JPH0224119B2 - - Google Patents
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- JPH0224119B2 JPH0224119B2 JP59159765A JP15976584A JPH0224119B2 JP H0224119 B2 JPH0224119 B2 JP H0224119B2 JP 59159765 A JP59159765 A JP 59159765A JP 15976584 A JP15976584 A JP 15976584A JP H0224119 B2 JPH0224119 B2 JP H0224119B2
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- mosfet
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P7/00—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
- H02P7/06—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current
- H02P7/18—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power
- H02P7/24—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices
- H02P7/28—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices
- H02P7/285—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices controlling armature supply only
- H02P7/29—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices controlling armature supply only using pulse modulation
- H02P7/2913—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for regulating or controlling an individual dc dynamo-electric motor by varying field or armature current by master control with auxiliary power using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices controlling armature supply only using pulse modulation whereby the speed is regulated by measuring the motor speed and comparing it with a given physical value
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Direct Current Motors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、小型電気機器に使用する直流モータ
の回転速度制御装置に関するものである。
の回転速度制御装置に関するものである。
［背景技術］
第１図はこの種の直流モータの速度制御装置の
基本構成を示すもので、直流モータ１に
MOSFETよりなるスイツチング素子２を介して
電池電源３から給電し、上記スイツチング素子２
を制御する制御パルスPcのパルス幅を変化させ
ることにより直流モータ１の回転速度を制御する
速度制御手段４を設けている。すなわち、この速
度制御手段４においては、所定周期の制御パルス
Pcのパルス幅を変化（パルスデユーテイを変化）
させることにより、スイツチング素子２のオン／
オフ時間を変化させてモータ電流を制御し、直流
モータ１の回転速度を制御するようになつてい
る。図中、VRは回転速度設定用ボリユーム、
FGはモータ軸に取り付けられ回転数に応じた周
波数の信号を発生する周波数発生器であり、速度
制御手段４では、周波数発生器FGにて検出され
