JPH02235237A - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
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- JPH02235237A JPH02235237A JP1055208A JP5520889A JPH02235237A JP H02235237 A JPH02235237 A JP H02235237A JP 1055208 A JP1055208 A JP 1055208A JP 5520889 A JP5520889 A JP 5520889A JP H02235237 A JPH02235237 A JP H02235237A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は，光磁気ディスクのオーバーライトを光変調方
式で行なう光磁気記録装置に関し，Ａ体的には、光源の
レーザパワー制御に関するものである． ［従来の技術］ 近年、コンピュータの外部メモリとして光ディスクを用
いて処理時間の短縮を図ったものが注目されている．非
品質積上類一遷移金属合金（以下，ＲＥ−ＴＭとする）
膜を記録媒体とした光磁気ディスクは書さ換え可能の光
ディスクとして実用レベルに段階に有る．その中でもオ
ーバーライト機能をもったものは、各方面で研究が進め
られていて，その方式は大別して光強度変調方式と磁界
変調方式とで分類できる． 磁界変調方式は、一定の光強度のもとで、高磁界を高速
に変調する方式で、磁界の立ちＦがり特性や軽量高磁界
発生コイルの実現方法等に多くの解決すべき問題がある
． 光強度変調方式はＲＥ−ＴＭ変換結合二層記録媒体と初
期化用補助磁石を用いてオーバーライトを行う方式であ
る．レーザに変調をかけるため高速化については、前述
の磁界変調方式に比べ有利である． 次に，二層膜を用いた光強度変調方式の才一バーライト
のプロセスを第５図に沿ってＩ！Ｉ＃Ａに説明する． 二層膜はメモリ層４０と補助層４ｌとで構成されており
、メモリ層４０は常温での保磁石が強くてキュリー温度
の低いもので成り立ち、補助Ｍ４１は常温での保磁石力
が弱くてキュリー温度の高いもので成り立っている．現
在、メモリＦ＃４０には，旧データが記録済であり、補
助層４ｌはメモリｆｉ４０の磁界に従って同磁界方向へ
磁化されている．今、媒体がスピンドルモータによって
回転しはじめ、移動がはじまると、初期化磁石（初期化
磁界Ｈｉｎｉ）によって、補助Ｗ！４１の磁界の向きは
下方向へそろえられる．このときメモリ層４０は、磁化
反転されるのに必要な磁界がＨｉｎｉより大きいので反
転せずに前の状態を保っている． 一方、レーザ光強度は高レベル出射と低レベル出射の場
合があり，高レベル出射時（Ｈレベル）によって上昇す
る温度ＴＨは補助層４ｌのキュ！．１−温［であり，低
レベル出射時（Ｌレベル）によって上昇する温度ＴＬは
メモリ層４０のキュリー温度となるように設定されてい
る．したがってデータの“１″ ″Ｏ″にしたがって
レーザ光強度と変調するデータが“Ｏ”であり、レーザ
が低レベル出射の時は、温度がＴ［に達し、メモリ層４
０の磁化方向性がなくなる補助層４１の磁化方向はこの
とき影響をうけないため、下向きに磁化されたままであ
り、その後レーザスポットよりはずれ、冷却の過程で界
面に働く交換力によって補助層４ｌの磁化方向に沿った
方向にメモリ層４０は磁化される．又、データが“ｌ”
のときは、レーザ光強度がＨレ．ベルとなり、出射によ
って媒体温度はＴＨに達し、補助層４ｌの磁化方向がな
くなる．もちろんＴ．に連っする途中のＴＬ にてメモ
リ層４０の磁化もなくなっている．このとき外部磁界と
してｔ向きの磁界が印加されているため、補助層４１の
磁化は上向きとなり、その後冷却の過程でメモリ層４ｏ
の磁化方向は補助層４ｌのそれに沿った方向へ磁化され
，上向きに磁化された状態を保持する．以上によりオー
バーライトが完了する． ［発明が解決しようとしている課Ｍ］ しかしながら従来例では，ディスクが回転しているため
にレーザを媒体上に集光させたときに生じる媒体上の温
度分布にムラが生じてしまう問題点があった．第４図（
ａ）は、媒体上の温度分布を等温線にて表わした図であ
る．今、レーザ出射即ち、光の時間軸の早い方では周囲
への熱拡散のため温度上昇が小さく、光の時間軸の遅い
方ではｉｒＩ方からの熱伝導によって温度上昇は大きく
なり，その結果ピット形状は涙滴型となる．したがって
データ１００１００・・・というデータを光変調方式の
オーバライトを行なった場合は、ピット形が涙この不具
合を補正する方法としては、レーザ光の強度をＨレベル
になる瞬間に少し強めに出射して涙滴型のピットを補正
