JPH0224390B2 - - Google Patents
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- JPH0224390B2 JPH0224390B2 JP5605383A JP5605383A JPH0224390B2 JP H0224390 B2 JPH0224390 B2 JP H0224390B2 JP 5605383 A JP5605383 A JP 5605383A JP 5605383 A JP5605383 A JP 5605383A JP H0224390 B2 JPH0224390 B2 JP H0224390B2
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 48
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 48
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
- H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
- H04B10/802—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections for isolation, e.g. using optocouplers
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電流源回路に係り、特に電光変換素子
と光電変換素子との対からなる光電相互変換複合
素子を使用して制御系から電気的に絶縁された電
流源回路に関する。
と光電変換素子との対からなる光電相互変換複合
素子を使用して制御系から電気的に絶縁された電
流源回路に関する。
〔発明の技術的背景〕
光電相互間の変換を行なう複合素子は、フオト
カプラ、オプテイカルカプラなどと称されている
が、これらの複合素子（以下総括的な名称として
光結合素子と言う）は基本的には電流・電流変換
素子であり、制御系から電気的に絶縁された電流
源回路の使用に適している。上記光結合素子の等
価回路は第１図Ａあるいは第１図Ｂに示すような
ものであり、発光ダイオード１に流れる電流IFを
光に変換（電光変換）し、それをフオトダイオー
ド２で検出し、トランジスタ３で増幅して出力電
流ICを得る（光電変換）、または光をフオトトラ
ンジスタ４で検出して電流ICに変換する。なお、
上記光結合素子として最近はレーザー光を用いる
ものがある。光結合素子の電流伝達特性を示すも
のとして次式が知られている。
カプラ、オプテイカルカプラなどと称されている
が、これらの複合素子（以下総括的な名称として
光結合素子と言う）は基本的には電流・電流変換
素子であり、制御系から電気的に絶縁された電流
源回路の使用に適している。上記光結合素子の等
価回路は第１図Ａあるいは第１図Ｂに示すような
ものであり、発光ダイオード１に流れる電流IFを
光に変換（電光変換）し、それをフオトダイオー
ド２で検出し、トランジスタ３で増幅して出力電
流ICを得る（光電変換）、または光をフオトトラ
ンジスタ４で検出して電流ICに変換する。なお、
上記光結合素子として最近はレーザー光を用いる
ものがある。光結合素子の電流伝達特性を示すも
のとして次式が知られている。
IC＝Ｋ（IF／IF′）n ………(1)
但し、IC′、IFは前述した出力電流および入力電
流、Ｋは比例係数、IF′は上記比例係数を測定し
たときの入力電流（基準入力電流）、指数ｎは対
数によるIF−IC特性の傾きである。
流、Ｋは比例係数、IF′は上記比例係数を測定し
たときの入力電流（基準入力電流）、指数ｎは対
数によるIF−IC特性の傾きである。
ここで、光結合素子単体の市販品のうち３例に
ついて、その入力出力電流特性（IF−IC特性）を
第２図Ａ乃至第２図Ｃに示す。これらの特性から
分るように、指数ｎは一定とはならず、小電流領
域（IF＜５ｍＡ）でｎが約２となり、大電流領域
（IF＞10ｍＡ）ではｎが約１となる。換言すれば、
光結合素子の電流伝達比は、小電流領域では非直
線、大電流領域では直線となり、全体として非直
線になる。
ついて、その入力出力電流特性（IF−IC特性）を