た直流モータ１の実際の回転数ｎ（rpm）がボリ
ユームVRにて設定された回転数Ｎ（rpm）になる
ようにスイツチング素子２のオン／オフ時間を制
御している。例えば、直流モータ１に負荷がかか
つて実際の回転数ｎが設定値Ｎよりも低くなる
と、パルスデユーテイを大きくしてスイツチング
素子２のオン時間を長くし、モータ電流を多くし
て回転速度を速くするようにフイードバツク制御
が行なわれるようになつている。ところで、スイ
ツチング素子２として用いられているパワー用
MOSFETはゲートに印加される電圧によつてド
レイン電流IDが制御されるようになつており、こ
のMOSFETをスイツチング素子として用いる場
合、MOSFETを完全にオンしてソース−ドレイ
ン間の抵抗が最小になるようにして使用しなけれ
ばならない。第２図ａ，ｂはパワー用MOSFET
の特性を示す図である。この特性図から明らかな
ように、MOSFETを完全オン状態で使用するた
めにはゲート−ソース間の電圧VGSを10V以上に
する必要がある。しかしながら、従来例にあつて
は、電池電源電圧が低い場合、あるいは直流モー
タ１に負荷がかかることによりモータ電流が多く
なつて電池電源電圧が低下した場合などにおい
て、速度制御手段４から出力される制御パルスの
パルス電圧が低くなつてMOSFETが完全オンに
ならず、ドレイン−ソース間の抵抗が高くなつて
MOSFETの損失が大きくなり、パワーオーバー
でMOSFETが破壊されてしまうという問題があ
つた。
基本構成を示すもので、直流モータ１に
MOSFETよりなるスイツチング素子２を介して
電池電源３から給電し、上記スイツチング素子２
を制御する制御パルスPcのパルス幅を変化させ
ることにより直流モータ１の回転速度を制御する
速度制御手段４を設けている。すなわち、この速
度制御手段４においては、所定周期の制御パルス
Pcのパルス幅を変化（パルスデユーテイを変化）
させることにより、スイツチング素子２のオン／
オフ時間を変化させてモータ電流を制御し、直流
モータ１の回転速度を制御するようになつてい
る。図中、VRは回転速度設定用ボリユーム、
FGはモータ軸に取り付けられ回転数に応じた周
波数の信号を発生する周波数発生器であり、速度
制御手段４では、周波数発生器FGにて検出され
た直流モータ１の実際の回転数ｎ（rpm）がボリ
ユームVRにて設定された回転数Ｎ（rpm）になる
ようにスイツチング素子２のオン／オフ時間を制
御している。例えば、直流モータ１に負荷がかか
つて実際の回転数ｎが設定値Ｎよりも低くなる
と、パルスデユーテイを大きくしてスイツチング
素子２のオン時間を長くし、モータ電流を多くし
て回転速度を速くするようにフイードバツク制御
が行なわれるようになつている。ところで、スイ
ツチング素子２として用いられているパワー用
MOSFETはゲートに印加される電圧によつてド
レイン電流IDが制御されるようになつており、こ
のMOSFETをスイツチング素子として用いる場
合、MOSFETを完全にオンしてソース−ドレイ
ン間の抵抗が最小になるようにして使用しなけれ
ばならない。第２図ａ，ｂはパワー用MOSFET
の特性を示す図である。この特性図から明らかな
ように、MOSFETを完全オン状態で使用するた
めにはゲート−ソース間の電圧VGSを10V以上に
する必要がある。しかしながら、従来例にあつて
は、電池電源電圧が低い場合、あるいは直流モー
タ１に負荷がかかることによりモータ電流が多く
なつて電池電源電圧が低下した場合などにおい
て、速度制御手段４から出力される制御パルスの
パルス電圧が低くなつてMOSFETが完全オンに
ならず、ドレイン−ソース間の抵抗が高くなつて
MOSFETの損失が大きくなり、パワーオーバー
でMOSFETが破壊されてしまうという問題があ
つた。
［発明の目的］
本発明は上記の問題点に鑑み為されたものであ
り、その目的とするところは、電池電源電圧が低
い場合、あるいはモータ電流が多くなつて電池電
源電圧が低下した場合にあつてもMOSFETを完
全にオンさせることができ、MOSFETの損失を
少なくしてパワーオーバーによる破壊を防止する
ことができる直流モータの回転速度制御装置を提
供することにある。
り、その目的とするところは、電池電源電圧が低
い場合、あるいはモータ電流が多くなつて電池電
源電圧が低下した場合にあつてもMOSFETを完
全にオンさせることができ、MOSFETの損失を
少なくしてパワーオーバーによる破壊を防止する
ことができる直流モータの回転速度制御装置を提
供することにある。
［発明の開示］