する方法があるが、実施の手段としては、データの周波
数が高く、高密度であることから、レーザ關御ループで
制御しきれなく、ループの応答を上げて制御したとして
も，コスト高となり有効な手法がないという欠点があっ
た． ［課題を解決するための手段］ 本発明の目的は，前記ピットの涙滴型の補正を簡便な方
法で行い、光磁気記録の信号のＳ／Ｈの向上を可能にす
るすることができる光磁気記録装置を提供することにあ
る． 以上のような目的は、二Ｗ！ｊｌｌＩａ虞の記録媒体に
光源からの光を照射し、かつ該光源の光強度の変調によ
りデータの記録を行なう光変調方式を採用した光磁気記
録装置において、 通常の前記光変調方式に使用する記録信号と同期した別
の信号で前記光源を駆動することを特徴とする光磁気記
録装置により達成される．そのような別の信号の一例と
して、記録信号のデータの微分波形を光源の光強度制御
ループに加算した信号があり、その信号により光源の照
射時のパワーを立ち上がり時のみさらに上げて記録ピッ
トを形成すると，前記記録ピットの涙滴形状の補正がで
さる． ［作用］ 本発明は、基本的には，前述の熱拡散及び熱伝導によっ
て生じる記録ピットの訣滴形状の補正を各種の変動要因
（媒体構成，温度条件等）を考慮しつつ、光源の変調信
号波形自体を前記涙滴形状を補正できる波形に変えるこ
とにより、前記目的を達成するものである． ［実施例］ 以下、本発明に係る光磁気記録装ｎについて具体的な実
施例に基づき詳細に説明する．第１図は本発明の一実施
例の構成図を示した図である． 同図において，ｌは二層膜の光磁気ディスク、２は外部
磁界発生器（Ｈｂ）．３は光源としての半導体レーザ、
４は光束を平行化するコリメータレンズ、５は光束を分
割するビームスプリフタ、６はディスク１に光を集光す
る対物レンズ、７はレーザユニットに内蔵のモニタ用の
フォトダイオード，８はフォトダイオード７の電流電圧
変換器、９は目標レーザパワー値に相当する電圧値、１
０は目標電圧値９と電流電圧変換器８の出力電圧を比較
する比較器、１ｌはＤＣアンプ、１２は補償フィルタブ
ロック、ｌ３は加算器、１４はレーザを駆動するレーザ
ドライバ、ｌ５は記録情報としての記録データが入力す
る入力端子、１６はコンデンサ、ｌ７は抵抗，１８はク
リップ用ダイオード、ｌ９はＤＣアンプである． 又、第２図は前記第１図の構成における一実施例のタイ
ミングチャートである． 次に，第１図及び第２図を参照しつつ、その動作を説明
する． 光磁気ディスクｌが回転しており、半導体レーザ３より
の出射光は、コリメータレンズ４により平行光となり、
ビームスプリッタ５により方向が変わり、対物レンズ６
にて，あるスポット径に集光されて媒体ｌにフォー力シ
ンクされている．レーザ３の出射光は、内蔵のフォトダ
イオード７にも光として入力し、光電流が流れだし，Ｉ
／Ｖ変換器８で電圧値に変換される．変換された電圧値
は、目標電圧値９と比較され、差分の電圧値が誤差分と
してＤＣアンプｌ１で、あるゲインにより増幅された後
，補償フィルタ１２によってループの安定性、応答が確
保されるように、理想の周波数特性に変換される．記録
データ（第２図（ａ）の信号）は入力端子１５より入力
され、データのエッジにてコンデンサ１６と抵抗ｌ７と
できまる時定数をもって微分される．微分出力（第２図
（ｂ））はダイオードｌ８によって下側の微分波形がク
リップされ、ＤＣアンプｌ９で適当な波高値にアンプさ
れて、加算器１３にて補償フィルタｌ２の出力の制御電
圧値に加算される．加算後の電圧（第２図（Ｃ））がド
ライバｌ４に印加され、レーザ電流となリレーザ３を駆
動する．加算する値は、時間軸については，コンデンサ
ｌ６と抵抗ｌ７のそれぞれ大きさで容易にかえられ、加
算する量は、ＤＣアンプｌ９にて調整できるので汎用性
があるという効果がある．なお，第２図（ｄ）が本実施
例により作られる記録ピットの模式図である． 又、さらに発展して、ディスク回転がＣＡＭ方式の場合
は．５１の内周と外周とで加算量を変えればディスク盤
内においてのバラッキがなくなり大きな効果がある． なお、先の説明では省略したが、本例では目標電圧値９
はデータの″Ｏ″ ″１″に従って，変わるシステムと
なっている． ［他の実施例］ 先の実施例に加えて、媒体特性値及び媒体温度値に従っ
て、前記加算量をかえる機渣を追加することによって、
良好な記録ピット形成を安定して得られ、更に大きな効
果かえられる． また，第３図（ｂ）にドライバｌ４に印加される前の信
号が略のこぎり波状の信号である場合の実施例を示す．
この場合は適当な波形形成手段により、略のこぎり波状
の信号を作ることとなる．第３図（ｃ）が本実施例によ
り作られる記録ピットの模式図である． ［発明の効果］ 以上、詳細に説明したように、本発明の光磁気記録装置