第２図Ａ乃至第２図Ｃに示す。これらの特性から
分るように、指数ｎは一定とはならず、小電流領
域（IF＜５ｍＡ）でｎが約２となり、大電流領域
（IF＞10ｍＡ）ではｎが約１となる。換言すれば、
光結合素子の電流伝達比は、小電流領域では非直
線、大電流領域では直線となり、全体として非直
線になる。
したがつて、従来の光結合素子は、リニア回路
に使用する場合には上記電流伝達比の非直線性が
問題になる。
に使用する場合には上記電流伝達比の非直線性が
問題になる。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
入力電流と出力電流とが直線的に比例する電流源
回路を提供するものである。
入力電流と出力電流とが直線的に比例する電流源
回路を提供するものである。
即ち、本発明の電流源回路は、制御用光結合素
子の光電変換素子に流れる電流が入力電流源から
の入力電流の全部または一部に等しくなるように
上記光結合素子の電光変換素子に流れる電流を制
御し、上記制御用光結合素子の電光変換素子に流
れる電流に比例した電流を出力用光結合素子の電
光変換素子に流すように上記光結合素子相互を接
続することを特徴とするものである。
子の光電変換素子に流れる電流が入力電流源から
の入力電流の全部または一部に等しくなるように
上記光結合素子の電光変換素子に流れる電流を制
御し、上記制御用光結合素子の電光変換素子に流
れる電流に比例した電流を出力用光結合素子の電
光変換素子に流すように上記光結合素子相互を接
続することを特徴とするものである。
これによつて、出力電流は入力電流に直線的に
比例するようになり、入出力間が電気的に分離さ
れたリニア回路の実現が可能になる。
比例するようになり、入出力間が電気的に分離さ
れたリニア回路の実現が可能になる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第３図において、Q1は電流制御用のNPN形ト
ランジスタであり、そのコレクタは第１電位端
（たとえば＋VC電位）に接続されている。PC1は
第１の光結合素子、PC2は第２の光結合素子であ
り、それぞれの入力側の発光ダイオード１が直列
に接続されている。これらの発光ダイオード１
は、前記トランジスタQ1のエミツタと第２電位
端（−VE電位）との間に過電流保護用の抵抗Ｒ
を直列に介して接続されている。また、前記＋
VC電位端と前記制御用トランジスタQ1のベース
との間に入力電流源Iioが接続され、上記ベースと
−VE電位端との間に前記第１の光結合素子PC1の
出力側のトランジスタ３が接続されている。そし
て、前記第２の光結合素子PC2の出力側のトラン
ジスタ３から出力電流IOUTが取り出されるように
なつている。
ランジスタであり、そのコレクタは第１電位端
（たとえば＋VC電位）に接続されている。PC1は
第１の光結合素子、PC2は第２の光結合素子であ
り、それぞれの入力側の発光ダイオード１が直列
に接続されている。これらの発光ダイオード１
は、前記トランジスタQ1のエミツタと第２電位
端（−VE電位）との間に過電流保護用の抵抗Ｒ
を直列に介して接続されている。また、前記＋
VC電位端と前記制御用トランジスタQ1のベース
との間に入力電流源Iioが接続され、上記ベースと
−VE電位端との間に前記第１の光結合素子PC1の
出力側のトランジスタ３が接続されている。そし
て、前記第２の光結合素子PC2の出力側のトラン
ジスタ３から出力電流IOUTが取り出されるように
なつている。
上記電流源回路においては、入力電流源Iio、制
御用トランジスタQ1および第１の光結合素子PC1
は、電流値を決める制御系を形成しており、この
制御系において制御用トランジスタQ1および第
１の光結合素子PC1からなる帰還ループは第１の
光結合素子PC1のトランジスタ３のコレクタ電流
IC1が入力電流源Iioからの入力電流Iioに等しくな
るように制御する。第２の光結合素子PC2の入力
電流IF2は上記第１の光結合素子PC1の入力電流
IF1と同じ電流であるから、これらの第１、第２
の光結合素子PC1，PC2の特性が一致していれば、
第２の光結合素子PC2のコレクタ電流IC2つまり出
力電流IOUTは入力電流源Iioからの入力電流Iioに一
致する。
御用トランジスタQ1および第１の光結合素子PC1
