する様に調時する。当業者であれば、持続
時間を8サイクルより長くしても短くしても、この発明
を逸脱しないことが理解されよう。
電力モニタ10の場合と同じく、A/D変換器100の
出力がマイクロプロセッサ110に結合され、各サイク
ルのデータのディジタル表示がマイクロプロセッサ11
0に供給され、これがメモリに於けるそのデータの記憶
を調整する。この発明のこの実施例では、マイクロプロ
セッサ110が接続母線815を介して、[作業データ
JRAM 805及び「過渡データJ RAM  81
0に結合される。
実際には、RAM  805及びRAM  810は、
「作業データ」及び「過渡データ」に対しそのメモリ内
の異なる出発アドレスを使うことにより、同じメモリ・
チップの一部分にすることが出来る。RAM  805
及びRAM  810は夫々作業データ・バッファ及び
過渡データ・バッファと呼ぶ。作業データ・バッファ8
05及び過渡データ・バッファ810は先入れ先出し形
であって、何れも集合全体のデータ、即ち、8サイクル
にわたる128組のサンプルを保持するのに十分な容量
を持っている。例えば、作業データ・バッファ805及
び過渡データ・バッファ810にとって、1.7927
(イトが十分な寸法であることが判ったが、この数字を
何等この発明を制約するものと解してはならない。
次に作業データ及び過渡データがどう云うものかを更に
詳しく説明する。然し、差力たって、作業データ舎バッ
ファ805及び過渡データ・バッファ810がデータ母
I@825,830を介して伝送バッファ820の入力
に結合されていることに注意されたい。伝送バッファ8
20はバッファ805.810と同じ寸法である。伝送
バッファ820が接続母線835を介してホスト母線8
40に結合され、このホスト母線にプログラム可能な論
理制御装置(PLC)845又はその他のホストが結合
されている。ホスト845が、これから説明する様に、
電力モニタ800から作業データ、過渡データ及び計算
データを要請する。例えば、プログラム可能な論理制御
装置をPLC又はホスト845として用いることが出来
る。この様な制御装置内部の通信母線をホスト母線84
0として用いるのが便利である。
特定の集合の8サイクルにわたって逐次的に128組の
サンプルを収集するが、128組のサンプルは作業デー
タ・バッファ805にインターリーブ形に記憶される。
具体的に云うと、8サイクルの集合の128組のサンプ
ルは、第12図の一番左の列に示す順序で、サイクル1
(SSI)のサンプルの組1から始めて、逐次的に求め
られる。
前に述べた様に、各々のサンプルの組が実際には同時に
求める8個のサンプル、即ちVA、VB。
VC,IA、  IB、  IC(及びIN及び予備の
S)を含んでいる。最初のサイクルの標本化が、サンプ
ルの組S82〜5S16をも求めるように続けられる。
その後、2番目のサイクルの標本化が、サンプルの組5
S17から始まり、サンプルの組5S32まで続けられ
る。同様に、3番目のサイクルの標本化がサンプルの組
5S33を求めることから始まり、5S48まで続けら
れる。集合の128組のサンプル全部を収集するまで、
残りのサイクル4乃至8も同様に標本化が続けられる。
前に述べた様に、サンプルの組SSI乃至5S128が
逐次的に収集されるが、これらのサンプルは収集した順
序でメモリに記憶されるのではなく、第12図の中央の
列に示す様にインターリーブ形で記憶される。こうする
ことにより、8サイクルのデータが、1つのデータ・サ
イクルに相当するものに形成されてから、マイクロプロ
セッサ100によるWATTS、VAR及び力率ノ処理
が行なわれる。更に詳しく云うと、第12図の一番左の
列は、サンプルの組SSI乃至5512gの標本化の順
序を表わし、一番右から2番目の列は作業データ・メモ
リ805に於けるサンプルの組SSI乃至53128の
インターリーブ形の記憶の順序を表わす。この様なイン
ターリーブ動作を達成する為、データを求めた時、サン
プルの組SSIがメモリ位置1に記憶され、SS2が位
置9に記憶され、SS3が位置17に記憶されると云う
様にして、最初のサイクルの残りのデータが第12図に
示される様に記憶される。2番目のサイクルの最初のサ
ンプルの組、即ち5S17を求めた時、最初のサイクル
に使ったメモリ位置の直後にあるメモリ位置2にSSI
?を記憶することにより、5S17が既に記憶されてい
るデータに対してインターリーブ形にされる。サンプル
の組5S18が、最初のサイクルで使ったメモリ位置9
の直後のメモリ位置10に記憶される。要約すれば、2
番目のサイクルの16組のサンプルの記憶位置が、最初