によれば、各種条件を考慮し、ピットの涙滴型を補正で
きるレーザ変調信号により、レーザを駆動することによ
り、光変調時のピットを記録するときに生ずるピットの
訣滴型の補正ができ、記録される情報のＳ／Ｎを向上さ
せることができる．
式で行なう光磁気記録装置に関し，Ａ体的には、光源の
レーザパワー制御に関するものである． ［従来の技術］ 近年、コンピュータの外部メモリとして光ディスクを用
いて処理時間の短縮を図ったものが注目されている．非
品質積上類一遷移金属合金（以下，ＲＥ−ＴＭとする）
膜を記録媒体とした光磁気ディスクは書さ換え可能の光
ディスクとして実用レベルに段階に有る．その中でもオ
ーバーライト機能をもったものは、各方面で研究が進め
られていて，その方式は大別して光強度変調方式と磁界
変調方式とで分類できる． 磁界変調方式は、一定の光強度のもとで、高磁界を高速
に変調する方式で、磁界の立ちＦがり特性や軽量高磁界
発生コイルの実現方法等に多くの解決すべき問題がある
． 光強度変調方式はＲＥ−ＴＭ変換結合二層記録媒体と初
期化用補助磁石を用いてオーバーライトを行う方式であ
る．レーザに変調をかけるため高速化については、前述
の磁界変調方式に比べ有利である． 次に，二層膜を用いた光強度変調方式の才一バーライト
のプロセスを第５図に沿ってＩ！Ｉ＃Ａに説明する． 二層膜はメモリ層４０と補助層４ｌとで構成されており
、メモリ層４０は常温での保磁石が強くてキュリー温度
の低いもので成り立ち、補助Ｍ４１は常温での保磁石力
が弱くてキュリー温度の高いもので成り立っている．現
在、メモリＦ＃４０には，旧データが記録済であり、補
助層４ｌはメモリｆｉ４０の磁界に従って同磁界方向へ
磁化されている．今、媒体がスピンドルモータによって
回転しはじめ、移動がはじまると、初期化磁石（初期化
磁界Ｈｉｎｉ）によって、補助Ｗ！４１の磁界の向きは
下方向へそろえられる．このときメモリ層４０は、磁化
反転されるのに必要な磁界がＨｉｎｉより大きいので反
転せずに前の状態を保っている． 一方、レーザ光強度は高レベル出射と低レベル出射の場
合があり，高レベル出射時（Ｈレベル）によって上昇す
る温度ＴＨは補助層４ｌのキュ！．１−温［であり，低
レベル出射時（Ｌレベル）によって上昇する温度ＴＬは
メモリ層４０のキュリー温度となるように設定されてい
る．したがってデータの“１″ ″Ｏ″にしたがって
レーザ光強度と変調するデータが“Ｏ”であり、レーザ
が低レベル出射の時は、温度がＴ［に達し、メモリ層４
０の磁化方向性がなくなる補助層４１の磁化方向はこの
とき影響をうけないため、下向きに磁化されたままであ
り、その後レーザスポットよりはずれ、冷却の過程で界
面に働く交換力によって補助層４ｌの磁化方向に沿った
方向にメモリ層４０は磁化される．又、データが“ｌ”
のときは、レーザ光強度がＨレ．ベルとなり、出射によ
って媒体温度はＴＨに達し、補助層４ｌの磁化方向がな
くなる．もちろんＴ．に連っする途中のＴＬ にてメモ
リ層４０の磁化もなくなっている．このとき外部磁界と
してｔ向きの磁界が印加されているため、補助層４１の
磁化は上向きとなり、その後冷却の過程でメモリ層４ｏ
の磁化方向は補助層４ｌのそれに沿った方向へ磁化され
，上向きに磁化された状態を保持する．以上によりオー
バーライトが完了する． ［発明が解決しようとしている課Ｍ］ しかしながら従来例では，ディスクが回転しているため
にレーザを媒体上に集光させたときに生じる媒体上の温
度分布にムラが生じてしまう問題点があった．第４図（
ａ）は、媒体上の温度分布を等温線にて表わした図であ
る．今、レーザ出射即ち、光の時間軸の早い方では周囲
への熱拡散のため温度上昇が小さく、光の時間軸の遅い
方ではｉｒＩ方からの熱伝導によって温度上昇は大きく
なり，その結果ピット形状は涙滴型となる．したがって
データ１００１００・・・というデータを光変調方式の
オーバライトを行なった場合は、ピット形が涙この不具
合を補正する方法としては、レーザ光の強度をＨレベル
になる瞬間に少し強めに出射して涙滴型のピットを補正
する方法があるが、実施の手段としては、データの周波
数が高く、高密度であることから、レーザ關御ループで
制御しきれなく、ループの応答を上げて制御したとして
も，コスト高となり有効な手法がないという欠点があっ
た． ［課題を解決するための手段］ 本発明の目的は，前記ピットの涙滴型の補正を簡便な方
法で行い、光磁気記録の信号のＳ／Ｈの向上を可能にす
るすることができる光磁気記録装置を提供することにあ
る． 以上のような目的は、二Ｗ！ｊｌｌＩａ虞の記録媒体に
光源からの光を照射し、かつ該光源の光強度の変調によ
りデータの記録を行なう光変調方式を採用した光磁気記