本発明による直流モータ１の回転速度制御装置
は、直流モータ１にMOSFETよりなるスイツチ
ング素子２を介して電池電源３から給電し、上記
スイツチング素子２を制御する制御パルスPcの
パルス幅を変化させることにより直流モータ１の
回転速度を制御する速度制御手段４を設けて成る
直流モータ１の回転速度制御装置において、速度
制御手段４の制御パルス発生回路の回路電源電圧
VB′を電池電源電圧VBよりも高くする昇圧回路５
を設けたものであり、電池電源電圧VBが低い場
合、あるいはモータ電流が多くなつた場合にあつ
てもスイツチング素子２たるMOSFETを完全に
オンさせることができ、MOSFETの損失を少な
くしてパワーオーバーによる破壊を防止すること
ができるようにするものである。
は、直流モータ１にMOSFETよりなるスイツチ
ング素子２を介して電池電源３から給電し、上記
スイツチング素子２を制御する制御パルスPcの
パルス幅を変化させることにより直流モータ１の
回転速度を制御する速度制御手段４を設けて成る
直流モータ１の回転速度制御装置において、速度
制御手段４の制御パルス発生回路の回路電源電圧
VB′を電池電源電圧VBよりも高くする昇圧回路５
を設けたものであり、電池電源電圧VBが低い場
合、あるいはモータ電流が多くなつた場合にあつ
てもスイツチング素子２たるMOSFETを完全に
オンさせることができ、MOSFETの損失を少な
くしてパワーオーバーによる破壊を防止すること
ができるようにするものである。
実施例 １
第３図は本発明一実施例の速度制御手段４に設
けた昇圧回路５を示すもので、適当な周期でオン
オフされるトランジスタQ1，Q2、ダイオードD1
〜D3、コンデンサC1〜C3、抵抗R1〜R4にて形成
され、電池電源電圧VBを昇圧した電圧VB′を出力
する。なお、他の構成および動作は第１図の速度
制御装置と同一であるので説明を省略する。
けた昇圧回路５を示すもので、適当な周期でオン
オフされるトランジスタQ1，Q2、ダイオードD1
〜D3、コンデンサC1〜C3、抵抗R1〜R4にて形成
され、電池電源電圧VBを昇圧した電圧VB′を出力
する。なお、他の構成および動作は第１図の速度
制御装置と同一であるので説明を省略する。
第４図は上記昇圧回路５の動作を示す図であ
り、以下動作について説明する。いま、トランジ
スタQ1がオン、トランジスタQ2がオフのとき、
コンデンサC1は抵抗R4→ダイオードD1→コンデ
ンサC1→トランジスタQ1の経路で電圧V3がV3＝
VB−Vdになるまで充電される。なお、Vdはダイ
オードD1〜D3の順方向電圧である。次に、トラ
ンジスタQ1がオフ、トランジスタQ2がオンにな
ると、コンデンサC1の一側の電圧V2が電池電源
電圧VBまで上がるため、V3はV3＝VB＋（VB−
Vd）まで上がる。このとき、コンデンサC2はコ
ンデンサC1の放電によりダイオードD2→コンデ
ンサC2→トランジスタQ2の経路で充電され、電
圧V4＝V3−Vdまで上がる。次に、再びトランジ
スタQ1がオン、トランジスタQ2がオフになると、
コンデンサC2の一側の電圧V5は電池電源電圧VB
まで上がるためV4＝VB＋（V3−Vd）まで上がる。
このとき、コンデンサC3はV6＝V4−Vdまで充電
される。このようにして、コンデンサC1〜C3の
充電により昇圧された昇圧電圧VB′はVB′＝3VB
−3Vdとなり、この昇圧電圧VB′が制御パルス発
生回路に回路電源として供給される。したがつ
て、制御パルス発生回路には電池電源電圧VBよ
りも高い電圧VB′が回路電源電圧として印加され
ることになり、電池電源電圧VBが低い場合（例
えば３本のNi−Cd電池を直列に接続して電源電
圧が4V弱である場合）にあつても、スイツチン
グ素子２たるMOSFETが完全オンするのに必要
な制御パルスPcが得られるようになつている。
また、モータ電流が多くなつて電池電源電圧VB
が低下した場合にあつても、同様にして上記
MOSFETを完全にオンさせることができ、
MOSFETの損失を少なくすることができ、パワ
ーオーバーによる破壊を防止することができるよ
うになつている。
り、以下動作について説明する。いま、トランジ
スタQ1がオン、トランジスタQ2がオフのとき、
コンデンサC1は抵抗R4→ダイオードD1→コンデ
ンサC1→トランジスタQ1の経路で電圧V3がV3＝
VB−Vdになるまで充電される。なお、Vdはダイ
オードD1〜D3の順方向電圧である。次に、トラ
ンジスタQ1がオフ、トランジスタQ2がオンにな
ると、コンデンサC1の一側の電圧V2が電池電源
