JPS58111200A - デ−タ処理システム - Google Patents
デ−タ処理システムInfo
- Publication number
- JPS58111200A JPS58111200A JP57182215A JP18221582A JPS58111200A JP S58111200 A JPS58111200 A JP S58111200A JP 57182215 A JP57182215 A JP 57182215A JP 18221582 A JP18221582 A JP 18221582A JP S58111200 A JPS58111200 A JP S58111200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- bit
- data
- defective
- main memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は欠陥メモリ・ロケーションを代替メモリ・ユニ
ットのメモリ・ロケーションで論理的に置き換えるよう
にしたディジダル・データ・メモリ・システムに関し、
更に詳細にいえば、代替メモリ・ユニット内の割当てら
れる補助メモリ・口ケーションの数を最小にし且つ関連
するエラー補正システムで補正できない型のエラーなし
にメイン・メモリから読Itりうるデータ量を最大にす
るようにメイン・メモリの欠陥メモリ・ロケーションを
選択的に置き換えるようにしたメモリ・システムに関す
る。
ットのメモリ・ロケーションで論理的に置き換えるよう
にしたディジダル・データ・メモリ・システムに関し、
更に詳細にいえば、代替メモリ・ユニット内の割当てら
れる補助メモリ・口ケーションの数を最小にし且つ関連
するエラー補正システムで補正できない型のエラーなし
にメイン・メモリから読Itりうるデータ量を最大にす
るようにメイン・メモリの欠陥メモリ・ロケーションを
選択的に置き換えるようにしたメモリ・システムに関す
る。
例えば米国特許第5456754号、米国特許第333
1058号に示されるように、欠陥メモリ・ロケーショ
ンを有するメモリ・ユニットを使用可能なメモリとして
利用できるようにしたメモリ・システムが種々提案され
ている。
1058号に示されるように、欠陥メモリ・ロケーショ
ンを有するメモリ・ユニットを使用可能なメモリとして
利用できるようにしたメモリ・システムが種々提案され
ている。
1つの簡単な従来の方法は欠陥を含むアドレス可能なメ
モリ・ロケーションを単にバイパススルだめのメモリ・
アドレス手段を設けるものである。
モリ・ロケーションを単にバイパススルだめのメモリ・
アドレス手段を設けるものである。
他の方法としては、メイン・メモリの欠陥ロケーション
に記憶されるデータを補助メモリに記憶するものがある
。いつ欠陥口□ケーションがアドレスされるかを識別す
るための回路が設けられ、欠陥ロケーションにデータが
入れられるときこのf−タは補助メモリに記憶され、欠
陥ロケーションの読取りが行なわれるとき社代わりに補
助メモリのデータが読取られる。
に記憶されるデータを補助メモリに記憶するものがある
。いつ欠陥口□ケーションがアドレスされるかを識別す
るための回路が設けられ、欠陥ロケーションにデータが
入れられるときこのf−タは補助メモリに記憶され、欠
陥ロケーションの読取りが行なわれるとき社代わりに補
助メモリのデータが読取られる。
また、従来の技術によれば、工′ラー補正システムによ
って記憶データをエラーから保護するものがある。即ち
、データをメモリに入れるときチェック・キャラクタを
発生してデータと共に記憶し、後にデータを読取るとき
再びチェック・キャラクタを発生し、チェック・キャラ
クタを処理することによってエラーの存在、エラーの種
類及びエラーの位置を検出し、データをシステムによっ
て更に処理する前にエラーを補正できるようにするもの
である。
って記憶データをエラーから保護するものがある。即ち
、データをメモリに入れるときチェック・キャラクタを
発生してデータと共に記憶し、後にデータを読取るとき
再びチェック・キャラクタを発生し、チェック・キャラ
クタを処理することによってエラーの存在、エラーの種
類及びエラーの位置を検出し、データをシステムによっ
て更に処理する前にエラーを補正できるようにするもの
である。
メモリに記憶されたデータ・ワードと関連するチェック
・キ番ヤラクタの数は用いられるECCコードの幕に依
存する。一般には、補正されるべきエラーの種類の数が
増えると、チェック・キャラクタの数も増える。□′ 勿論、チェック・ビット又はチェック・キャラクタはメ
イン・メモリ内の記憶位置を浪費しシステムのデータ記
憶効率を下げるから、最少数のチェック・ビット又はチ
ェック・キャラクタを使用するECCシステムを用いる
のが望ましい。また、欠陥ロケーションの代替として設
けられる補助記憶ロケーションの数を最少にするのが望
ましい。
・キ番ヤラクタの数は用いられるECCコードの幕に依
存する。一般には、補正されるべきエラーの種類の数が
増えると、チェック・キャラクタの数も増える。□′ 勿論、チェック・ビット又はチェック・キャラクタはメ
イン・メモリ内の記憶位置を浪費しシステムのデータ記
憶効率を下げるから、最少数のチェック・ビット又はチ
ェック・キャラクタを使用するECCシステムを用いる
のが望ましい。また、欠陥ロケーションの代替として設
けられる補助記憶ロケーションの数を最少にするのが望
ましい。
更に、欠陥ロケーションを持つとしても、できるだけ多
数のメイン・メモリ・ユニットを使用して、歩留りを高
めコストを下げるのが望ましい。・従って本発明の目的
は、メイン・メモリの欠陥ロケーションに記憶できない
データを記憶するのに必要な補助メモリの容量を最小に
するようにしたメモリ・システムを提供することである
。
数のメイン・メモリ・ユニットを使用して、歩留りを高
めコストを下げるのが望ましい。・従って本発明の目的
は、メイン・メモリの欠陥ロケーションに記憶できない
データを記憶するのに必要な補助メモリの容量を最小に
するようにしたメモリ・システムを提供することである
。
他の目的ハシステム・パフォーマンスに影響を与えるこ
となくメイン・メモリの欠陥ロケーションを論理的に置
換するメモリ・システムを提供することである。
となくメイン・メモリの欠陥ロケーションを論理的に置
換するメモリ・システムを提供することである。
本発明は、補正できないエラーを持つ欠陥ロケ・ −
ジョンからのデータ・ワードの読取シを回避するように
、メイン・メモリのどの欠陥ロケーションを補助メモリ
の良好ロケーションと論理的に置換するかを選択的に制
御するための手段を設けることによって、メイン・メモ
リの欠陥ロケーションの数及び位置に応じてメモリ・シ
ステムを最適化できるようにした、欠陥ロケーションを
有するメイン・メモリ・を用いたメモリ・システムを提
供するものである。
ジョンからのデータ・ワードの読取シを回避するように
、メイン・メモリのどの欠陥ロケーションを補助メモリ
の良好ロケーションと論理的に置換するかを選択的に制
御するための手段を設けることによって、メイン・メモ
リの欠陥ロケーションの数及び位置に応じてメモリ・シ
ステムを最適化できるようにした、欠陥ロケーションを
有するメイン・メモリ・を用いたメモリ・システムを提
供するものである。
次に図面を参照して本発明の良好な実施例を説明する。
第1図は本発明によるメモリ・システムを実施したデー
タ処理システムのブロック図であり、ホスト・データ処
理装置(CPU)10、メイン・メモリ11.2次メモ
リ13を有する。メモリ入力データ・バス14はCPU
10から2次メモリSシ、を介してメイン・メモリ11
へ延び、人毛り出力データ・バス15はメイン・メモリ
11から2次メモリ13を介してCPU10へ延び、ア
ドレス・バス20はCPUl0から2次メモリ13、メ
イン・メモリ11へ延び、制御バス21はCPU10か
ら2次メモリ13へ延びてこれに制御データを与える。
タ処理システムのブロック図であり、ホスト・データ処