のサイクルのサンプルの組の記憶位置に対して、1つ前
へ進む。同様に続けて、3番目のサイクルの16組のサ
ンプルの記憶位置が、2番目のサイクルのサンプルの組
の記憶位置に対して1つ前へ進むと云う様にして、8サ
イクルの全部のデータSSI乃至5512gがインター
リーブ形になって、電圧及び電流データの凝縮した1サ
イクルに相当するものを形成する。この為、作業データ
・バッファ805は、上に述べた様なインターリーブ形
のSSSl−5S12デ一タ集合で埋められて、観測す
る線路信号の1サイクルを模擬する。
作業データの集合が作業データ・バッファ8゜5に収集
された後、マイクロプロセッサ110が作業データを処
理して、集合中のデータに関係する実数電力(WATT
S) 、虚数電力(VAR8)及び電力を決定する。こ
の発明のこの特定の実施例では、ワット数、var数及
び力率が、第11図に示す様に、作業データ・バッファ
805に結合された計算済みデータ・バッファ850に
記憶される。計算済みデータ・バッファ850が母線8
40に結合され、計算済みデータを大体毎秒1回、母線
840及びPLC845に供給することが出来る様にす
る。PLC又はホスト845が計算済みデータを要請し
なくても、計算済みデータが約毎秒1回、自動的にPL
C845に送られる。
この発明の電力モニタに関連して使うことが出来る1つ
の電圧及び電流感知回路の例が、第13図に感知回路8
55として示されている。感知回路855は対中性点線
路形であるが、線路間形感知回路も使うことが出来る。
第13図は電力3相をA、B、C相として示しており、
中性点線路Nで示しである。感知回路855では、対中
性点線路電圧を感知し、図示の様にVA、VB、VCと
記す。各相A、B、Cの電流を感知して、図示の様に夫
々IA、IB、ICと記す。中性点線路の電流を!Nと
記す。
具体的に説明すると、変成器860が線路Nに結合され
て、第13図に示す様にその電流INを感知する。変流
器(CT)巻線865A、865B、865Cが図示の
様にA、B、C相に誘導結合される。各々の巻線865
A、865B、865Cが巻線の番号と組合せた両端1
及び2を有する。端865A+、865B+、865C
+が一緒に結合され、第13図に示す様に大地に結合さ
れている。更に、端865A+ 、865B+ 、86
5C+が導体87OA、870B、870Cを介して夫
々端865A2.865B2.86502に結合されて
いる。変流器巻線875A、875B、875Cが導体
87OA、870B、870C1,:誘導結合され、巻
線875A、875B。
875Cの各々に誘起される電圧が、夫々A、 B。
C相を流れる電流IA、IB、ICを表わす様にする。
感知回路855が計器用変圧器(PT)巻線880A、
880B、880Cを有する。各々の計器用変圧器巻線
880A、880B、880Cの1端が第13図に示す
様にA、B、C相に電気結合されている。A、B、C相
に関連する負荷が中性点Mと節885の間に結合されて
いる。各々の巻線8g0A、810B、880Cの他端
が節885で一緒に結合されている。計器用変圧器巻線
890A、890B、890Cが巻線880A。
880B、880Cに誘導結合され、各相電圧VA、V
B、VCが、第13図に示す様に、巻線890A、89
0B、890Cの間に現れる様にする。各々の巻線89
0A、890B、890Cの1端が大地に結合される。
こうすることにより、感知回路855は、処理の為、V
A、VB、VC。
IN、IA、IB、ICを電力モニタに供給する。
このデータを使って、各相毎に、実数及び虚数電力と共
に、真のRMS電圧及び電流を決定する。
合計エネルギ及び系の力率も供給される。
マイクロプロセッサ110が次の様にして、特定の集合
に関係する実数電力WATTS、虚数電力VARS及び
力率PFを計算する。線路と中性点の間に接続された計
器用変圧器(PT)では合計wATTS−WATTSA
+VATTSs +VATTScこ−でWATTSA、
WATTSB 、WATTScは、A、B、C相の実数
電力を夫々表わし、Mは集合中のサンプルの数に等しい
。VA(j)。
VB (j)、VC(j)が計算される各相の対中性点
線路電圧のサンプルを表わし、I (J)が計算される
各相の電流サンプルを表わす。この発明のこの実施例で
は、便宜的に、WATTS及びVAR8の式に現れる位
相角の項目は示してないが、これは位相角情報が変数I
A、IB、ICに含まれているからである。メモリに記
憶された電圧及び電流サンプルに対応するjの値が第1
2図の一番右の列に示されている。
M   J−1 再生する。
線路間に接続した計器用変圧器(PT)では合計 VA
