JPH03185629A - 情報の記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エネルギービームによる情報の記録方法、特
に、既存の記録情報を消去しながら新しい情報を書き込
む所謂オーバーライドが可能な情報の記録方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

光磁気型記録膜や相変化型記録膜は、その状履（磁化方
向、結晶構造など）を光ビーム、電子ビーム、イオンビ
ームその他のエネルギービームをもって変化させること
ができ、このような性質を利用した書換可能な情報記録
方法が既に幾つか提案されている（相変化型の記録方法
については例えば特開昭５６−１４５５３０号公報参照
、光磁気型の記録方法については例えば特開昭６２−１
７５９４８号公報参照）。

光磁気型情報記録方法にあっては１例えばＴｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ系合金の交換結合二層膜からなる記録膜が使用され
る。二層膜の一方（以下「情報記録層」という）は、情
報を記録するための膜であり、室温での保磁力は高いが
比較的低いキューリー点（ａｔ化反転温度）を有するよ
うにその組成が選定されている。二層膜の他方（以下「
記録補助層」）は、オーバーライド（重ね書きによる書
換〉を可能とするために特に設けた膜であり、室温での
保磁力は低いが比較的高いキューリー点を有するように
その組成が選定されている。記録膜は。

例えばディスク上に形成され、例えば半導体レーザを用
いて情報の書込及び読出が行なわれる。

第７図ａは、半導体レーザのビームパワーの時間的変化
を示しており、記録すべきディジタル信号ＩＩ　Ｉ　Ｉ
＋又は′Ｏ″に対応するパルス波形となっている。同図
において、Ｈは、記録補助層をそのキューリー点Ｔ）ｌ
に達するまで加熱するのに必要とする高いパワーレベル
を示し、Ｍは、情報記録層をそのキューリー点ＴＬに達
するまで加熱するのに必要とする中間のパワーレベルを
示す。なお、Ｒは、記録情報の再生（読出）の際に使用
するパワーレベルであり、高いレベルＨ及び中間レベル
Ｍの何れに対しても極めて低い値に選定される。

第７図ａのパルス波形のうち、Ａ及びＢの部分（以下便
宜的に「記録パルス」と略称とする）は、高いレベルＨ
と同等かそれ以上の適当な値に選定されており、一方、
Ｃ１Ｄ及びＥの部分（以下便宜的に「消去パルス」と略
称する）は、中間レベルＭと同等かそれより若干大きい
適当な値に選定されている。

レーザビームのパワーが第７図ａのように変化すると、
記録膜上の被照射領域のうちの最も高温となる部分の温
度は、同図すに示すように変化する。そして、高いパワ
ーレベルである記録パルスＡ及びＢの照射を受けた部分
の記録補助層及び情報記録層は、その双方が夫々のキュ
ーリー点（Ｔ。

又はＴＬ）を越えて加熱される結果、その磁化が共に一
旦消滅してしまう。

ディスクは高速で回転しているので、レーザビームは記
録膜上を次々と移動する。それ故、記録膜の各部分は、
高いレベルの照射を受けた後、記録補助層及び情報記録
層の磁化が消滅したままの状態で冷却段階に入る。

最初に記録補助層の温度がキューリー点ＴＨ以下に低下
する。ディスクのレーザ照射領域の近辺には、予め固定
の外部磁界（記ａｒｍ界）が加えられており、温度が低
下した記録補助層は、この外部磁界の影響を受けて再び
磁化される。但し、記録補助層は、その磁化の向きが外
部磁界の影響を受けて反転するように予め設定されてい
るので、この場合の磁化の向きは、初期設定の向きとは
逆の向きとなる。

続いて情報記録層の温度がキューリー点ＴＬ以下に低下
すると、同層は、近くに存在する記録補助層との間に作
用する交換結合力の影響を受けて磁化される。この場合
の磁化の向きは、使用した光磁気材料の種類により、記
録補助層の磁化の向きと同じか逆向きとなる。

一方、中間の′パワーレベルである消去パルスＣ１Ｄ及
びＥの照射を受けた部分は、情報記録層のみがそのキュ
ーリー点Ｔしを越えて加熱されるため。

同層の磁化のみが消滅し５他方の記録補助層の磁化は初
期設定の向きのまま保持される。

ディスクの回転により、中間レベルの照射を受けた部分
が被照射領域から外れると、同部分は冷却段階に入り、
その際、情報記録層は、近くに存在する記録補助層との
間の交換結合力の影響を受けて磁化される。磁化の向き
は、記録補助層が初期設定の磁化の向きを保持している
ため、高いレベルの照射を受けた前記部分とは逆向きに
なる。

