JPH0223090B2 - - Google Patents
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- JPH0223090B2 JPH0223090B2 JP8955583A JP8955583A JPH0223090B2 JP H0223090 B2 JPH0223090 B2 JP H0223090B2 JP 8955583 A JP8955583 A JP 8955583A JP 8955583 A JP8955583 A JP 8955583A JP H0223090 B2 JPH0223090 B2 JP H0223090B2
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- JP
- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- center electrode
- electrode
- transducers
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、中央電極における弾性表面波の反射
を防止するためなされた弾性表面波装置に関する
ものである。
を防止するためなされた弾性表面波装置に関する
ものである。
圧電単結晶、圧電薄膜、圧電セラミツクス等の
圧電体の非線形性を利用したものや圧電膜と半導
体とを組み合せて半導体の空乏層容量の非線形性
を利用した弾性表面波増幅器、コンボルパ、コリ
レータ等の弾性表面波装置が知られている。第１
図および第２図はこれらの弾性表面波装置の従来
構造を示す断面図で、１は圧電単結晶、圧電セラ
ミツクス等から成る圧電性基板、２，３は各々く
し型形状から成る一対のトランスジユーサ、４は
一対のトランスジユーサ２，３間に配置され裏面
電極５を含む中央電極、６は半導体等から成る非
圧電性基板、７は圧電薄膜である。
圧電体の非線形性を利用したものや圧電膜と半導
体とを組み合せて半導体の空乏層容量の非線形性
を利用した弾性表面波増幅器、コンボルパ、コリ
レータ等の弾性表面波装置が知られている。第１
図および第２図はこれらの弾性表面波装置の従来
構造を示す断面図で、１は圧電単結晶、圧電セラ
ミツクス等から成る圧電性基板、２，３は各々く
し型形状から成る一対のトランスジユーサ、４は
一対のトランスジユーサ２，３間に配置され裏面
電極５を含む中央電極、６は半導体等から成る非
圧電性基板、７は圧電薄膜である。
以上の構造における弾性表面波の伝播において
トランスジユーサ２又は３から中央電極４に弾性
表面波が入射した時、第３図のように中央電極４
において反射波８が発生するようになる。なお９
は入射波である。このために出力波形に歪が生じ
るので伝播特性が劣化する欠点がある。
トランスジユーサ２又は３から中央電極４に弾性
表面波が入射した時、第３図のように中央電極４
において反射波８が発生するようになる。なお９
は入射波である。このために出力波形に歪が生じ
るので伝播特性が劣化する欠点がある。
またトランスジユーサ２，３と中央電極４間
で、入力電気信号が弾性表面波信号に変換されな
いで電磁波的な直接波として伝播されてしまうよ
うなフイードスルー現象が生ずるので、この影響
によつても上記のような欠点が生じる。
で、入力電気信号が弾性表面波信号に変換されな
いで電磁波的な直接波として伝播されてしまうよ
うなフイードスルー現象が生ずるので、この影響
によつても上記のような欠点が生じる。
本発明は以上の問題に対処してなされたもの
で、一対のトランスジユーサと中央電極間に各々
第１および第２のシールド電極を設け、第１およ
び第２のシールド電極の弾性表面波伝播方向に沿
つた巾をl1、第１および第２のシールド電極と中
央電極間の距離をl2とした時、l1＝λ0（1/12＋n1／
２），l2＝λ0（1/12＋n2／２）、（但し、n1，n2：整
数、λ0：弾性表面波の中心周波数の波長）、の関
係をほぼ満足するように上記第１および第２のシ
ールド電極を配置することにより従来欠点を除去
するように構成した弾性表面波装置を提供するこ
とを目的とするものである。以下図面を参照して
本発明実施例を説明する。
で、一対のトランスジユーサと中央電極間に各々
第１および第２のシールド電極を設け、第１およ
び第２のシールド電極の弾性表面波伝播方向に沿
つた巾をl1、第１および第２のシールド電極と中
央電極間の距離をl2とした時、l1＝λ0（1/12＋n1／
２），l2＝λ0（1/12＋n2／２）、（但し、n1，n2：整
数、λ0：弾性表面波の中心周波数の波長）、の関
係をほぼ満足するように上記第１および第２のシ
ールド電極を配置することにより従来欠点を除去