は、電流値を決める制御系を形成しており、この
制御系において制御用トランジスタQ1および第
１の光結合素子PC1からなる帰還ループは第１の
光結合素子PC1のトランジスタ３のコレクタ電流
IC1が入力電流源Iioからの入力電流Iioに等しくな
るように制御する。第２の光結合素子PC2の入力
電流IF2は上記第１の光結合素子PC1の入力電流
IF1と同じ電流であるから、これらの第１、第２
の光結合素子PC1，PC2の特性が一致していれば、
第２の光結合素子PC2のコレクタ電流IC2つまり出
力電流IOUTは入力電流源Iioからの入力電流Iioに一
致する。
次に、上記電流源回路の動作について定量的に
説明する。ある基準入力電流IF′において、第１、
第２の光結合素子PC1，PC2の電流伝達特性をそ
れぞれ測定した場合の比例係数をK1、K2、指数
をn1、n2とすれば、第１、第２の光結合素子
PC1，PC2の電流伝達特性はそれぞれ次式で示さ
れる。
説明する。ある基準入力電流IF′において、第１、
第２の光結合素子PC1，PC2の電流伝達特性をそ
れぞれ測定した場合の比例係数をK1、K2、指数
をn1、n2とすれば、第１、第２の光結合素子
PC1，PC2の電流伝達特性はそれぞれ次式で示さ
れる。
IC1＝K1（IF1／IF′）n1 ………(2)
IC2＝K2（IF2／IF′）n2 ………(3)
IF1＝IF2であるので、上式(2)、(3)から
IC2＝K2（IC1／K1）n2/n1 ………(4)
が成立する。制御用トランジタQ1のベース電流
が無視できるものとすると、 Iio＝IC1 IOUT＝IC2 であるので、前式(4)から次式が求まる。
が無視できるものとすると、 Iio＝IC1 IOUT＝IC2 であるので、前式(4)から次式が求まる。
IOUT＝K2（Iio／K1）n2/n1 ………(5)
ここで、第１、第２の光結合素子PC1，PC2の
特性が一致していれば、 n2／n1＝１、K1＝K2 であるので、 IOUT＝Iio ………(6) となり、出力電流IOUTは入力電流Iioに一致する。
特性が一致していれば、 n2／n1＝１、K1＝K2 であるので、 IOUT＝Iio ………(6) となり、出力電流IOUTは入力電流Iioに一致する。
次に、前式(5)で示される入出力特性について誤
差解析を行なう。指数の比は n2／n1＝１＋n2−n1／n1≒１＋Δn Δn＝n2−n1／n1≪１ である。出力電流IOUTの近似式は となる。上式(7)における指数が lnIio／K1・Δn≪１ と仮定すれば、 が成立する。結局、出力電流は上式(8)を前式(7)に
代入して IOUT≒K2／K1Iio（１＋ΔnlnIio／K1） ………(9) となる。ここで、比例係数が K2／K1＝１＋K2−K1／K1≒１＋Δk Δk＝K2−K1／K1≪１ であるので、 IOUT≒（１＋Δk）（１＋ΔnlnIio／K1）Iio………(1
0) となる。一方、電流の伝達比Γは Γ＝IOUT／Iio （１＋Δk）（１＋ΔnlnIio／K1） １＋ΔkΔnlnIio／K1 ………(11) の如く求まる。上式(11)から入力電流Iioが小さくな
るほど電流伝達比Γは１から負方向への誤差分が
増大することが分る。即ち、上式(11)において、 Δk＝Δn＝0.1 K1＝１ として、 Iio＝10-1A、10-2A、10-3A、10-4A における電流伝達比の誤差分ΔΓをそれぞれ計算
すると ΔΓ ＝−2.3％、−4.6％、−6.9％、−9.2％ となり、換言すれば出力電流IOUTの誤差分も増大
する。
差解析を行なう。指数の比は n2／n1＝１＋n2−n1／n1≒１＋Δn Δn＝n2−n1／n1≪１ である。出力電流IOUTの近似式は となる。上式(7)における指数が lnIio／K1・Δn≪１ と仮定すれば、 が成立する。結局、出力電流は上式(8)を前式(7)に
代入して IOUT≒K2／K1Iio（１＋ΔnlnIio／K1） ………(9) となる。ここで、比例係数が K2／K1＝１＋K2−K1／K1≒１＋Δk Δk＝K2−K1／K1≪１ であるので、 IOUT≒（１＋Δk）（１＋ΔnlnIio／K1）Iio………(1
0) となる。一方、電流の伝達比Γは Γ＝IOUT／Iio （１＋Δk）（１＋ΔnlnIio／K1） １＋ΔkΔnlnIio／K1 ………(11) の如く求まる。上式(11)から入力電流Iioが小さくな