このようにして、情報記録層には、記録４８号に対応し
て磁化の向きが異なる部分が次々と形成され、これらの
部分がディジタル信号のＩＩ　】、　ＩＩ又は゛Ｏ″″
に対応することになる。

記録点の形状は、本来であれば照射ビームの形状や照射
時間に追従して円形又は長円形となる筈であるが、実際
にはそのようにならない。特に持続時間が長い記録パル
スＢの場合、記録点の形状は、後になるほど記録トラッ
クに対して直角方向に広がる所謂「涙滴型」を呈するよ
うになる（第７図Ｃの右側参照〉。そして、このような
涙滴型の記録点を通常のエツジ検出方式を用いて再生す
ると、第２図ｄ右側に示すように記録信号と再生信号と
の間のタイミングがずれてしまい、最悪の場合は読取不
能の致命的エラーが発生することになる。類似の現象は
、高密度記録を行う目的で記録パルスの間隔を狭くした
場合にも発生する。この場合は、後で書き込まれる信号
はど記録点の直径が大きくなり、遂には個々の記録点が
相互につながってしまってその分離識別ができなくなる
。

このような障害が発生するのは、高いレベルの照射ビー
ムによって発生した高熱が被照射領域以外に伝導して蓄
積し、後に照射される場所はど広い面積にわたって記録
膜の温度が上昇するからである。もっとも、この種の障
害は、情報記録の際の照射ビームのパワーを必要最小限
に保って記録点をできるだけ小さくすることにより、成
る程度回避することが可能であるが、照射ビームのパワ
ー制御やオートフォーカスを極めて厳密に行う必要があ
るという別の問題が発生する。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の主たる目的は、従来技術における多くの問題点
を全て解決することができる改良された情報記録方法を
提案することにある。

本発明の他の目的は、記録信号に忠実に対応する再生信
号を得ることができ、しかも従来方法に比較して一段と
高密度の記録をすることができる改良された情報記録方
法を提案することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の課題は、エネルギービームの照射パワーを高いレ
ベルから中間レベルに直ちに変化させるのではなく、そ
の間に中間レベルよりも更に低いレベルの期間を介在さ
せることによって解決することができる。換言すれば１
本発明では、照射ビームのパワー制御を行なうパルス波
形として、第１図ａに示す如く、中間レベルＬから高い
レベルｌ（に向かう上向きパルス部分■と中間レベルＬ
から更に低いレベルＬに向かう下向きパルス部分■とを
少なくとも含む波形を使用するのである。

下向きパルス部分による照射エネルギー減少分は、上向
きパルス部分による照射エネルギーの増加分の０．１倍
から１．０倍までの範囲とすることが望ましく、更に良
好な結果を期待する場合は。

その０．２倍から０．７倍までの範囲とすることが望ま
しい。

ここで「下向きパルスによる照射エネルギー減少分」と
は、第１図ａにおける下向きパルス■の面積（パルス波
形の立ち上り部分及び立ち下がり部分が急峻であると仮
定した場合には低いレベルＬの持続時間×低いレベルＬ
と中間レベルＭとのパワー差）を意味し、一方「上向き
パルスによる照射エネルギー増加分」とは、第１図ａに
おける上向きパルス■の面積（パルス波の形立ち上り部
分及び立ち下がり部分が急峻であると仮定した場合には
高いレベルＨの持続時間Ｘ高いレベルＨと中間レベルＭ
とのパワー差）を意味する。

高いレベルの照射パワーと中間レベルの照射パワーとの
比は、１　：　０．３から１　：　０．９までの範囲と
することが望ましく、この範囲で良好なオーバーライド
を期待することが可能である。なお。

更に良好なオーバーライドを期待する場合は１：０．４
から１　：　０．８までの範囲とすることが望ましい。

記録媒体としては、前記した光磁気型の記録媒体のほか
、他のオーバーライド方式による光磁気記録媒体、相変
化型の記録媒体（高速結晶化が可能な結晶−非晶質問相
変化を利用した記録媒体、非晶質相互間相変化を利用し
た記録媒体、結晶系又は結晶粒径の変化などの結晶−結
晶量相変化を利用した記録媒体など〉を使用することが
可能である。なお、記録媒体は、ディスク状に限定され
ず、テープ状、カード状など任意の形態で使用すること
ができる。

