JPH02237474A - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置Info
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- JPH02237474A JPH02237474A JP1053857A JP5385789A JPH02237474A JP H02237474 A JPH02237474 A JP H02237474A JP 1053857 A JP1053857 A JP 1053857A JP 5385789 A JP5385789 A JP 5385789A JP H02237474 A JPH02237474 A JP H02237474A
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- transistor module
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- 230000016507 interphase Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は交流を直流に又は直流を交流に変換する電力変
換装置に係り、特に半導体素子を有効に使用するための
電力変換装置に関する。
換装置に係り、特に半導体素子を有効に使用するための
電力変換装置に関する。
従来の装置は特開昭６０−１９４７６１号公報で記載の
ように電力変換器のブリッジ回路アームに電流自己消弧
機能を有する半導体素子が用いられている。
ように電力変換器のブリッジ回路アームに電流自己消弧
機能を有する半導体素子が用いられている。
前記半導体素子が電流を遮断するときに発生する過電圧
を抑制するために半導体素子と並列にスナバ回路を、又
電源側のインダクタンスの蓄積エネルギを吸収するため
、変換装置の交流側にフィルタコンデンサを設置してい
る． この様な構成とすれば過電圧が抑制できるので半導体素
子を採用した電力変換器が得られる。
を抑制するために半導体素子と並列にスナバ回路を、又
電源側のインダクタンスの蓄積エネルギを吸収するため
、変換装置の交流側にフィルタコンデンサを設置してい
る． この様な構成とすれば過電圧が抑制できるので半導体素
子を採用した電力変換器が得られる。
上記従来技術においては過電圧の発生機構が必らずしも
明らかでなく，大容量になると使用部品の耐圧不足が問
題となった。
明らかでなく，大容量になると使用部品の耐圧不足が問
題となった。
すなわち、大容量化に当ってはトランジスタを並列接続
し、電流を大きくした構成とする方法が一般的に用いら
れているが、回路インダクタンスによる蓄積エネルギー
が増大し、電流チョツピング時に発生する電圧が著しく
高くなる。一方、半導体素子、例えばトランジスタの耐
圧には製法上に限界があり、その値は千数百ボルトであ
り，耐圧が低いので、大容量化ができなかった。
し、電流を大きくした構成とする方法が一般的に用いら
れているが、回路インダクタンスによる蓄積エネルギー
が増大し、電流チョツピング時に発生する電圧が著しく
高くなる。一方、半導体素子、例えばトランジスタの耐
圧には製法上に限界があり、その値は千数百ボルトであ
り，耐圧が低いので、大容量化ができなかった。
本発明の目的は耐圧の低いトランジスタを用いることが
可能で高信頼度で経済性に優れた電力変換装置を提供す
ることにある。
可能で高信頼度で経済性に優れた電力変換装置を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、ブリッジ回路の交流端子と
フィルタコンデンサの端子とが最短距離で接続できるよ
うに前記ブリッジ回路を相毎に分割したトランジスタユ
ニットをフィルタコンデンサの周囲に配置したものであ
る。
フィルタコンデンサの端子とが最短距離で接続できるよ
