JPH02246421A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH02246421A
JPH02246421A JP1065967A JP6596789A JPH02246421A JP H02246421 A JPH02246421 A JP H02246421A JP 1065967 A JP1065967 A JP 1065967A JP 6596789 A JP6596789 A JP 6596789A JP H02246421 A JPH02246421 A JP H02246421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
semiconductor integrated
adjustment circuit
output drive
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP1065967A
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English (en)
Inventor
Masayoshi Tomita
冨田 昌義
Kouji Todaka
戸高 鋼司
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 本発明は半導体集積回路の構造に関し、演算回路のレイ
アウト設計における変更、修正を容易に行えるようにし
て該変更、修正作業時間を大幅に短縮することを目的と
し、 相補型MOSトランジスタ回路を基礎とし、該回路のP
チャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトラン
ジスタのそれぞれに対し同一タイプのMOSトランジス
タをそれぞれ少くとも1個直列に接続せしめ該MOSト
ランジスタ間の結線を変化させることによりその内部抵
抗を調整しうるようにした出力駆動能力調整回路を任意
の論理セルの出力部に配置せしめるように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はICを主体とする回路群から構成される半導体
集積回路に関するものである。
(従来の技術〕 従来、LSI等の主体とする回路群からなる演算回路を
設計する際には通常CADを使用して配線容量や出力端
子の数、演算スピード等を予測しながらシェミレーシッ
ンを行い各論理セルの配置や配線を決定しており、その
シュミレーシジンの結果が設計要求を満足するものであ
ればそのシュミレーシランにもとすきアレンジされた回
路を実際に製造するような手法を採用している。
この場合、各基本的な論理セルはその大きさが大たい決
められておりそれ等を経済的或は寸法的制約から決めら
れたチップのスペース内にぎっしりと詰め込んで配列さ
れることが一般的である。
処で近年、各論理セルの高速化が計られて来ており、か
かる高速化にともなって、上記のようにシェミレーシッ
ンによって予測して得られた各論理セル回路の配置形態
や配線長の不備或は演算スピードが予測に反して遅すぎ
るとかの問題がよく生じることがある。
それをCAD上でもしくは実際に完成した半導体集積回
路上で修正するには例えば回路の中にバッファーを入れ
たり、配線長をかえる等の作業がある。然しなから既に
CAD上で形成されたレイアウトにおいても又実際に製
造した半導体集積回路上においても各論理セルが既にぎ
っしり詰め込まれているため、新たに別の論理セルを挿
入しうる場所がないのが通常であり、又、他の正常な部
分を他の場所に移動させて必要とされる回路部分に他の
回路を挿入することも出来るが、その正常に機能してい
た回路が移動させたことにより正常な動作をしなくなる
という別の問題も生じて来る。
又これ等の作業を人手によりマニュアル処理をすること
は開発期間や工数が多くなり納期の遅れコストアップに
つながるという問題も見られた。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は上記従来技術の欠点を改良し、各種の半
導体集積回路の開発設計に際し、完成されたレイアウト
をもつ当該回路の出方駆動能力と要求特性との間に相異
がある場合にその相異を容易にかつ短時間にレイアウト
を修正することが出来る半導体集積回路を提供するもの
である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記の目的を達成するため次のような技術構成
を採用するものであご、即ち、相補型MOSトランジス
タ回路を基礎とし、該回路のPチャネルMOSトランジ
スタとNチャネルMOSトランジスタのそれぞれに対し
同一タイプのMOSトランジスタをそれぞれ少くとも1
個直列に接続せしめ該MOSトランジスタ間の結線を変
化させることによりその内部抵抗を調整しうるようにし
た出力駆動能力調整回路を任意の論理セルの出力部に配
置せしめた半導体集積回路である。
〔作 用〕
本発明においては、半導体集積回路における所定の論理
セルの出力部に出力駆動能力を数段階に切り換えうる出
力駆動能力調整回路を予め組み込んでおくものであり、
半導体集積回路全体或は特定の回路部分の演算処理スピ
ード或は配線容量が設計値と合わなかった時にマニユア
ルもしくは個別の配線手法又はCAD手段等により該調
整回路内部での配線形態のみを変更することにより容易
にしかも短時間で修正を行うことが出来、更に、該調整
回路は予め寸法が決っているため修正によってそのサイ
ズは変らず他の論理セルのレイアウトを何ら変更する必
要もなく修正作業を行うことが出来る他該回路を修正し
た結果の動作確認も行うことが出来る。
〔実施例〕
本発明における半導体集積回路としては広範囲の意味に
解されるものであって、例えばフリップフロップ、AN
D 、 OR、NAND 、 NOR等の論理セルを複
数個包含して構成されるIC1或はLSI等あらゆる形
式の演算回路を含むものであって、当該半導体集積回路
の各セルのレイアウト或は配線状況は何ら特定されるも
のではない。
本発明においては、かかる半導体集積回路の中に上記し
た如き出力駆動能力調整回路を好ましくは適宜の論理セ
ルの出力部分に接続して設けるものである。
本発明における出力駆動能力調整回路1は−たんCAD
を用いてシュミレーシツンした結果により得られた当該
半導体集積回路において、回路出力駆動能力、例えば演
算処理スピードが遅すぎるとか速すぎる場合に本回路1
におけるMOS型トランジスタの配線の結線を変更する
ことによって、レイアウト全体をいじることなく回路1
自体の出力駆動能力を変更して調整する機能を有するも
のである。
かかる出力駆動能力調整回路1は第1図に例示するよう
に相補型−MOSトランジスタ回路2(以下単にC−M
OS型トランジスタと云う)のPチ中ネルトランジスタ
P+の外側に同じタイプのPチャネルトランジスタP!