R8=VAR9^+VAR8a +VAR8cコ’ テ
VA RSA 、 VA RSB 、 VA RSCが
A。
B、C相の夫々の虚数電力を表わす。VA(j)。
VB Cj)及びVC(j)はやはり計算される各相の
対中性点線路電圧のサンプルを表わす。■(j+90°
)の電流の値は、メモリの中で、特定のI(j)サンプ
ルから90@後の所に対応する位置に記憶されているサ
ンプルを再生することによって求める。メモリに記憶さ
れた後の集合の長さが1サンプル又は360°を表わす
から、90°は128X4即ち32個のメモリ位置に対
応する。この為、j−1として、電流値1 (j+90
°)を再生する為には、実際にはI (1+32)、即
ち、I(33)にある所望の電流サンプルをこへでWA
TTSA、WATTSB 、WATTScは、A、B、
C相の夫々の実数電力を表わす。
VA (j)、VB (j)及びVC(j)itこの場
合線路Bから01線路CからA及び線路AからBへの電
圧サンプルを夫々表わし、I (j)は計算する各相の
電流サンプルを表わす。
合計 VAR9−VAR9A +VAR’Ee +VA
R8c[(合計 WATT) 2+ (合計 VAR)
 2] 112要約すれば、マイクロプロセッサ110
は、作業データ・バッファ805にあるサンプル情報が
ら上に示したパラメータを計算し、計算済みデータを計
算済みデータ・バッファ850に送る。その後、計算済
みデータが大体毎秒1回、PLCホスト845に送られ
る。
各々の電流サンプル1 (j)がマイクロプロセッサ1
10によって試験されて、それが過渡的であるかどうか
り判定される。即ち、各々の電流サンプルI (j)を
予定の閾値レベルと比較する。
もしこの閾値レベルを越えれば、特定のI (j)サン
プルが過渡状態であることを示す。この発明のこの特定
の実施例では、過渡状態を捕捉する精度を保証する為、
2つの相次ぐI (j)サンプルが予定の閾値レベルを
越える振幅を持つとマイクロプロセッサ110が認めた
場合、過渡状態が検出されたと判定する。過渡状態が認
められても認められなくても、作業データ・バッファ8
05にインターリーブ形で記憶される同じ到来データが
、非インターリーブ形で過渡データ・バッファ810に
も記憶される。即ち、サンプルの組SSI乃至5812
8が、サンプルホールド回路80によりて求められたの
と同じ順序で、過渡データ・バッファ810に逐次的に
記憶される。
現在のサイクルが過渡状態を持つと判定されると、マイ
クロプロセッサ110は過渡データ・バッファ810に
、現在のサイクルより前の最後の2つの、過渡状態にな
る前のサイクルからのデータを保持する様に命令する。
過渡状態を含む現在のサイクルからのサンプル・データ
も過渡データ・バッファ810に保持される。マイクロ
プロセッサ110は過渡データ・バッファ81Gに、過
渡状態を含むと判ったサイクルより後に発生する過渡状
態後の5サイクルからのサンプル・データをも記憶する
様に命令する。こうすることにより、過渡状態が検出さ
れた後、過渡データ・バッファ810は8サイクルのサ
ンプル・データ又は非インターリーブ形に記憶された1
28組のデータで埋められる。マイクロプロセッサ11
0が、過渡状態が発生したと認めると、PLCホスト8
45にそのことが知らされる。
PLCホスト845が過渡データ舎バッファ810に入
っている過渡的なデータに対して要請をしない時、この
後のサイクルからのサンプル・データは、過渡データ・
バッファ810にどんなデータが記憶されていても、そ
れを書換えることが許される。然し、PLCホスト84
5が過渡データ・バッファ810にある過渡的なデータ
に対する要請をした場合、過渡データ・バッファ810
の内容が伝送バッファ82θに送られる。過渡的なデー
タが伝送バッファ820から、母線835及び840を
介して、バーストに分けてPLCホスト845に伝送さ
れる。
実際には、バッファからバッファヘデータを不必要に動
かすのを避ける為に、伝送バッファ820、過渡データ
Φバッファ810及び作業データ・バッファ805は全
て同じ寸法であって、同じメモリの一部分である。各々
のバッファ820゜810.805には、マイクロプロ
セッサ110によって出発アドレス又は場所が割当てら
れる。
従って、マイクロプロセッサが過渡データ・バッファ8
10内にある過渡的なデータを伝送バッファ820に送
る必要がある場合、マイクロプロセッサ110は過渡デ
ータ・バッファ810を伝送バッファ820と定め直す
。或いはその逆に定め直す。即ち、マイクロプロセッサ
110がこの時過渡データ・バッファ810の出発アド
レスを伝送バッファ82Gの出発アドレスと見なす。そ