理装置(CPU)10、メイン・メモリ11.2次メモ
リ13を有する。メモリ入力データ・バス14はCPU
10から2次メモリSシ、を介してメイン・メモリ11
へ延び、人毛り出力データ・バス15はメイン・メモリ
11から2次メモリ13を介してCPU10へ延び、ア
ドレス・バス20はCPUl0から2次メモリ13、メ
イン・メモリ11へ延び、制御バス21はCPU10か
ら2次メモリ13へ延びてこれに制御データを与える。
入力バス14と出力バス15にはエラー補正システム(
ECCシステム)22が組合わされ、CPU10とメイ
、ン・メモリ11との間で転送される各データ・ワード
毎にエラー補正用チェック・キャラクタを発生するよう
に働く。ECCシステム22は欠陥メモリ・ロケーショ
ン又は何らかの正当な技術的理由のために生じるランダ
ム・エラーの結果として生じる所定の型のエラーを補正
する。
ECCシステム)22が組合わされ、CPU10とメイ
、ン・メモリ11との間で転送される各データ・ワード
毎にエラー補正用チェック・キャラクタを発生するよう
に働く。ECCシステム22は欠陥メモリ・ロケーショ
ン又は何らかの正当な技術的理由のために生じるランダ
ム・エラーの結果として生じる所定の型のエラーを補正
する。
本発明の実施例は第2図に示されるように、128個の
データ・ピット位置及び16個のチェック・ピット位置
(FCC)の計144個のピット位置を有するデータ・
ワードを用いる。データ・バス14.15は144ビツ
ト幅であるものとするっまた、メイン・メモリ11は6
42K(K=1024)のデータ・ワードを記憶するも
のとする。
データ・ピット位置及び16個のチェック・ピット位置
(FCC)の計144個のピット位置を有するデータ・
ワードを用いる。データ・バス14.15は144ビツ
ト幅であるものとするっまた、メイン・メモリ11は6
42K(K=1024)のデータ・ワードを記憶するも
のとする。
メイン・メモリ11は第1人図に示されるように、夫々
64にビットのメモリ・セルを含むチップを144ビツ
ト・ワードの各ビット位置毎に64個配列したアレイか
らなる。メイン・メモリは従って144ビツトのデータ
・ワードを642に個記憶する。アドレス・バス20は
642KQワード・ロケーションの1つを指定する゛た
め22ビツト幅である。メイン・メモリは種々のパター
ンのエラーを持ちやすく、そのいくつかが第5A図〜第
5C図に示されている。第3A図はビット位置27と関
連する1つの64にビット・チップ3の全部が欠陥の場
合、第3B図はピット位置25.27と関連する2つの
チップ1.6が欠陥を有しチップ1では1〜256のビ
ット・セル・ロケーションに欠陥がある場合、第3C図
は更にピット位置28と関連するチップ40ビツト・セ
ル・ロケーション6.4.257〜512に欠陥を持つ
場合である。
64にビットのメモリ・セルを含むチップを144ビツ
ト・ワードの各ビット位置毎に64個配列したアレイか
らなる。メイン・メモリは従って144ビツトのデータ
・ワードを642に個記憶する。アドレス・バス20は
642KQワード・ロケーションの1つを指定する゛た
め22ビツト幅である。メイン・メモリは種々のパター
ンのエラーを持ちやすく、そのいくつかが第5A図〜第
5C図に示されている。第3A図はビット位置27と関
連する1つの64にビット・チップ3の全部が欠陥の場
合、第3B図はピット位置25.27と関連する2つの
チップ1.6が欠陥を有しチップ1では1〜256のビ
ット・セル・ロケーションに欠陥がある場合、第3C図
は更にピット位置28と関連するチップ40ビツト・セ
ル・ロケーション6.4.257〜512に欠陥を持つ
場合である。
第4図の破線で囲まれた部分29は置換ユニットとも呼
ばれる36個の同じ代替データ・メモリ・セクションの
うちの1つである。即ち、置換ユニット29は144ビ
ツト・データ・ワードの4ビツト毎に1つずつ設けられ
る。各セクションは2つの代替メモリ31.32を有す
る。CPU10からのメモリ入力バス14の4本の線と
代替7モリ31.52との間に入カマルチプレクサ即ち
書込みマルチプレクサ53が配置され、メイン・メモリ
50及び代替メモリ31.32の出力とCPU10への
メモリ出力バス15の4本の線トの間に出力マルチプレ
クサ34が接続されている。
ばれる36個の同じ代替データ・メモリ・セクションの
うちの1つである。即ち、置換ユニット29は144ビ
ツト・データ・ワードの4ビツト毎に1つずつ設けられ
る。各セクションは2つの代替メモリ31.32を有す
る。CPU10からのメモリ入力バス14の4本の線と
代替7モリ31.52との間に入カマルチプレクサ即ち
書込みマルチプレクサ53が配置され、メイン・メモリ
50及び代替メモリ31.32の出力とCPU10への
メモリ出力バス15の4本の線トの間に出力マルチプレ
クサ34が接続されている。
アドレス・バス20はメイン・メモリ3o及び選択制御
ユニット36に接続される。選択制御ユニット66はC
PU10から制御バス21を受取る。
ユニット36に接続される。選択制御ユニット66はC
PU10から制御バス21を受取る。
選択制御ユニット36の出力制御線39A−39Dは代
替メモリ31.32及びマルチプレクサッ3.34へ延
びている。選択制御ユニット36はメイン・メモリ30
の欠陥ビット・セルを置換するように代替メモリ・ユニ
ット31.32のメモリ・ロケーションをアドレスする
ように働く。
替メモリ31.32及びマルチプレクサッ3.34へ延
びている。選択制御ユニット36はメイン・メモリ30
の欠陥ビット・セルを置換するように代替メモリ・ユニ
ット31.32のメモリ・ロケーションをアドレスする
ように働く。
144ビツトよりなるデータ・ワードは、各ビットが欠
陥依存性のない形で、即ち144個の64にビット・チ
ップの異なるチップに1ビツトずつ記憶される。従って
、仮に1つの64にビット・チップが完全に動作しない
としても、64に個のワードの各ワードの1ビツトが影
響受けるだけであり、との欠陥チップは代替メモリ31
又は32の別の64にチップでそっくり置換しうる。
陥依存性のない形で、即ち144個の64にビット・チ
ップの異なるチップに1ビツトずつ記憶される。従って
、仮に1つの64にビット・チップが完全に動作しない
としても、64に個のワードの各ワードの1ビツトが影
響受けるだけであり、との欠陥チップは代替メモリ31
又は32の別の64にチップでそっくり置換しうる。
このような構成の場合、22ビツト・アドレスのうちの
16ビツトは各チップに与えられ、各チップ上の同じビ
ット・セルを選択するように働く。
16ビツトは各チップに与えられ、各チップ上の同じビ
ット・セルを選択するように働く。
説明のためチップが256行X 256 列のマトリク
スからなるものとすると、8ビツト・バイトで256行
の1つ、別の8ビツト・バイトで256列の1つを指矩
すれば、16ビツトで特定の行列の交点の1ビツト・セ
ルを選択できる。データ・ワードの各ピット位置と関連
する64個のチップの1つを選択する汽めに残りの6ビ
ツトが用いられる。各代替データ・メモリ・セクション
29の入力及び出力マルチプレクサ33.34は4ビツ
ト幅である。前に述べたように、第4図に示されるよう
な置換ユニット29が36個あり、従って入力バス14
及び出力バス15は夫々4ビツト線を含む362個のビ
ット線グループからなっていると考えることができる。
スからなるものとすると、8ビツト・バイトで256行
の1つ、別の8ビツト・バイトで256列の1つを指矩
すれば、16ビツトで特定の行列の交点の1ビツト・セ
ルを選択できる。データ・ワードの各ピット位置と関連
する64個のチップの1つを選択する汽めに残りの6ビ
ツトが用いられる。各代替データ・メモリ・セクション
29の入力及び出力マルチプレクサ33.34は4ビツ
ト幅である。前に述べたように、第4図に示されるよう
な置換ユニット29が36個あり、従って入力バス14
及び出力バス15は夫々4ビツト線を含む362個のビ
ット線グループからなっていると考えることができる。
