JPH0224284Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0224284Y2 JPH0224284Y2 JP1981143611U JP14361181U JPH0224284Y2 JP H0224284 Y2 JPH0224284 Y2 JP H0224284Y2 JP 1981143611 U JP1981143611 U JP 1981143611U JP 14361181 U JP14361181 U JP 14361181U JP H0224284 Y2 JPH0224284 Y2 JP H0224284Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- high frequency
- diode
- frequency signal
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高周波スイツチ回路装置、特に２つ
の端子の間にLC回路を挿入すると共にダイオー
ドを分路に接続し、上記ダイオードを直流電圧に
よつて非導通状態と導通状態とに制御することに
よつて、上記２つの端子間を高周波信号に対して
導通状態と非導通状態とに切替える高周波スイツ
チ回路装置において、上記直流電圧を印加する直
流電圧端子にトランジスタを直列に挿入、非導通
状態にあるべきモードにおける上記ダイオードに
対して非所望に高周波信号電流が流れることを防
止した高周波スイツチ回路装置に関するものであ
る。
の端子の間にLC回路を挿入すると共にダイオー
ドを分路に接続し、上記ダイオードを直流電圧に
よつて非導通状態と導通状態とに制御することに
よつて、上記２つの端子間を高周波信号に対して
導通状態と非導通状態とに切替える高周波スイツ
チ回路装置において、上記直流電圧を印加する直
流電圧端子にトランジスタを直列に挿入、非導通
状態にあるべきモードにおける上記ダイオードに
対して非所望に高周波信号電流が流れることを防
止した高周波スイツチ回路装置に関するものであ
る。
従来から、例えばビデオ機器などにおいては、
２つあるいはそれ以上の高周波信号を切替えて１
つの端子に供給する高周波スイツチ回路装置が用
いられている。
２つあるいはそれ以上の高周波信号を切替えて１
つの端子に供給する高周波スイツチ回路装置が用
いられている。
第１図は当該従来公知の高周波スイツチ回路装
置の一例を示す。図中、１は第１の端子であつて
第１の高周波信号が供給されるもの、２は第２の
端子であつて切替えられた高周波信号を受信する
もの、３は第３の端子であつて第２の高周波信号
が供給されるもの、４ないし６は抵抗であつて後
述のダイオードに直流電圧を印加するもの、７な
いし１１は夫々ダイオード、１２ないし１６は
夫々コンデンサ、１７，１８は夫々インダクタン
ス、１９は直流電圧端子、２０は直流電圧源、２
１はスイツチを表わしている。
置の一例を示す。図中、１は第１の端子であつて
第１の高周波信号が供給されるもの、２は第２の
端子であつて切替えられた高周波信号を受信する
もの、３は第３の端子であつて第２の高周波信号
が供給されるもの、４ないし６は抵抗であつて後
述のダイオードに直流電圧を印加するもの、７な
いし１１は夫々ダイオード、１２ないし１６は
夫々コンデンサ、１７，１８は夫々インダクタン
ス、１９は直流電圧端子、２０は直流電圧源、２
１はスイツチを表わしている。
第１図図示の構成において、スイツチ２１がオ
フ状態にあるとき、各ダイオード７ないし１１は
非導通状態に置かれ、第２図Ａ図示の如きモード
と等価となり、第１の端子１からの高周波信号は
定Ｋ型ハイパス・フイルタを通つて第２の端子２
に供給される。端子３からの信号はダイオード７
によつて遮断される。一方第１図図示の構成にお
いて、スイツチ２１がオン状態にあるとき、各ダ
イオード７ないし１１は導通状態に置かれる。こ
の結果、第２図Ｂ図示の如く、第３の端子３から
の高周波信号が端子２に供給される。このとき、
ダイオード８と９との導通抵抗をｒ１とし、ダイ
オード１０と１１との導通抵抗をｒ２とすると、
インダクタンス１７とコンデンサ１２とが１つの
並列共振回路を構成し、またインダクタンス１８
とコンデンサ１４とが他の１つの並列共振回路を
構成し、第３の端子３からの高周波信号が第１の
端子１に漏洩することが防止される。
フ状態にあるとき、各ダイオード７ないし１１は
非導通状態に置かれ、第２図Ａ図示の如きモード
と等価となり、第１の端子１からの高周波信号は
定Ｋ型ハイパス・フイルタを通つて第２の端子２
に供給される。端子３からの信号はダイオード７
によつて遮断される。一方第１図図示の構成にお
いて、スイツチ２１がオン状態にあるとき、各ダ
イオード７ないし１１は導通状態に置かれる。こ
の結果、第２図Ｂ図示の如く、第３の端子３から
の高周波信号が端子２に供給される。このとき、
ダイオード８と９との導通抵抗をｒ１とし、ダイ
オード１０と１１との導通抵抗をｒ２とすると、
インダクタンス１７とコンデンサ１２とが１つの
並列共振回路を構成し、またインダクタンス１８
とコンデンサ１４とが他の１つの並列共振回路を
