JPH02246100A - 集積マトリックスメモリ - Google Patents
集積マトリックスメモリInfo
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- JPH02246100A JPH02246100A JP90123A JP12390A JPH02246100A JP H02246100 A JPH02246100 A JP H02246100A JP 90123 A JP90123 A JP 90123A JP 12390 A JP12390 A JP 12390A JP H02246100 A JPH02246100 A JP H02246100A
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- G11C—STATIC STORES
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- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ックスメモリであって、各標準ブロックは第1の一定数
i個の標準サブブロックを具え、各サブブロックは第2
の一定薮n個の記憶列を具え、任意のブロック内の各サ
ブブロックは列セレクタを経て、当該ブロック内のそれ
ぞれのサブブロックに排他的に割り当てられ且つ他のブ
ロック内の同一ランクの他のサブブロックに対しても作
用するサブバスに接続すると共に、それぞれのサブバス
と外部データ端子との間にパスセレクタを設けて成る集
積マトリックスメモリに関するものである。
の標準ブロックが駆動され、他のブロックが減勢される
。この結果、メモリの一部分のみがエネルギーを消費し
、残部はエネルギーを消費しない。駆動された標準ブロ
ック内では1つの標準サブブロックのみがアドレスされ
、このサブブロックには行アドレスも供給される。この
とき各記憶列内の1ビット位置がアドレスされる。列セ
レクタはサブブロック内の列の1サブセツトのみを選択
して関連するサブバスに接続する。これがため、全ての
サブバスが相まって1つのメモリ位置をアドレスし、そ
の容量はメモリの設計容量に依存する。最後に、1つの
サブバス及び従って1つのビット位置のみを選択するパ
スセレクタを設ける。以上のことは読み取り動作にも書
き込み動作にもあてはまる。
由度を代用冗長サブブロックで高めるようにする冗長サ
ブブロックを設け、読み取り動作中の各サブブロックの
選択を出力側にて行なって、エラーアドレスの検出に比
較的多量の時間を利用できるようにし、冗長量を冗長サ
ブブロックの数を決めることによって選択可能として、
冗長性により修理できるようにした上述した種類のメモ
リを提供することにある。
において、第3の数j個の冗長サブブロックを具える冗
長ブロックも設け、これらの冗長サブブロックの各々が
n個の記憶列を具え、前記冗長サブブロックの各々を前
記列セサクタとは別の列セレクタを介してそれぞれのサ
ブバスに接続し、不良の標準サブブロックに関連するエ
ラーアドレスを検出すると共にそれぞれに応答して前記
冗長ブロックを作動させ、且つ該冗長ブロックにおける
前記冗長サブブロックに接続されたサブバスを選択的に
作動させることによって、前もって知らされる当該冗長
サブブロックも作動させるエラーアドレス検出器を設け
たことを特徴とする。
く起こらなくなる。その理由は正規の標準ブロックのア
ドレス指定及び冗長サブブロックのアドレス指定が並列
的に行われるからである。本発明は書き込み動作をさせ
る場合にも好適である。
ットアツプ時間を組み込むためにデータを通常遅延させ
るからであり、他の理由は標準サブブロック/冗長サブ
ブロックのレベル選択を十分迅速に行うことができ、従
ってサブバスの選択も十分迅速に行うことができるから
である。
とに分けられるブロックデコーダを設け、前記エラーア
ドレス検出器にプレデコーダの出力信号を供給すると共
に第1バス選択信号も供給して、前記エラーアドレスの
検出時に、第2バス選択信号を該検出時に優勢な第1サ
ブバス選択信号の代わりとして作動させるようにする。
より予定したブロックの指定と並列に検出される。この
予定ブロックがエラーを含むものである場合には冗長サ
ブブロックが作動するようになるが、並列動作のために
、作動速度はエラーアドレスの検出如何には殆ど無関係
である。
ーアドレス検出器を具えている第2列のマトリックスメ
モリを具えている集積回路にも関するものである。本発
明によればメモリの融通性が非常に高くなる。
すものであるが、これは本発明の構成を示すものではな
い。100は集積回路内に実現されたメモリの輪郭を示
す。メモリ100は4個の同一のマトリックス102.