録装置において、 通常の前記光変調方式に使用する記録信号と同期した別
の信号で前記光源を駆動することを特徴とする光磁気記
録装置により達成される．そのような別の信号の一例と
して、記録信号のデータの微分波形を光源の光強度制御
ループに加算した信号があり、その信号により光源の照
射時のパワーを立ち上がり時のみさらに上げて記録ピッ
トを形成すると，前記記録ピットの涙滴形状の補正がで
さる． ［作用］ 本発明は、基本的には，前述の熱拡散及び熱伝導によっ
て生じる記録ピットの訣滴形状の補正を各種の変動要因
（媒体構成，温度条件等）を考慮しつつ、光源の変調信
号波形自体を前記涙滴形状を補正できる波形に変えるこ
とにより、前記目的を達成するものである． ［実施例］ 以下、本発明に係る光磁気記録装ｎについて具体的な実
施例に基づき詳細に説明する．第１図は本発明の一実施
例の構成図を示した図である． 同図において，ｌは二層膜の光磁気ディスク、２は外部
磁界発生器（Ｈｂ）．３は光源としての半導体レーザ、
４は光束を平行化するコリメータレンズ、５は光束を分
割するビームスプリフタ、６はディスク１に光を集光す
る対物レンズ、７はレーザユニットに内蔵のモニタ用の
フォトダイオード，８はフォトダイオード７の電流電圧
変換器、９は目標レーザパワー値に相当する電圧値、１
０は目標電圧値９と電流電圧変換器８の出力電圧を比較
する比較器、１ｌはＤＣアンプ、１２は補償フィルタブ
ロック、ｌ３は加算器、１４はレーザを駆動するレーザ
ドライバ、ｌ５は記録情報としての記録データが入力す
る入力端子、１６はコンデンサ、ｌ７は抵抗，１８はク
リップ用ダイオード、ｌ９はＤＣアンプである． 又、第２図は前記第１図の構成における一実施例のタイ
ミングチャートである． 次に，第１図及び第２図を参照しつつ、その動作を説明
する． 光磁気ディスクｌが回転しており、半導体レーザ３より
の出射光は、コリメータレンズ４により平行光となり、
ビームスプリッタ５により方向が変わり、対物レンズ６
にて，あるスポット径に集光されて媒体ｌにフォー力シ
ンクされている．レーザ３の出射光は、内蔵のフォトダ
イオード７にも光として入力し、光電流が流れだし，Ｉ
／Ｖ変換器８で電圧値に変換される．変換された電圧値
は、目標電圧値９と比較され、差分の電圧値が誤差分と
してＤＣアンプｌ１で、あるゲインにより増幅された後
，補償フィルタ１２によってループの安定性、応答が確
保されるように、理想の周波数特性に変換される．記録
データ（第２図（ａ）の信号）は入力端子１５より入力
され、データのエッジにてコンデンサ１６と抵抗ｌ７と
できまる時定数をもって微分される．微分出力（第２図
（ｂ））はダイオードｌ８によって下側の微分波形がク
リップされ、ＤＣアンプｌ９で適当な波高値にアンプさ
れて、加算器１３にて補償フィルタｌ２の出力の制御電
圧値に加算される．加算後の電圧（第２図（Ｃ））がド
ライバｌ４に印加され、レーザ電流となリレーザ３を駆
動する．加算する値は、時間軸については，コンデンサ
ｌ６と抵抗ｌ７のそれぞれ大きさで容易にかえられ、加
算する量は、ＤＣアンプｌ９にて調整できるので汎用性
があるという効果がある．なお，第２図（ｄ）が本実施
例により作られる記録ピットの模式図である． 又、さらに発展して、ディスク回転がＣＡＭ方式の場合
は．５１の内周と外周とで加算量を変えればディスク盤
内においてのバラッキがなくなり大きな効果がある． なお、先の説明では省略したが、本例では目標電圧値９
はデータの″Ｏ″ ″１″に従って，変わるシステムと
なっている． ［他の実施例］ 先の実施例に加えて、媒体特性値及び媒体温度値に従っ
て、前記加算量をかえる機渣を追加することによって、
良好な記録ピット形成を安定して得られ、更に大きな効
果かえられる． また，第３図（ｂ）にドライバｌ４に印加される前の信
号が略のこぎり波状の信号である場合の実施例を示す．
この場合は適当な波形形成手段により、略のこぎり波状
の信号を作ることとなる．第３図（ｃ）が本実施例によ
り作られる記録ピットの模式図である． ［発明の効果］ 以上、詳細に説明したように、本発明の光磁気記録装置
によれば、各種条件を考慮し、ピットの涙滴型を補正で
きるレーザ変調信号により、レーザを駆動することによ
り、光変調時のピットを記録するときに生ずるピットの
訣滴型の補正ができ、記録される情報のＳ／Ｎを向上さ
せることができる．
第１図は本発明の光磁気記録装置の一実施例の概略構成
ブロック図である． 第２図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の前記実施例の
タイミングチャート及びピット模式図の一例である． 第３図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の他の実施例の