電圧VBまで上がるため、V3はV3＝VB＋（VB−
Vd）まで上がる。このとき、コンデンサC2はコ
ンデンサC1の放電によりダイオードD2→コンデ
ンサC2→トランジスタQ2の経路で充電され、電
圧V4＝V3−Vdまで上がる。次に、再びトランジ
スタQ1がオン、トランジスタQ2がオフになると、
コンデンサC2の一側の電圧V5は電池電源電圧VB
まで上がるためV4＝VB＋（V3−Vd）まで上がる。
このとき、コンデンサC3はV6＝V4−Vdまで充電
される。このようにして、コンデンサC1〜C3の
充電により昇圧された昇圧電圧VB′はVB′＝3VB
−3Vdとなり、この昇圧電圧VB′が制御パルス発
生回路に回路電源として供給される。したがつ
て、制御パルス発生回路には電池電源電圧VBよ
りも高い電圧VB′が回路電源電圧として印加され
ることになり、電池電源電圧VBが低い場合（例
えば３本のNi−Cd電池を直列に接続して電源電
圧が4V弱である場合）にあつても、スイツチン
グ素子２たるMOSFETが完全オンするのに必要
な制御パルスPcが得られるようになつている。
また、モータ電流が多くなつて電池電源電圧VB
が低下した場合にあつても、同様にして上記
MOSFETを完全にオンさせることができ、
MOSFETの損失を少なくすることができ、パワ
ーオーバーによる破壊を防止することができるよ
うになつている。
実施例 ２
第５図は他の実施例を示すもので、実施例１と
同様の昇圧回路５において、昇圧回路５の出力端
に逆流阻止用ダイオードD4を介して電池電源電
圧VBを印加したものであり、電源スイツチ（図
示せず）の投入直後における昇圧回路５の出力端
の電圧VB′がVB′＝VB−Vdになるようにして直流
モータ１の起動が遅れるのを防止できるようにな
つている。また、昇圧回路５の出力電流はダイオ
ードD4を介しても流れるようになつているので、
出力電流を多くとつた場合にあつても電圧の低下
が少なくなり、MOSFETを完全にオンすること
ができるようになつている。すなわち、前記実施
例１にあつては、電源スイツチの投入直後におい
てコンデンサC3が充電されていないために昇圧
回路５の出力電圧VB′が低く、MOSFETがオン
せず、直流モータ１の起動が遅れるという問題が
あり、また、昇圧回路５から制御パルス発生回路
に大きな電流を供給した場合にも、制御パルス電
圧が低くなつてMOSFETを完全にオンすること
ができないという問題があつた。実施例２は上記
問題点を解決するためのものであつて、電池電源
電圧VBがダイオードD4を介して昇圧回路５の出
力端に印加されているので、電源スイツチの投入
直後においてもMOSFETをオンすることができ
て直流モータ１の起動が遅れることがなく、ま
た、昇圧回路５にて昇圧された昇圧電源の内部イ
ンピーダンスが小さくなるので、昇圧回路５の出
力から大きな電流をとつた場合にあつても出力電
圧VB′の低下が少なくMOSFETを完全にオンで
きる制御パルスPcが得られることになる。
同様の昇圧回路５において、昇圧回路５の出力端
に逆流阻止用ダイオードD4を介して電池電源電
圧VBを印加したものであり、電源スイツチ（図
示せず）の投入直後における昇圧回路５の出力端
の電圧VB′がVB′＝VB−Vdになるようにして直流
モータ１の起動が遅れるのを防止できるようにな
つている。また、昇圧回路５の出力電流はダイオ
ードD4を介しても流れるようになつているので、
出力電流を多くとつた場合にあつても電圧の低下
が少なくなり、MOSFETを完全にオンすること
ができるようになつている。すなわち、前記実施
例１にあつては、電源スイツチの投入直後におい
てコンデンサC3が充電されていないために昇圧
回路５の出力電圧VB′が低く、MOSFETがオン
せず、直流モータ１の起動が遅れるという問題が
あり、また、昇圧回路５から制御パルス発生回路
に大きな電流を供給した場合にも、制御パルス電
圧が低くなつてMOSFETを完全にオンすること
ができないという問題があつた。実施例２は上記
問題点を解決するためのものであつて、電池電源
電圧VBがダイオードD4を介して昇圧回路５の出
力端に印加されているので、電源スイツチの投入
直後においてもMOSFETをオンすることができ
て直流モータ１の起動が遅れることがなく、ま
た、昇圧回路５にて昇圧された昇圧電源の内部イ
ンピーダンスが小さくなるので、昇圧回路５の出
力から大きな電流をとつた場合にあつても出力電
圧VB′の低下が少なくMOSFETを完全にオンで
きる制御パルスPcが得られることになる。