を直列に接続し、又同じC−MOS型トランジスタの一
方の側にあるNチャネルトランジスタN1の外側に同じ
タイプのNチャネルトランジスタN!を直列に接続した
構造を基本的回路構成とするものである。該C−MOS
 トランジスタに接続される付加的Pチャネル及びNチ
ャネルのMOSトランジスタの数は少くとも1個は必要
であり、必要に応じてその数を増加させることが出来る
本発明における上記構造からなる出力駆動能力調整回路
は、前述したように、半導体集積回路中における各論理
セルの出力側に設けることが好ましく、他の論理セルと
のインターフェイスを行う部分に使用することが望まれ
る。
第5図に従来の半導体集積回路に用いられる2人力OR
回路3の例が示されているが該OR回路の出力部には通
常C−MOS型のバッファー回路4が接続され他の論理
セルとの間のインターフェースをとっているが、本発明
ではかかるバッファー回路部分に上記出力駆動能力調整
回路1が設けられる。
本発明における該出力駆動能力調整回路の使用方法を以
下に説明する。
第1図の基本回路において第2図のように電源電圧■。
をPチャネルMOSトランジスタP+ とP2との間に
接続しグランドVSSをNチャネルMOSトランジスタ
N、とN8との間に接続した配線を結線し、又両側部に
あるPチャネル及びNチャネルMOSトランジスタはそ
れぞれオープンつまり遊ばせておくことにより該回路の
中央部即ちC−MOS トランジスタ部分のみを出力駆
動能力調整回路として使用出来るのである。この場合該
出力駆動能力調整回路としては第5図に例示されたバッ
ファー4と同じ機能と能力を有する。(この配線パター
ンをパターンIと称する) 次に本発明にあっては第3図に示すように全てのMOS
トランジスタのゲートを同一の人力Nに接続し、又vD
I、を最外部のPチャネルMOSトランジスタのソース
側に又グランドVSSを最外部のNチャネルMOSトラ
ンジスタのドレイン側にそれぞれ接続するように配線す
ることも出来る。この型の配線は直列接続或はたて積み
接続に該当するものであって、該回路の内部抵抗はパタ
ーン■における内部抵抗に比べて2倍となり、その分譲
回路の処理スピードを遅くすることが出来る。
(この配線パターンをパターン■と称する)。
更に本発明にあっては第4図に示すように全てのMOS
トランジスタのゲートを同一の入力VIN接続すると共
に最外端にあるPチャネルMOSトランジスタPtのソ
ース側と最外端にあるNチャネルMOSトランジスタN
!のドレイン側とを出力■。□を介して接続し、かつ電
源電圧VDDをPチャネルMOSトランジスタP1とP
!との間に接続し又グランド(アース)■3.をNチャ
ネルMOSトランジスタNIとN!の間にそれぞれ接続
するように配線することも出来る。この型の配線はパラ
レル接続に該当するものであり、該回路の内部抵抗はパ
ターン■のものに対し半分となりその分譲回路の処理ス
ピードを速くすることが出来る。(この配線パターンを
パターン■と称する)従って本発明においてはゲートア
レイ、スタンダードセル、フルカスタムセル等を含むI
C、LSIを用いた一般的な半導体集積回路を例えばC
ADを用いて開発設計するに当って、上述した出力駆動
能力調整回路lを各論理セルの出力部に適宜配列せしめ
ながらレイアウトを行った後、レイアウト完成後又は該
回路のパターン形成後、チップ等に作成した後に予測し
た通りの演算スピードが出ないとか配線容量が不足する
等のエラー個所或は問題個所が見出された時は、該調整
回路の配線をつなぎ直すだけで、他のセルの配列やレイ
アウトを変更することなく短時間で修正を行うことが出
来る。
つまり本発明にあっては、予め数段に小駆動能力を切り
かえられるような回路(上述では3段に切り換えられる
)を挿入しておき、エラー個所の特性に応じてその個所
に対応する該調整回路の配線を変更するのみで出力駆動
能力を増加又は減少させて対処することが出来る。従っ
て配線の仕方によっては冗長な素子部分が発生すること
もありうるが、冗長部分の存在よりもエラー個処の修正
を容易にかつ短時間に実施しえることの利点の方が著し
く大きい。
又本発明に係る出力駆動能力調整回路はゲートアレーの
論理セル、I10セルに含めておくことも可能である。
以下に本発明の具体的な実施例を説明する。
まず第1図に示すような構造を有する出力駆動能力調整
回路をCADに登録しておく。
次に実際の半導体集積回路を開発設計するに当り半導体
集積回路内で使用される各論理セルをCADを用いなが
らレイアウトするとともに任意の論理セルの出力部に該
出力駆動能力調整回路lを配置せしめておく0例えば第
5図に示すように2人力OR回路である論理セル3の出
力部oIに従来−船釣に設けられているバッファー回路
4の代りに当該調整回路1を配置せしめる。この際本実
施例では全ての調整回路1をパターン■の配線型式にし
てレイアウトを行うものである。かかるレイアウト終了
後或はかかるレイアウトにもとづいてチップを製作した
後、エラー個処が見つかり半導体集積回路の例えばスピ
ード調整が必要であると判断された時、それがスピード
を遅らせる必要のある処については、当該調整回路1の