の後、伝送バッファ820内の過渡的なデータがバース
トに分けてPLCホスト845に伝送される。
同様に、PLCホスト84“5が、作業データ・バッフ
ァ805に入っているインターリーブ形作業データをマ
イクロプロセッサ110がホスト845に送る様に要請
した場合、実際に作業データを伝送バッファ820に送
る代りに(そうしてもよいカリマイクロプロセッサ11
0が作業データ・バッファ805を伝送バッファ820
と、或いはその逆に定め直す。具体的に云えば、マイク
ロプロセッサ110はこの時作業データ・バッファ80
5の出発アドレスを伝送バッファ820の出発アドレス
を見なす。その後、伝送バッファ820の内容がバース
トに分けてPLCホスト845に送られる。
■、フローチャート 第14図はマイクロプロセッサ110の全般的な制御プ
ログラムを示すフローチャートである。
第14図のフローチャートは、この発明の電力を監視す
る過程の工程を要約している。
ブロック900で、夫々電圧及び電流サンプルを含む1
28個のサンプルの組SSI乃至5SI28のデータ集
合が8サイクルにわたって収集される。集合の電流サン
プルが収集された時、各サンプルは過渡状態であるかど
うかりブロック905で判定される。各々の集合のデー
タが、ブロック910で、過渡状態バッファ810に記
憶される。即ち、過渡状態試験によって、相次ぐ2つの
電流サンプル(例えば組5S21及び5S22の電流サ
ンプル)が予定の振幅を越えることが判った場合、過渡
状態が存在すると判定される。この状態では、現在のサ
イクル並びに過渡状態前の2サイクルのデータが過渡状
態バッファ810に保たれる。過渡状態後のこの後の5
サイクルのサンプルの組のデータも非インターリーブ形
で過渡状態バッファ810に記憶され、128個のサン
プルの組からなる完全な集合を形成する。各々の集合か
らのデータが、前に述べた様にしてブロック915でイ
ンターリーブ形で作業データ・バッファ805に記憶さ
れる。ホストPLC845が、判定ブロック920で、
過渡状態バッファ810からの過渡的なデータを要請し
たと認められると、ブロック925で過渡状態バッファ
810の内容が伝送バッファ820に入れられる。ブロ
ック930で、過渡的なデータが伝送バッファ820か
らホストPLC845に送られる。然し、判定ブロック
920で、ホストPLC845が過渡的なデータを要請
したと認められないと、プログラムは判定ブロック93
5に進む。判定ブロック935で、PLC845が作業
データ・バッファ805からの作業データを要請したと
認められると、ブロック940で、バッファ805から
の作業データが伝送バッファ820に供給される。ブロ
ック945で、作業データが伝送バッファ820からP
LCホスト845へ送られる。然し、判定ブロック93
5で、ホストPLC845が作業データを要請したと認
められないと、プログラムは計算ブロック950へ続(
ブロック950で、前に述べた様に、作業データ・バッ
ファ805にあるインターリーブ形作業データから、W
ATTS、VARS及び力率カマイクロプロセッサ11
0によって計算される。計算データが、ブロック955
で、大体毎秒1回、ホストPLC845に送られる。そ
の後、プログラムはブロック900に戻り、次の集合の
データを収集する過程が開始される。以上説明した所か
ら、この発明は、電力を監視する装置を提供する他に、
信号に関係する電力を監視する方法を提供したことは明
らかであろう。1実施例では、この方法は、信号の複数
個のサイクルを含む観測窓の間、信号を標本化して、信
号の各サイクルの間、複数個の電圧−電流サンプルの組
を発生し、サンプルの組がサイクル毎に、観測窓の各サ
イクルの始めに対して相異なる相対的な時間位置に発生
される様に、信号の標本化を調時する工程を含む。
更にこの方法は、信号に関係する実数及び虚数電力をサ
ンプルの組から決定する工程を含む。
別の実施例では、信号の複数個のサイクルを含む観測窓
の間、周期的な信号に関係する電力を監視する方法を提
供する。この方法は、信号の第1及び第2の観測窓の間
、電圧及び電流サンプルを求めて、第1及び第2の観測
窓の1サイクル毎に、複数個の電圧−電流サンプルの組
を発生する工程と、第1の観測窓の間に求めた電圧−電
流サンプルの組を第1のメモリ区域に記憶する工程とを
含む。更に方法は、第1のメモリ区域にあるサンプルを
解析して、それに関係する電力を決定し、他方第2の観
測窓の間、第2の観測窓の間に求めた電圧−電流サンプ
ルを第2のメモリ区域に記憶する工程を含む。この方法
は、何れかの電圧−電流サンプルの組が信号の過渡状態
を表わしているかどうかを決定する工程と、過渡的なデ