通常の動作では、144ビツト・ワードは入力バス14
によりCPUからメイン・メモリへ転送され、アドレス
・バス20の22ピツト・アドレスにより指定されるロ
ケーションに記憶される。
によりCPUからメイン・メモリへ転送され、アドレス
・バス20の22ピツト・アドレスにより指定されるロ
ケーションに記憶される。
メイン・メモリ30からのデータの転送は、アドレス・
バス20ニ22ビツト・アドレスを4え、144ビツト
を各置換ユニット29の出力マルチプレクサ54を介し
て出力バス15に転送することによって達成される。
バス20ニ22ビツト・アドレスを4え、144ビツト
を各置換ユニット29の出力マルチプレクサ54を介し
て出力バス15に転送することによって達成される。
要するに、22ピツト・アドレスの6ビツトは64個の
チップの1つを選択するのに用いられ、残りの16ビツ
トは選択された144個のテップの同じセルを実際にア
ドレスする。メイン・メモリのアドレスさレータロケー
ションカ欠陥セル・ロケーションを含まないことが示さ
れた場合は置換ユニット29のメモリは作動されない。
チップの1つを選択するのに用いられ、残りの16ビツ
トは選択された144個のテップの同じセルを実際にア
ドレスする。メイン・メモリのアドレスさレータロケー
ションカ欠陥セル・ロケーションを含まないことが示さ
れた場合は置換ユニット29のメモリは作動されない。
次に、第5図を参照して代戎的置換について説明する。
選択制御ユニット66(第4図)はインデックス・ユニ
ット50(第5図)を有し、これは2つの入力アドレス
・バス51.52及び制御入力バス21を有する。入力
アドレス・バス51.52は夫々6ビツトのバスでアリ
、アドレス・バス20の22ピツト・アドレスの一部か
ら得られる。インデックス・ユニット50の機能は代替
メモリ・ユニツ)31.32に対するアドレスを発生す
ると共に各置換ユニット29の動作モード又は制御モー
ドを定める制御形式の信号を各置換ユニットへ供給する
ことである。インデックス・ユニット50はアドレス・
データの一部及び制御データを記憶できる書込み可能な
メモリよりなる。
ット50(第5図)を有し、これは2つの入力アドレス
・バス51.52及び制御入力バス21を有する。入力
アドレス・バス51.52は夫々6ビツトのバスでアリ
、アドレス・バス20の22ピツト・アドレスの一部か
ら得られる。インデックス・ユニット50の機能は代替
メモリ・ユニツ)31.32に対するアドレスを発生す
ると共に各置換ユニット29の動作モード又は制御モー
ドを定める制御形式の信号を各置換ユニットへ供給する
ことである。インデックス・ユニット50はアドレス・
データの一部及び制御データを記憶できる書込み可能な
メモリよりなる。
インデックス・ユニットの大きさは種々のパラメータ例
えばメイン・メモリの大きさ、信頼性、メイン・メモリ
の欠陥の量、置換さnるべき欠陥の大きさのようなパラ
メータに依存する。例示実施例では、置換される最小の
欠陥メモリ領域即ち置換される単位領域は1024ピツ
トのセル即ち1つのチップの4列のセルC4X256)
である。インデックス・ユニットは2つの4に×8ビッ
トのメモリ・モジュールよりちる。各メモリ9モジユー
ルニは12ビツトのアドレスが与えられ、インデックス
・ユニット50から16ビツトの出力が発生される。イ
ンデックス・ユニット50への入力バス51.52は夫
々6ビツトであり、出力は16ビツトである。出力16
ビツトのうちの14ビツトは第6図に示される種々のフ
ィールドE−にのために用いられる。フィールドEは後
述するように代替メモリ31.32に対するアドレスの
一部になる。
えばメイン・メモリの大きさ、信頼性、メイン・メモリ
の欠陥の量、置換さnるべき欠陥の大きさのようなパラ
メータに依存する。例示実施例では、置換される最小の
欠陥メモリ領域即ち置換される単位領域は1024ピツ
トのセル即ち1つのチップの4列のセルC4X256)
である。インデックス・ユニットは2つの4に×8ビッ
トのメモリ・モジュールよりちる。各メモリ9モジユー
ルニは12ビツトのアドレスが与えられ、インデックス
・ユニット50から16ビツトの出力が発生される。イ
ンデックス・ユニット50への入力バス51.52は夫
々6ビツトであり、出力は16ビツトである。出力16
ビツトのうちの14ビツトは第6図に示される種々のフ
ィールドE−にのために用いられる。フィールドEは後
述するように代替メモリ31.32に対するアドレスの
一部になる。
第5図に示される代替データ・メモリ・ユニット61は
4つのチップ61〜64を有する。メモリ・ユニット3
1.52はデータ・ワードのビット位置25〜28のた
めの置換を与えにビット位置25〜28吉関連するメイ
ン・メモリ・チップの種々の欠陥領域を置換する′のに
用いられる。
4つのチップ61〜64を有する。メモリ・ユニット3
1.52はデータ・ワードのビット位置25〜28のた
めの置換を与えにビット位置25〜28吉関連するメイ
ン・メモリ・チップの種々の欠陥領域を置換する′のに
用いられる。
欠陥メモリ・セルのロケーションは制御信号ハス21を
介してCPU10からインデックス・ユニット50に供
給されるが、後述するように、必ずしもメイン・メモリ
におけるすべての欠陥セル・ロケーションを含まない。
介してCPU10からインデックス・ユニット50に供
給されるが、後述するように、必ずしもメイン・メモリ
におけるすべての欠陥セル・ロケーションを含まない。
インデックス・ユニット50には代替データ・メモリ・
ユニット31.62に予備領域が設けられているメイン
・メモリ60内の欠陥セルに関する情報のみが記憶され
る。
ユニット31.62に予備領域が設けられているメイン
・メモリ60内の欠陥セルに関する情報のみが記憶され
る。
メイン・メモリの非欠陥セルと関連するインデックス・
ユニット50内のメモリ・ロケーションにもCPUから
データが供給されるが、このデータハ非欠陥ロケーショ
ンがアドレスされたとき置換ユニットを動作させないよ
うにする。本発明の基本的概念によれば1.メイン・メ
モリのいくつかの欠陥メモリ・ロケ、−ジョンは代替メ
モリ・ユニット31.32の対応ロケーションによって
置換されない。 1その理由は、置換されな
い欠陥セルから読取られるデータの妥当性をECCシス
テムによって保証するからである。どのセルが置換され
るべきであるかの選択は、ECCシステムのエラー補正
能力、記憶されるデータの性質、データ・ワードに生じ
るランダム・エラーの確率、ホスト・システムに供給さ
れる補正不可能なエラー又は検出されないエラーの重大
性、及び各データ・ワード・ロケーションの欠陥分布パ
ターンの分析を用いる論理演算に基づいてCPU内で行
なわれる。
ユニット50内のメモリ・ロケーションにもCPUから
データが供給されるが、このデータハ非欠陥ロケーショ
ンがアドレスされたとき置換ユニットを動作させないよ
うにする。本発明の基本的概念によれば1.メイン・メ
モリのいくつかの欠陥メモリ・ロケ、−ジョンは代替メ
モリ・ユニット31.32の対応ロケーションによって
置換されない。 1その理由は、置換されな
い欠陥セルから読取られるデータの妥当性をECCシス
テムによって保証するからである。どのセルが置換され
るべきであるかの選択は、ECCシステムのエラー補正
能力、記憶されるデータの性質、データ・ワードに生じ
るランダム・エラーの確率、ホスト・システムに供給さ
れる補正不可能なエラー又は検出されないエラーの重大
性、及び各データ・ワード・ロケーションの欠陥分布パ
ターンの分析を用いる論理演算に基づいてCPU内で行
なわれる。
インデックス・ユニットに記憶されるデータは、メモリ
・チェックを行ない欠陥セルを識別するようにプログラ
ムされたCPUによって供給される。
・チェックを行ない欠陥セルを識別するようにプログラ
ムされたCPUによって供給される。
欠陥は製造時のエラー又はその後現場で生じるエラーの
結果として生じる。
結果として生じる。
例示実施例の場合メモリ・アドレス・バスは22本の線
からなり、メイン・メモリの642にの144ピツト・
