JPH0353802B2 - - Google Patents
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- JPH0353802B2 JPH0353802B2 JP57096176A JP9617682A JPH0353802B2 JP H0353802 B2 JPH0353802 B2 JP H0353802B2 JP 57096176 A JP57096176 A JP 57096176A JP 9617682 A JP9617682 A JP 9617682A JP H0353802 B2 JPH0353802 B2 JP H0353802B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14508—Polyphase SAW transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、機械的反射に原因する弾性表面波の
反射を低減するようになされた弾性表面波装置に
関するものである。
反射を低減するようになされた弾性表面波装置に
関するものである。
弾性表面波装置は、水晶、LiNbO3（ニオブ酸
リチウム）等の圧電単結晶材料、圧電セラミツク
ス材料又は非圧電基板上に設けられた圧電薄膜材
料等の圧電性基板を利用し、この圧電性基板上に
形成されたトランスジユーサによつて電気信号を
弾性表面波に変換して基板表面を伝播させるよう
に構成したものであり、フイルタを初めとする各
種の電子部品に適用されつつある。
リチウム）等の圧電単結晶材料、圧電セラミツク
ス材料又は非圧電基板上に設けられた圧電薄膜材
料等の圧電性基板を利用し、この圧電性基板上に
形成されたトランスジユーサによつて電気信号を
弾性表面波に変換して基板表面を伝播させるよう
に構成したものであり、フイルタを初めとする各
種の電子部品に適用されつつある。
第１図はその一例としてフイルタを示すもの
で、１は圧電性基板、２は一対のくし型電極２
Ａ，２Ｂが交差して成る入力用トランスジユー
サ、３は一対のくし型電極３Ａ，３Ｂが交差して
成る出力用トランスジユーサで、入力端子INに
加えられた電気信号は上記入力用トランスジユー
サ２により弾性表面波に変換され、矢印で示すよ
う圧電性基板１表面を伝播して上記出力用トラン
スジユーサ３に到達した後、それによつて再び電
気信号に変換されて出力OUTから取り出される
ように構成される。ここで上記入力用トランスジ
ユーサ２および出力用トランスジユーサ３を構成
する各々一対のくし型電極２Ａ，２Ｂおよび３
Ａ，３Ｂの各電極幅Ｗおよび各電極交差間隔Ｌ
は、使用する弾性表面波の中心周波数f0の波長を
λとした場合、各々λ／４の一定値に設計されい
わゆる正規型電極として形成される。
で、１は圧電性基板、２は一対のくし型電極２
Ａ，２Ｂが交差して成る入力用トランスジユー
サ、３は一対のくし型電極３Ａ，３Ｂが交差して
成る出力用トランスジユーサで、入力端子INに
加えられた電気信号は上記入力用トランスジユー
サ２により弾性表面波に変換され、矢印で示すよ
う圧電性基板１表面を伝播して上記出力用トラン
スジユーサ３に到達した後、それによつて再び電
気信号に変換されて出力OUTから取り出される
ように構成される。ここで上記入力用トランスジ
ユーサ２および出力用トランスジユーサ３を構成
する各々一対のくし型電極２Ａ，２Ｂおよび３
Ａ，３Ｂの各電極幅Ｗおよび各電極交差間隔Ｌ
は、使用する弾性表面波の中心周波数f0の波長を
λとした場合、各々λ／４の一定値に設計されい
わゆる正規型電極として形成される。
ところで、このような寸法のくし型電極から成
るトランスジユーサを備えたフイルタにおいて
は、動作中に上記入力用および出力用トランスジ
ユーサ２，３間で弾性表面波の多重反射いわゆる
TTE（トリプル・トランジツト・エコー）が避け
られないため、フイルタ通過特性の位相に乱れ
（リツプル）を生じさせ、例えばFM信号の受信
を行なうような場合に問題となつている。
るトランスジユーサを備えたフイルタにおいて
は、動作中に上記入力用および出力用トランスジ
ユーサ２，３間で弾性表面波の多重反射いわゆる
TTE（トリプル・トランジツト・エコー）が避け
られないため、フイルタ通過特性の位相に乱れ
（リツプル）を生じさせ、例えばFM信号の受信
を行なうような場合に問題となつている。
上記TTE発生の原因としては、くし型電極の
存在している場所と存在していない場所により生
ずる音響インピーダンスの差に起因する機械的反
射と、トランスジユーサの両方向性（左右対称に
弾性表面波を送受信し得る性質）に起因する電気
的反射とが挙げられる。このうち電気的反射につ