−−−−108から成る。破線はマトリックス106が
拡大されて詳細に示されていることを表している。この
拡大図から明らかなように、マトリックスl口6は16
個のブロックから成り、これらブロックのうちブロック
110のみに番号をつけである。別の破線はブロック1
10が拡大されて詳細に示されていることを表している
。この拡大図から明らかなように、ブロック110は4
個のサブブロックから成り、各サブブロックは8個のビ
ットセル列から成る。各列は128個のビットセルを含
む。従って、このメモリの総容量は4X16X32X1
28 =256 Kビットになる。しかし、本発明は斯
かる容量に限定されるものではない。第1図にはメモリ
をアクセスするための機構だけではなく、冗長記憶容量
部及びそれに関連する選択部の機構も図示してない。
細ブロック図であり、選択及び冗長ブロックも示しであ
る。上述したマトリックスの1つのみ、例えばマ) I
Jフックス06の一部分のみを示しである。予定の記憶
容量はp個の標準ブロック20.22の列により達成さ
れる。本例ではn=16であるが、2個のブロックのみ
を図示しである。l標準ブロック当りの記憶容量はl標
準ブロック当りの標準サブブロック26.28.−−−
−40の数1 (第1の数という)により達成される。
例えば2)又は大きく (例えば8)することができる
。1標準サブブロック当りの記憶容量は図の左から右へ
延在する記憶列の数n(第2の数という)により実現さ
れる。本例ではn=8(従って1標準ブロック当り32
列)であるが、もっと大きく又は小さくすることもでき
る。本例メモリにはj個の冗長サブブロック42.44
を具える1つの冗長ブロック24も設ける。本例ではj
=2であるが、他の数にすることもできる。i=4の場
合にはjは1. 2. 3゜4の全ての値にすることが
できる。i=2の場合にはjは1,2にすることができ
、他の値の1に対しても同様である。標準サブブロック
は冗長サブブロックと同一に構成され、即ちこれらは同
一の行及び列を具える。
クタ46.−−一−64も具える。各列セレクタはサブ
バス66、−−−−72に接続する。各標準ブロック内
及び冗長ブロックにおける各列セレクタを1つの各サブ
バスに接続する。lサブバス当りの列セレクタの数は本
例では2個又は3個であり、斯くして列セレクタ52.
60をサブバス66に割り当て、列セレクタ46.54
.62をサブバス72に割り当てる。
こともできる。全てのサブバスをバスセレクタ74を経
て外部データ端子76に接続することができる。
入力端子78、プレデコーダ80、エラーアドレス検出
器84、補正素子86.2個のプレデコーダ202.2
04、標準ブロックアドレスデコーダ94、冗長ブロッ
ク24のアクティベータ96及び別のプレデコーダ21
0 も具える。
作が生ずる。好適例では2つの最上位アドレスビットが
4個のマトリックスの1つを選択するのに使われる。第
2図に示すメモリの部分に対しては、この2ビツトの復
号結果がエネーブル作用を行うのであるが、この点につ
いては詳述しない。この場合、16アドレスビツトが残
存する。
れる。これらのビットは並列に行選択デコーダ200に
供給され、このデコーダが128行のうちの1行を選択
する。従ってバンドル212のパス幅は128であるが
、これを記号的にのみ示しである。
ちの4個が関連するブロックの選択に必要とされる。こ
の目的のために、これらビットが2ビツトづつプレデコ
ーダ202.204に供給され、各プレデコーダがバイ
ナリコードをワン・アウト・オブ・フォー・コードに変
換する。これら2つのワン・アウト・オブ・フォー・コ
ードは標準ブロックメインデコーダ94に供給される。
々に対しプレデコーダ202.204により形成された
特定のビットの組合せを受信するANDゲートを具え、
常に多くとも1つの標準ブロックが駆動されるようにす
る。これら2つのワン・アウト・オブ・フォー・コード
はライン206を経てエラーアドレス検出器84にも供
給される。更に、アドレスされたサブブロック内°のア
ドレスすべき列を選択するには3つのアドレスビットが
必要とされる。これら3つのアドレスビットは列セレク
タ46.−−−−64に供給することができ、本例では
これらセレクタは常に同一の人力信号を受信する。他の
(好適な)方法としては、これらの3ビツトをワン・ア
ウト・オブ・エイト・コードを形成する他のプレデコー
ダ210に供給する。ライン98は8ビツト幅を有し、
列セレクタはスイッチとしてのみ作用する。第2図に示
す構成では標準ブロックの数が少なくなっているが、前
述したように第1図に示した例に関連するビット数が用
いられるのである。
る必要があるものとする。上記最後に述べたプレデコー
ダ210を介し、しかもモード信号(R/WR)及びク
ロック/エネーブル信号(CL、CE)による制御によ
り、各1づつの列を列セレクタ46−−−−52の各々
を経てアドレスする。
レ)デコーダの入力端子にてアドレスバッファ用のディ
スエネーブル信号として作用する。
択するための2ビツトを入力端子78に供給する。これ
らの2ビツトはワン・アウト・オブ・フォー・コードに
変換されて補正素子86及びエラーアドレス検出器84
に供給される。
アウト・オブ・フォー・コードと、プレデコーダ202
.204から2つのワン・アウト・オブ・フォー・コー
ドを受信する。エラーアドレス検出器84は受信した所
定のコードが正しいサブブロックに対応するものである
のか、不良サブブロックに対応するものであるのかを検
出する。これに関連する回路は、ここに参考までに挙げ
る米国特許出願第265640号に対応する先の欧州特
許出願87202286.8に記載されている。斯種の