セルの1つをアドレスできる。しかし置換されるべき最
小領域は1048ビツト・セルよりなる4列であるから
、各置換ユニット29のインデックス・ユニット50へ
のアドレスは12ピツト幅でよい。
からなり、メイン・メモリの642にの144ピツト・
セルの1つをアドレスできる。しかし置換されるべき最
小領域は1048ビツト・セルよりなる4列であるから
、各置換ユニット29のインデックス・ユニット50へ
のアドレスは12ピツト幅でよい。
説明のため、データ・ワードの144個のビット位置が
128個のデータ・ビット位置及び16個のECCチェ
ック・ビット位置を含み、ECCシステムが2ビツトま
でのランダム・エラー又は3ピツ)tでの連続するバー
スト・エラーを補正できるものとする。1つのチップの
1つの列に欠陥が生じた場合は1024ビツト・セル単
位で置換され、チップ全体が欠陥を持つ場合はチップ全
体が置換される必要がある。
128個のデータ・ビット位置及び16個のECCチェ
ック・ビット位置を含み、ECCシステムが2ビツトま
でのランダム・エラー又は3ピツ)tでの連続するバー
スト・エラーを補正できるものとする。1つのチップの
1つの列に欠陥が生じた場合は1024ビツト・セル単
位で置換され、チップ全体が欠陥を持つ場合はチップ全
体が置換される必要がある。
上記の想定のもとでは、欠陥セルからの1ピツト・デー
タの補正はECCシステムによって行なわれるから、1
ビツト・セルだけの欠陥は一般に置換されない。しかし
何らかの妥当性ある技術的理由のために1ピツト・セル
が置換されるべきであるならば、その1つの欠陥セルを
含む4列のグループ全体が置換される。
タの補正はECCシステムによって行なわれるから、1
ビツト・セルだけの欠陥は一般に置換されない。しかし
何らかの妥当性ある技術的理由のために1ピツト・セル
が置換されるべきであるならば、その1つの欠陥セルを
含む4列のグループ全体が置換される。
要するに、選択制御ユニット36、具体的にはインデッ
クス・ユニット50の主要な機能はバス20のアドレス
・データを、代替メモリ・ユニット31.32、及びマ
ルチプレクサ33.34のためのアドレス信号及びモー
ド制御信号にマツピングすることである。これが行逐わ
れる様子については次に第5図と関連して説明する。
クス・ユニット50の主要な機能はバス20のアドレス
・データを、代替メモリ・ユニット31.32、及びマ
ルチプレクサ33.34のためのアドレス信号及びモー
ド制御信号にマツピングすることである。これが行逐わ
れる様子については次に第5図と関連して説明する。
第5図のハードウェアはインデックス・ユニット50か
らのn個の入力をn2個の出力にデコードするように働
く4つのデコーダ・ブロック40A〜40Dを有する。
らのn個の入力をn2個の出力にデコードするように働
く4つのデコーダ・ブロック40A〜40Dを有する。
更に、入力マルチプレクサ33、メモリ・ユニット31
の別々の予備チップ61〜64、及び読取シセレクタ/
出力マルチプレクサ34も示されている。メモリ・ユニ
ット32は第5図に示されていない。
の別々の予備チップ61〜64、及び読取シセレクタ/
出力マルチプレクサ34も示されている。メモリ・ユニ
ット32は第5図に示されていない。
代替メモリ・ユニット31の各チップには16ビツトの
アドレス・バスが接続される。各チ、ツブ61〜64は
64に個のアドレス可能なメモリ・セルを有する。この
16ピツトのアドレスはメイン・メモリ・アドレスの1
4ビツト及びインデックス・ユニット50からのフィー
ルドEの2ビツトによってつくられる。
アドレス・バスが接続される。各チ、ツブ61〜64は
64に個のアドレス可能なメモリ・セルを有する。この
16ピツトのアドレスはメイン・メモリ・アドレスの1
4ビツト及びインデックス・ユニット50からのフィー
ルドEの2ビツトによってつくられる。
ここで、アドレス・バス20と関連する糧々のアドレス
の関係について説明する。メイン・メモリのための22
ビツト・アドレスのうちの6ビツトはデータ・ワードの
各ビット位置と関連する64個の別々のチップのうちの
1つを選択するために用いられることは前に述べたとお
シである。更に、8ピツトは選択されたチップの256
列のうちの1つを選択するのに用いられ、残シ8ピット
は選択されたチップの256行の1つを選択するのに用
いられ、これにより、ワードの1ビツト位置と関連する
メモリ・セグメントの1ビツト・セルが指定される。ワ
ードの残りのビット位置も同様に指定される。
の関係について説明する。メイン・メモリのための22
ビツト・アドレスのうちの6ビツトはデータ・ワードの
各ビット位置と関連する64個の別々のチップのうちの
1つを選択するために用いられることは前に述べたとお
シである。更に、8ピツトは選択されたチップの256
列のうちの1つを選択するのに用いられ、残シ8ピット
は選択されたチップの256行の1つを選択するのに用
いられ、これにより、ワードの1ビツト位置と関連する
メモリ・セグメントの1ビツト・セルが指定される。ワ
ードの残りのビット位置も同様に指定される。
フィールドB及びフィール2ドCとして夫々6ビツトず
つインデックス・ユニット50に供給される12ピツト
・アドレスは、64個のチップの1つを選択するために
メイン・メモリで用いられる6ビツト(フィールドC)
と、256列の1つを選択するために用いられる8ピツ
トのうちの6ビツト(フィールドB)とからなる。従っ
て8ビツト列アドレスのうちの6ビツトは夫々4列のビ
ット・セルよりなる64個のグループの1つを指定する
。各グループの4列はメイン・メモリ内の1024個の
メモリ・セルを懺わす。インデックス・ユニット50は
第6図に示されるように4096個のアドレス可能なロ
ケーションを有する。そして、データ・ワードの1ビツ
ト位置と関連する64個のチップのうちの1つと夫々対
応する64のグループのロケーションがある。従って各
グループは8ビツト列アドレスの6ビツトによって示さ
れる64個の別々のアドレスを有する。チップの1列が
欠陥の場合は256のビット・セルが欠陥であるが、そ
の1つの欠陥列と関連する4列のグループが置換される
。換言すれば、例えば、メイン・メモリがアドレスされ
るときにアドレス・バスの6ビツトによってチップ21
が指定されるとすると、この同じ6ビツトはフィールド
Cとしてインデックス・ユニット50に印加され、64
個のアドレス・グループのうちの1つ、即ちアドレス・
グループ21を選択する。アドレス・グループ21゛は
64個のメモリ・ロケーションを有する。
つインデックス・ユニット50に供給される12ピツト
・アドレスは、64個のチップの1つを選択するために
メイン・メモリで用いられる6ビツト(フィールドC)
と、256列の1つを選択するために用いられる8ピツ
トのうちの6ビツト(フィールドB)とからなる。従っ
て8ビツト列アドレスのうちの6ビツトは夫々4列のビ
ット・セルよりなる64個のグループの1つを指定する
。各グループの4列はメイン・メモリ内の1024個の
メモリ・セルを懺わす。インデックス・ユニット50は
第6図に示されるように4096個のアドレス可能なロ
ケーションを有する。そして、データ・ワードの1ビツ
ト位置と関連する64個のチップのうちの1つと夫々対
応する64のグループのロケーションがある。従って各
グループは8ビツト列アドレスの6ビツトによって示さ
れる64個の別々のアドレスを有する。チップの1列が
欠陥の場合は256のビット・セルが欠陥であるが、そ
の1つの欠陥列と関連する4列のグループが置換される
。換言すれば、例えば、メイン・メモリがアドレスされ
るときにアドレス・バスの6ビツトによってチップ21
が指定されるとすると、この同じ6ビツトはフィールド
Cとしてインデックス・ユニット50に印加され、64
個のアドレス・グループのうちの1つ、即ちアドレス・
グループ21を選択する。アドレス・グループ21゛は
64個のメモリ・ロケーションを有する。
メイン・メモリのための8ビツト列アドレスの上位6ビ
ツト(フィールドB)はアドレス・グループ21064
