JPH02235627A - 高周波回路用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子機器用の基板、特に高周波領域での使用
に好適な高周波回路用基板に関する．（従来の技術） 最近の電子工業、通信工業の各分野において、使用され
る周波数が次第に高周波の領域に移行し、従来多用され
ていたキロヘルツの領域からメガヘルツやギガヘルツの
領域の方に重要性が移行している． 高周波の領域においては、低比誘電率．低誘電正接の基
板が用いられているが、比誘電率（以下εｒと略す）が
小さいため回路を小型化できない欠点があった．このた
め例えば特開昭６１−２８５２３０号公報に示されてい
るように、ガラス布にチタン酸バリウムを含有するフッ
素樹脂を含浸したブリプレグを用いたり、特開昭６２−
１９４５１号公報に示されているーように、ガラス布に
チタン酸バリウムを付着せしめ、フッ素樹脂を含浸した
ブリブレグを用いて、ｔｒを向上させ回路を小型化する
方法が提案されている。これらの方法を採用する場合、
基板内の！ｒのばらつきを小さくするには、チタン酸バ
リウムが、ガラス布の織り目の間に均一に含有されてい
るか、ガラス布表面に均一に付着されている必要がある
が、チタン酸バリウムをガラス布の織り目の間に侵入す
るに十分なほど小さく粉砕することは難しく、またガラ
ス布表面に付着される場合は脱落する可能性がある．従
ってこれらの方法では６ｒを向上させることができるも
のの、基板内のεｒのばらつきが大きくなってしまうと
いう欠点があった．また、高周波回路用基板においては
、信号の減衰を少なくするために、誘電正接（以下ｔａ
ｎδと略す）が低い必要があるが、以上述べた方法によ
る基板では、ガラス布を主体とした構成のためｔａｎδ
が高いという欠点もあった． （発明が解決しようとする課題） 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって
、ｇｆが高く、そのばらつきが小さく、かつ、ｔａｎδ
の低い高周波回路用基板を提供するものである． （課題を解決するための手段） 本発明は、高εｒ，低ｔａｎδの微粒子状の誘電体を含
存する樹脂シートを所要枚数重ね、更に必要に応じて樹
脂シート間及び最外層に、樹脂を含浸した基材および／
または樹脂層を積層し、該誘電体層の少なくとも一方の
面に金属導体層が積層されてなることを特徴とする高周
波回路用基板を堤供するものである。

以下、本発明を図面に従って詳細に説明する．第１図は
本発明の積層構成を示す断面図であり、１．１′は金属
導体層、２．２′は樹脂シート、３．３′は高ｇｆ，低
ｔａｎδの微粒子状の誘電体であり、必要に応じて４の
樹脂を含浸した基材と５．５′の樹脂層を用いる．これ
らの各構成材はその必要に応じて多数個積層した任意の
構成を採ることができ、多層板とすることもできる。

本発明における樹脂シー｝２．２’を形成する樹脂とし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテ
ン、ポリ−４−メチル−１−ペンテンなどの単独重合体
、エチレンーブロビレン共重合体、エチレン−１−ブテ
ン共重合体、ブロビレンー１−ブテン共重合体、エチレ
ンー酢酸ビニル共重合体のようなポリオレフィン共重合
体等のポリオレフィン系権脂、ボリテ１ラフルオロエチ
レン、テトラフルオロエチレンーへキサフルオロブロビ
レン共重合体、テトラフルオ口エチレンーパーフルオロ
アルコキシエチレン共重合体、トリフルオロクロルエチ
レンーテトラフルオ口エチレン共重合体、ポリフン化ビ
ニリデン、ボリフフ化ビニル等のフッ素系樹脂、ボリス
チレン、アクリ口ニトリルースチレン共重合体、アクリ
ロニトリループタジエンースチレン共重合体、ポリカー
ボネート、ポリメチルメタアクリレート等の各種ポリア
クリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール、ポリイミド、ボリアミド、ポリアミドイミド、ポ
リフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルホン、ポ
リサルホン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケ
トン、ボリフェニレンオキサイド、ポリエーテルアミド
、ポリエーテルイミド　ポリイソブチレン、ポリオキシ
ベンジレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリブタジ
エン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、尿素樹脂、メラミン樹脂、ペンゾグアナミ樹脂、
ジアリルフタレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フ
エノキソ樹脂などがあり、これらを適宜変性しても良い
８またこれらの複合体としての混合物あるいは共重合体
などでも良く、これらを主成分とし必要に応じて架橋剤
、硬化剤および添加剤を用いてもよい．これらの中で、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオ口エ
チレン等のポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂が好ま
し《、さらに成形加工性コストの面からポリオレフィン
系樹脂が好ましい。