検出器は、例えば検出器を何としても作動させることが
できるのかどうかを示すアクティベーション素子と直列
に検出器をプログラム化するためのヒユーズ(fuse
)素子によって構成することができる。
ブロックを示す場合には、デコーダ94を作動させると
ともにアクティベータ96を不作動とする信号がライン
208に現れる。又、ライン90にはデコーダ80によ
り形成されたワン・アウト・オブ・フォー・コードを素
子86が通すようにする信号が現れる。この後者のコー
ドは作動させるべきサブバス66、68.70.72に
対応する位置にスイッチ74をセットし、斯くして外部
端子76と通信させる。
即ち2つの冗長サブブロック42.44の各々に対し別
々にプログラム化し得る素子を具えている。
の数をそれに応じて多くしたり、少なくしたりする。
出器84にふける2個の検出素子の内の一方が正の信号
を出力する。この正の信号はライン208に例えばOR
機能で合成されるが、これは別に示してない。この信号
はアクティベータ96に対しては作動信号として作用す
るがデコーダ94に対しては不作動信号として作用する
。アクティベータ96は冗長サブブロック42.44を
選択するのではなく、これらのサブブロックを一緒に、
又は別々に作動させるに過ぎない。前述した場合に対し
、この場合にはライン90にアクティベーション信号が
現れる。これは例えばアクティベーシヨンを表す1ビツ
ト及びサブバス70(冗長サブブロック44)とサブバ
ス72(冗長サブブロック42)とのどちらかを選択を
する1ビツトである。他の方法として、ティンバンドル
90の2つの各ラインが冗長サブブロックの1つを作動
させるようにすることもできる。この場合にはラインバ
ンドル90の双方のラインをOR機能で結合させて、こ
のORゲートの出力がライン82の全ての結線をディス
エネーブルにさせる。ラインバンドル90の各ラインは
関連するサブバスに対する制御結線とも一緒にOR機能
で結合される。
ス指定に関するチエツクがサブブロックそのものの選択
動作と並列に実行される。標準サブブロック内の位置及
び多分アドレスすべき冗長サブブロック内の位置も並列
的に決定される。この場合には不良標準サブブロックの
検出時にライン90及び208における信号によって補
正が行われる。
冗長サブブロックをアドレスする必要のある場合でも殆
ど遅延は生じない。
負のセットアツプ時間がとられることからして、書き込
み作動の場合には読み取り中には生じない単方向性の遅
延(図示せず)のためにデータが通常既に僅かながら遅
延される。この場合にスイッチ74を、アドレスすべき
サブブロックに対するデータ通路に最初に切り換え得る
ようにすることに何等異存はない。
せることができるため、融通性が非常に高くなる。所要
に応じ、互いにランダムに選択することのできる複数の
サブブロックを交替させることができる。第2図につき
述べたメモリはデータ通路を広げるために並列接続の一
部とすることができる。なお、この点での他の変形例と
して、例えば各サブブロックを常に2列づつ選択し得る
ようにし、例えばこの場合8つのサブバスを並列に配置
すると共に2個のスイッチ74を設けるようにすること
もできる。
長ブロック用アクティベータ100 ・・・メモリ 〜108・・・マトリックス ・・・ブロック 〜118・・・サブブロック ・・・行選択デコーダ 204、210・・・プレデコーダ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、p個の標準ブロックの列を具える集積マトリックス
メモリであって、各標準ブロックは第1の一定数i個の
標準サブブロックを具え、これらの各標準サブブロック
は第2の一定数n個の記憶列を具え、任意の標準ブロッ
ク内の各サブブロックは、列セレクタを介して、当該標
準ブロック内のそれぞれのサブブロックに排他的に割り
当てられ、且つ他の標準ブロック内の同一ランクの他の
サブブロックに対しても作用するサブバスに接続すると
共に、それぞれサブバスと外部データ端子との間にバス
セレクタを設けて成る集積マトリックスメモリにおいて
、第3の数j個の冗長サブブロックを具える冗長ブロッ
クも設け、これらの冗長サブブロックの各々がn個の記
憶列を具え、前記冗長サブブロックの各々を前記列セサ
クタとは別の列セレクタを介してそれぞれのサブバスに
接続し、不良の標準サブブロックに関連するエラーアド
レスを検出すると共にそれぞれに応答して前記冗長ブロ
ックを作動させ、且つ該冗長ブロックにおける前記冗長
サブブロックに接続されたサブバスを選択的に作動させ
ることによって、前もって知らされる当該冗長サブブロ
ックも作動させるエラーアドレス検出器を設けたことを
特徴とする集積マトリックスメモリ。 2、プレデコーダとメインデコーダとに分けられるブロ
ックデコーダを設け、前記エラーアドレス検出器にプレ
デコーダの出力信号を供給すると共に第1バス選択信号
も供給して、前記エラーアドレスの検出時に、第2バス
選択信号を該検出時に優勢な第1サブバス選択信号の代
わりとして作動させるようにしたことを特徴とする請求
項1に記載のマトリックスメモリ。 3、前記第1サブバス選択信号をサブバス選択デコーダ
により供給するようにしたことを特徴とする請求項2に
記載のマトリックスメモリ。 4、前記冗長サブブロックの数を1標準ブロック当りの
標準サブブロックの数よりも少なくしたことを特徴とす
る請求項1又は2に記載のマトリックスメモリ。 5、前記冗長サブブロックの数を1標準ブロック当りの
標準サブブロックの数に等しくしたことを特徴とする請
求項1〜3のいずれかに記載のマトリックスメモリ。 6、前記列セクタが関連する標準/冗長サブブロックか