るほど電流伝達比Γは１から負方向への誤差分が
増大することが分る。即ち、上式(11)において、 Δk＝Δn＝0.1 K1＝１ として、 Iio＝10-1A、10-2A、10-3A、10-4A における電流伝達比の誤差分ΔΓをそれぞれ計算
すると ΔΓ ＝−2.3％、−4.6％、−6.9％、−9.2％ となり、換言すれば出力電流IOUTの誤差分も増大
する。
第４図は、第３図の電流源回路による効果を実
測するための実験回路を示しており、制御用トラ
ンジスタQ1として2SC372、第１、第２の光結合
素子PC1、PC2としてTLP504A、抵抗Ｒとして50
Ω、＋VC電位端と−VE電位端との間に10Vの第１
電源VCC1を接続し、第２の光結合素子PC2の出力
側のトランジスタ４には電流計Ａを直列に介して
10Vの第２電源VCC2を接続している。この回路に
おいて、入力電流Iioを0.1ｍＡから50ｍＡまで変
化させた場合の電流特性の実測値を第５図に実線
で示し、Γ＝１のときの理想特性を点線で示し
た。このグラフから、0.1ｍＡ〜50ｍＡの全範囲
で良い直線性が得られていることが分る。つま
り、前述した光結合素子単体の特性で生じている
小電流領域での傾きの変化が、上記回路では十分
に補正されている。また、前式(11)で予測されたよ
うに、入力電流Iioが小さくなるほど出力電流IOUT
の誤差が増大する点についても実測結果も同様の
傾向を示している。
測するための実験回路を示しており、制御用トラ
ンジスタQ1として2SC372、第１、第２の光結合
素子PC1、PC2としてTLP504A、抵抗Ｒとして50
Ω、＋VC電位端と−VE電位端との間に10Vの第１
電源VCC1を接続し、第２の光結合素子PC2の出力
側のトランジスタ４には電流計Ａを直列に介して
10Vの第２電源VCC2を接続している。この回路に
おいて、入力電流Iioを0.1ｍＡから50ｍＡまで変
化させた場合の電流特性の実測値を第５図に実線
で示し、Γ＝１のときの理想特性を点線で示し
た。このグラフから、0.1ｍＡ〜50ｍＡの全範囲
で良い直線性が得られていることが分る。つま
り、前述した光結合素子単体の特性で生じている
小電流領域での傾きの変化が、上記回路では十分
に補正されている。また、前式(11)で予測されたよ
うに、入力電流Iioが小さくなるほど出力電流IOUT
の誤差が増大する点についても実測結果も同様の
傾向を示している。
なお、上記実施例は、２個の光結合素子PC1，
PC2の一次側同志を直列接続して入力電流Iioにほ
ぼ１対１で比例した出力電流IOUTを得ているが、
これに限らず本発明は種々の変形実施が可能であ
る。即ち、第６図に示す電流源回路は、第１、第
２の光結合素子PC1，PC2の発光ダイオード１同
志をそれぞれ保護抵抗R1，R2を介して並列接続
したものであり、第６図中前記第３図と同一部分
には同一符号を付している。上記２個の発光ダイ
オードPC1，PC2の順方向電圧降下VF1、VF2がそ
れぞれ等しいものとすれば、 IF2／IF1＝R1／R2 ………(12) となる。ここで、R1，R2は抵抗R1，R2の抵抗値
であり、 R1＝R2 ………（13） とすれば IF1＝IF2 ………（14） となり、前述した直列型の第３図の回路における
と同様な動作が行なわれる。そして、前式(2)、(3)
で示した電流伝達特性の指数が n1＝n2＝１ の領域で上記並列型の第６図の回路を動作させれ
ば、前式(12)で示されるIF2／IF1の比、つまり抵抗
比R1／R2で入力電流Iioと出力電流IOUTとの比を決
めることができる。
PC2の一次側同志を直列接続して入力電流Iioにほ
ぼ１対１で比例した出力電流IOUTを得ているが、
これに限らず本発明は種々の変形実施が可能であ
る。即ち、第６図に示す電流源回路は、第１、第
２の光結合素子PC1，PC2の発光ダイオード１同
志をそれぞれ保護抵抗R1，R2を介して並列接続
したものであり、第６図中前記第３図と同一部分
には同一符号を付している。上記２個の発光ダイ
オードPC1，PC2の順方向電圧降下VF1、VF2がそ
れぞれ等しいものとすれば、 IF2／IF1＝R1／R2 ………(12) となる。ここで、R1，R2は抵抗R1，R2の抵抗値