いては、トランスジユーサの入出力回路に意図的
にミスマツチングを生じさせることにより、ある
いは多相給電方式により、トランスジユーサの一
方向性化を計ることによつてその影響を少なくす
ることが可能であるが、機械的反射については次
のような種々の改善策が講じられているにも拘ら
ず十分な効果が得られていない。その改善策の一
つは、第２図のように入力および出力用トランス
ジユーサ２，３を構成する各々一対のくし型電極
２Ａ，２Ｂおよび３Ａ，３Ｂの各交差する指部を
２つに分割し各電極幅Ｗおよび間隔Ｌをλ／８に
選ぶように構成したいわゆるダブル電極（スプリ
ツト電極）に設計することである。
存在している場所と存在していない場所により生
ずる音響インピーダンスの差に起因する機械的反
射と、トランスジユーサの両方向性（左右対称に
弾性表面波を送受信し得る性質）に起因する電気
的反射とが挙げられる。このうち電気的反射につ
いては、トランスジユーサの入出力回路に意図的
にミスマツチングを生じさせることにより、ある
いは多相給電方式により、トランスジユーサの一
方向性化を計ることによつてその影響を少なくす
ることが可能であるが、機械的反射については次
のような種々の改善策が講じられているにも拘ら
ず十分な効果が得られていない。その改善策の一
つは、第２図のように入力および出力用トランス
ジユーサ２，３を構成する各々一対のくし型電極
２Ａ，２Ｂおよび３Ａ，３Ｂの各交差する指部を
２つに分割し各電極幅Ｗおよび間隔Ｌをλ／８に
選ぶように構成したいわゆるダブル電極（スプリ
ツト電極）に設計することである。
この構造によれば各電極端における反射波の位
相は180°異なるため、反射波は互いに逆位相とな
つて打ち消されるようになるので機械的反射によ
る悪影響を低減することができる。
相は180°異なるため、反射波は互いに逆位相とな
つて打ち消されるようになるので機械的反射によ
る悪影響を低減することができる。
しかしながらその反面、各電極幅Ｗおよび間隔
Ｌをλ／８となるように形成しなければならない
ため、高周波による程λが小さくなるのでフオト
リソグラフイー法を利用した加工技術に高精度さ
が要求され、製造歩留りが低下するのは避けられ
ない。
Ｌをλ／８となるように形成しなければならない
ため、高周波による程λが小さくなるのでフオト
リソグラフイー法を利用した加工技術に高精度さ
が要求され、製造歩留りが低下するのは避けられ
ない。
また電極間隔が微小なのでゴミやホコリ等の影
響を受け易くなり、短絡等により動作不良となる
可能性もある。
響を受け易くなり、短絡等により動作不良となる
可能性もある。
他の改善策は第３図ａ，ｂのように圧電性基板
１として弾性体基板４およびこの上を覆うように
設けた圧電薄膜５から成る構造を用い、これらの
間に上記くし型電極の一方に相当する電極を下部
電極６として設け、上記圧電薄膜５上には共に上
記下部電極６に対向する位置に各電極幅Ｗおよび
間隔Ｌをλ／２に選ぶように、他方のくし型電極
に相当する上部電極７Ａ，７Ｂを設けるように構
成した、いわゆるシングルフエーズトランスジユ
ーサを設計することである。
１として弾性体基板４およびこの上を覆うように
設けた圧電薄膜５から成る構造を用い、これらの
間に上記くし型電極の一方に相当する電極を下部
電極６として設け、上記圧電薄膜５上には共に上
記下部電極６に対向する位置に各電極幅Ｗおよび
間隔Ｌをλ／２に選ぶように、他方のくし型電極
に相当する上部電極７Ａ，７Ｂを設けるように構
成した、いわゆるシングルフエーズトランスジユ
ーサを設計することである。
この構造によれば、トランスジユーサは正規型
電極とは異なつて、一つのくし型電極７Ａ又は７
Ｂから構成され、上部電極７Ａと下部電極６間に
信号源８を接続し上部電極７Ｂと下部電極６間の
負荷９端から電気信号を取り出すように動作させ
るので、電極がゴミやホコリ等によつて影響され
ることはなくなり、また加工技術の精度も上記の
場合より和らげられるので、製造歩留りの低下は
避けられる。
電極とは異なつて、一つのくし型電極７Ａ又は７
Ｂから構成され、上部電極７Ａと下部電極６間に
信号源８を接続し上部電極７Ｂと下部電極６間の
負荷９端から電気信号を取り出すように動作させ
るので、電極がゴミやホコリ等によつて影響され
ることはなくなり、また加工技術の精度も上記の
場合より和らげられるので、製造歩留りの低下は
避けられる。
しかしながら下部電極６（アース電位）に対し
て上部電極７Ａを正、負の２極で給電するよう
な、いわゆるバランス給電による駆動が不可能な
ために、電気信号が弾性表面波に変換されないで
入力から出力側に直接波として伝播されるような
入出力トランスジユーサ間の電磁的結合（フイー
ドスルー）が大きくなつてしまう。この結果上記