うに前記ブリッジ回路を相毎に分割したトランジスタユ
ニットをフィルタコンデンサの周囲に配置したものであ
る。
上記目的を達成するためにフィルタコンデンサをブリッ
ジ回路と密着配置したものである。
ジ回路と密着配置したものである。
上記目的を達成するためにブリッジ回路の相間わたり線
，フィルタコンデンサの接続配線を少なくとも一方を複
数本にしたものである。
，フィルタコンデンサの接続配線を少なくとも一方を複
数本にしたものである。
ブリッジ回路の交流端子とフィルタコンデンサの端子と
が最短距離で接続できるように半導体素子のユニットを
相毎に分割してフィルタコンデンサの周囲に配置したこ
と及びブリッジ回路の相聞わたり線，フィルタコンデン
サの接続配線を複数本で接続すること及びフィルタコン
デンサをトランジスタユニットに密着配置したことは過
電圧の発生機構に関わる回路インピーダンスを低減する
ものである。
が最短距離で接続できるように半導体素子のユニットを
相毎に分割してフィルタコンデンサの周囲に配置したこ
と及びブリッジ回路の相聞わたり線，フィルタコンデン
サの接続配線を複数本で接続すること及びフィルタコン
デンサをトランジスタユニットに密着配置したことは過
電圧の発生機構に関わる回路インピーダンスを低減する
ものである。
これは半導体素子が電流を遮断するときに発生する過電
圧を抑制できるばかりでなく、他相間の転流時に発生す
る過電圧も抑制するように作用する． 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例を示す電力変換器の構成図、
第２図は本発明を説明するための回路図、第３図は本発
明を説明するための電圧波形及び動作信号波形図、第４
図は本発明の動作を説明する電圧状態図、第５図は本発
明の動作を説明するための回路図である。
圧を抑制できるばかりでなく、他相間の転流時に発生す
る過電圧も抑制するように作用する． 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例を示す電力変換器の構成図、
第２図は本発明を説明するための回路図、第３図は本発
明を説明するための電圧波形及び動作信号波形図、第４
図は本発明の動作を説明する電圧状態図、第５図は本発
明の動作を説明するための回路図である。
第１図において、ＩＵ〜ＩＷは冷却フィン、２は２Ｕ〜
２Ｗはトランジスタユニット、３はフィルタコンデンサ
、４・５・６は電源、７・８はトランジスタユニットの
相間わたり線、１１〜１３はトランジスタユニットから
なるブリッジ回路の交流端子とフィルタコンデンサの端
子を接続する接続配線、１８は支持板、１９はトランジ
スタユニットをスイッチングする制御装置である。
２Ｗはトランジスタユニット、３はフィルタコンデンサ
、４・５・６は電源、７・８はトランジスタユニットの
相間わたり線、１１〜１３はトランジスタユニットから
なるブリッジ回路の交流端子とフィルタコンデンサの端
子を接続する接続配線、１８は支持板、１９はトランジ
スタユニットをスイッチングする制御装置である。
第２図において、２ＵＰ〜２ＷＮはトランジスタモジュ
ール、Ｔは前記トランジスタモジュールの内部構成素子
であるトランジスタ、Ｄはダイオ一ドである（２ＵＰ〜
２ＷＰは省略）．２ＵＰＳ〜２ＷＮＳはスナバ回路で、
２ＵＮＳ〜２ｗＮＳに内部構成素子のスナバコンデンサ
Ｃｓ，スナバダイオードＤｓ，スナバ抵抗Ｒｓを示した
（２ Ｕ Ｐ Ｓ〜２ＷＰＳは省略）。ＣＩはフィルタ
コンデンサ３の容量値、Ｉｃはトランジスタ電流、Ｉｌ
ａは出力電流、Ｌｓｕ， Ｉ５ｖ， Ｉｓｗはスナバ回
路電流、Ｑ４〜ＱＢは電源のインダクタンス、Ｑ７〜Ｑ
１ｏは相間わたり線のインダクタンス、Ｑｓｘｙｎｘｓ
はフィルタコンデンサ接続配線のインダクタンス、Ｑ１
４〜（ｌｔｅはスナバ回路のインダクタンス、Ｖｃεは
トランジスタ電圧、ｖｃＦ，−ｅはフィルタコンデンサ