記録膜の材料としては、書換特性が優れているＩｎ−８
ｅ系材料、Ｉｎ−８ｂ系材料、Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ系材料
、Ｓ　ｎ　−Ｓ　ｂ　−Ｔ　ｅ系材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料及びＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系材料の１１ｆｆｉ又は
２種以上を適宜選択して使用することが望ましいが、必
ずしもこれらに限定されるものではない。なお、ここで
「・・・系材料」というのは「・・・」を主成分とする
材料のことであり、所定の許容範囲で他の元素を含んで
も良いという意味である。

エネルギービームは、半導体レーザなどによる光ビーム
のほか、記録膜の性質や種類に応じてその他の形態のエ
ネルギービーム、例えば電子ビームやイオンビームなど
を適宜選択して使用することができる。

二点上のエネルギービームを使用し、その何れか一つの
ビーム又は全部のビームに対して本発明を適用すること
も可能である。例えば、同一のレンズで時間をずらせて
二つのエネルギービームを記録媒体上に照射するようし
、先に記録媒体に照射されるビームに対して本発明を適
用する一方。

後に照射するビームはそのパワーを低くして記録情報の
読出を行えば、オーバーライドが正確に行なわれたかど
うかを確認することができる。もっとも、このように後
のビームでオーバーライドのベリファイを行なう方法は
、先に照射されるビームに対して本発明を適用しない場
合にも有効である。

〔作用〕

照射ビームパワーのパルス波形に加えた下向きパルスは
、照射領域の記録膜の加熱及び冷却を促進するように作
用し、その結果、当該領域外への高熱の伝導や蓄積が有
効に阻止され、記録点の好ましくない拡大を防止する。

上向きパルスのパルスｌ１Ｉｌ？（持続時間）が大きい
場合には、それに見合って下向きパルスのパルス幅又は
深さ（中間レベルとの差）を大きくすることが望ましい
が、パルス幅は同じでも成る程度の効果がある。もっと
も、下向きパルスは、その深さを変えるよりも、その幅
を変えた方が装置の構成が容易になる。

下向きパルスの幅が一定の場合はその幅、異なる場合は
その最大値が上向きパルスの最小幅と同じであるように
選択すると、下向きパルスを挿入した効果が最も顕著に
現れるが、下向きパルスの幅（又はその最大値）がこれ
よりも大きいと、記録膜の温度が下がり過ぎて問題とな
る。なお、上向きパルスの立ち上がり部分でオーバーシ
ュートを起こさせると、温度上昇をより早めることがで
き、記録点の形状を記録信号に対してより忠実に追従さ
せ得る効果がある。

一般に、エネルギービーム照射部分の記録膜の温度は、
極めて短時間のビームパワーの変化に対しては殆ど追従
することができない。それ故、記縁膜の温度が殆ど追従
できないような高速の変動（例えば極く短時間のゼロレ
ベル又は読出レベルＲの変動）をパワー制御用のパルス
波形に重畳させ、その平均パワーの変化をもって情報の
記録又は消去を行なうことも可能である。

〔実施例〕

本発明による情報記録方法の実施例を図面を参照してよ
り詳細に説明する。なお、以下に説明する実施例は、第
８図に例示したレーザパワー変調回路を用いて実現した
が、レーザパワーを変調するための回路は、必ずしもこ
れに限定されるものではなく、必要に応じて他の構成の
回路を使用することができる。なお、第８図の変調回路
は１本件特許出願人が特願昭６３−１５６７７９号とし
て別に特許出願した発明につき、その詳細については当
該特許出願の明細書を参照されたい。

第８図において、８１は回転ディスクであり、その表面
には１例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系材料の交換結合二層膜
（情報記録層及び記録補助層）からなる記録膜が形成さ
れている。ディスク８１は、適当な能動系８２により１
例えば↓＋８０Ｏｒｐｍの回転数で回転せしめられ、か
つ、その記録トラック上には、光学レンズ系８３を介し
て半導体レーザ８４からの光ビーム（例えば波長８３０
ｎｍ）が照射せしめられる。半導体レーザ８４を能動す
るためのレーザパワー変調回路８５は、例えば変調論理
部８６、パルス電流ドライバ８７■〜８７■及び直流電
流ドライバ８８をもって構成されている。直流電流トラ
イバ８８は、ポテンショメータ８９の出力によって制御
され、記録情報の読出に必要とする最低レベルの電流Ｉ
Ｒを発生する。パルス電流ドライバ８７■〜８７■は、
変調論理部８６の出力によって制御され、パルス波形要
素電流１、〜■４を発生する。電流Ｉ・ライバ８７及び
８８の出力は、結線合成によって加算され、所望のパル
ス波形となって半導体レーザ８４を駆動する。