構成し、第３の端子３からの高周波信号が第１の
端子１に漏洩することが防止される。
本考案はそれに限られるものではないが、従来
第１図図示の如く高周波スイツチ回路装置が用い
られている。しかし第２図Ａ図示のモードの場合
の動作を更に解析してみるとき、第３図図示の如
き態様が現われていることが判る。即ち第１の端
子１に供給される高周波信号e1が正半波期間にお
いて、コンデンサＣが図示（＋），（−）の如く充
電されてダイオードＤに対して電流i1が流れ、高
周波信号e1が負半波期間において、コンデンサＣ
の電荷が図示電流i2の如く放電されることとな
る。この場合、図示ＣとＲとで決まる時定数が高
周波信号e1の周期とくらべて十分で大であれば、
コンデンサＣの端子電圧は図示（＋），（−）方向
に充電されたままの状態即ち高周波信号e1の正ピ
ーク他E1となり、これによつてダイオードＤが
正しく逆バイアスされ、第２図Ａ図示のモードの
動作を正しく達成させることとなる。なお、上記
の例において例えば第１の端子１はアンテナに接
続され、上記第３の端子３はビデオ・テープレコ
ーダーの被変調波出力端に接続される。アンテナ
からの受信信号は、強電界地域での受信やアンテ
ナ・ブースタを使用している場合の受信におい
て、ダイオードＤの立上り電圧を超えるレベルの
場合があり、その場合に信号直流i1が流れること
になる。
第１図図示の如く高周波スイツチ回路装置が用い
られている。しかし第２図Ａ図示のモードの場合
の動作を更に解析してみるとき、第３図図示の如
き態様が現われていることが判る。即ち第１の端
子１に供給される高周波信号e1が正半波期間にお
いて、コンデンサＣが図示（＋），（−）の如く充
電されてダイオードＤに対して電流i1が流れ、高
周波信号e1が負半波期間において、コンデンサＣ
の電荷が図示電流i2の如く放電されることとな
る。この場合、図示ＣとＲとで決まる時定数が高
周波信号e1の周期とくらべて十分で大であれば、
コンデンサＣの端子電圧は図示（＋），（−）方向
に充電されたままの状態即ち高周波信号e1の正ピ
ーク他E1となり、これによつてダイオードＤが
正しく逆バイアスされ、第２図Ａ図示のモードの
動作を正しく達成させることとなる。なお、上記
の例において例えば第１の端子１はアンテナに接
続され、上記第３の端子３はビデオ・テープレコ
ーダーの被変調波出力端に接続される。アンテナ
からの受信信号は、強電界地域での受信やアンテ
ナ・ブースタを使用している場合の受信におい
て、ダイオードＤの立上り電圧を超えるレベルの
場合があり、その場合に信号直流i1が流れること
になる。
しかし、上述の如く、コンデンサＣはフイルタ
回路の１つの素子として働らいており、十分大き
い値をとることができず、また抵抗Ｒはダイオー
ドに対して逆バイアスを与えているものであつて
十分大きい値をとることができない。したがつ
て、コンデンサＣの端子電圧eCは、第６図図示の
如く、高周波信号e1に応じて変動する。換言する
と、第３図図示のダイオードＤに対して直流i1が
間欠的に流入する。該流入に伴なう難点について
は後述されるが、相互変調特性が劣化しまた伝送
損失が大となつている。
回路の１つの素子として働らいており、十分大き
い値をとることができず、また抵抗Ｒはダイオー
ドに対して逆バイアスを与えているものであつて
十分大きい値をとることができない。したがつ
て、コンデンサＣの端子電圧eCは、第６図図示の
如く、高周波信号e1に応じて変動する。換言する
と、第３図図示のダイオードＤに対して直流i1が
間欠的に流入する。該流入に伴なう難点について
は後述されるが、相互変調特性が劣化しまた伝送
損失が大となつている。
本考案は上記の点を解決するものであり、第４
図は本考案の一実施例構成を示す。図中の符号は
第１図に対応し、２２はPNPトランジスタ、２
３は抵抗を示している。
図は本考案の一実施例構成を示す。図中の符号は
第１図に対応し、２２はPNPトランジスタ、２
３は抵抗を示している。
図においてスイツチ２１がオフ状態にあると
き、ダイオード７，８，９，１０，１１が非導通
状態にあり、またスイツチ２１がオン状態にある
とき、トランジスタ２２がオンされてダイオード
７，８，９，１１が導通状態にある。そして、高
周波スイツチとしての基本動作は、第１図図示の
場合と全く同じと考えてよい。
き、ダイオード７，８，９，１０，１１が非導通
状態にあり、またスイツチ２１がオン状態にある
とき、トランジスタ２２がオンされてダイオード
７，８，９，１１が導通状態にある。そして、高
周波スイツチとしての基本動作は、第１図図示の
場合と全く同じと考えてよい。
但し、ダイオード７ないし１１が非導通状態に
あるモードにおいて、第５図と第３図とを対比す
ると判る如く、第４図図示の構成と第１図図示の
構成とでは異なつている。即ち、第５図図示にお
いては、コンデンサＣの放電路はトランジスタ２
２を経由したものとなる。そして、この場合、ト
ランジスタ２２のベース直流が流れず、トランジ
スタ２２は実質上オフとなり、直流i2が殆んど流
れないものとなる。即ち第５図図示の場合におけ
る放電路の時定数は十分大となり、第７図図示の