電圧、９，１０は相間わたり線、１４，１５は出カ配線
、１６は直流リアクトル、１７は負荷である。
ール、Ｔは前記トランジスタモジュールの内部構成素子
であるトランジスタ、Ｄはダイオ一ドである（２ＵＰ〜
２ＷＰは省略）．２ＵＰＳ〜２ＷＮＳはスナバ回路で、
２ＵＮＳ〜２ｗＮＳに内部構成素子のスナバコンデンサ
Ｃｓ，スナバダイオードＤｓ，スナバ抵抗Ｒｓを示した
（２ Ｕ Ｐ Ｓ〜２ＷＰＳは省略）。ＣＩはフィルタ
コンデンサ３の容量値、Ｉｃはトランジスタ電流、Ｉｌ
ａは出力電流、Ｌｓｕ， Ｉ５ｖ， Ｉｓｗはスナバ回
路電流、Ｑ４〜ＱＢは電源のインダクタンス、Ｑ７〜Ｑ
１ｏは相間わたり線のインダクタンス、Ｑｓｘｙｎｘｓ
はフィルタコンデンサ接続配線のインダクタンス、Ｑ１
４〜（ｌｔｅはスナバ回路のインダクタンス、Ｖｃεは
トランジスタ電圧、ｖｃＦ，−ｅはフィルタコンデンサ
電圧、９，１０は相間わたり線、１４，１５は出カ配線
、１６は直流リアクトル、１７は負荷である。
第３図において、Ｖ４？ Ｖｓ．Ｖｓは電源４，５，６
の相電圧波形、２ＵＰ’〜２ＷＮ’は制御装置１９によ
ってパルス幅変調したトランジスタモジュール２０Ｐ
〜２ＷＮのベース信号、ＶＣ４−６，ｖｃ４〜ｅｖ Ｖ
ｃＩＳ−ｅはトランジスタモジュールに掛かる線間電圧
を示す。
の相電圧波形、２ＵＰ’〜２ＷＮ’は制御装置１９によ
ってパルス幅変調したトランジスタモジュール２０Ｐ
〜２ＷＮのベース信号、ＶＣ４−６，ｖｃ４〜ｅｖ Ｖ
ｃＩＳ−ｅはトランジスタモジュールに掛かる線間電圧
を示す。
第１図〜第５図を用いて本発明を説明する．第１図のト
ランジスタユニット２Ｕ〜２Ｗは第２図の各相上・下ア
ームのトランジスタモジュール２ＵＰ〜．２ＷＮとスナ
バ回路２ＵＰＳ〜２ＷＮＳで構成している． 一般にトランジスタＴの逆耐電圧が低いため，トランジ
スタモジュールでは逆方向電圧をダイオードＤで負担す
るように構成している。
ランジスタユニット２Ｕ〜２Ｗは第２図の各相上・下ア
ームのトランジスタモジュール２ＵＰ〜．２ＷＮとスナ
バ回路２ＵＰＳ〜２ＷＮＳで構成している． 一般にトランジスタＴの逆耐電圧が低いため，トランジ
スタモジュールでは逆方向電圧をダイオードＤで負担す
るように構成している。
相電圧波形Ｖ４，Ｖ６，Ｖ８に対応して制御装置１９か
らパルス幅変調したベース信号２ＵＰ’〜２ＷＮ’ が
トランジスタモジュール２ＵＰ〜２ＷＮに与えられる。
らパルス幅変調したベース信号２ＵＰ’〜２ＷＮ’ が
トランジスタモジュール２ＵＰ〜２ＷＮに与えられる。
ここでベース信号２ＵＰ’はトランジスタモジュール２
ＵＰに、順次記号に対応して与えられている。
ＵＰに、順次記号に対応して与えられている。
トランジスタモジュール２ＵＰ〜２ＷＮはこのベース信
号によってオン，オフ動作を行なう。動作の一部分に注
目し、この動作の期間Ｔで、トランジスタモジュール２
ＷＮに着目し、そこに発生する過電圧について説明する
。
号によってオン，オフ動作を行なう。動作の一部分に注
目し、この動作の期間Ｔで、トランジスタモジュール２
ＷＮに着目し、そこに発生する過電圧について説明する
。
期間Ｔでは始め、ベース信号２ＵＰ’ と２１Ｎ’がオ
ン信号であるため、第２図のトランジスタモジュール２
０Ｐ，２ＷＮが導通し、電源４，電源インダクタンスＱ
４，トランジスタモジュール２ＵＰ，相間わたり線７，
出力線１４，直流リアクトル１６，負荷１７，相問ねた
り［１０， トランジスタモジュール２ＷＮ，電源リア
クトルＱＢ，電源６の経路で電流が流れる． ここで、電圧源がフィルタコンデンサ３と仮定すればフ
ィルタコンデンサ３の端子４′から電流が流れ出て前記
と同様の経路でフィルタコンデンサ３の端子６′に電流
が流れ込む。
ン信号であるため、第２図のトランジスタモジュール２
０Ｐ，２ＷＮが導通し、電源４，電源インダクタンスＱ
４，トランジスタモジュール２ＵＰ，相間わたり線７，