直接波と必要な弾性表面波とが混在することにな
り、フイルタ通過特性が劣化する。
て上部電極７Ａを正、負の２極で給電するよう
な、いわゆるバランス給電による駆動が不可能な
ために、電気信号が弾性表面波に変換されないで
入力から出力側に直接波として伝播されるような
入出力トランスジユーサ間の電磁的結合（フイー
ドスルー）が大きくなつてしまう。この結果上記
直接波と必要な弾性表面波とが混在することにな
り、フイルタ通過特性が劣化する。
その他の改善策は第４図のように、第３図の構
造においてバランス給電が可能となるように、上
記上部電極７Ａ，７Ｂに対向するようにその他の
上部電極８Ａ，８Ｂをピツチをλ／２ずらし、か
つスペースａを介して配置するように構成した、
いわゆるバランス形シングルフエーズトランスジ
ユーサを設計することである。
造においてバランス給電が可能となるように、上
記上部電極７Ａ，７Ｂに対向するようにその他の
上部電極８Ａ，８Ｂをピツチをλ／２ずらし、か
つスペースａを介して配置するように構成した、
いわゆるバランス形シングルフエーズトランスジ
ユーサを設計することである。
この構造によれば、上記上部電極７Ａ，７Ｂ間
に互いに位相が180°ずれた電気信号を給電して駆
動させることにより、フイードスルーを低減させ
ることができる。
に互いに位相が180°ずれた電気信号を給電して駆
動させることにより、フイードスルーを低減させ
ることができる。
しかしながら電極間に短絡防止用のスペースａ
を設けなければならないため、弾性表面波を発生
しないこのスペースａの存在により各電極によつ
て励振され同相となるべき弾性表面波S1，S2に波
面の乱れが生ずるようになる。
を設けなければならないため、弾性表面波を発生
しないこのスペースａの存在により各電極によつ
て励振され同相となるべき弾性表面波S1，S2に波
面の乱れが生ずるようになる。
本発明は、以上の問題に対処してなされたもの
で、圧電薄膜を介して下部電極と対向する位置に
設けられる上部電極を第１のくし型ダブル電極と
第２のくし型ダブル電極とにより構成することに
より、従来の欠点を除去するようにした弾性表面
波装置を提供することを目的とするものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
で、圧電薄膜を介して下部電極と対向する位置に
設けられる上部電極を第１のくし型ダブル電極と
第２のくし型ダブル電極とにより構成することに
より、従来の欠点を除去するようにした弾性表面
波装置を提供することを目的とするものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
第５図ａおよびｂ，ｃは本発明の実施例による
弾性表面波装置を示す平面図および断面図であ
る。
弾性表面波装置を示す平面図および断面図であ
る。
同図において、第１のダブル電極は入力用くし
型ダブル電極１０Ａ、および出力用くし型ダブル
電極１０Ｂから成り、第２のダブル電極は入力用
くし型ダブル電極１１Ａ、および出力用くし型ダ
ブル電極１１Ｂから構成される。更に上記入力用
くし型ダブル電極１０Ａ，１１Ａから成る入力用
トランスジユーサ２と、出力用くし型ダブル電極
１０Ｂ，１１Ｂから成る出力用トランスジユーサ
３とは、表面波の伝播方向で対向するように配置
され、上記第１のくし型ダブル電極１０Ａ，１０
Ｂおよび第２のくし型ダブル電極１１Ａ，１１Ｂ
とは共に圧電薄膜５を介して下部電極６に対向す
る位置に設けられる。また、第１のくし型ダブル
電極１０Ａ，１０Ｂと第２のくし型ダブル電極１
１Ａ，１１Ｂとは、表面波の伝播方向に直角方向
で対向しており、更に第１のくし型ダブル電極１
０Ａ，１０Ｂの電極指と第２のくし型ダブル電極
１１Ａ，１１Ｂの電極指とは、表面波の伝播方向
で交互に位置するように夫々ずれて配置されると
ともに、各指の先端部は同一線上に配置され、各
電極幅Ｗおよび間隔Ｌはλ／８に選ばれる。
型ダブル電極１０Ａ、および出力用くし型ダブル
電極１０Ｂから成り、第２のダブル電極は入力用
くし型ダブル電極１１Ａ、および出力用くし型ダ
ブル電極１１Ｂから構成される。更に上記入力用
くし型ダブル電極１０Ａ，１１Ａから成る入力用
トランスジユーサ２と、出力用くし型ダブル電極
１０Ｂ，１１Ｂから成る出力用トランスジユーサ
３とは、表面波の伝播方向で対向するように配置
され、上記第１のくし型ダブル電極１０Ａ，１０
Ｂおよび第２のくし型ダブル電極１１Ａ，１１Ｂ
とは共に圧電薄膜５を介して下部電極６に対向す
る位置に設けられる。また、第１のくし型ダブル
電極１０Ａ，１０Ｂと第２のくし型ダブル電極１
１Ａ，１１Ｂとは、表面波の伝播方向に直角方向
で対向しており、更に第１のくし型ダブル電極１