〈実施例１〉 本実施例において使用したレーザビームのパルス波形（
記録信号の波形）は、第１図ａに示す通りであり、持続
時間の異なる二種類の記録パルスＡ及びＢを含む。両パ
ルスは、いずれも上向きパルス部分■と下向きパルス部
分■とからなり、上１ｉ’ｉｌ　ｔハルス部分■のパワ
ーレベル（高レベルＨ）は、中間レベルＭ（消去パルス
Ｃ，Ｄ及びＥのパワーレベル）より６ｍＷだけ大きい１
２ｍＷであり、下向きパルス部分■のパワーレベル（低
レベルＬ）は、中間レベルＭより３ｍＷだけ小さい３ｍ
Ｗである。

上向きパルス■のパルス＠（持続時間）は、記録パルス
Ａの場合が１８０ｎｓ、記録パルスＢの場合が５４０ｎ
ｓである。一方、下向きパルス■のパルス幅は、記録パ
ルスＡの場合が９０ｎｓ、記録パルスＢの場合が１８０
ｎｓであり、上向きパルスの持続時間が長い場合は下向
きパルスの持続時間も長くなるように配慮した。上向き
パルスのパルス幅と下向きパルスのパルス幅が比例する
ようにしてもよい。

このような記録波形を用いて記録を行なった結果、ｖ！
、縁膜の温度は、第１図ｂｔこ示す通りの変化を示した
。この場合の記録点の形状及び再生信号の波形は、第１
図Ｃ及びｄに示した通りである。

図から明らかなように、記録点の形状は、上向きパルス
の持続時間が長い記録パルスＢの場合であっても、略々
理想に近い長円形を示しており、記録信号と再生信号の
タイミングも良く一致している。

記録パルスＢに対する下向きパルス■のパルス幅は、第
２図に示すように、記録パルスＡに対する下向きパルス
■のパルス幅（９０ｎｓ）と同しにしても同程度の効果
が認められた。また、低いパワーレベルＬは、読出パワ
ーレベルＲと同し１ｍＷとしても同程度も効果が認めら
れた。第８図に示したレーザパワー変調回路は、この場
合の方が寧ろ簡単になる。低いパワーレベルＬと読出パ
ワーレベルＲとを同じにすれば、レーザパワーの変゛調
をＨ，Ｍ及びＲ（＝Ｌ）の三つのレベルに減らすことが
ことができるからである。

また、第３図に示すように、記録パルスＢが終わる時点
は、与えられた情報信号に対応する立ち下がり時点ａよ
りも速い時点（例えばｂ点）とした方が、記録点の記録
トラックに対しての直角方向への広がりが少なく、より
忠実な再生信号を得ることができた。更に、第４図に示
すように、上向きパルス■の先頭部に２ｍＷ分のオーバ
ーシュート部分■（レベルＨ’）を設けたところ、記録
点の形状を最初の部分から所定の幅にすることができた
。

次に、上向きパルスのによるレーザエネルギーの増加分
をＸ、下向きパルス■によるレーザエネルギーの減少分
Ｙとし、それらの比（Ｚ＝Ｙ／Ｘ）とエツジシフトとの
関係を調べたところ、第↓表に示すような結果が得られ
た。ここで、エツジシフトとは、記録点の後のエツジが
目的値よりシフトした値のことをいい、その値は、大き
くても小さくてもエラーの原因となる。第１表から明ら
かなように、エツジシフトの値は、Ｚの値を　０．１〜
１．０　の範囲に設定した場合に可成り減少し、０．２
〜０．７の範囲にした場合には著しく減少する。