ら単一の記憶列を選択するようにしたことを特徴とする
請求項1〜5のいずれかに記載のマトリックスメモリ。 7、各マトリックスメモリが別々に調整可能なエラーア
ドレス検出器を具えるようにした請求項1〜6のいずれ
かに記載の第2列のマトリックスメモリを具えて成る集
積回路。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
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NL8900026A NL8900026A (nl) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | Matrixgeheugen, bevattende standaardblokken, standaardsubblokken, een redundant blok, en redundante subblokken, alsmede geintegreerde schakeling bevattende meerdere van zulke matrixgeheugens. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02246100A true JPH02246100A (ja) | 1990-10-01 |
JP2852319B2 JP2852319B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=19853911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000123A Expired - Lifetime JP2852319B2 (ja) | 1989-01-06 | 1990-01-05 | 集積マトリックスメモリ |
Country Status (6)
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Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0748320B2 (ja) * | 1989-07-24 | 1995-05-24 | セイコー電子工業株式会社 | 半導体不揮発性メモリ |
JPH03235290A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 階層的な行選択線を有する半導体記憶装置 |
GB9007796D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Foss Richard C | Dynamic memory row/column redundancy scheme |
JPH04103099A (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP3019869B2 (ja) * | 1990-10-16 | 2000-03-13 | 富士通株式会社 | 半導体メモリ |
US5761127A (en) * | 1991-11-20 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Flash-erasable semiconductor memory device having an improved reliability |
JP2738195B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5295101A (en) * | 1992-01-31 | 1994-03-15 | Texas Instruments Incorporated | Array block level redundancy with steering logic |
EP0567707A1 (en) * | 1992-04-30 | 1993-11-03 | International Business Machines Corporation | Implementation of column redundancy in a cache memory architecture |
KR950000275B1 (ko) * | 1992-05-06 | 1995-01-12 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 |
US5317535A (en) * | 1992-06-19 | 1994-05-31 | Intel Corporation | Gate/source disturb protection for sixteen-bit flash EEPROM memory arrays |
SE502777C2 (sv) * | 1993-04-29 | 1996-01-08 | Ellemtel Utvecklings Ab | Felisolering av delar hos ett tele- och datakommunikationssystem |
JP3212421B2 (ja) * | 1993-09-20 | 2001-09-25 | 富士通株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3351595B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2002-11-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリ装置 |