ータがその中に記憶されていると判定された時、第1及
び第2のメモリ区域の内の一方を過渡状態メモリ区域と
選定する工程とを含む。更にこの方法は、過渡状態が発
生したと判定された観測窓より後の次の観測窓で発生す
るサンプルの組を第3のメモリ区域に記憶することを含
む。この方法は、その中の過渡的なデータが解析される
まで、過渡状態メモリ区域と選定された、第1及び第2
のメモリ区域の内の一方を使うことを防止する工程を含
む。
好ましい実施例では、信号の複数個のサイクルを含む観
測窓の間、信号を標本化して複数個の電圧−電流サンプ
ルの組を発生することを含む様な、略周期的な信号の電
力を監視する方法を提供する。
各々のサンプルの組は、略同時に求めた少なくとも1つ
の電圧サンプル及び少なくとも1つの電流サンプルを含
む。更にこの方法は、電圧−電流サンプルの組が観測窓
の各サイクル全体にわたって分布する様に、信号の標本
化を調時する工程を含む。更にこの方法は、特定の観測
窓の間に発生したサンプルの組を第1のメモリ区域にイ
ンターリーブ形で記憶して、第1のメモリ区域内にデー
タの1サイクルを模擬する工程と、特定の観測窓の間に
発生するサンプルの組を第2のメモリ区域に逐次的に記
憶する工程とを含む。
以上、特定の電力線路に関係するWATTS(実数電力
)及びVARS (ボルトアンペア無効電力又は虚数電
力)を決定することが出来る様な、電力モニタと電力を
監視する方法とを説明した。
電力モニタは、その速度条件が比較的遅くなる様に独特
な構成にしたデータ収集回路を含む。電力モニタが、波
形解析を行なって、過渡状態の解析/過渡的なデータの
表示が出来る様にする為に、波形情報のデータベースを
収集する。電力モニタが各相毎の真のRMS電圧及び電
流と、系の力率と糸鋸の合計エネルギとを出す。
この発明のある好ましい特徴だけを例として示したが、
当業者には種々の変更が考えられよう。
この発明はその範囲内でこの様な全ての変更を包括する
ものであることを承知されたい。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の電力モニタのブロック図、第2図は
電力モニタの除算/アドレス発生回路によって発生され
るアドレスのアドレス−マツプを示す図表、第3図は電
力モニタで観測窓の間に求められる1サイクル当たりの
サンプルの累算番号に対し、線路入力サイクルの番号を
示す図表、第4図は複数個の線路入力信号サイクルを重
畳した図で、電力モニタに於ける線路入力サイクルに対
する夫々のサンプルの組の相対的な時間的な位置を示す
説明図、第5図は標本化されたデータがランダムアクセ
ス・メモリ(RAM)に記憶される様子を説明するため
のメモリ・マツプを示す図表、第6図は夫々の指数の隣
りに集合のV(i)1(1)の対を示す図表、第7図は
この発明の電力モニタのメモリにある主制御プログラム
のフローチャート、第8図はこの発明の電力モニタで用
いられるWATTSサブルーチンのフローチャート、第
9図はこの発明の電力モニタで用いられるVARSサブ
ルーチンのフローチャート、第10図はこの発明の電力
モニタで用いられるTRANS IENT解析サブルー
チンのフローチャート、第11図はこの発明の好ましい
実施例の電力モニタのブロック図、第12図は第1図の
電力モニタの作業デ〜り・バッファ及び過渡データ・バ
ッファに入るデータのメモリ・マツプを示す図表、第1
3図はこの発明の電力モニタに用いることが出来る1つ
の感知回路の回路図、第14図は第1図の電力モニタの
メモリにある全般的な制御プログラムのフローチャート
である。 [主な符号の説明] 20:位相固定ループ、 20A:入力線路信号、 60:除算回路、 70:除算/アドレス発生回路、 80:サンプルホールド回路、 90:マルチプレクサ、 110:マイクロプロセッサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、周期的な信号に関係する電力を監視する電力モニタ
    に於て、前記信号の複数個のサイクルを含む観測窓の間
    、前記信号を標本化して、複数個の組の電圧−電流サン
    プルを発生する標本化手段と、該標本化手段に結合され
    ていて、前記組の電圧−電流サンプルが、観測窓の中で
    、サイクル毎に各サイクルの初めに対して相異なる時間
    位置に分布する様に、前記信号の標本化を調時するタイ
    ミング手段とを有する電力モニタ。 2、周期的な信号に関係する電力を監視する電力モニタ
    に於て、該信号の複数個のサイクルを含む観測窓の間、
    前記信号を標本化して複数個の組の電圧−電流サンプル