出力線１４，直流リアクトル１６，負荷１７，相問ねた
り［１０， トランジスタモジュール２ＷＮ，電源リア
クトルＱＢ，電源６の経路で電流が流れる． ここで、電圧源がフィルタコンデンサ３と仮定すればフ
ィルタコンデンサ３の端子４′から電流が流れ出て前記
と同様の経路でフィルタコンデンサ３の端子６′に電流
が流れ込む。
回路に印加される電圧は線間電圧Ｖｃ４−ｅで、この時
トランジスタモジュール２ＷＮはオンしているため電圧
は第４図のＡ期間の様に零である。
トランジスタモジュール２ＷＮはオンしているため電圧
は第４図のＡ期間の様に零である。
次に，ベース信号２ＷＮ’ がオフ信号になると、トラ
ンジスタモジュール２ＷＮを流れていた電流Ｉｃは第４
図に示す様に減少し、オフする。
ンジスタモジュール２ＷＮを流れていた電流Ｉｃは第４
図に示す様に減少し、オフする。
この時、トランジスタモジュール２ＷＮに流れていた電
流Ｉｃは各スナバ回路２ＵＮＳ〜２ ＷＮＳにＩｓυ，
Ｉｓｖ， Ｉｓｗの様に分流する。トランジスタモジ
ュール２ＷＮの電圧はスナバ回路に流れ込んだ電流変化
とスナバ回路のインダクタンスＱＬ６で、第２図に示す
一印の極性で電圧Ｖｓｐが発生する。
流Ｉｃは各スナバ回路２ＵＮＳ〜２ ＷＮＳにＩｓυ，
Ｉｓｖ， Ｉｓｗの様に分流する。トランジスタモジ
ュール２ＷＮの電圧はスナバ回路に流れ込んだ電流変化
とスナバ回路のインダクタンスＱＬ６で、第２図に示す
一印の極性で電圧Ｖｓｐが発生する。
その後、ベース信号２ＵＮ’ がオン信号になるとトラ
ンジスタモジュール２ＵＮが導通し、出力電流エーはト
ランジスタモジュール２ＵＰ，相聞わたり線７，出力線
１４，直流リアクトル１６，負荷１７，出力線１５，相
間わたり線９，トランジスタモジュール２ＵＮの回路を
循環する。
ンジスタモジュール２ＵＮが導通し、出力電流エーはト
ランジスタモジュール２ＵＰ，相聞わたり線７，出力線
１４，直流リアクトル１６，負荷１７，出力線１５，相
間わたり線９，トランジスタモジュール２ＵＮの回路を
循環する。
この時、トランジスタモジュール２ＶＮには線間電圧Ｖ
Ｃ４−６、が印加され逆バイアスに、トランジスタモジ
ュール２ＷＮには線間電圧ＶＣ４−６が印加される。
Ｃ４−６、が印加され逆バイアスに、トランジスタモジ
ュール２ＷＮには線間電圧ＶＣ４−６が印加される。
次に、ベース信号２ＵＮ’ がオフ信号になると、トラ
ンジスタモジュール２０Ｎを流れていた電流は減少する
と同時にスナバ回路２ＵＮＳ〜２ ＷＮＳに分流する。
ンジスタモジュール２０Ｎを流れていた電流は減少する
と同時にスナバ回路２ＵＮＳ〜２ ＷＮＳに分流する。
このスナバ回路へ流れ込んだ電流によって、スナバコン
デンサＣｓに電荷が蓄積し、例えばトランジスタモジュ
ール２ＶＮに印加されていた電圧が逆バイアス状態から
トランジスタモジュール２ＶＮが動作できる順電圧へと
回復する。
デンサＣｓに電荷が蓄積し、例えばトランジスタモジュ
ール２ＶＮに印加されていた電圧が逆バイアス状態から
トランジスタモジュール２ＶＮが動作できる順電圧へと
回復する。
一方、トランジスタモジュール２ＷＮのスナバ回路２Ｗ
ＮＳにも電流が流れ込むためのトランジスタモジュール
２ＷＮの電圧は線間電圧ＶＣ４−８がらさらに線間電圧
ＶＣ６−８に向って上昇する。
ＮＳにも電流が流れ込むためのトランジスタモジュール
２ＷＮの電圧は線間電圧ＶＣ４−８がらさらに線間電圧
ＶＣ６−８に向って上昇する。
この経過の中で、ベース信号２ＶＮ’ がオン信号にな
るとトランジスタモジュール２ＶＮは前述の順電圧に回
復した時点（ｄ）１；’導通する（第４図参照）。
るとトランジスタモジュール２ＶＮは前述の順電圧に回
復した時点（ｄ）１；’導通する（第４図参照）。
この時にトランジスタモジュール２ＷＮに印加される電
圧を第５図を用い詳細に説明する。第５図は第２図の一
部を拡大して表わしたもので本図を用いて更に詳しく説
明する。