タイミングチャート及びビー２ト模式図の一例である． 第４図（ａ）．（ｂ）はそれぞれ涙滴型の模式図及びそ
の説明図である． 第５図は二層膜による光変調方式の説明図である． 代理人 弁理士 山 下 譲 平（ｂ） レー
プ”ハ１ワ− ゴ＼ピー」ゝピー 第 図 （ａ冫 （ｂ） 第 図 ｝１ｂ Ｈｉｎｉ
ブロック図である． 第２図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の前記実施例の
タイミングチャート及びピット模式図の一例である． 第３図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の他の実施例の
タイミングチャート及びビー２ト模式図の一例である． 第４図（ａ）．（ｂ）はそれぞれ涙滴型の模式図及びそ
の説明図である． 第５図は二層膜による光変調方式の説明図である． 代理人 弁理士 山 下 譲 平（ｂ） レー
プ”ハ１ワ− ゴ＼ピー」ゝピー 第 図 （ａ冫 （ｂ） 第 図 ｝１ｂ Ｈｉｎｉ
Claims (6)
- （１）二層膜構成の記録媒体に光源からの光を照射し、
かつ該光源の光強度の変調によりデータの記録を行なう
光変調方式を採用した光磁気記録装置において、 通常の前記光変調方式に使用する記録信号と同期した別
の信号で前記光源を駆動することを特徴とする光磁気記
録装置。 - （２）前記光源の光強度制御ループ手段と、データの記
録信号に該記録信号の波形補正信号を該制御ループ手段
に加算する手段を有し、請求項１の前記別の信号が当該
加算手段からの信号であることを特徴とする光磁気記録
装置。 - （３）前記補正が光強度の高レベル照射時のパワーを立
ち上がり時のみ更に上げて記録ピットを形成するもので
ある請求項２記載の光磁気記録装置。 - （４）前記補正信号がデータの記録信号の微分波形信号
であることを特徴とする請求項３記載の光磁気記録装置
。 - （５）前記補正信号が三角波信号であることを特徴とす
る請求項３記載の光磁気記録装置。 - （６）前記別の信号が、略のこぎり波状の信号であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055208A JPH02235237A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055208A JPH02235237A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235237A true JPH02235237A (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=12992229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055208A Pending JPH02235237A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02235237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296942A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録装置 |
| JP2005340312A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Funai Electric Co Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1055208A patent/JPH02235237A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296942A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録装置 |
| JP2005340312A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Funai Electric Co Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
| JP4561185B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2010-10-13 | 船井電機株式会社 | レーザダイオード駆動回路 |
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