０Ａ，１０Ｂの電極指と第２のくし型ダブル電極
１１Ａ，１１Ｂの電極指とは、表面波の伝播方向
で交互に位置するように夫々ずれて配置されると
ともに、各指の先端部は同一線上に配置され、各
電極幅Ｗおよび間隔Ｌはλ／８に選ばれる。
以上の構成において、第５図のように上部電極
である第１のくし型ダブル電極１０Ａおよび第２
のくし型ダブル電極１１Ａと下部電極６間に180°
位相の異なる信号電圧を印加すれば、電界は上記
電極１０Ａ，１１Ａと下部電極６間に加わるの
で、各電極１０Ａ，１１Ａからはトランスジユー
サの長手方向に平行な波面を持つた弾性表面波
S1，S2が励起される。またトランスジユーサを構
成しているくし型電極はダブル電極１０Ａ，１０
Ｂ，１１Ａ，１１Ｂから成つているので、機械的
反射による影響は受けない。
である第１のくし型ダブル電極１０Ａおよび第２
のくし型ダブル電極１１Ａと下部電極６間に180°
位相の異なる信号電圧を印加すれば、電界は上記
電極１０Ａ，１１Ａと下部電極６間に加わるの
で、各電極１０Ａ，１１Ａからはトランスジユー
サの長手方向に平行な波面を持つた弾性表面波
S1，S2が励起される。またトランスジユーサを構
成しているくし型電極はダブル電極１０Ａ，１０
Ｂ，１１Ａ，１１Ｂから成つているので、機械的
反射による影響は受けない。
更にシングルフエーズトランスジユーサの利点
である短絡防止および製造歩留りの向上をそのま
ま活かすことができる。更にまたバランス給電方
式により信号電圧を加えるので、フイードスルー
を低減できると共に弾性表面波の波面の乱れを防
止することができる。
である短絡防止および製造歩留りの向上をそのま
ま活かすことができる。更にまたバランス給電方
式により信号電圧を加えるので、フイードスルー
を低減できると共に弾性表面波の波面の乱れを防
止することができる。
また、第５図のように、各電極幅Ｗをλ／８に
選ぶことにより、ダブル電極１０Ａ，１１Ａを構
成している各電極指の中心距離は、第６図のよう
にλ／４になるので、例え電極の存在する場所と
存在しない場所との比が１：１の関係をはずれて
も、機械的反射による影響は防止できる利点があ
る。したがつてダブル電極を製造する際のフオト
フアブリケーシヨン条件に余裕を持たせることが
できる。これらの利点は従来のシングルフエーズ
トランスジユーサでは得られないものである。
選ぶことにより、ダブル電極１０Ａ，１１Ａを構
成している各電極指の中心距離は、第６図のよう
にλ／４になるので、例え電極の存在する場所と
存在しない場所との比が１：１の関係をはずれて
も、機械的反射による影響は防止できる利点があ
る。したがつてダブル電極を製造する際のフオト
フアブリケーシヨン条件に余裕を持たせることが
できる。これらの利点は従来のシングルフエーズ
トランスジユーサでは得られないものである。
フイードスルーがあまり問題とならない場合
は、第７図のように上部電極はバランス形構成と
することなく、第１および第２のくし型ダブル電
極のいずれか一方のみを用いるようにすることが
できる。この場合も機械的反射による影響は防止
することができる。
は、第７図のように上部電極はバランス形構成と
することなく、第１および第２のくし型ダブル電
極のいずれか一方のみを用いるようにすることが
できる。この場合も機械的反射による影響は防止
することができる。
前記弾性体基板４としては、シリコン、ガリウ
ム砒素（GaAs）、SOS（Si−On−Sapphire）等の
半導体材料を用いることが、コスト上および特性
上の点で好ましく、この場合は半導体基板表面に
不純物ドープにより低抵抗部を設けて下部電極と
することができる。また本発明は特に高い周波数
を扱う弾性表面波デバイスに適用して効果的であ
るが、この場合、弾性体基板としては特性的に優
れたサフアイア又は水晶を用いることが望まし
い。
ム砒素（GaAs）、SOS（Si−On−Sapphire）等の
半導体材料を用いることが、コスト上および特性
上の点で好ましく、この場合は半導体基板表面に
不純物ドープにより低抵抗部を設けて下部電極と
することができる。また本発明は特に高い周波数
を扱う弾性表面波デバイスに適用して効果的であ
るが、この場合、弾性体基板としては特性的に優
れたサフアイア又は水晶を用いることが望まし
い。
前記圧電薄膜としては、電気機械結合係数が大
きいこと、絶縁破壊電圧が高いこと生産性が高い
こと等の条件を備えた材料が望ましく、ZnO（酸
化亜鉛）又はAlN（窒化アルミニウム）が最適で
ある。
きいこと、絶縁破壊電圧が高いこと生産性が高い
こと等の条件を備えた材料が望ましく、ZnO（酸
化亜鉛）又はAlN（窒化アルミニウム）が最適で
ある。
以上に説明して明らかなように、本発明によれ