実施例 ３
第６図はさらに他の実施例を示すもので、昇圧
回路５の出力端をコンデンサC3を介して電池電
源３の正極に接続したものであり、電源スイツチ
が投入された直後のコンデンサC3が充電されて
いない場合にあつても、昇圧回路５の出力端には
コンデンサC3を介して電池電源電圧VBが出力さ
れ、出力電圧VB′は電池電源電圧VBから立ち上が
るため、電源投入直後にMOSFETをオンするこ
とができ、直流モータ１の起動が遅れることがな
いようになつている。
回路５の出力端をコンデンサC3を介して電池電
源３の正極に接続したものであり、電源スイツチ
が投入された直後のコンデンサC3が充電されて
いない場合にあつても、昇圧回路５の出力端には
コンデンサC3を介して電池電源電圧VBが出力さ
れ、出力電圧VB′は電池電源電圧VBから立ち上が
るため、電源投入直後にMOSFETをオンするこ
とができ、直流モータ１の起動が遅れることがな
いようになつている。
具体回路例
第７図および第８図は実施例１に対応する具体
回路例であり、直流モータ１の回転軸に連結され
た周波数発生器FSは、永久磁石回転子とホール
素子あるいはコイルなどよりなる固定子とで構成
されている。周波数発生器FSの出力はほぼ正弦
波となつており、次段のレベルシフト回路７でこ
の正弦波の振幅よりも若干大きなバイアス電圧
Vdcが重畳される。したがつてレベルシフト回路
７の出力信号は直流レベルが振幅値よりもやや高
い脈流となる。この脈流電圧が次の脈流電圧比較
回路８で基準電圧Vf1と比較され、比較回路８の
出力がヒステリシス増幅回路９で波形整形されて
直流モータ１の回転数に応じたパルスを得る。す
なわちレベルシフト回路７、脈流電圧比較回路８
およびヒステリシス増幅回路９により波形整形回
路１０を構成しているのである。１１は鋸歯状波
発生回路で、上記パルス信号の立上りをタイミン
グとして充放電を行なう時定数回路で構成され、
この鋸歯状波のピーク値が上記タイミングパルス
でサンプルホールド回路１２に保持される。サン
プルホールド回路１２の出力は直流増幅回路１３
でレベルを調整されたのち、三角波電圧比較回路
１５で基準三角波発生回路１４の出力と比較さ
れ、この比較回路１５の出力によつて制御される
MOSFETよりなるスイツチング素子２を用いた
スイツチング回路１６によつて直流モータ１の電
源をオンオフすることにより、直流モータ１の速
度制御を行なつている。すなわち直流モータ１の
速度が低下するとタイミングパルスの時間間隔が
長くなるので、鋸歯状波のピーク値が高くなつて
サンプルホールド回路１２の保持電圧が高くな
り、その結果三角波電圧比較回路１５の出力信号
のパルス幅が大きくなつて直流モータ１への供給
電流が増加するのである。上述の鋸歯状波発生回
路１１の出力は、鋸歯状波電圧比較回路１７およ
び起動時作動遅延回路１８よりなる過負荷検出回
路１９にも入力され、鋸歯状波電圧のピーク値が
基準電圧Vf2と比較される。モータ回転数が一定
値よりも低下すると過負荷検出回路１９の出力に
より上記スイツチング回路１６のスイツチング素
子２をオフにし、直流モータ１への給電を遮断す
る。ここに、電池電源電圧VBよりも高い出力電
圧VB′を発生してスイツチング素子２たる
MOSFETを完全にオンする昇圧回路５としては
実施例２の回路を用いている。
回路例であり、直流モータ１の回転軸に連結され
た周波数発生器FSは、永久磁石回転子とホール
素子あるいはコイルなどよりなる固定子とで構成
されている。周波数発生器FSの出力はほぼ正弦
波となつており、次段のレベルシフト回路７でこ
の正弦波の振幅よりも若干大きなバイアス電圧
Vdcが重畳される。したがつてレベルシフト回路
７の出力信号は直流レベルが振幅値よりもやや高
い脈流となる。この脈流電圧が次の脈流電圧比較
回路８で基準電圧Vf1と比較され、比較回路８の
出力がヒステリシス増幅回路９で波形整形されて
直流モータ１の回転数に応じたパルスを得る。す
なわちレベルシフト回路７、脈流電圧比較回路８
およびヒステリシス増幅回路９により波形整形回
路１０を構成しているのである。１１は鋸歯状波
発生回路で、上記パルス信号の立上りをタイミン
グとして充放電を行なう時定数回路で構成され、
この鋸歯状波のピーク値が上記タイミングパルス
でサンプルホールド回路１２に保持される。サン
プルホールド回路１２の出力は直流増幅回路１３
でレベルを調整されたのち、三角波電圧比較回路
１５で基準三角波発生回路１４の出力と比較さ
れ、この比較回路１５の出力によつて制御される