圧を第５図を用い詳細に説明する。第５図は第２図の一
部を拡大して表わしたもので本図を用いて更に詳しく説
明する。
トランジスタモジュール２ＶＮが導通動作に入ると、ス
ナバ回路２ＷＮＳに流れていた電流Ｉｓｗは減少し，ト
ランジスタモジュール２ＶＮに流れ込む． この減少する電流変化で、相間わたり線のインダクタン
スＭｉｏ＋スナバ回路インダクタンスＱｔａ，フィルタ
コンデンサ配線インダクタンスα１３には・印の極性に
電圧が発生する。また、トランジスタモジュール２ＶＮ
への電流Ｉ ｚｖＮの増加でフィルタコンデンサ配線イ
ンダクタンスＱＬｚにも一印の極性に電圧が発生する． 従って、この時トランジスタモジュール２ＷＮに印加さ
れる電圧は第４図に示すように線間電圧Ｖｃｓ−ｅとフ
ィルタコンデンサ配線インダクタンスＱ １２， Ｑ
１ａ、相間わたり線インダクタンスＱｔｏに発生した電
圧の総和となる。この様にトランジスタモジュール２Ｗ
Ｎに最も高い電圧が印加される機構としては他相間の転
流動作時（トランジスタモジュール２０Ｎからトランジ
スタモジュール２ＶＮへ転流）におこるもので、次の様
な関係にあることが明らかになった。
ナバ回路２ＷＮＳに流れていた電流Ｉｓｗは減少し，ト
ランジスタモジュール２ＶＮに流れ込む． この減少する電流変化で、相間わたり線のインダクタン
スＭｉｏ＋スナバ回路インダクタンスＱｔａ，フィルタ
コンデンサ配線インダクタンスα１３には・印の極性に
電圧が発生する。また、トランジスタモジュール２ＶＮ
への電流Ｉ ｚｖＮの増加でフィルタコンデンサ配線イ
ンダクタンスＱＬｚにも一印の極性に電圧が発生する． 従って、この時トランジスタモジュール２ＷＮに印加さ
れる電圧は第４図に示すように線間電圧Ｖｃｓ−ｅとフ
ィルタコンデンサ配線インダクタンスＱ １２， Ｑ
１ａ、相間わたり線インダクタンスＱｔｏに発生した電
圧の総和となる。この様にトランジスタモジュール２Ｗ
Ｎに最も高い電圧が印加される機構としては他相間の転
流動作時（トランジスタモジュール２０Ｎからトランジ
スタモジュール２ＶＮへ転流）におこるもので、次の様
な関係にあることが明らかになった。
＝Ｖｃｓ−ｅ＋ΔＶｐ −
（１）したがってトランジスタモジュールの定格電圧が
低いもので電力変換装置を構成するにはフィルタコンデ
ンサ配線インダクタンスＱ ｌｌ− ０ １３１相間わ
たり線インダクタンスＱ ９＊ Ｑ １０＊スナバ回路
インダクタンスＱ１６を十分小さくするか、スナバコン
デンサＣｓ を十分大きくするかにあるが、スナバコン
デンサＣｓを十分大きくすることは転流時間が長くなる
ためトランジスタモジュールのスイッチング周波数を高
くできない。
（１）したがってトランジスタモジュールの定格電圧が
低いもので電力変換装置を構成するにはフィルタコンデ
ンサ配線インダクタンスＱ ｌｌ− ０ １３１相間わ
たり線インダクタンスＱ ９＊ Ｑ １０＊スナバ回路
インダクタンスＱ１６を十分小さくするか、スナバコン
デンサＣｓ を十分大きくするかにあるが、スナバコン
デンサＣｓを十分大きくすることは転流時間が長くなる
ためトランジスタモジュールのスイッチング周波数を高
くできない。
これより、前記した部分の配線インダクタンスを十分小
さくすることが望ましい。
さくすることが望ましい。
この様なことから第１図に示す半導体素子のトランジス
タユニット２Ｕ〜２Ｗを相毎に分割して冷却フインＩＵ
〜１ｗに取付、フィルタコンデンサ３の周囲に配置する
構成とした。この様に構成することで、フィルタコンデ
サ３の端子とトランジスタモジュール２Ｕ〜２Ｗからな
るブリッジ回路の交流端子との接続配線１１〜１３を最
短距離で接続が可能となる。
タユニット２Ｕ〜２Ｗを相毎に分割して冷却フインＩＵ
〜１ｗに取付、フィルタコンデンサ３の周囲に配置する
構成とした。この様に構成することで、フィルタコンデ
サ３の端子とトランジスタモジュール２Ｕ〜２Ｗからな
るブリッジ回路の交流端子との接続配線１１〜１３を最