ば、前記した従来の一方向性トランスジユーサの
問題点を解消して、機械的反射に原因する弾性表
面波の反射を確実に低減し得る一方向性トランス
ジユーサを備えた弾性表面波装置を実現すること
ができる。
ば、前記した従来の一方向性トランスジユーサの
問題点を解消して、機械的反射に原因する弾性表
面波の反射を確実に低減し得る一方向性トランス
ジユーサを備えた弾性表面波装置を実現すること
ができる。
第１図、第２図、第３図ａ、第４図および第３
図ｂはいずれも従来の弾性表面波装置を示す平面
図および断面図、第５図ａは本発明の一実施例を
示す弾性表面波装置の平面図、第５図ｂおよび第
５図ｃは第５図ａのＡ−A′線、Ｂ−B′線の各断
面図、第６図および第７図は電極部分の説明図で
ある。 ２……入力用トランスジユーサ、３……出力用
トランスジユーサ、４……弾性体基板、５……圧
電薄膜、６……下部電極、１０Ａ，１０Ｂ……第
１のくし型ダブル電極、１１Ａ，１１Ｂ……第２
のくし型ダブル電極。
図ｂはいずれも従来の弾性表面波装置を示す平面
図および断面図、第５図ａは本発明の一実施例を
示す弾性表面波装置の平面図、第５図ｂおよび第
５図ｃは第５図ａのＡ−A′線、Ｂ−B′線の各断
面図、第６図および第７図は電極部分の説明図で
ある。 ２……入力用トランスジユーサ、３……出力用
トランスジユーサ、４……弾性体基板、５……圧
電薄膜、６……下部電極、１０Ａ，１０Ｂ……第
１のくし型ダブル電極、１１Ａ，１１Ｂ……第２
のくし型ダブル電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 弾性体基板と、この弾性体基板上に設けられ
た下部電極と、この下部電極を覆うように設けら
れた圧電薄膜と、この圧電薄膜上の上記下部電極
に対向する位置に配置された第１のくし型ダブル
電極と、同様に上記圧電薄膜上の上記下部電極に
対向する位置であつて、弾性表面波の伝播方向に
対して直角方向で上記第１のくし型ダブル電極と
対向する位置に配置された第２のくし型ダブル電
極とを含み、上記第１のくし型ダブル電極の電極
指と上記第２のくし型ダブル電極指とは上記弾性
表面波の伝播方向でずれて配置されるとともに上
記第１のくし型ダブル電極の電極指先端と上記第
２のくし型ダブル電極指先端とは略一直線上に位
置づけされ、上記第１のくし型ダブル電極と第２
のくし型ダブル電極とは互いに180°位相の異なる
信号が供給されるように構成したことを特徴とす
る弾性表面波装置。 ２ 上記圧電薄膜上に設けられた第１のダブル電
極および第２のダブル電極が互いに交差しないよ
うに配置されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の弾性表面波装置。 ３ 上記第１のダブル電極および第２のダブル電
極が平面的に互いに対向するように配置されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性
表面波装置。 ４ 上記弾性体基板が半導体材料から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のい
ずれかに記載の弾性表面波装置。 ５ 上記半導体材料がシリコン、ガリウム砒素又
はSOSのいずれかから成ることを特徴とする特許
請求の範囲第４項記載の弾性表面波装置。 ６ 上記圧電薄膜が酸化亜鉛又は窒化アルミニウ
ムから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第５項のいずれかに記載の弾性表面波装
置。 ７ 上記弾性体基板がサフアイア又は水晶から成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項又は第６項のいずれかに記載の弾性表面波装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57096176A JPS58213519A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 弾性表面波装置 |
| US06/499,930 US4456847A (en) | 1982-06-07 | 1983-06-01 | Surface acoustic wave device |
| GB08315313A GB2122832B (en) | 1982-06-07 | 1983-06-03 | Surface acoustic wave device |