であり、 R1＝R2 ………（13） とすれば IF1＝IF2 ………（14） となり、前述した直列型の第３図の回路における
と同様な動作が行なわれる。そして、前式(2)、(3)
で示した電流伝達特性の指数が n1＝n2＝１ の領域で上記並列型の第６図の回路を動作させれ
ば、前式(12)で示されるIF2／IF1の比、つまり抵抗
比R1／R2で入力電流Iioと出力電流IOUTとの比を決
めることができる。
第７図に示す電流源回路は、特性の等しい３個
以上の光結合素子PC1，PC2，…PCmの入力側同
志を直列接続し、第２乃至第ｍの光結合素子
PC2，…PCmの各出力側から出力電流IOUT2〜
IOUTnを取り出すようにしており、第３図中と同
一部分には同一符号を示している。上記各出力電
流IOUTi（ｉ＝２〜ｍ）は前式(4)と同様に IOUTi＝Ki（Iio／K1）ni/n 1 ………（15） となり、それぞれ（K1、n1）と（Ki、ni）とのパ
ラメータの比で決まる。
以上の光結合素子PC1，PC2，…PCmの入力側同
志を直列接続し、第２乃至第ｍの光結合素子
PC2，…PCmの各出力側から出力電流IOUT2〜
IOUTnを取り出すようにしており、第３図中と同
一部分には同一符号を示している。上記各出力電
流IOUTi（ｉ＝２〜ｍ）は前式(4)と同様に IOUTi＝Ki（Iio／K1）ni/n 1 ………（15） となり、それぞれ（K1、n1）と（Ki、ni）とのパ
ラメータの比で決まる。
第８図の電流源回路は、任意の電流伝達比を得
るように、それぞれの特性が等しいｋ個の光結合
素子PC1〜PCkとｌ個の光結合素子PC1′〜PCl′と
の各入力側を直列に接続し、ｋ個の光結合素子
PC1〜PCkの各出力側を並列接続して制御用トラ
ンジスタＱのベースと−VE電位端との間に接続
し、ｌ個の光結合素子PC1′〜PCl′の各出力側を
並列接続して出力電流IOUTを取り出すようにした
ものである。したがつて、各光結合素子PC1〜
PCk，PC1′〜PCl′の出力側のコレクタ電流ICはそ
れぞれ等しく、入力電流Iio、出力電流IOUTとの間
の関係は次式で示される。
るように、それぞれの特性が等しいｋ個の光結合
素子PC1〜PCkとｌ個の光結合素子PC1′〜PCl′と
の各入力側を直列に接続し、ｋ個の光結合素子
PC1〜PCkの各出力側を並列接続して制御用トラ
ンジスタＱのベースと−VE電位端との間に接続
し、ｌ個の光結合素子PC1′〜PCl′の各出力側を
並列接続して出力電流IOUTを取り出すようにした
ものである。したがつて、各光結合素子PC1〜
PCk，PC1′〜PCl′の出力側のコレクタ電流ICはそ
れぞれ等しく、入力電流Iio、出力電流IOUTとの間
の関係は次式で示される。
Iio＝kIC ………（16）
IOUT＝lIC ………（17）
また、電流伝達比は
Γ＝IOUT／Iio＝ｌ／ｋ ………（18）
となり、光結合素子の制御系使用個数ｋと出力系
使用個数ｌとの組み合わせで決まり、この組み合
わせにより任意の電流伝達比を実現できる。
使用個数ｌとの組み合わせで決まり、この組み合
わせにより任意の電流伝達比を実現できる。
第９図に示す電流源回路は、電流制御用トラン
ジスタQ1のベースに出力端が接続された演算増
幅器５が具備された点が、第３図に示された電流
源回路と異なる点である。そして、増幅器５の反
転入力端（−）は接地されており、非反転端
（＋）は入力電流源Iioに接続されている。
ジスタQ1のベースに出力端が接続された演算増
幅器５が具備された点が、第３図に示された電流
源回路と異なる点である。そして、増幅器５の反
転入力端（−）は接地されており、非反転端
（＋）は入力電流源Iioに接続されている。
かかる構成においては、演算増幅器５の非反転
入力端（＋）の電位が接地電位になるように動作
する。また、電流源Iioとして抵抗（例えば抵抗値
RSを用いた場合には電流源Iioの電流値はVCC／
RS）で定まることになり、その制御は容易にな
る。
入力端（＋）の電位が接地電位になるように動作
する。また、電流源Iioとして抵抗（例えば抵抗値
RSを用いた場合には電流源Iioの電流値はVCC／
RS）で定まることになり、その制御は容易にな
る。
上述したように本発明の電流源回路によれば、
入力制御系と出力系との間を絶縁して入力電流に