MOSFETよりなるスイツチング素子２を用いた
スイツチング回路１６によつて直流モータ１の電
源をオンオフすることにより、直流モータ１の速
度制御を行なつている。すなわち直流モータ１の
速度が低下するとタイミングパルスの時間間隔が
長くなるので、鋸歯状波のピーク値が高くなつて
サンプルホールド回路１２の保持電圧が高くな
り、その結果三角波電圧比較回路１５の出力信号
のパルス幅が大きくなつて直流モータ１への供給
電流が増加するのである。上述の鋸歯状波発生回
路１１の出力は、鋸歯状波電圧比較回路１７およ
び起動時作動遅延回路１８よりなる過負荷検出回
路１９にも入力され、鋸歯状波電圧のピーク値が
基準電圧Vf2と比較される。モータ回転数が一定
値よりも低下すると過負荷検出回路１９の出力に
より上記スイツチング回路１６のスイツチング素
子２をオフにし、直流モータ１への給電を遮断す
る。ここに、電池電源電圧VBよりも高い出力電
圧VB′を発生してスイツチング素子２たる
MOSFETを完全にオンする昇圧回路５としては
実施例２の回路を用いている。
第８図は第７図の装置のより具体的回路例を示
したものである。同図において、モータ速度制御
IC２０は第７図における脈流電圧比較回路８、
ヒステリシス増幅回路９、鋸歯状波発生回路１
１、サンプルホールド回路１２および直流増幅回
路１３を含んでおり、モータ速度制御IC２０か
ら出力された鋸歯状波信号が過負荷検出回路１９
の鋸歯状波電圧比較回路１７に印加されている。
いま、直流モータ１の回転数が落ち、周波数発生
器FSの出力の周期が長くなつてくると、制御パ
ルスPcのパルス幅も長くなり、そのために鋸歯
状波のピーク値が大きくなる。このピーク値が抵
抗Rk1およびRk2で決定される基準電圧Vf2を超
えると、鋸歯状波電圧比較回路１７から過負荷検
出信号が出力されて、トランジスタQ5をオンす
ることによりスイツチング回路１６のスイツチン
グ素子２をオフにし直流モータ１を停止させる。
一旦直流モータ１が停止すると、周波数発生器
FSの出力はゼロとなるが、前述のようにバイア
ス電圧Vdcの方が脈流電圧比較回路８の基準電圧
Vf1よりも若干高く設定されているので、波形整
形回路１０の出力がＨレベルにクランプされ、し
たがつて鋸歯状波のピーク値は時定数回路CtRt
によつて電源電圧Vcまで上昇してクランプされ、
それによつて直流モータ１が再スタートするのを
防止している。また、直流モータ１の起動初期に
おいては、起動時作動遅延回路１８の時定数回路
CsRsがトランジスタQ6をオン状態に保つことに
より、鋸歯状波電圧が鋸歯状波電圧比較回路１７
に入力されるのを阻止し、過負荷検出回路１９の
作動開始を遅らせている。なお、２１は直流増幅
回路１３のゲインを調整する回路で、これによつ
て直流モータ１の速度を調整するものである。２
２は各回路へ電源電圧Vcを供給する定電圧回路
であり、トランジスタQ8，Q9にて形成されてい
る。昇圧回路５は実施例２と同様の回路構成とな
つており、トランジスタQ1を適当な周期でオン
オフするスイツチング制御部はタイマICを用い
た発振回路OSにて形成され、発振周波数は抵抗
R5，R6およびコンデンサC4に設定されるように
なつている。したがつて、電池電源電圧VBがダ
イオードD4を介して昇圧回路５の出力端に印加
されており、電源スイツチの投入直後においても
パルス発生回路を構成するトランジスタQ4に電
圧（VB−Vd）を印加することができるので、電
源スイツチの投入直後でもMOSFETをオンする
ことができて直流モータ１の起動が遅れることが
なく、また、昇圧回路５に昇圧された昇圧電源の
内部インピーダンスが小さくなるので、昇圧回路
５の出力から大きな電流をとつた場合にあつても
出力電圧VB′の低下が少なくMOSFETを完全に
オンできる制御パルスPcが得られるようになつ
ている。
したものである。同図において、モータ速度制御
IC２０は第７図における脈流電圧比較回路８、
ヒステリシス増幅回路９、鋸歯状波発生回路１
１、サンプルホールド回路１２および直流増幅回
路１３を含んでおり、モータ速度制御IC２０か
ら出力された鋸歯状波信号が過負荷検出回路１９
の鋸歯状波電圧比較回路１７に印加されている。
いま、直流モータ１の回転数が落ち、周波数発生
器FSの出力の周期が長くなつてくると、制御パ
ルスPcのパルス幅も長くなり、そのために鋸歯
状波のピーク値が大きくなる。このピーク値が抵
抗Rk1およびRk2で決定される基準電圧Vf2を超
えると、鋸歯状波電圧比較回路１７から過負荷検