個のメモリ・ロケーションのうちのどの1つのメモリ・
ロケーションが読取られるべきであるかを選択する。こ
のインデックス・メモリ・ロケーションに記憶された1
6ビツト・データがfa5図に示されるように夫々のフ
ィールドとして読取られる。2ビツトのフィールドEは
アドレス・バス20の14ビツトと組合わされ、16ビ
ツト・アドレスとして代替メモリ61の予備チップ61
〜64に供給される。この16ビツトの予備チップ・ア
ドレスはメイン・メモリ内のアドレスされたピット・セ
ルと置換される選択された予備チップのビット・セルを
指定する。
ツト(フィールドB)はアドレス・グループ21064
個のメモリ・ロケーションのうちのどの1つのメモリ・
ロケーションが読取られるべきであるかを選択する。こ
のインデックス・メモリ・ロケーションに記憶された1
6ビツト・データがfa5図に示されるように夫々のフ
ィールドとして読取られる。2ビツトのフィールドEは
アドレス・バス20の14ビツトと組合わされ、16ビ
ツト・アドレスとして代替メモリ61の予備チップ61
〜64に供給される。この16ビツトの予備チップ・ア
ドレスはメイン・メモリ内のアドレスされたピット・セ
ルと置換される選択された予備チップのビット・セルを
指定する。
2ビツトの予備チップ・アドレスをインデックス・ユニ
シト50から供給されるようにすることにより、マツピ
ング・プロセスに高度の融通性が得られ、従って欠陥を
持つ予備チップを使用することが可能になり、>また合
理的に小さな寸法にされたインデックスを使用すること
が可能になる。
シト50から供給されるようにすることにより、マツピ
ング・プロセスに高度の融通性が得られ、従って欠陥を
持つ予備チップを使用することが可能になり、>また合
理的に小さな寸法にされたインデックスを使用すること
が可能になる。
インデックスのメモリはメイン・メモリの1/256の
寸法である。
寸法である。
書込みマルチプレクサ65はデコーダ40Aの出力に応
答してデータ・バス14の1つの入力線を4つの予備メ
モ1ノ・チップ61〜64の任意のものに接続すること
、ができる。通常、入力線25は予備チップ61へ、入
力#26は予備テップ62へ、入力線27は予備チップ
63へ、入力線28は予備チップ64へ夫々接続される
。デコーダ40Aはインデックス・ユニット50の2ビ
ツトのFフィールド出力に応答してマルチプレクサ33
へ4つの出力を与える。入力線と予備チップの間の経路
指定は1つのビット位置が最大256K(4X64K)
の予備セルを持つことができるように変えることができ
る。これはマルチプレク゛す53による接続制御によっ
て達成される。
答してデータ・バス14の1つの入力線を4つの予備メ
モ1ノ・チップ61〜64の任意のものに接続すること
、ができる。通常、入力線25は予備チップ61へ、入
力#26は予備テップ62へ、入力線27は予備チップ
63へ、入力線28は予備チップ64へ夫々接続される
。デコーダ40Aはインデックス・ユニット50の2ビ
ツトのFフィールド出力に応答してマルチプレクサ33
へ4つの出力を与える。入力線と予備チップの間の経路
指定は1つのビット位置が最大256K(4X64K)
の予備セルを持つことができるように変えることができ
る。これはマルチプレク゛す53による接続制御によっ
て達成される。
マルチプレクサ55は代替メモリ・ユニット62(図示
せず)の4つの予備チップと関連する第2組のスイッチ
(図示せず)を含む。これらのスイッチはデコーダ40
Bの出力に応答する。デコーダ40Bは同様に、2ビツ
トのフィールドGを4つの出力線にデコードする。メモ
リ・ユニット31.32の予備チップ61〜64はアド
レス・バス20の一部である読取り/書込み制御線を受
取る。フィールドDと示されている制御線の機能はメモ
リ・ユニツ)31.32の予備チップの読取り及び書込
み動作を制御することである。
せず)の4つの予備チップと関連する第2組のスイッチ
(図示せず)を含む。これらのスイッチはデコーダ40
Bの出力に応答する。デコーダ40Bは同様に、2ビツ
トのフィールドGを4つの出力線にデコードする。メモ
リ・ユニット31.32の予備チップ61〜64はアド
レス・バス20の一部である読取り/書込み制御線を受
取る。フィールドDと示されている制御線の機能はメモ
リ・ユニツ)31.32の予備チップの読取り及び書込
み動作を制御することである。
デコーダ40CはフィールドHの2人力及びフィールド
Jの1人力を受取る。フォーマット入力はデコーダ40
Cが4つの予備チップ61〜64のうちの1つを選ぶべ
きか又は4つの予備チップのすべてがグループとして付
勢されるかを決めるフォーマット入力である。デコーダ
40Dへのフィールド■は代替メモリ・ユニット32に
関して同様の機能を与える。
Jの1人力を受取る。フォーマット入力はデコーダ40
Cが4つの予備チップ61〜64のうちの1つを選ぶべ
きか又は4つの予備チップのすべてがグループとして付
勢されるかを決めるフォーマット入力である。デコーダ
40Dへのフィールド■は代替メモリ・ユニット32に
関して同様の機能を与える。
フィールドにの機能は各代替メモリ・ユニット31.3
2について更に制御を与えることである。
2について更に制御を与えることである。
フィールドにの一方の線はメモリ・ユニット31がアク
ティブかを制御し、他方の線はメモリ・ユニット52が
アクティブかを制御する。これによれば、両方のメモリ
・ユニツ)31.32が選択される、いずれか一方が選
択される、両方が選択されない場合の4通りの制御が可
能である。これらのフィールドによって与えられる種々
の制御レベルにより、システムは予備セルの割当てに大
きな融、通性を持つことができる。
ティブかを制御し、他方の線はメモリ・ユニット52が
アクティブかを制御する。これによれば、両方のメモリ
・ユニツ)31.32が選択される、いずれか一方が選
択される、両方が選択されない場合の4通りの制御が可
能である。これらのフィールドによって与えられる種々
の制御レベルにより、システムは予備セルの割当てに大
きな融、通性を持つことができる。
代替メモリ31の読取り動作は、読取りセレクタ/出力
マルチプレクサ34を介してメイン・メモリ又は予備メ
モリを出力バスへ選択的に接続する点を除けば、書込み
動作と同様である。読取り選択スイッチ70A〜70D
はデコーダ40Cの。
マルチプレクサ34を介してメイン・メモリ又は予備メ
モリを出力バスへ選択的に接続する点を除けば、書込み
動作と同様である。読取り選択スイッチ70A〜70D
はデコーダ40Cの。
出力に応答してメイン・メモリ60又は予備チップ61
〜64の出力を選択し、スイッチ71A′〜71D′は
デコーダ40iの出力に応答して出力の経路指定機能を
行なう。
〜64の出力を選択し、スイッチ71A′〜71D′は
デコーダ40iの出力に応答して出力の経路指定機能を
行なう。
次にシステムの動作を説明する。メイン・メモリの各ワ
ード・アドレスについて診断チェツクが行なわれ、いく
つかのワード・アドレスにむいて欠陥セルが認められた
ものとする。説明のため、74才・メモリは第1A図の
ように、144ビツト・ワードの各ビット位置に64個
のチップを持つマトリクス状に配列され、行1〜4のチ
ップが欠陥を持つものとする。換言すれば、ワード・ア
ドレス0〜256K(4X64K)が欠陥セル位置を含
み、256に以上のアドレスが無欠陥であるものとする
。次の説明では、最初の4行のチップの任意のビット位
置において認められた欠陥を処理するものとし、チップ
位置は行列の表示を用いて表わされる。例えばチップ1
−1は第1行にあって、144ビツトのデータ・ワード
のうちの第1ビット位置即ち第1ビット列にあるチップ
を示し、チップ2−119は第2行にあって、データ・
ワードのビット位置119に割当てられたチップを示す
。−例として、ホス・“)CPUにおいて打力われる診
断プログラムにより次のチップが完全に欠陥品であるこ
とが認められたものとする、即ち、チップ1−13.1
−14.1−78.1−122.2−15.2−79.