するように構成した弾性表面波装置を提供するこ
とを目的とするものである。以下図面を参照して
本発明実施例を説明する。
第４図は本発明実施例による弾性表面波装置を
示す上面図で、第１図および第２図と同一部分は
同一番号で示し、くし型形状から成る一対のトラ
ンスジユーサ２，３と中央電極４間には各々第１
のシールド電極１０および第２のシールド電極１
１が設けられる。この場合第１および第２のシー
ルド電極１０，１１の弾性表面波の伝播方向（矢
印１２Ａ，１２Ｂ）に沿つた巾をl1、第１および
第２のシールド電極１０，１１と中央電極４間の
距離をl2とした時、 l1＝λ0（1/12＋n1／２） ……(1) l2＝λ0（1/12＋n2／２） ……(2) （但し、n1，n2：整数、λ0：弾性表面波の中心周
波数の波長） の関係をほぼ満足するように上記第１および第２
のシールド極１０，１１を配置する。
示す上面図で、第１図および第２図と同一部分は
同一番号で示し、くし型形状から成る一対のトラ
ンスジユーサ２，３と中央電極４間には各々第１
のシールド電極１０および第２のシールド電極１
１が設けられる。この場合第１および第２のシー
ルド電極１０，１１の弾性表面波の伝播方向（矢
印１２Ａ，１２Ｂ）に沿つた巾をl1、第１および
第２のシールド電極１０，１１と中央電極４間の
距離をl2とした時、 l1＝λ0（1/12＋n1／２） ……(1) l2＝λ0（1/12＋n2／２） ……(2) （但し、n1，n2：整数、λ0：弾性表面波の中心周
波数の波長） の関係をほぼ満足するように上記第１および第２
のシールド極１０，１１を配置する。
このように第１および第２のシールド電極１
０，１１を配置することにより、トランスジユー
サ２，３から中央電極４に向かつて入射された弾
性表面波が第５図のように第１あるいは第２のシ
ールド電極１０，１１および中央電極４の端部
T1，T2，T3において反射されて各反射波１３
Ａ，１３Ｂ，１３Ｃが発生した時、反射波１３Ａ
を基準にした時の反射波１３Ｂ，１３Ｃの各位相
PB，PCは各々次式(3)，(4)のように表わすことが
できる。
０，１１を配置することにより、トランスジユー
サ２，３から中央電極４に向かつて入射された弾
性表面波が第５図のように第１あるいは第２のシ
ールド電極１０，１１および中央電極４の端部
T1，T2，T3において反射されて各反射波１３
Ａ，１３Ｂ，１３Ｃが発生した時、反射波１３Ａ
を基準にした時の反射波１３Ｂ，１３Ｃの各位相
PB，PCは各々次式(3)，(4)のように表わすことが
できる。
PB＝2l1・2π／λ0＋π＝π／３＋2n1π＋π ……(3)
PC＝２（l1＋l2）・2π／λ0
＝2π／３＋2π(n1+n2)＝2π／３＋2nπ ……(4)
（但し、ｎ＝n1＋n2：整数）
このため、上記各反射波１３Ａ，１３Ｂ，１３
Ｃを合成することによりこれら反射波の振幅はゼ
ロになる。したがつて弾性表面波の反射波は存在
しなくなる。
Ｃを合成することによりこれら反射波の振幅はゼ
ロになる。したがつて弾性表面波の反射波は存在
しなくなる。
またトランスジユーサ２，３と中央電極４間に
第１および第２のシールド電極１０，１１が存在
することによつて、フイードスルー現象も軽減さ
れる。
第１および第２のシールド電極１０，１１が存在
することによつて、フイードスルー現象も軽減さ
れる。
以上の説明は弾性表面波が左右のトランスジユ
ーサ２，３によつて発生し、中央電極４に入力さ
れて、中央電極４から電気信号が出力されるよう
な弾性表面波コンポルパについてであるが、弾性
表面波パラメトリツク増幅器のようにポンピング
信号を中央電極４に印加することにより中央電極
４に入力された弾性表面波を増幅する場合にも同
様な効果を得ることができる。
ーサ２，３によつて発生し、中央電極４に入力さ
れて、中央電極４から電気信号が出力されるよう
な弾性表面波コンポルパについてであるが、弾性
表面波パラメトリツク増幅器のようにポンピング
信号を中央電極４に印加することにより中央電極
４に入力された弾性表面波を増幅する場合にも同
様な効果を得ることができる。
第６図は本発明の他の実施例を示すもので、中
央電極４がストリツプ形状から成る構造を示し、
上記実施例と同様な効果を得ることができる。
央電極４がストリツプ形状から成る構造を示し、
上記実施例と同様な効果を得ることができる。
第７図および第８図は本発明実施例による圧電
体の構造を示し、第７図は圧電体が圧電単結晶、
圧電セラミツク等の単一材料基板１から成る場
合、第８図は半導体等の非圧電性基板６およびこ
の表面を覆う酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧
電薄膜７から成る場合を示すものである。
体の構造を示し、第７図は圧電体が圧電単結晶、