出信号が出力されて、トランジスタQ5をオンす
ることによりスイツチング回路１６のスイツチン
グ素子２をオフにし直流モータ１を停止させる。
一旦直流モータ１が停止すると、周波数発生器
FSの出力はゼロとなるが、前述のようにバイア
ス電圧Vdcの方が脈流電圧比較回路８の基準電圧
Vf1よりも若干高く設定されているので、波形整
形回路１０の出力がＨレベルにクランプされ、し
たがつて鋸歯状波のピーク値は時定数回路CtRt
によつて電源電圧Vcまで上昇してクランプされ、
それによつて直流モータ１が再スタートするのを
防止している。また、直流モータ１の起動初期に
おいては、起動時作動遅延回路１８の時定数回路
CsRsがトランジスタQ6をオン状態に保つことに
より、鋸歯状波電圧が鋸歯状波電圧比較回路１７
に入力されるのを阻止し、過負荷検出回路１９の
作動開始を遅らせている。なお、２１は直流増幅
回路１３のゲインを調整する回路で、これによつ
て直流モータ１の速度を調整するものである。２
２は各回路へ電源電圧Vcを供給する定電圧回路
であり、トランジスタQ8，Q9にて形成されてい
る。昇圧回路５は実施例２と同様の回路構成とな
つており、トランジスタQ1を適当な周期でオン
オフするスイツチング制御部はタイマICを用い
た発振回路OSにて形成され、発振周波数は抵抗
R5，R6およびコンデンサC4に設定されるように
なつている。したがつて、電池電源電圧VBがダ
イオードD4を介して昇圧回路５の出力端に印加
されており、電源スイツチの投入直後においても
パルス発生回路を構成するトランジスタQ4に電
圧（VB−Vd）を印加することができるので、電
源スイツチの投入直後でもMOSFETをオンする
ことができて直流モータ１の起動が遅れることが
なく、また、昇圧回路５に昇圧された昇圧電源の
内部インピーダンスが小さくなるので、昇圧回路
５の出力から大きな電流をとつた場合にあつても
出力電圧VB′の低下が少なくMOSFETを完全に
オンできる制御パルスPcが得られるようになつ
ている。
［発明の効果］
本発明は上述のように、直流モータに
MOSFETよりなるスイツチング素子を介して電
池電源から給電し、上記スイツチング素子を制御
する制御パルスのパルス幅を変化させることによ
り直流モータの回転速度を制御する速度制御手段
を設けて成る直流モータの回転速度制御装置にお
いて、速度制御手段の制御パルス発生回路の電源
電圧を電池電源電圧よりも高くする昇圧回路を設
けたものであり、電池電源電圧が低い場合、ある
いはモータ電流が多くなつて電池電源電圧が低下
した場合にあつてもMOSFETを完全にオンさせ
ることができ、MOSFETの損失を少なくしてパ
ワーオーバーによる破壊を防止することができる
という効果がある。
MOSFETよりなるスイツチング素子を介して電
池電源から給電し、上記スイツチング素子を制御
する制御パルスのパルス幅を変化させることによ
り直流モータの回転速度を制御する速度制御手段
を設けて成る直流モータの回転速度制御装置にお
いて、速度制御手段の制御パルス発生回路の電源
電圧を電池電源電圧よりも高くする昇圧回路を設
けたものであり、電池電源電圧が低い場合、ある
いはモータ電流が多くなつて電池電源電圧が低下
した場合にあつてもMOSFETを完全にオンさせ
ることができ、MOSFETの損失を少なくしてパ
ワーオーバーによる破壊を防止することができる
という効果がある。
第１図は本発明に係る直流モータの速度制御装
置の基本構成を示すブロツク回路図、第２図は同
上の動作説明図、第３図は本発明一実施例の要部
回路図、第４図は同上の動作説明図、第５図は他
の実施例の回路図、第６図はさらに他の実施例の
回路図、第７図は本発明の具体構成を示すブロツ
ク回路図、第８図は同上の具体回路図である。 １は直流モータ、２はスイツチング素子、３は
電池電源、４は速度制御手段、５は昇圧回路、
D4はダイオード、C3はコンデンサである。
置の基本構成を示すブロツク回路図、第２図は同
上の動作説明図、第３図は本発明一実施例の要部
回路図、第４図は同上の動作説明図、第５図は他
の実施例の回路図、第６図はさらに他の実施例の
回路図、第７図は本発明の具体構成を示すブロツ
ク回路図、第８図は同上の具体回路図である。 １は直流モータ、２はスイツチング素子、３は
電池電源、４は速度制御手段、５は昇圧回路、
D4はダイオード、C3はコンデンサである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直流モータにMOSFETよりなるスイツチン