３，３′の高εｒ，低ｔａｎδの微粒子状の誘電体とは
εｒが樹脂シートのεｒより高く、ｔａｎδが０．０５
　（ｌＭＨｚ）より低い平均粒子系が３００μｍ以下の
誘電体であり、酸化アルミニウム、二酸化チタン系セラ
ミック、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸鉛系
セラミック、チタン酸ストロンチウム系セラミック、チ
タン酸カルシウム系セラミック、チタン酸ビスマス系セ
ラミック、チタン酸マグネシウム系セラミックからなる
群の中から選ばれた少なくともｌ゜種のセラミック、ま
たは前記セラミックの少なくとも２種をを混合し、必要
に応じて酸化不オジム、酸化サマリウム、酸化ランタン
、酸化セリウム等を添加し、焼成して粉砕したもの、ま
たはガラス繊維、ガラスチップ、Ｋｇ　Ｏ−ＰｂＯ　　
Ｓ　ｉｏｔ系ガラス等を用いることができる．これらの
中で二酸化チタン系セラミック、チタン酸バリウム系セ
ラミックが好ましく、さらにε『の高いことからチタン
酸バリウム系セラミックが好適である．粒子径は０．０
１５〜１００μｍ程度であることが、分散性の点で望ま
しいことである．樹脂に対するセラミックの添加量は必
要とする誘電率等により添加量を変化させることができ
るが、好まし《は樹脂１００重量部（以下部とする）に
対し３０〜４００部であることが望ましい．即ち３０部
未満ではｓｒが大きくなり難く、４００部を超えると成
形時の成形性が低下する傾向があるからである．金属導
体層１．１′は、銅、白銅、青銅、黄銅、アルミニウム
、ニッケル、鉄、ステンレス、金、銀、白金等の箔また
は板である．金属導体層としては、一般には印刷回路用
の銅箔が好ましく、銅箔の中でもきわめて高純度の無酸
素ｗ４箔が好ましい． また、金属箔または板のかわりに所定の回路を形成する
ための銅メッキ、銀メッキ等でもよい．樹脂含浸基材４
ば、寸法安定性、機械的強度を保持するために用いられ
、合成繊維、ガラス繊維等のクロスや紙に熱可塑性樹脂
のフィルムや前述したプラスチックを加熱、溶融後加圧
して含浸させたものや、揮発性溶剤に溶かして含浸させ
たものを用いることができる． 樹脂含浸基材は誘電体層を補強するためのもので厚み２
０〜５００μｍのガラスクロスに、２０〜２００μｍの
熱可塑性樹脂シートを溶融含浸させ得られるものが好適
に用いられる． また基材によるｔａｎδの上昇をなくし、かつ寸法安定
性、機械的強度を保つには、樹脂含浸基材を使用せずに
、金属導体層１，１′の片方に少なくとも厚みが０．１
ｍｍ以上の金属板を用いればよい． 樹脂層５．５′は金属導体層と樹脂含浸基材あるいは樹
脂シートの間の接着強度を確保するために用いられ、プ
ラスチックフィルム、接着荊の樹脂が好適である． （作用） 本発明の高周波回路用基板は、樹脂シート中に高ε『，
低ｔａｎδの微粒子状誘電体を含有する構成であるため
、ガラス布等の基材に高ｓｒ低Ｌａｎδの微粒子状誘電
体を含有する構成に比較して、゛誘電体を均一に分散す
ることが容易であり、基板内のｔｆのばらつきを小さく
することが可能である． またｔａｎδの高い基材の使用量を減少させたり、全く
無くすことが可能であり、基板のｔａｎδを低くするこ
とができる． （実施例） 以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明は、これに限定されるものではない．実施例 高密度ポリエチレン粉末（ハイゼフクスパウダー−６２
００８Ｐ，融点１３２℃、三井石油化学工業■商品名）
１００部に高εｒ，低Ｌａｎδの微粒子状の誘電体とし
て、チタン酸バリウム系セラミックＮＰＯ　（平均粒子
径５μｍ、冨士チタン工業株式会社商品名）粉末１５０
部を添加し、１５０℃のロールによって溶融混練した後
、１５０℃のプレスにより成形し、厚さ０．５ｍｍの高
Ｃ『の誘電体を含有する樹脂シートを得た．樹脂含浸基
材４として、厚さ６０μｍのガラスクロス（日東紡績株
式会社製）に厚さ５０μｍのアドマーフィルム（ポリオ
レフィン系接着剤フィルム、三井石油化学工業■商品名
）を重ねて、１５０℃にて加熱溶融後、加圧して樹脂含
浸基材を得た． 金属導体層１，１′として３５μｍの銅箔（日本鉱業株
式会社製）を用い、樹脂層５，５′に厚さ５０μｍのア
ドマーフィルム（三井石油化学工業■商品名）を用いて
、第１図に示すような構成にして、これらを積層し、ス
ペーサーを用い１１０℃のプレスで加熱接着して基板厚
さｌ，　　２ｍｍの高周波回路用基板を得た． 比較例１ 実施例と同じポリオレフイン系樹脂の粉末を、３０％溶
液となるように１２０℃のキシレンに分散、溶解し、実
施例と同じチタン酸バリウム系セラミックの粉末を樹脂
の１．５倍の重量添加し７た。