    を発生する標本化手段と、該標本化手段に結合されてい
    て、前記観測窓の中のサイクル毎に、前記組の電圧−電
    流サンプルが、前記観測窓の各サイクルの初めに対して
    相異なる相対的な時間位置で得られる様に、1サイクル
    毎に非整数個のサンプルの組を求める様に、前記信号の
    標本化を調時するタイミング手段とを有する電力モニタ
    。 3、周期的な信号の複数個のサイクルを含む観測窓の間
    、該信号に関係する電力を監視する電力モニタに於て、
    前記信号の各サイクルを複数個の期間に分割するタイミ
    ング手段と、該タイミング手段に結合されていて、各々
    の期間の間、電圧及び電流サンプルを求めて、前記観測
    窓の各サイクルの間、複数個の組の電圧−電流サンプル
    を発生するが、該組の電圧−電流サンプルが、前記信号
    の各サイクルの間、該信号の各サイクルの初めに対して
    相異なる時間位置に発生される様にする標本化手段と、
    該標本化手段に結合されていて前記組の電圧−電流サン
    プルを記憶するメモリ手段と、該メモリ手段に結合され
    ていて、該メモリ手段に記憶されているサンプルの組か
    ら、前記信号に関係する実数及び虚数電力を決定するマ
    イクロプロセッサ手段とを有する電力モニタ。 4、複数個のサイクルを持つ周期的な線路信号に関係す
    る電力を監視する電力モニタに於て、前記線路信号と周
    波数及び位相が同期していて、前記線路信号の倍数であ
    ると共に、該線路信号の各サイクルに対して整数個のパ
    ルスを持つ基準信号を発生する基準信号発生手段と、前
    記線路信号の複数個のサイクルを含む観測窓の間、選ば
    れた標本化周波数で前記線路信号を標本化して、前記線
    路信号の各サイクルの間、複数個の組の電圧−電流サン
    プルを発生し、各々のサンプルの組は少なくとも1つの
    電圧サンプル及び少なくとも1つの電流サンプルを含ん
    でおり、更に前記サンプルを夫々保持する複数個の出力
    を持っている標本化手段と、前記基準信号発生手段及び
    前記標本化手段の間に結合されていて、前記観測窓内の
    サイクル毎に、前記組の電圧−電流サンプルが、各サイ
    クルの初めに対して相異なる時間位置に時間的に分布す
    る様に、前記選ばれた標本化周波数を決定する様に前記
    基準信号を分割する除算手段と、前記標本化手段の複数
    個の出力に結合されていて、当該多重化手段の出力に逐
    次的に前記サンプルを供給することによって、前記標本
    化手段の出力にある各々のサンプルの組にあるサンプル
    を多重化し、こうして多重化サンプル信号を発生する多
    重化手段と、該多重化手段の出力に結合されていて、前
    記多重化サンプル信号をディジタル・サンプル信号に変
    換するアナログ・ディジタル変換手段と、該アナログ・
    ディジタル変換手段に結合されていて、前記観測窓の間
    、前記線路信号に関係する実数及び虚数電力を決定する
    為に前記ディジタル・サンプル信号を処理するマイクロ
    プロセッサ手段とを有する電力モニタ。 5、前記基準信号発生手段が位相固定ループ乗算器を含
    む請求項4記載の電力モニタ。 6、複数個のサイクルを持つ周期的な線路信号に関係す
    る電力を監視する電力モニタに於て、第1、第2及び第
    3のメモリ区域と、夫々の前記線路信号の予定数のサイ
    クルを含む複数個の観測窓にわたって、前記線路信号の
    電圧及び電流を標本化して到来サンプル・データを発生
    する標本化手段と、夫々逐次的な観測窓の間、前記到来
    サンプル・データを交互に前記第1及び第2のメモリ区
    域に記憶する手段と、前記第1、第2及び第3のメモリ
    区域に結合されていて、到来サンプル・データを前記第
    2のメモリ区域に記憶する間、第1のメモリ区域に記憶
    されたサンプル・データに対する解析を行ない、その後
    到来サンプル・データが前記第1のメモリ区域に記憶さ
    れる間、第2のメモリ区域に記憶されたサンプル・デー
    タに対して解析を行なうマイクロプロセッサ手段と、現
    在の観測窓に入っているサンプル・データが過渡的なデ
    ータを含むかどうかを判定し、含んでいれば、前記現在
    の観測窓に続く次の観測窓の到来サンプル・データを前
    記第3のメモリ区域に記憶させる過渡状態感知手段とを
    有する電力モニタ。 7、前記第1及び第2のメモリ区域の一方が過渡的なデ