短距離で接続が可能となる。
また、相間わたり線７〜１０も最短距離で接続が可能と
なる． 本発明によれば、配線インダクタンスが最小になる実装
構成にできるためトランジスタモジュールの電圧負担が
小さくなるだけでなく、大容量で信頼性の高い電力変換
装置の実用化が図れる効果がある。
なる． 本発明によれば、配線インダクタンスが最小になる実装
構成にできるためトランジスタモジュールの電圧負担が
小さくなるだけでなく、大容量で信頼性の高い電力変換
装置の実用化が図れる効果がある。
本発明の他の実施例を第６図に示す．
本実施例の特徴はフィルタコンデンサ３をトランジスタ
モジュールの冷却フィンに密着配置し、トランジスタユ
ニットの交流端子とフィルタコンデンサ３の端子の接続
配線１１〜１３を最短距離で接続できるよう密着構成し
たことにある。
モジュールの冷却フィンに密着配置し、トランジスタユ
ニットの交流端子とフィルタコンデンサ３の端子の接続
配線１１〜１３を最短距離で接続できるよう密着構成し
たことにある。
本実施例によればフィルタコンデンサ３の配線インダク
タンスを低減できるのでトランジスタモジュールの電圧
負担が小さくできるだけでなく、大容量で信頼性の高い
電力変換装置が提供できる効果がある。
タンスを低減できるのでトランジスタモジュールの電圧
負担が小さくできるだけでなく、大容量で信頼性の高い
電力変換装置が提供できる効果がある。
本発明の他の実施例を第７図に示す。本実施例の特徴は
トランジスタモジュール２ＵＰ〜２ＷＮの相間わたり線
７〜１０を複数本７ａ，７ｂ〜１０ａ，１０ｂにし、か
つ、フィルタコンデンサ３の接続配ＩＩＡ１１〜１３を
複数本１１ａ，ｌｌｂ〜１３ａ，１３ｂにしたところに
ある。複数本にしたことにより関係式（１）の電流作用
を少なくするのを狙ったものである。
トランジスタモジュール２ＵＰ〜２ＷＮの相間わたり線
７〜１０を複数本７ａ，７ｂ〜１０ａ，１０ｂにし、か
つ、フィルタコンデンサ３の接続配ＩＩＡ１１〜１３を
複数本１１ａ，ｌｌｂ〜１３ａ，１３ｂにしたところに
ある。複数本にしたことにより関係式（１）の電流作用
を少なくするのを狙ったものである。
すなわち，関係式（１）の第２項の電流に関わる影響を
小さくできるためトランジスタモジュールの電圧負担が
小さくなる。
小さくできるためトランジスタモジュールの電圧負担が
小さくなる。
本発明によれば、トランジスタユニットからなるブリッ
ジ回路の相間わたり線、ブリッジ回路の交流端子とフィ
ルタコンデンサの端子の接続配線インダクタンスを低減
できるため，スナバ回路を大きくすることなく、トラン
ジスタモジュールに印加する過電圧を抑制できる。その
ためトランジスタモジュールの電圧負担が小さくなるだ
けでなく、大容量で信頼性の高い電力変換装置を得るこ
とができる。
ジ回路の相間わたり線、ブリッジ回路の交流端子とフィ
ルタコンデンサの端子の接続配線インダクタンスを低減
できるため，スナバ回路を大きくすることなく、トラン
ジスタモジュールに印加する過電圧を抑制できる。その
ためトランジスタモジュールの電圧負担が小さくなるだ
けでなく、大容量で信頼性の高い電力変換装置を得るこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例を示す電力変換器の構成図、
第２図は本発明を説明するための回路図、第３図は本発
明を説明するための電圧波形及び動作信号波形、第４図
は本発明の動作を説明する電圧状態図、第５図は本発明
の動作を説明するための回路図，第６図，第７図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す電力変換器の構成図であ
る。 ＩＵ〜ＩＷ・・・冷却フィン、２Ｕ〜２Ｗ・・・トラン
ジスタユニット、３・・・フィルタコンデンサ、７〜１
０・・・相間わたり線，１１〜１３・・・フィルタコン
デンサの接続配線． 第６図