如くコンデンサＣの端子電圧eCは殆んど変動しな
い。即ちコンデンサＣは、高周波信号e1の正ピー
ク値に充電されたままとなり、第５図図示の直流
i1は殆んど流れることなく、ダイオードＤは実質
上正しく非導通状態となる。
あるモードにおいて、第５図と第３図とを対比す
ると判る如く、第４図図示の構成と第１図図示の
構成とでは異なつている。即ち、第５図図示にお
いては、コンデンサＣの放電路はトランジスタ２
２を経由したものとなる。そして、この場合、ト
ランジスタ２２のベース直流が流れず、トランジ
スタ２２は実質上オフとなり、直流i2が殆んど流
れないものとなる。即ち第５図図示の場合におけ
る放電路の時定数は十分大となり、第７図図示の
如くコンデンサＣの端子電圧eCは殆んど変動しな
い。即ちコンデンサＣは、高周波信号e1の正ピー
ク値に充電されたままとなり、第５図図示の直流
i1は殆んど流れることなく、ダイオードＤは実質
上正しく非導通状態となる。
第３図、第５図を参照して説明した如くダイオ
ードＤに非所望な直流が流れると、ダイオードＤ
の特性が一般に第８図図示の如き特性をもつため
に、第８図図示Ａ部分に相当する直流によつて３
次歪が発生し、また第８図図示Ｂ部分に相当する
直流によつても２次歪が発生する。即ち、相互変
調歪特性が劣化し、第１の端子１に供給される高
周波信号e1の周波数1と第３の端子３に供給され
る高周波信号e2の周波数2とのビートが現われ、
第２の端子２に受信された信号によつて例えばテ
レビジヨン受像を行なうと、非所望なビート縞が
現われる。この状態は、第１の端子に供給される
高周波信号e1の振幅が大きい程大きく現われる。
ードＤに非所望な直流が流れると、ダイオードＤ
の特性が一般に第８図図示の如き特性をもつため
に、第８図図示Ａ部分に相当する直流によつて３
次歪が発生し、また第８図図示Ｂ部分に相当する
直流によつても２次歪が発生する。即ち、相互変
調歪特性が劣化し、第１の端子１に供給される高
周波信号e1の周波数1と第３の端子３に供給され
る高周波信号e2の周波数2とのビートが現われ、
第２の端子２に受信された信号によつて例えばテ
レビジヨン受像を行なうと、非所望なビート縞が
現われる。この状態は、第１の端子に供給される
高周波信号e1の振幅が大きい程大きく現われる。
第９図は、第１図図示の構成の場合に現われる
３次歪による相互変調スペクトラムを表わし、第
１０図は、第４図図示の構成の場合に現われる３
次歪による相互変調スペクトラムを表わしてい
る。図から判る如く本考案の場合において相互変
調歪特性が大きく改善されていることが判る。
３次歪による相互変調スペクトラムを表わし、第
１０図は、第４図図示の構成の場合に現われる３
次歪による相互変調スペクトラムを表わしてい
る。図から判る如く本考案の場合において相互変
調歪特性が大きく改善されていることが判る。
第１１図は、第１の端子１に供給される高周波
信号e1の振幅とコンデンサ１５の端子電圧との関
係をプロツトしたものであり、本願考案（第４
図）の場合には、高周波信号e1の振幅に対応して
コンデンサ１５の端子電圧も上昇し、上述のダイ
オードＤに流れる直流i1をなくする働らきが現わ
れていることが判る。
信号e1の振幅とコンデンサ１５の端子電圧との関
係をプロツトしたものであり、本願考案（第４
図）の場合には、高周波信号e1の振幅に対応して
コンデンサ１５の端子電圧も上昇し、上述のダイ
オードＤに流れる直流i1をなくする働らきが現わ
れていることが判る。
また第１２図は、第１の端子１に供給される高
周波信号e1の振幅に対して、当該信号e1の信号レ
ベルＤ対ビート信号レベルUDの比（UD／Ｄ）が
変化する態様を表わしている。図から判る如く、
第１図図示の構成の場合、高周波信号e1の振幅が
大となるにつれて相互変調特性が大きく劣化して
いるが、第４図図示の構成の場合、高周波信号e1
の振幅が大となつても相互変調特性は劣化しない
ことが判る。
周波信号e1の振幅に対して、当該信号e1の信号レ
ベルＤ対ビート信号レベルUDの比（UD／Ｄ）が
変化する態様を表わしている。図から判る如く、
第１図図示の構成の場合、高周波信号e1の振幅が
大となるにつれて相互変調特性が大きく劣化して
いるが、第４図図示の構成の場合、高周波信号e1
の振幅が大となつても相互変調特性は劣化しない
ことが判る。
また、本考案の場合には、第２図Ａ図示のモー
ド時において、ダイオード７ないし１１が実質上
導通しないために、各ダイオードのインピーダン
スが実質上低下せず伝送損失が低下することがな
い。
ド時において、ダイオード７ないし１１が実質上
導通しないために、各ダイオードのインピーダン
スが実質上低下せず伝送損失が低下することがな
い。
なお上記説明において、ビデオ機器における切
替スイツチについて説明した。しかし、本考案
は、例えば高周波増幅段におけるスイツチ、チユ
ーナのバンド切替スイツチ、チユーナのチユーニ
ング用電源におけるスイツチなどに適用されるこ
とは言うまでもない。
替スイツチについて説明した。しかし、本考案
は、例えば高周波増幅段におけるスイツチ、チユ
ーナのバンド切替スイツチ、チユーナのチユーニ