    ータを持っている場合、該第1及び第2のメモリ区域の
    一方に到来サンプル・データを記憶することを防止する
    手段を有する請求項6記載の電力モニタ。 8、その中の過渡的なデータを解析した後、過渡的なデ
    ータを持っていた、前記第1及び第2のメモリ区域の内
    の前記一方に到来サンプル・データを記憶することを許
    す手段を含む請求項7記載の電力モニタ。 9、周期的な信号に関係する電力を監視する方法に於て
    、該信号の複数個のサイクルを含む観測窓の間、前記信
    号を標本化して、該信号の各サイクルの間、複数個の組
    の電圧−電流サンプルを発生し、サイクル毎に、前記サ
    ンプルの組が観測窓の各サイクルの初めに対して相異な
    る相対的な時間位置に発生される様に、前記信号の標本
    化を調時する工程を含む方法。 10、前記信号に関係する実数及び虚数電力を前記サン
    プルの組から決定する工程を含む請求項9記載の方法。 11、選ばれた線路の相の真のRMS電圧及び電流を前
    記サンプルの組から決定する工程を含む請求項9記載の
    方法。 12、前記決定する工程が、WATTSを実数電力、V
    (i)を観測窓内の各々の電圧サンプル、I(i)co
    s(θ)を観測窓内の各々の電流サンプル、Mを観測窓
    内にあるサンプルの数として、次の式 ▲数式、化学式、表等があります▼ に従って、前記観測窓の間に前記信号が持つ実数電力を
    決定することを含む請求項10記載の方法。 13、前記決定する工程が、VARSをボルト・アンペ
    ア無効電力、V(i)を観測窓内の各々の電圧サンプル
    、I(i)cos(θ+90)を前記観測窓内で90°
    ずれた各々の電流サンプル、Mを観測窓内にあるサンプ
    ルの数として、次の式▲数式、化学式、表等があります
    ▼ に従って、前記観測窓の間に前記信号が持つ虚数電力を
    決定することを含む請求項10記載の方法。 14、系の力率を決定する工程を含む請求項13記載の
    方法。 15、系の合計エネルギ使用量を決定する工程を含む請
    求項14記載の方法。 16、周期的な信号の複数個のサイクルを含む観測窓の
    間、該信号に関係する電力を監視する方法に於て、各々
    のサイクルを略同じ持続時間を持つ複数個の期間に分割
    し、各々のサイクルの各々の期間の間の電圧及び電流サ
    ンプルを求めて、前記信号のサイクル毎に、観測窓の各
    サイクルの初めに対して相異なる相対的な時間位置で電
    圧−電流サンプルの組を発生し、前記電圧−電流サンプ
    ルの組をメモリに記憶し、こうして記憶されたサンプル
    から、前記信号に関係する実数及び虚数電力を決定する
    工程を含む方法。 17、観測窓の1サイクル当たりの前記複数個の期間が
    非整数である請求項16記載の方法。 18、周期的な信号の複数個のサイクルを含む観測窓の
    間、該信号に関係する電力を監視する方法に於て、前記
    信号の第1及び第2の観測窓の間、電圧及び電流サンプ
    ルを求めて、前記第1及び第2の観測窓の1サイクル当
    たり、複数個の電圧−電流サンプルの組を発生し、前記
    第1の観測窓の間に求めた電圧−電流サンプルの組を第
    1のメモリ区域に記憶し、前記第2の観測窓の間、該第
    2の観測窓の間に求められた電圧−電流サンプルを第2
    のメモリ区域に記憶する間、前記第1の記憶区域にある
    サンプルを解析してそれに関係する電力を決定し、前記
    電圧−電流サンプルの組の何れかゞ前記信号の過渡状態
    を表わすかどうかを決定し、過渡的なデータがその中に
    記憶されていると決定された時、前記第1及び第2のメ
    モリ区域の一方を過渡的なメモリ区域と選定し、過渡状
    態が起ったと決定された観測窓の後の次の観測窓に発生
    するサンプルの組を第3のメモリ区域に記憶し、その中
    の過渡的なデータが解析されるまで、前記第1及び第2
    のメモリ区域の内、過渡的なメモリ区域と選定された一
    方を使うことを防止する工程を含む方法。 19、前記第2の観測窓の後の第3の観測窓の間、前記
    第1及び第2のメモリ区域の作用を交換して、前記第3
    の観測窓の間に求められたサンプルの組を第1のメモリ
    区域に記憶すると共に、第2のメモリ区域にあるサンプ
    ルの組を解析して、それに関係する電力を決定する工程
    を含む請求項18記載の方法。 20、過渡的なデータがそのメモリ区域に記憶されてい