パターンをパターン■からパターン■になるように配線
をつけ替え又スピードを速くする必要のある処について
はパターンをパターン■からパターン■になるように配
線をつけ替えることによって他の論理セルのレイアウト
を何ら変更することなく修正作業を簡単にかつ短時間で
実施することが出来る。
〔効 果〕
本発明においては、半導体集積回路の適宜の位置に出力
駆動能力が複数段に切り換えうる調整回路を予め配置さ
れており、エラー個処が見出された時にはその部分に対
応する該出力駆動能力調整回路の配線を変更するのみで
出力駆動能力例えば処理スピードを適切な値のものに調
整して修正することが出来、その修正作業に当っては既
に配置されている他の論理セルのレイアウトを何ら変更
することなく簡単にかつ容易に実行することが出来るの
みならず、開発期間を大幅に短縮することが出来るので
ユーザーに対する製品の納期を短く出来又コスト低減を
計ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る出力駆動能力調整回路の基本構造
の1例を示す図である、 第2図〜第4図は本発明に係る出力駆動能力調整回路の
配線パターンの例をそれぞれ示す図である、 第5図は従来の2人力OR回路にバッファー回路を組合
せた例を示す図である。 1・・・出力駆動能力調整回路、 2・・・(ニーMO5トランジスタ回路、P +、P 
z・・・PチャネルMOSトランジスタ、N 1. N
 z・・・NチャネルMOSトランジスタ、3・・・2
人力OR回路、 4・・・バッファ回路。 第 図 第」図の回路の配線パターンIを示す図$2図 第1図の回路の配線パターン■を示す図第 回 第1図の回路の配線パターン■を示す因第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、相補型MOSトランジスタ回路を基礎とし、該回路
    のPチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSト
    ランジスタのそれぞれに対し同一タイプのMOSトラン
    ジスタをそれぞれ少くとも1個直列に接続せしめ該MO
    Sトランジスタ間の結線を変化させることによりその内
    部抵抗を調整しうるようにした出力駆動能力調整回路を
    任意の論理セルの出力部に配置せしめたことを特徴とす
    る半導体集積回路。 2、該出力駆動能力調整回路における両最外端にあるM
    OSトランジスタがいづれもオープンとなるように結線
    されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積
    回路。 3、該出力駆動能力調整回路における複数個のPチャネ
    ルMOSトランジスタと複数個のNチャネルMOSトラ
    ンジスタがそれぞれ直列接続されるように結線されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 4、該出力駆動能力調整回路における複数個のPチャネ
    ルMOSトランジスタと複数個のNチャネルMOSトラ
    ンジスタがそれぞれ並列接続されるように結線されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
JP1065967A 1989-03-20 1989-03-20 半導体集積回路 Pending JPH02246421A (ja)

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JP1065967A JPH02246421A (ja) 1989-03-20 1989-03-20 半導体集積回路

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JP (1) JPH02246421A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04172817A (ja) * 1990-11-07 1992-06-19 Sharp Corp ディジタル集積回路
US7849431B2 (en) 2006-04-10 2010-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. CMOS inverter layout for increasing effective channel length
JP2016110584A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社ソシオネクスト 半導体装置の設計方法、設計装置、及び半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04172817A (ja) * 1990-11-07 1992-06-19 Sharp Corp ディジタル集積回路
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