| DE3320567A DE3320567C2 (de) | 1982-06-07 | 1983-06-07 | SAW-Bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57096176A JPS58213519A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58213519A JPS58213519A (ja) | 1983-12-12 |
| JPH0353802B2 true JPH0353802B2 (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=14158012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57096176A Granted JPS58213519A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283686A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2847438B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-01-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JPH04343514A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| US5220234A (en) * | 1992-03-02 | 1993-06-15 | Hewlett-Packard Company | Shear transverse wave device having selective trapping of wave energy |
| US5498920A (en) * | 1993-05-18 | 1996-03-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Acoustic wave device and process for producing same |
| US6242844B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-06-05 | Cts Corporation | Wide-band single-phase unidirectional transducer |
| DE10010089A1 (de) * | 2000-03-02 | 2001-09-06 | Epcos Ag | Oberflächenwellenwandler mit optimierter Reflexion |
| GB2363012B (en) * | 2000-05-31 | 2002-08-07 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
| GB2363011B (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-17 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
| JP4407872B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2010-02-03 | 富士通株式会社 | タッチパネル装置 |
| US6640636B1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-04 | Kohji Toda | Ultrasound radiating and receiving device |
| JP2005117313A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Fujitsu Ltd | 圧電素子およびタッチパネル装置 |
| US20180329493A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Immersion Corporation | Microdot Actuators |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3401360A (en) * | 1963-07-19 | 1968-09-10 | Bell Telephone Labor Inc | Phased transducer arrays for elastic wave transmission |