3−16.4−16.4−19.4−20゜ この場合は、最初の64にのワード・ロケーションの各
々がビット位置13.14.78.122に欠陥を持つ
ことになる。ECCシステムは前に述べたように、2個
までの1ビツト・ランダム・エラー又は6ピツトまでの
連続するバースト・エラーしか補正できないから、1こ
れらのロケーションに記憶されるデータ・ワードはEC
Cシステムでは補正できない可能性が高い。エラーはデ
ータ依存性を有しいくつかのワー□ドは欠陥位置のデー
タの2進値に応じて補正することも可能であるが、シス
テムはすべてのデー夕値で動作できなければならない。
ード・アドレスについて診断チェツクが行なわれ、いく
つかのワード・アドレスにむいて欠陥セルが認められた
ものとする。説明のため、74才・メモリは第1A図の
ように、144ビツト・ワードの各ビット位置に64個
のチップを持つマトリクス状に配列され、行1〜4のチ
ップが欠陥を持つものとする。換言すれば、ワード・ア
ドレス0〜256K(4X64K)が欠陥セル位置を含
み、256に以上のアドレスが無欠陥であるものとする
。次の説明では、最初の4行のチップの任意のビット位
置において認められた欠陥を処理するものとし、チップ
位置は行列の表示を用いて表わされる。例えばチップ1
−1は第1行にあって、144ビツトのデータ・ワード
のうちの第1ビット位置即ち第1ビット列にあるチップ
を示し、チップ2−119は第2行にあって、データ・
ワードのビット位置119に割当てられたチップを示す
。−例として、ホス・“)CPUにおいて打力われる診
断プログラムにより次のチップが完全に欠陥品であるこ
とが認められたものとする、即ち、チップ1−13.1
−14.1−78.1−122.2−15.2−79.
3−16.4−16.4−19.4−20゜ この場合は、最初の64にのワード・ロケーションの各
々がビット位置13.14.78.122に欠陥を持つ
ことになる。ECCシステムは前に述べたように、2個
までの1ビツト・ランダム・エラー又は6ピツトまでの
連続するバースト・エラーしか補正できないから、1こ
れらのロケーションに記憶されるデータ・ワードはEC
Cシステムでは補正できない可能性が高い。エラーはデ
ータ依存性を有しいくつかのワー□ドは欠陥位置のデー
タの2進値に応じて補正することも可能であるが、シス
テムはすべてのデー夕値で動作できなければならない。
従って、最初の64にワード・ロケーションに記憶され
た任意のデータ・ワードを少なくともECCシステムで
補正できるようにするためには、ある形式の置換を行な
う必要がある。
た任意のデータ・ワードを少なくともECCシステムで
補正できるようにするためには、ある形式の置換を行な
う必要がある。
代替メモリ31°、32は予備チップとして働く最大8
個のチップを有するから、メイン・メモリの残すの部分
のエラー状態に応じて種゛々のオプションの中から最適
に選択しうる。
個のチップを有するから、メイン・メモリの残すの部分
のエラー状態に応じて種゛々のオプションの中から最適
に選択しうる。
上記の想定した例では、グループ4の代替データ・メモ
リ・セクション即ち置換ユニットに属する8個のチップ
の内の5個が置換チップ1−16.1−14.2−15
.3−16及び4−16に割当てることができる。しか
し各列13.14.15.16の他の65個のチップの
どれかがその全部又は1048セル・セクションにおい
て置換される必要がある場合は、最終割当てを行−なう
場剖この点を考慮する必要がある。しかしこの・システ
ムはすべてのチップを置換するように最初決められてい
るものとする。データは次のように各置換ユニット29
の選択制御ユニット56へ転送される。
リ・セクション即ち置換ユニットに属する8個のチップ
の内の5個が置換チップ1−16.1−14.2−15
.3−16及び4−16に割当てることができる。しか
し各列13.14.15.16の他の65個のチップの
どれかがその全部又は1048セル・セクションにおい
て置換される必要がある場合は、最終割当てを行−なう
場剖この点を考慮する必要がある。しかしこの・システ
ムはすべてのチップを置換するように最初決められてい
るものとする。データは次のように各置換ユニット29
の選択制御ユニット56へ転送される。
メイン・メモリの第1行のチップがアドレスされる度に
、インデックス・ユニット50のマツピング・プロセス
のため次の動作が行なわれる。列グループ即ちビット位
置グループ4の置換ユニソ・ト29に割当てられたビッ
ト位@13.14の入力バス線14は夫々そのグループ
の代替メモリ・ユニット31.32の予備チップ61に
スイッチされる必要がある。ビット位置グループ20の
置換ユニット29に割当てられたビット位置78の入力
バス線14はそのグループの代替メモリ61の予備チッ
プ61に接続される必要があり、グループ61に属する
ビット位置122の入カッくス線はグループ31の代替
メモリ51の予備チップ61に接続される必要がある。
、インデックス・ユニット50のマツピング・プロセス
のため次の動作が行なわれる。列グループ即ちビット位
置グループ4の置換ユニソ・ト29に割当てられたビッ
ト位@13.14の入力バス線14は夫々そのグループ
の代替メモリ・ユニット31.32の予備チップ61に
スイッチされる必要がある。ビット位置グループ20の
置換ユニット29に割当てられたビット位置78の入力
バス線14はそのグループの代替メモリ61の予備チッ
プ61に接続される必要があり、グループ61に属する
ビット位置122の入カッくス線はグループ31の代替
メモリ51の予備チップ61に接続される必要がある。
。
各置換ユニットのインデックス・ユニット50の最初の
64個のアドレス可能なロケーションは第1チップ行に
割当られる。チップ全体が置換されるべきであるから、
グループ4の置換ユニットのインデックス・ユニット5
0の64個のすべてのロケーションは、マツピング機能
を達成するためにマルチプレクサ55.34及び代替メ
モリ31.32に供給されるべき所要の制御信号を衣わ
す同じデータを含む。同様にグループ20及び31のイ
ンデックス・ユニット50の64個のスヘてのロケーシ
ョンはメイン・メモリのこれらの欠陥領域に対するマツ
ピング機能を達成するのに必要なフィールド制御信号を
表わすデータを与えられる。他のグループと関連するイ
ンデックス50内の対応する64個のロケーションには
、夫々の代替メモリにおいて置換が起こらないようにす
る適当な制御信号が入れられる。
64個のアドレス可能なロケーションは第1チップ行に
割当られる。チップ全体が置換されるべきであるから、
グループ4の置換ユニットのインデックス・ユニット5
0の64個のすべてのロケーションは、マツピング機能
を達成するためにマルチプレクサ55.34及び代替メ
モリ31.32に供給されるべき所要の制御信号を衣わ
す同じデータを含む。同様にグループ20及び31のイ
ンデックス・ユニット50の64個のスヘてのロケーシ
ョンはメイン・メモリのこれらの欠陥領域に対するマツ
ピング機能を達成するのに必要なフィールド制御信号を
表わすデータを与えられる。他のグループと関連するイ
ンデックス50内の対応する64個のロケーションには
、夫々の代替メモリにおいて置換が起こらないようにす
る適当な制御信号が入れられる。
第2行のチップについても同様のプロセスが行なわれる
。メイン・メモリの各チップの部分的な欠陥状態を懺わ
すデータを種々のインデックス・ユニット50へ転送す
る場合は同様のプロセスが用いられる。
。メイン・メモリの各チップの部分的な欠陥状態を懺わ
すデータを種々のインデックス・ユニット50へ転送す
る場合は同様のプロセスが用いられる。
当業者には明らかなように、いくつかの異なった考え方
で制御することが可能である。例えば、ある場合は、で
きるだけ多数のメイン・メモリ欠陥ロケーションを代替
メモリ・ユニットで置換する方が好ましい場合が起りう
る。このような場合ECCシステムはランダムに生じる
エラー又は固定的に組入れられたエラーを補正する最小
限の範囲で用いられよう。
で制御することが可能である。例えば、ある場合は、で
きるだけ多数のメイン・メモリ欠陥ロケーションを代替
メモリ・ユニットで置換する方が好ましい場合が起りう
る。このような場合ECCシステムはランダムに生じる
エラー又は固定的に組入れられたエラーを補正する最小
限の範囲で用いられよう。
反対に、ECCシステムによるエラー補正の範囲を最大
限まで高めるならば、メイン・メモリの欠陥ロケーショ
ンの予備メモリの量を最小にしうる。
限まで高めるならば、メイン・メモリの欠陥ロケーショ
ンの予備メモリの量を最小にしうる。
また、使用する特定の基準に依存するが、エラーのパタ
ーン及びランダム・エラー発生の確率を考慮した統計に
基づけば、補正不可能なエラーなしにメモリに最大数の
データ・ワードを転送できるような制御方式を決定しう
る。
ーン及びランダム・エラー発生の確率を考慮した統計に
基づけば、補正不可能なエラーなしにメモリに最大数の
データ・ワードを転送できるような制御方式を決定しう
る。
マツピング・プロセスに大きな融通性があるから、制御
方式の最適設定によって大きな効果を達成できる。
方式の最適設定によって大きな効果を達成できる。
第1図は本発明によるメモリ・システムを用いたデータ
処理システムのブロック図、第1A図はメイン・メモリ
のチップ構成を示す図、第2図はデータ・ワードのフォ
ーマットを示す図、第3A図、第5B図及び第3C図は
メイン・メモリの種々の欠陥パターンを示す図、第4図
は第1図のメモリ・システムのための置換ユニットのブ
ロック図、第5図は第′4図の置換ユニットの詳細図、
第6図は第5図のインデックスの内容を例示する図であ
る。 10・・・・中央処理ユニット、11.30・・・・メ
イン・メモリ、14・・・・メモリ入力バス、15・・
・・メモリ出力バス、20・・・・メイン・メモリ・ア
ドレス・バス、29(第4図)・・・・置換データ・メ
モリ・セクション、31.62・・・・代替メモリ・ユ
ニット、50(第5図)・・・・インデックス・ユニッ
ト。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシニング・
コーポレークタン代理人 弁理士 岡 1)
次 生〔外1名〕
処理システムのブロック図、第1A図はメイン・メモリ
のチップ構成を示す図、第2図はデータ・ワードのフォ
ーマットを示す図、第3A図、第5B図及び第3C図は
メイン・メモリの種々の欠陥パターンを示す図、第4図
は第1図のメモリ・システムのための置換ユニットのブ
ロック図、第5図は第′4図の置換ユニットの詳細図、
第6図は第5図のインデックスの内容を例示する図であ
る。 10・・・・中央処理ユニット、11.30・・・・メ
イン・メモリ、14・・・・メモリ入力バス、15・・
・・メモリ出力バス、20・・・・メイン・メモリ・ア
ドレス・バス、29(第4図)・・・・置換データ・メ
モリ・セクション、31.62・・・・代替メモリ・ユ
ニット、50(第5図)・・・・インデックス・ユニッ
ト。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシニング・
コーポレークタン代理人 弁理士 岡 1)
次 生〔外1名〕
Claims (2)
- (1)中央処理ユニットと、夫々複数個のビット位置を
有する複数のデータ・ワードを、各ビットが欠陥依存性
のないメモリ・セルに置かれるように記憶するメイン・
メモリと、前記メイン・メモリから転送されるデータ・
ワードの所定形式のエラーを補正するエラー補正装置と
を有するデータ処理システムにして、前記メイン・メモ
リの欠陥ビ° ット・セルを夫々のビット位置別に置換
するだめの置換メモリ・セクションを設け、前記メイン
・メモリの各データ・2ワード・メモリ・ロケーション
の欠陥ビット・セルの分布に基づいて、前記メイン・メ
モリの欠陥ビット・セルのうち、前記エラー補正装置に
よって補正できるエラーの少なくとも一部を除いたエラ
ーを生じる欠陥ビット・セルのみを前記置換メモリ・セ
クションによって置換することを特徴とするデータ処理
システム。 - (2)前記゛置換メモリ・セクションは、夫々所定数の
データ・ワード・ビット位置を含むビット位置グループ
毎に設けられ且つ夫々関連のグループのビット位置毎に
複数メモリ・セルのメモリ素子を有し、各置換メモリ・
セクションはメイン・メモリ・アドレスの所定のビット
によって、個々にアドレス可能な複数の制御データ・メ
モリ・ロケーションを含む書込み可能なインデックスを
有し、各インデックスは関連の置換メモリ・セクション
と対応するビット位置グループのだめのメイン・メモリ
領域内の選択された欠陥ビット・セルを前記メモリ素子
の選択されたロケーションと置換するための制御データ
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記
載のデータ処理システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/334,343 US4450559A (en) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | Memory system with selective assignment of spare locations |
US334343 | 1981-12-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111200A true JPS58111200A (ja) | 1983-07-02 |
JPS6132707B2 JPS6132707B2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=23306787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57182215A Granted JPS58111200A (ja) | 1981-12-24 | 1982-10-19 | デ−タ処理システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4450559A (ja) |