    る時、前記過渡的なメモリ区域にある電圧サンプルの過
    渡状態解析を行なう工程を含む請求項18記載の方法。 21、その中にある過渡的なデータが解析された後、前
    記過渡的なメモリ区域に電圧−電流サンプルの組を記憶
    することを許す工程を含む請求項20記載の方法。 22、周期的な信号に関係する電力を監視する電力モニ
    タに於て、前記信号の複数個のサイクルを含む観測窓の
    間、前記信号を標本化して、各々の組が、略同時に求め
    られた少なくとも1つの電圧サンプル及び少なくとも1
    つの電流サンプルを含む様な複数個の電圧−電流サンプ
    ルの組を発生する標本化手段と、該標本化手段に結合さ
    れていて、電圧−電流サンプルの組が前記観測窓の各サ
    イクル全体にわたっ分布する様に、前記標本化手段によ
    る前記信号の標本化を調時するタイミング手段と、前記
    標本化手段に結合されていて、観測窓の間に発生するサ
    ンプルの組をインターリーブ形に記憶して、データの1
    サイクルを模擬する作業データ・メモリ区域と、前記標
    本化手段に結合されていて、観測窓の間に発生するサン
    プルの組を逐次的に記憶する過渡的なデータ区域とを有
    する電力モニタ。 23、前記作業データ・メモリ区域及び過渡的なデータ
    ・メモリ区域に結合されていて、前記過渡的なデータ・
    メモリ区域に記憶されているデータの別の場所への伝送
    に備えて、前記作業データ・メモリ区域及び前記過渡的
    なデータ・メモリ区域の内、命令された、選ばれた一方
    の内容を記憶する送信データ・メモリ区域を有する請求
    項22記載の電力モニタ。 24、前記標本化手段に結合されていて、前記観測窓の
    あるサイクルが過渡状態を持つかどうかを決定する試験
    手段を有する請求項22記載の電力モニタ。 25、前記試験手段が、特定のサイクルの電圧−電流サ
    ンプルの組の内の少なくとも2つの相次ぐ電流サンプル
    が予定の閾値レベルより高い振幅を示す時に、前記観測
    窓の特定のサイクル内で過渡状態が発生したと決定する
    請求項24記載の電力モニタ。 26、前記作業データ・メモリの内容を別の場所へ伝送
    したい時、前記作業データ・メモリ区域を前記送信デー
    タ・メモリ区域と定め直すと共に前記送信データ・メモ
    リ区域を作業データ・メモリ区域と定め直す手段を含む
    請求項22記載の電力モニタ。 27、前記標本化手段及びメモリ手段に結合されていて
    、前記作業データ・メモリ区域に記憶されているサンプ
    ルから、前記信号に関係する実数及び虚数電力を決定す
    るマイクロプロセッサ手段を有する請求項22記載の電
    力モニタ。 28、前記プロセッサ手段に結合されていて、前記信号
    の各サイクルに対し、前記マイクロプロセッサ手段によ
    って決定された実数及び虚数電力を記憶する計算データ
    ・メモリ区域を有する請求項27記載の電力モニタ。 29、略周期的な信号の電力を監視する方法に於て、該
    信号の複数個のサイクルを含む観測窓の間、前記信号を
    標本化して、各々の組が略同時に求められた少なくとも
    1つの電圧サンプル及び少なくとも1つの電流サンプル
    を含む様な複数個の電圧−電流サンプルの組を発生し、
    前記電圧−電流サンプルの組が前記観測窓の各サイクル
    全体にわたって分布する様に、前記信号の標本化を調時
    し、特定の観測窓の間に発生したサンプルの組を第1の
    メモリ区域にインターリーブ形で記憶して、該第1のメ
    モリ区域内にデータの1サイクルを模擬し、前記特定の
    観測窓の間に発生するサンプルの組を第2のメモリ区域
    に逐次的に記憶する工程を含む方法。 30、前記第1のメモリ区域の内容を出力に送りたい時
    、前記第1のメモリ区域の内容を第3のメモリ区域に記
    憶し、前記第2のメモリ区域の内容を出力に送りたい時
    、前記第2のメモリ区域の内容を前記第3のメモリ区域
    に記憶する工程を含む請求項29記載の方法。 31、前記第1のメモリ区域の内容を出力に送りたい時
    、前記第1のメモリ区域を前記第3のメモリ区域と定め
    直す工程を含む請求項30記載の方法。 32、前記第2のメモリ区域の内容を出力に送りたい時
    、前記第2のメモリ区域を前記第3のメモリ区域と定め
    直す工程を含む請求項30記載の方法。
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