| US3582837A (en) * | 1967-11-08 | 1971-06-01 | Zenith Radio Corp | Signal filter utilizing frequency-dependent variation of input impedance of one-port transducer |
| US3678305A (en) * | 1970-02-06 | 1972-07-18 | Aviat Supply Uk | Acoustic surface wave devices |
| US3723919A (en) * | 1972-03-20 | 1973-03-27 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave filters with reflection suppression |
| US3987376A (en) * | 1974-03-22 | 1976-10-19 | Hazeltine Corporation | Acoustic surface wave device with harmonic coupled transducers |
| US4037176A (en) * | 1975-03-18 | 1977-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device |
| US3938062A (en) * | 1975-04-10 | 1976-02-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | End fire surface wave piezoelectric transducer |
| US3955160A (en) * | 1975-04-30 | 1976-05-04 | Rca Corporation | Surface acoustic wave device |
| FR2345007A1 (fr) * | 1976-03-16 | 1977-10-14 | Thomson Csf | Dispositif acousto-electrique de traitement de signal par correlation ou convolution |
| US4162465A (en) * | 1977-09-14 | 1979-07-24 | University Of Illinois Foundation | Surface acoustic wave device with reflection suppression |
| FR2407610A1 (fr) * | 1977-10-25 | 1979-05-25 | Thomson Csf | Dispositif d'interaction a ondes magnetoelastiques de surface |
| DE2938542C2 (de) * | 1979-09-24 | 1984-10-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Signalzuführungsanordnung für ein Oberflächenwellen-Bauteil |
| JPS5687913A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface elastic wave element |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57096176A patent/JPS58213519A/ja active Granted
-
1983
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- 1983-06-03 GB GB08315313A patent/GB2122832B/en not_active Expired
- 1983-06-07 DE DE3320567A patent/DE3320567C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283686A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3320567A1 (de) | 1983-12-08 |
| DE3320567C2 (de) | 1994-06-23 |
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| US4456847A (en) | 1984-06-26 |
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