直線的に比例し、所望の電流伝達比を有する出力
電流を得ることができるので、入出力間が電気的
に分離された各種のリニア回路を実現することが
できる。
入力制御系と出力系との間を絶縁して入力電流に
直線的に比例し、所望の電流伝達比を有する出力
電流を得ることができるので、入出力間が電気的
に分離された各種のリニア回路を実現することが
できる。
第１図Ａおよび第１図Ｂは光結合素子の等価回
路図、第２図Ａ乃至第２図Ｃはそれぞれ光結合素
子の入出力電流特性を示す図、第３図は本発明の
電流源回路の一実施例を示す回路図、第４図は第
３図の回路による特性を確認するために供した実
験回路の回路図、第５図は第４図の回路による特
性の実測データを示す図、第６図乃至第９図はそ
れぞれ本発明の他の実施例を示す回路図である。 Iio……入力電流源、PC1，PC2…PCn，PCk，
PCl……光結合素子、１……発光ダイオード、３
……トランジスタ、４……フオトトランジスタ、
Ｑ……電流制御用トランジスタ。
路図、第２図Ａ乃至第２図Ｃはそれぞれ光結合素
子の入出力電流特性を示す図、第３図は本発明の
電流源回路の一実施例を示す回路図、第４図は第
３図の回路による特性を確認するために供した実
験回路の回路図、第５図は第４図の回路による特
性の実測データを示す図、第６図乃至第９図はそ
れぞれ本発明の他の実施例を示す回路図である。 Iio……入力電流源、PC1，PC2…PCn，PCk，
PCl……光結合素子、１……発光ダイオード、３
……トランジスタ、４……フオトトランジスタ、
Ｑ……電流制御用トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力電流源と、制御用光結合素子と、出力用
光結合素子と、前記制御用光結合素子の光電変換
素子に流れる電流が前記入力電流源からの入力電
流Iioの全部または一部に等しくなるように前記制
御用光結合素子及び出力用光結合素子の電光変換
素子に流れる電流を制御する電流制御回路とを具
備し、前記両光結合素子の電光変換素子と光電変
換素子の電流の伝達関数を比例関係とし、出力用
光結合素子の光変換素子から前記入力電流Iioに比
例する出力電流IOUTを得る構成としたことを特徴
とする電流源回路。 ２ 前記制御用光結合素子は１個であり、前記出
力用光結合素子は１個乃至複数個であり、前記電
流制御回路は前記入力電流源と制御用光結合素子
の光電変換素子との接続点に電流制御用トランジ
スタのベースを接続し、このトランジスタのエミ
ツタ電流の全部を上記制御用光結合素子の電光変
換素子に供給するものであり、前記接続回路は上
記制御用光結合素子の電光変換素子に直列に前記
出力用光結合素子の電光変換素子を接続すること
を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の電
流源回路。 ３ 前記制御用光結合素子および出力用光結合素
子はそれぞれ１個であり、前記電流制御回路は前
記入力電流源と制御用光結合素子の光電変換素子
との接続点に電流制御用トランジスタのベースを
接続し、このトランジスタのエミツタ電流の一部
を上記制御用光結合素子の光電変換素子に供給す
るものであり、前記接続回路は上記制御用光結合
素子の電光変換素子に並列に前記出力用光結合素
子の電光変換素子を接続することを特徴とする前
記特許請求の範囲第１項記載の電流源回路。 ４ 前記制御用光結合素子および出力用光結合素
子はそれぞれ複数個であり、前記電流制御回路は
前記複数の制御用光結合素子の光電変換素子それ
ぞれを並列接続し、この複数の光電変換素子と前
記入力電流源との接続点に電流制御用トランジス
タのベースを接続し、このトランジスタのエミツ
タ電流の全部を上記複数の制御用光結合素子の電
光変換素子に直列に供給するものであり、前記接
続回路は上記複数の制御用光結合素子の電光変換
素子に直列に前記複数の出力用光結合素子の電光
変換素子を接続することを特徴とする前記特許請
求の範囲第１項記載の電流源回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056053A JPS59181680A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 電流源回路 |