圧電セラミツク等の単一材料基板１から成る場
合、第８図は半導体等の非圧電性基板６およびこ
の表面を覆う酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧
電薄膜７から成る場合を示すものである。
以上述べて明らかなように本発明によれば、一
対のトランスジユーサと中央電極間に各々第１お
よび第２のシールド電極を設け、第１および第２
のシールド電極の弾性表面波伝播方向に沿つた巾
をl1、第１および第２のシールド電極と中央電極
間の距離をl2とした時、l1＝λ0（1/12＋n1／２）、
l2＝λ0（1/12＋n2／２）、（但し、n1，n2：整数、
λ0：弾性表面波の中心周波数の波長）、の関係を
ほぼ満足するように上記第１および第２のシール
ド電極を配置するように構成したものであるか
ら、中央電極における反射波の発生を防止するこ
とができる。これと共にフイードスルー現象を軽
減することもできる。
対のトランスジユーサと中央電極間に各々第１お
よび第２のシールド電極を設け、第１および第２
のシールド電極の弾性表面波伝播方向に沿つた巾
をl1、第１および第２のシールド電極と中央電極
間の距離をl2とした時、l1＝λ0（1/12＋n1／２）、
l2＝λ0（1/12＋n2／２）、（但し、n1，n2：整数、
λ0：弾性表面波の中心周波数の波長）、の関係を
ほぼ満足するように上記第１および第２のシール
ド電極を配置するように構成したものであるか
ら、中央電極における反射波の発生を防止するこ
とができる。これと共にフイードスルー現象を軽
減することもできる。
よつて出力波形の歪を防止することができるの
で、伝播特性の劣化を改善することができる。
で、伝播特性の劣化を改善することができる。
第１図乃至第３図は従来例を示す断面図、第４
図乃至第６図はいずれも本発明実施例を示す上面
図、第７図および第８図は共に本発明実施例を示
す断面図である。 ２，３……トランスジユーサ、４……中央電
極、１０，１１……シールド電極、１３Ａ〜１３
Ｃ……反射波。
図乃至第６図はいずれも本発明実施例を示す上面
図、第７図および第８図は共に本発明実施例を示
す断面図である。 ２，３……トランスジユーサ、４……中央電
極、１０，１１……シールド電極、１３Ａ〜１３
Ｃ……反射波。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電体上に一対のトランスジユーサおよびそ
の両トランスジユーサ間に中央電極を有する弾性
表面波装置において、上記一対のトランスジユー
サと中央電極間に各々第１および第２のシールド
電極が設けられ、第１および第２のシールド電極
の弾性表面波伝播方向に沿つた巾をl1、第１およ
び第２のシールド電極と中央電極間の距離をl2と
した時、 l1＝λ0（1/12＋n1／２） l2＝λ0（1/12＋n2／２） （但し、n1，n2：整数 λ0：弾性表面波の中心周波数の波長） の関係をほぼ満足するように上記第１および第２
のシールド電極が配置されてなることを特徴とす
る弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955583A JPS59215109A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955583A JPS59215109A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215109A JPS59215109A (ja) | 1984-12-05 |
| JPH0223090B2 true JPH0223090B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=13974064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8955583A Granted JPS59215109A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215109A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296811A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP8955583A patent/JPS59215109A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59215109A (ja) | 1984-12-05 |
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