EP (1) | EP0082981B1 (ja) |
JP (1) | JPS58111200A (ja) |
DE (1) | DE3280160D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63117400A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-05-21 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | メモリ・システム |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4506364A (en) * | 1982-09-30 | 1985-03-19 | International Business Machines Corporation | Memory address permutation apparatus |
GB2129585B (en) * | 1982-10-29 | 1986-03-05 | Inmos Ltd | Memory system including a faulty rom array |
US4523313A (en) * | 1982-12-17 | 1985-06-11 | Honeywell Information Systems Inc. | Partial defective chip memory support system |
US4534029A (en) * | 1983-03-24 | 1985-08-06 | International Business Machines Corporation | Fault alignment control system and circuits |
US4584682A (en) * | 1983-09-02 | 1986-04-22 | International Business Machines Corporation | Reconfigurable memory using both address permutation and spare memory elements |
US4584681A (en) * | 1983-09-02 | 1986-04-22 | International Business Machines Corporation | Memory correction scheme using spare arrays |
US4581739A (en) * | 1984-04-09 | 1986-04-08 | International Business Machines Corporation | Electronically selectable redundant array (ESRA) |
US4654847A (en) * | 1984-12-28 | 1987-03-31 | International Business Machines | Apparatus for automatically correcting erroneous data and for storing the corrected data in a common pool alternate memory array |
JPS6246483A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-28 | Casio Comput Co Ltd | Icカ−ドにおけるデ−タ書込み方式 |
JPS6246347A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-02-28 | Hitachi Ltd | 情報処理装置のエラ−処理方式 |
US4922451A (en) * | 1987-03-23 | 1990-05-01 | International Business Machines Corporation | Memory re-mapping in a microcomputer system |
US5268319A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US4905200A (en) * | 1988-08-29 | 1990-02-27 | Ford Motor Company | Apparatus and method for correcting microcomputer software errors |
DE69033262T2 (de) * | 1989-04-13 | 2000-02-24 | Sandisk Corp., Santa Clara | EEPROM-Karte mit Austauch von fehlerhaften Speicherzellen und Zwischenspeicher |
US7447069B1 (en) | 1989-04-13 | 2008-11-04 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US5535328A (en) * | 1989-04-13 | 1996-07-09 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory system card with flash erasable sectors of EEprom cells including a mechanism for substituting defective cells |
US7190617B1 (en) * | 1989-04-13 | 2007-03-13 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
ATE158424T1 (de) * | 1989-06-30 | 1997-10-15 | Digital Equipment Corp | Verfahren und anordnung zur steuerung von schattenspeichern |
JP2617026B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1997-06-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 障害余裕性メモリ・システム |
US5276834A (en) * | 1990-12-04 | 1994-01-04 | Micron Technology, Inc. | Spare memory arrangement |
JP3107240B2 (ja) * | 1991-08-29 | 2000-11-06 | 川崎製鉄株式会社 | メモリモジュール及びその不良ビットテーブル設定方法 |
GB9305801D0 (en) * | 1993-03-19 | 1993-05-05 | Deans Alexander R | Semiconductor memory system |
US5493676A (en) * | 1993-06-29 | 1996-02-20 | Unisys Corporation | Severe environment data recording system |
US6009500A (en) * | 1995-06-07 | 1999-12-28 | Compaq Computer Corporation | Replacement of erroneous firmware in a redundant non-volatile memory system |
US5845313A (en) * | 1995-07-31 | 1998-12-01 | Lexar | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US5930815A (en) * | 1995-07-31 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6728851B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US5907856A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6081878A (en) | 1997-03-31 | 2000-06-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US5838614A (en) * | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US6801979B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-10-05 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for memory control circuit |
US6757800B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-06-29 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6978342B1 (en) | 1995-07-31 | 2005-12-20 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US8171203B2 (en) * | 1995-07-31 | 2012-05-01 | Micron Technology, Inc. | Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation |
US6125435A (en) * | 1995-09-13 | 2000-09-26 | Lexar Media, Inc. | Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
US6411546B1 (en) | 1997-03-31 | 2002-06-25 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6122195A (en) * | 1997-03-31 | 2000-09-19 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory |
US6034897A (en) * | 1999-04-01 | 2000-03-07 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6076137A (en) * | 1997-12-11 | 2000-06-13 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
GB9801373D0 (en) | 1998-01-22 | 1998-03-18 | Memory Corp Plc | Memory system |
US6295231B1 (en) | 1998-07-17 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-speed cycle clock-synchronous memory device |
US6374337B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-04-16 | Lexar Media, Inc. | Data pipelining method and apparatus for memory control circuit |
US6141249A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-31 | Lexar Media, Inc. | Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time |
EP1729304B1 (en) | 1999-04-01 | 2012-10-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US7102671B1 (en) | 2000-02-08 | 2006-09-05 | Lexar Media, Inc. | Enhanced compact flash memory card |
US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
IT1316870B1 (it) * | 2000-03-31 | 2003-05-12 | St Microelectronics Srl | Metodo e relativo dispositivo per effettuare operazioni di test sudispositivi elettronici di memoria |
US7167944B1 (en) | 2000-07-21 | 2007-01-23 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
US6567307B1 (en) | 2000-07-21 | 2003-05-20 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
JP4651797B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2011-03-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | バックアップシステム、及び複製装置 |
GB0123421D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Power management system |