第一１−一及 エツジシフト Ｚ＝Ｏ＋２５ｎｓ Ｚ　＝０．１　　　　　＋１５ｎｓ Ｚ＝０．２　　　　　＋１Ｏｎｓ Ｚ＝０．３　　　　　　　＋５ＬＩ Ｚ＝０．４　　　　　　＋５ｎｓ Ｚ　＝０．５　　　　　　−５ｎｓ Ｚ　＝０．６　　　　　　−５ｎｓ Ｚ＝０．７　　　　　−１０ｎｓ Ｚ、＝０．８　　　　　−１５ｎｓ Ｚ＝０．９　　　　　−１５ｒＩＩＩ Ｚ＝１．０　　　　　−１５ｎｓ Ｚ＝１．１　　　　　−２０ｎｓ Ｚ　”　１−２　　　　　−２５　ｎｓ更に、高レベル
のレーザパワーＨと中間レベルのレーザパワーＭとの比
が消去比に与える影響を調べたところ、第２表に示す結
果を得ることができた。同表から明らがなように、消去
比は、■（二Ｍの値が１　：　０．３〜１　：　０．９
の範囲で可成り改善され、１　：　０，４〜１　：　０
．８の範囲で更に改善される。従って、Ｈ：Ｍの値をこ
の範囲に設定すれば、良好なオーバーライドを行なうこ
とが可能となる。

第　　２　　表 Ｈ：Ｍ　　　　　　　消去比 １：Ｏ，ｌ　　　　　　　　０ｄＢ １：ｏ、２　　　　　　　５ｄＢ １：ｏ、３　　　　　　３５ｄＢ １：０．４　　　　　　４４ｄＢ Ｌ：０．５　　　　　　４４ｄＢ １：０．６　　　　　　４４ｄＢ １：ｏ、７　　　　　　４４ｄＢ １：０．８　　　　　　４４ｄＢ １：０．９　　　　　　３５ｄＢ 上向きパルス■と下向きパルス■との間に、中間レベル
Ｍのパワ一部分を介在させても同様の効果が得られた。

但し１本実施例の場合、１ｏｏｎｓまでならば、中間レ
ベルＭのパワーレベルを介在させても特に問題がなかっ
たが、それ以上だと下向きパルス■を設けた効果が減少
した。

相変化型記録膜を用いた場合も、光磁気型記録膜を用い
た場合と同様、第７図ａに示したような波形で記録を行
うと、記録点の形状は同図Ｃのような涙滴型となる（但
し、この場合のＴｏは融点。

ＴＬは結晶化温度である）。涙滴型となる程度は。

相変化型のディスク方が熱伝導率が低いために軽微では
あるが１本発明のパルス波形を使用することにより、記
録信号に対応した再生信号が得られることを確認した。

また、相変化型記録膜の最大の欠点である既存の記録の
消え残りも小さくすることができた。

光ヘッドとして二つの半導体レーザを使用し、これらの
半導体レーザから二つのレーザビームを同一のレンズで
ディスク上に集光するようにした場合は、ディスク上に
先に照射されるビームのパワー波形に上述の下向きパル
ス■を含ませることにより、本発明の効果を得ることが
できた。従って、ディスク上に後で照射されるビームは
、そのパワーを１ｍＷの一定値に維持することにより。

前のビームによって正確にオーバーライドされたかどう
かの確認を行なうことができた。

〈実施例２〉 第５図及び第６図は、高いレベルＨの部分の頻度が多い
記録信号（高いレベルＨの持続時間が短く、シかも相互
の間隔が狭い記録信号）に本発明を適用した場合の一実
施例である。第５図ａに示すように、個々の記録パルス
は、全て上向きパルス部分■の後に下向きパルス部分■
を含んでいる。

下向きパルス■を設けた効果は、記録パルス相互間の密
度が高ければ高いほど顕著であり、密度が高くても再生
波形のピーク間の分離が良好であることが認められた。

また、記録パルスが数多く連続する場合は、後に来る記
録パルスはど下向きパルス■のエネルギー減少分Ｙを多
くすることにより、更に大きな効果を得ることができた
。なお。

記録パルスの相互間隔が広い部分では、下向きパルスの
効果は顕著でなく、同パルスを省略することも可能であ
る。

本実施例によれば、記録膜上の温度分布は、第５図すの
ようになり、結果的に第５図Ｃに示す形状の記録点を形
成することができた。記録点の大きさは、どの記録パル
スに対しても酩々同じであり、第５図ｄに示すように、
記録信号に忠実な再生信号波形を得ることができた。こ
れにより、エツジシフトによるエラーが少なく、記録点
の分離も容易となり、従来方法に比較して一段と高密度
の情報記録が可能となる。また、相変化型の記録膜を用
いた場合には、既存の記録情報の消え残りも小さくなる
。