| US06/592,808 US4652764A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-23 | Current source circuit with a photo coupler |
| DE3448087A DE3448087C2 (ja) | 1983-03-31 | 1984-03-27 | |
| DE19843411303 DE3411303A1 (de) | 1983-03-31 | 1984-03-27 | Schaltung mit photoelektronischem koppler oder optokoppler |
| US07/000,900 US4752693A (en) | 1983-03-31 | 1987-01-06 | Circuit with a photo coupler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056053A JPS59181680A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 電流源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181680A JPS59181680A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0224390B2 true JPH0224390B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=13016336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056053A Granted JPS59181680A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 電流源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181680A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648886Y2 (ja) * | 1988-08-19 | 1994-12-12 | 株式会社日本アレフ | フォトインタラプタ |
| US5106644A (en) * | 1990-05-25 | 1992-04-21 | Procter & Gamble Company | Food products containing reduced calorie, fiber containing fat substitute |
| US5215757A (en) * | 1991-03-22 | 1993-06-01 | The Procter & Gamble Company | Encapsulated materials |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4984571A (ja) * | 1972-12-19 | 1974-08-14 | ||
| JPS52141585A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Variable resistor |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056053A patent/JPS59181680A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4984571A (ja) * | 1972-12-19 | 1974-08-14 | ||
| JPS52141585A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Variable resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59181680A (ja) | 1984-10-16 |
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