GB0123410D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Memory system for data storage and retrieval |
GB0123412D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Memory system sectors |
GB0123417D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Improved data processing |
GB0123415D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Method of writing data to non-volatile memory |
GB0123416D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Non-volatile memory control |
GB0123419D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Data handling system |
US6950918B1 (en) | 2002-01-18 | 2005-09-27 | Lexar Media, Inc. | File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices |
US6957295B1 (en) | 2002-01-18 | 2005-10-18 | Lexar Media, Inc. | File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices |
US7231643B1 (en) | 2002-02-22 | 2007-06-12 | Lexar Media, Inc. | Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver |
DE10237121A1 (de) * | 2002-08-13 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | Speicherverwaltungsanordnung und ein Verfahren zur Speicherverwaltung eines Arbeitsspeichers |
US7275686B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-10-02 | Lexar Media, Inc. | Electronic equipment point-of-sale activation to avoid theft |
EP2506486A1 (en) * | 2004-02-23 | 2012-10-03 | Lexar Media, Inc. | Secure compact flash |
US7725628B1 (en) | 2004-04-20 | 2010-05-25 | Lexar Media, Inc. | Direct secondary device interface by a host |
US7370166B1 (en) | 2004-04-30 | 2008-05-06 | Lexar Media, Inc. | Secure portable storage device |
US7145816B2 (en) * | 2004-08-16 | 2006-12-05 | Micron Technology, Inc. | Using redundant memory for extra features |
US7464306B1 (en) * | 2004-08-27 | 2008-12-09 | Lexar Media, Inc. | Status of overall health of nonvolatile memory |
US7594063B1 (en) * | 2004-08-27 | 2009-09-22 | Lexar Media, Inc. | Storage capacity status |
US7526715B2 (en) * | 2005-10-17 | 2009-04-28 | Ramot At Tel Aviv University Ltd. | Probabilistic error correction in multi-bit-per-cell flash memory |
JP2007257791A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
TW201212035A (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-16 | Jmicron Technology Corp | Access method of volatile memory and access apparatus of volatile memory |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3331058A (en) * | 1964-12-24 | 1967-07-11 | Fairchild Camera Instr Co | Error free memory |
US3436734A (en) * | 1966-06-21 | 1969-04-01 | Ibm | Error correcting and repairable data processing storage system |
US3633175A (en) * | 1969-05-15 | 1972-01-04 | Honeywell Inc | Defect-tolerant digital memory system |
US3999051A (en) * | 1974-07-05 | 1976-12-21 | Sperry Rand Corporation | Error logging in semiconductor storage units |
US4150428A (en) * | 1974-11-18 | 1979-04-17 | Northern Electric Company Limited | Method for providing a substitute memory in a data processing system |
JPS5721799B2 (ja) * | 1975-02-01 | 1982-05-10 | ||
US4006467A (en) * | 1975-11-14 | 1977-02-01 | Honeywell Information Systems, Inc. | Error-correctible bit-organized RAM system |
US4093985A (en) * | 1976-11-05 | 1978-06-06 | North Electric Company | Memory sparing arrangement |
JPS6051749B2 (ja) * | 1979-08-31 | 1985-11-15 | 富士通株式会社 | エラ−訂正方式 |
US4371930A (en) * | 1980-06-03 | 1983-02-01 | Burroughs Corporation | Apparatus for detecting, correcting and logging single bit memory read errors |
DE3032630C2 (de) * | 1980-08-29 | 1983-12-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterspeicher aus Speicherbausteinen mit redundanten Speicherbereichen und Verfahren zu dessen Betrieb |
-
1981
- 1981-12-24 US US06/334,343 patent/US4450559A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57182215A patent/JPS58111200A/ja active Granted
- 1982-12-02 DE DE8282111123T patent/DE3280160D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-02 EP EP82111123A patent/EP0082981B1/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63117400A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-05-21 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | メモリ・システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4450559A (en) | 1984-05-22 |
DE3280160D1 (de) | 1990-05-31 |
JPS6132707B2 (ja) | 1986-07-29 |
EP0082981B1 (en) | 1990-04-25 |
EP0082981A3 (en) | 1985-11-27 |
EP0082981A2 (en) | 1983-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS58111200A (ja) | デ−タ処理システム | |
US4047163A (en) | Fault-tolerant cell addressable array | |
US4051354A (en) | Fault-tolerant cell addressable array | |
EP0660237B1 (en) | Semiconductor memory apparatus with a spare memory cell array | |
US4653050A (en) | Fault-tolerant memory system | |
US7545689B2 (en) | Method and apparatus for improving yield in semiconductor devices by guaranteeing health of redundancy information | |
US5313425A (en) | Semiconductor memory device having an improved error correction capability | |
US5109360A (en) | Row/column address interchange for a fault-tolerant memory system | |
US5299202A (en) | Method and apparatus for configuration and testing of large fault-tolerant memories | |
US6041422A (en) | Fault tolerant memory system | |
US5925138A (en) | Method for allowing data transfers with a memory having defective storage locations | |
US5270974A (en) | Monolithic fail bit memory | |
EP0135780A2 (en) | Reconfigurable memory | |
EP0096779B1 (en) | Multi-bit error scattering arrangement to provide fault tolerant semiconductor memory | |
JPH07254270A (ja) | Dram素子の複数のバンクを制御する方法と装置 | |
JP3215919B2 (ja) | メモリ管理 | |
EP0686980B1 (en) | Semiconductor memory device having means for replacing defective memory cells | |
US6909645B2 (en) | Cluster based redundancy scheme for semiconductor memories | |
US5504712A (en) | Redundancy circuit for memory | |
JP2002512416A (ja) | 冗長メモリセルを有する装置、及び、冗長メモリセルにアクセスするための方法 | |
JP2509343B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
US20030028834A1 (en) | Method for sharing redundant rows between banks for improved repair efficiency | |
EP0797147B1 (en) | Method for recovering failed memory devices | |
US20010026498A1 (en) | Memory configuration having a circuit for determining the activated memory array | |
JP2767841B2 (ja) | 半導体メモリ装置 |