ング用電源におけるスイツチなどに適用されるこ
とは言うまでもない。
第１図ないし第３図、および第６図は、本考案
の前提問題を説明する説明図、第４図は本考案の
一実施例構成、第５図および第７図は第４図図示
構成の動作を説明する説明図、第８図は相互変調
歪が現われる態様を説明する説明図、第９図ない
し第１２図は本考案の構成の利点を説明する説明
図を示す。 図中、１は第１の端子、２は第２の端子、１９
は直流電圧端子、４ないし６は抵抗、７ないし１
１はダイオード、１２ないし１６はコンデンサ、
１７，１８はインダクタンス、２２はトランジス
タを表わす。
の前提問題を説明する説明図、第４図は本考案の
一実施例構成、第５図および第７図は第４図図示
構成の動作を説明する説明図、第８図は相互変調
歪が現われる態様を説明する説明図、第９図ない
し第１２図は本考案の構成の利点を説明する説明
図を示す。 図中、１は第１の端子、２は第２の端子、１９
は直流電圧端子、４ないし６は抵抗、７ないし１
１はダイオード、１２ないし１６はコンデンサ、
１７，１８はインダクタンス、２２はトランジス
タを表わす。
Claims (1)
- 第１の端子と第２の端子との間と、第３の端子
と第２の端子との間の導通を選択的に切替えるよ
う構成され、当該第１の端子と第２の端子との間
に直列に挿入されたコンデンサをそなえると共に
分路に接続されたインダクタンスとダイオードと
をそなえ、上記ダイオードに非導通状態と導通状
態とに制御すべく直流電圧を印加することによつ
て、上記第１の端子と上記第２の端子とを、上記
ダイオードの非導通時に高周波信号に対して導通
状態としかつ上記ダイオードの導通時に高周波信
号に対して非導通状態とするよう切替える高周波
スイツチ回路装置において、上記ダイオードに対
して直流電圧を印加する直流電圧端子に直列に上
記直流電圧が印加されたときオン状態となるトラ
ンジスタを挿入した構成とし、上記第１の端子と
第２の端子とを高周波信号に対して導通状態にお
いた状態で上記トランジスタをオフ状態に保つよ
うにしたことを特徴とする高周波スイツチ回路装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981143611U JPS5848144U (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 高周波スイツチ回路装置 |
| US06/423,115 US4574201A (en) | 1981-09-28 | 1982-09-24 | Radio frequency switching circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981143611U JPS5848144U (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 高周波スイツチ回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848144U JPS5848144U (ja) | 1983-03-31 |
| JPH0224284Y2 true JPH0224284Y2 (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=15342756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981143611U Granted JPS5848144U (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 高周波スイツチ回路装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4574201A (ja) |
| JP (1) | JPS5848144U (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3937934A1 (de) * | 1989-11-15 | 1991-05-16 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung zur durchschaltung von hf-signalen |
| US5180934A (en) * | 1991-05-28 | 1993-01-19 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Self-enabling data-collision avoidance arrangement using a peak detector |
| US5243232A (en) * | 1991-07-31 | 1993-09-07 | Allen-Bradley Company, Inc. | Start-up pulse suppression circuit for industrial controller output |