第２図は本発明を説明するための回路図、第３図は本発
明を説明するための電圧波形及び動作信号波形、第４図
は本発明の動作を説明する電圧状態図、第５図は本発明
の動作を説明するための回路図，第６図，第７図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す電力変換器の構成図であ
る。 ＩＵ〜ＩＷ・・・冷却フィン、２Ｕ〜２Ｗ・・・トラン
ジスタユニット、３・・・フィルタコンデンサ、７〜１
０・・・相間わたり線，１１〜１３・・・フィルタコン
デンサの接続配線． 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電流自己消弧機能を有する半導体素子からなるブリ
ッジ回路、前記半導体素子にオン信号、オフ信号を与え
る制御装置および前記ブリッジ回路の交流側にフィルタ
コンデンサを備えた電力変換装置において、前記ブリッ
ジ回路を相毎に分割したユニットを前記フィルタコンデ
ンサの周囲に配置した事を特徴とした電力変換装置。 ２、電流自己消弧機能を有する半導体素子からなるブリ
ッジ回路、前記半導体素子にオン信号、オフ信号を与え
る制御装置および前記ブリッジ回路の交流側にフィルタ
コンデンサを備えた電力変換装置において、前記フィル
タコンデンサを前記半導体素子と密着配置した事を特徴
とした電力変換装置。 ３、電流自己消弧機能を有する半導体素子からなるブリ
ッジ回路、前記半導体素子にオン信号、オフ信号を与え
る制御装置および前記ブリッジ回路の交流側にフィルタ
コンデンサを備えた電力変換器において、前記ブリッジ
回路の相間わたり線、前記ブリッジ回路の交流端子間と
前記フィルタコンデンサの接続配線の少なくとも一方を
複数本用いた事を特徴とした電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053857A JPH02237474A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053857A JPH02237474A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 電力変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237474A true JPH02237474A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=12954445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053857A Pending JPH02237474A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02237474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI774048B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-08-11 | 大陸商中山旭貴明電子有限公司 | 用於裂相供電系統的電源轉換電路及換流器 |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP1053857A patent/JPH02237474A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI774048B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-08-11 | 大陸商中山旭貴明電子有限公司 | 用於裂相供電系統的電源轉換電路及換流器 |
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