該溶液を保温、攪拌しつつ、実施例と同じガラス布を含
浸し、樹脂とセラミックの粉末を付着せしめ、乾燥して
キツレンを除去しブリブレグを得た．該プリブレグを６
枚重ね、１５０℃のプレスを用い加熱熔融後、加圧して
セラミック粉末を含有する樹脂含浸基材を得、実施例と
同じ銅箔、樹脂層を、第２図に示すような構成にして、
実施例と同様に加熱接着して基板厚さｌ，　　２ｍｍの
高周波回路用基板を得た． 比較例２ セラミソク粉末を用いないこと以外は、比較例１とまっ
たく同様にして、基板厚さ１．２ｍｍの高周波回路用基
板を得た。

実施例、比較例１および比較例２で作製したそれぞれの
高周波回路用基板のεｒおよびｔａｎδを表１に示した
． 表 実施例および比較例１は高εｒ，低ｔａｎδの微粒子状
の誘電体を含有することにより、εｒを高くすることが
できたが、比較例１はガラス布の分率が大きいため、ｔ
ａｎδが大きい．また比較例１では６ｒのばらつきを生
じた。これに対して実施例ではεｒの値は均一であり、
ｔａｎδも小さな値であった． （発明の効果フ 本発明によれば、樹脂シート中に含有される高ｔｒ，低
ｔａｎδの微粒子状の誘電体により、εｒをばらつきが
少なく、高くすることができ、基材の使用量を減少させ
て、ｔａｎδを低く保つことができる．これによって基
板に形成される回路の小型化と、信号の減衰を少なく保
つことが可能となる．

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係わる高周波回路用基板の断面図で
あり、第２図は、比較例によって得られた高周波回路用
基板の断面である． 符号の説明 １．１′　　　金属導体層 ２，２′　　　樹脂シート ３．３′　　　微粒子状誘電体 ４　　　　　　樹脂含浸基材 ５．５′　　　　樹脂層 第２図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．高比誘電率，低誘電正接の微粒子状の誘電体を含有
   する樹脂シートを所要枚数重ね、更に必要に応じて樹脂
   シート間及び最外層に、樹脂含浸基材および／または樹
   脂層を積層してなる誘電体層の少なくとも一方の面に金
   属導体層を積層してなることを特徴とする高周波回路用
   基板。
2. ２．樹脂がポリオレフィン系樹脂である請求項１に記載
   の高周波回路用基板。
3. ３．高比誘電率，低誘電正接の微粒子状の誘電体がチタ
   ン酸バリウム系セラミックの粉末である請求項１に記載
   の高周波回路用基板。