| US5680073A (en) * | 1993-06-08 | 1997-10-21 | Ramot University Authority For Applied Research & Industrial Development Ltd. | Controlled semiconductor capacitors |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120163A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Fujitsu Ltd | Diode switch circuit |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3334246A (en) * | 1964-11-23 | 1967-08-01 | Laurence C Drew | Technique for gating a vhf-uhf signal |
| US3421019A (en) * | 1965-07-09 | 1969-01-07 | Hewlett Packard Co | Fast transistion and gate |
| US4433315A (en) * | 1981-11-24 | 1984-02-21 | General Electric Company | Tunable coupling network |
| JPS58103231A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波信号切換装置 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP1981143611U patent/JPS5848144U/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-24 US US06/423,115 patent/US4574201A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120163A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Fujitsu Ltd | Diode switch circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4574201A (en) | 1986-03-04 |
| JPS5848144U (ja) | 1983-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3617898A (en) | Orthogonal passive frequency converter with control port and signal port | |
| JPH0224284Y2 (ja) | ||
| JPH0863947A (ja) | アンテナ信号供給回路 | |
| US4562404A (en) | FM Demodulator with selective phase shift circuits | |
| US4056787A (en) | Self-oscillating mixer circuit | |
| KR900002358Y1 (ko) | 튜우너의 밴드 전환회로 | |
| JPH0227628Y2 (ja) | ||
| JPS61205015A (ja) | 同調電圧トラツキング装置 | |
| JP3926702B2 (ja) | 電子チューナ | |
| US6998915B2 (en) | Apparatus for switching matching circuit in mobile communication terminal | |
| US3662271A (en) | Solid state television tuner | |
| JP3054558B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPS5959047U (ja) | Ｕｈｆ−ｖｈｆコンビネ−シヨン・チユ−ナ | |
| JP3592160B2 (ja) | チューナの複同調回路 | |
| JPH0434579Y2 (ja) | ||
| JPH0141221Y2 (ja) | ||
| JPH066619Y2 (ja) | 入力同調回路 | |
| JPS6342750Y2 (ja) | ||
| JP3038797B2 (ja) | テレビジョンチューナ | |
| JPS5837137Y2 (ja) | 高周波増幅回路 | |
| JPS6324673Y2 (ja) | ||
| JPH09261111A (ja) | Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタ | |
| JPH0227643Y2 (ja) | ||
| JPH0427229Y2 (ja) | ||
| JPS6121885Y2 (ja) |