なお１本実施例の場合、下向きパルス■の深さ（パワー
レベルＬ）が読出レベルＲと異なっているが、下向きパ
ルス■のパルス幅を適当に値に選択すれば、そのパワー
レベルＬを読出レベルＲ又はゼロレベルに一致させるこ
とが可能となり、レーザパワー変調回路の構成が比較的
容易になる。

更に、下向きパルス■のパルス幅は、第６図に示すよう
に、全ての記録パルスに対して同一にしても成る程度の
効果が認められた。この場合は、レーザパワー変調回路
の構成が最も容易になる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高いレベルの持続時間が長い記録パル
スの場合や、パルス間隔の狭い記録パルスが数多く連続
する場合であっても、記録信号に対応する忠実な再生信
号を得ることができ、再生信号のエラーが少なく、かつ
高密度の記録を行なうことが可能となる。また、相変化
型光記録膜の場合には書換による消え残りを少なくする
ことができる。

なお、最近、注目されつつある多層記録膜を有する光磁
気記録媒体は、記録膜の全膜厚が厚いため、好ましくな
い蓄熱効果が起り易い傾向があるが、本発明の情報記録
方法は、このような記録媒体を使用する場合に特に有効
に機能する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は、本発明の情報記録方法の一実施例の
説明するための波形図、第５図および第６図は、本発明
の別の実施例の説明するための波形図、第７図は、従来
の情報記録方法を説明するための波形図、第８図は１本
発明の方法の実施において使用するレーザパワー変調回
路の一例の示す系統図である。 〈符号の説明〉 Ａ、Ｂ・・・記録パルス、Ｃ，Ｄ、Ｅ・・・消去パルス
、■・・上向きパルス部分、■・・・下向きパルス部分
、■・・・オーバーシュート部分、Ｈ・・・高いレベル
、Ｍ・・・中間レベル、Ｌ・・・低いレベル、Ｒ・・・
読出レベル。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録媒体に対する照射エネルギービームのパワーを
   所定のパルス波形をもって時間的に制御し、高いパワー
   レベルの照射ビームに対応する一つの状態とこれより低
   い中間のパワーレベルに対応する他の状態とを記録媒体
   に生ぜしめることによって情報を記録する方法において
   、照射ビームのパワー制御は、中間レベルから高いレベ
   ルへの上向きパルス部分とそれに続く中間レベルより低
   いレベルへの下向きパルス部分とを少なくとも含むパル
   ス波形をもって行なうことを特徴とする情報の記録方法
   。 ２、上記パルス波形は上向きパルス部分の先頭部に設け
   たオーバーシュート部分を含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の情報記録方法。 ３、上向きパルス部分に続く下向きパルス部分の持続時
   間は全ての上向きパルス部分に対して同一であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録方法。 ４、下向きパルス部分のパワーレベルは情報読出の際の
   パワーレベルと同一のレベルであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の情報記録方法。 ５、上記パルス波形の下向きパルス部分による照射エネ
   ルギー減少分（中間のパワーレベルが継続したと仮定し
   た場合の照射エネルギーに対する減少分）は、同波形の
   上向きパルス部分による照射エネルギー増加分（中間の
   パワーレベルが継続したと仮定した場合の照射エネルギ
   ーに対する増加分）に対し、その０．１倍から１．０倍
   までの範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の情報記録方法。 ６、下向きパルス部分による照射エネルギー減少分が上
   向きパルス部分による照射エネルギー増加分の０．２倍
   から０．７倍までの範囲であることを特徴とする特許請
   求の範囲第５項記載の情報記録方法。 ７、高いパワーレベルと中間のパワーレベルとの比が１
   ：０．３から１：０．９までの範囲であることを特徴と
   する特許請求範囲第１項記載の情報記録方法。 ８、上記パワーレベルの比が１：０．４から１：０．８
   までの範囲であることを特徴とする特許請求範囲７項記
   載の情報記録方法。 ９、上記記録媒体を構成する記録膜の材料としてＩｎ−
   Ｓｅ系材料、Ｉｎ−Ｓｂ系材料、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材
   料、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ系材料及
   びＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系材料の中から選択された少なくと
   も１種の材料を用いたことを特徴とする特許請求第１項
   乃至第８項のいずれか一に記載された情報記録方法。