JP2751821B2 (ja) * | 1994-02-16 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5805512A (en) * | 1995-02-09 | 1998-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
WO1996038845A1 (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-05 | Macronix International Co., Ltd. | Technique for reconfiguring a high density memory |
US5999463A (en) * | 1997-07-21 | 1999-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Redundancy fuse box and semiconductor device including column redundancy fuse box shared by a plurality of memory blocks |
JPH11317091A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
US7403417B2 (en) * | 2005-11-23 | 2008-07-22 | Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg | Non-volatile semiconductor memory device and method for operating a non-volatile memory device |
CN105979871B (zh) | 2014-01-10 | 2020-03-03 | 格鲁科威斯塔公司 | 测量物质浓度的非侵入式系统和方法、计算机可读介质 |
KR20190060527A (ko) * | 2017-11-24 | 2019-06-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
CN115855226B (zh) * | 2023-02-24 | 2023-05-30 | 青岛科技大学 | 基于dqn和矩阵补全的多auv协同水下数据采集方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6031038A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-16 | Shimadzu Corp | 構造物試験機 |
US4599709A (en) * | 1984-02-17 | 1986-07-08 | At&T Bell Laboratories | Byte organized static memory |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR890003691B1 (ko) * | 1986-08-22 | 1989-09-30 | 삼성전자 주식회사 | 블럭 열 리던던씨 회로 |
-
1989
- 1989-01-06 NL NL8900026A patent/NL8900026A/nl not_active Application Discontinuation
- 1989-12-20 US US07/453,637 patent/US5033024A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-21 DE DE68924639T patent/DE68924639T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-21 EP EP89203287A patent/EP0377249B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6031038A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-16 | Shimadzu Corp | 構造物試験機 |
US4599709A (en) * | 1984-02-17 | 1986-07-08 | At&T Bell Laboratories | Byte organized static memory |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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NL8900026A (nl) | 1990-08-01 |
US5033024A (en) | 1991-07-16 |
JP2852319B2 (ja) | 1999-02-03 |
EP0377249A1 (en) | 1990-07-11 |
EP0377249B1 (en) | 1995-10-25 |
KR0170766B1 (ko) | 1999-03-30 |
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DE68924639D1 (de) | 1995-11-30 |
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