グ素子を介して電池電源から給電し、上記スイツ
チング素子を制御する制御パルスのパルス幅を変
化させることにより直流モータの回転速度を制御
する速度制御手段を設けて成る直流モータの回転
速度制御装置において、速度制御手段の制御パル
ス発生回路の電源電圧を電池電源電圧よりも高く
する昇圧回路を設けたことを特徴とする直流モー
タの回転速度制御装置。 ２ 昇圧回路の出力端に逆流阻止用ダイオードを
介して電池電源電圧を印加したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の直流モータの回転速
度制御装置。 ３ 昇圧回路の出力端をコンデンサを介して電池
電源の正極に接続したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の直流モータの回転速度制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15976584A JPS6139883A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 直流モ−タの回転速度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15976584A JPS6139883A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 直流モ−タの回転速度制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139883A JPS6139883A (ja) | 1986-02-26 |
| JPH0224119B2 true JPH0224119B2 (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=15700775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15976584A Granted JPS6139883A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 直流モ−タの回転速度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139883A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756640Y2 (ja) * | 1989-05-09 | 1995-12-25 | 株式会社ゼクセル | モータの制御装置 |
| GB2280762A (en) * | 1993-07-31 | 1995-02-08 | Lucas Ind Plc | Testing and speed control of ABS pump motors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104807A (en) * | 1977-02-24 | 1978-09-12 | Toshiba Corp | High voltage generating circuit |
| JPS57183298A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Motor driving device for air conditioner |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15976584A patent/JPS6139883A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104807A (en) * | 1977-02-24 | 1978-09-12 | Toshiba Corp | High voltage generating circuit |
| JPS57183298A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Motor driving device for air conditioner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139883A (ja) | 1986-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |