DE3320567A1 - Akustische oberflaechenwellen ausbildendes bauelement - Google Patents
Akustische oberflaechenwellen ausbildendes bauelementInfo
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Description
Akustische Oberflächenwellen ausbildendes Bauelement
Die Erfindung betrifft ein akustische Oberflächenwellen
ausbildendes Bauelement, bei dem die mechanische Reflexion der akustischen Oberflächenwelle vermindern ist.
Ein akustische Oberflächenwellen ausbildendes Bauelement, das hauptsächlich aus einem piezoelektrischen Substrat
aus einem piezoelektrischen einkristallinen Material, wie beispielsweise Quarz, einem piezoelektrischen
Keramikmaterial oder einer Kombination einer nicht piezoelektrischen Platte und einem piezoelektrischen Filmmaterial
besteht, das darauf aufgebracht ist, ist so ausgebildet, dass es ein elektrisches Signal in eine akustische Oberflächenwelle
mittels eines Wandlers umwandelt, der auf dem piezoelektrischen Substrat vorgesehen ist f und die akustische
Oberflächenwelle längs der Substratoberfläche wandern
lässt. Derartige Bauelemente werden gegenwärtig als Filter oder andere verschiedene elektronische Bauteile verwandt.
Fig. 1 der zugehörigen Zeichnung zeigt ein Filter als Beispiel eines elektronischen Bauteiles mit einem piezoelektrischen
Substrat 1, einem Eingangswandler 2 aus zwei ineinandergreifenden kammförmigen Elektroden 2A und 2B und
einem Ausgangswandler 3, der zwei· ineinandergreifende kammförmige
Elektroden 3A und 3B umfasst. Ein elektrisches Signal, das am Eingang IN liegt, wird in eine akustische
Oberflächenwelle mittels des Eingangswandlers 2 umgewandelt und läuft entlang der Oberfläche des piezoelektrischen
Substrates. 1, wie es durch einen Pfeil in Fig. 1 dargestellt ist. Wenn die akustische Oberflächenwelle den Ausgangswandler
3 erreicht, wird sie durch den Wandler 3 in ein
elektrisches Signal rückgewandelt und vom Ausgang OUT abgenommen. Die Wandler 2 und 3 sind sog. normierte Elektrodentypen,
bei denen jede Elektrodenstreifenbreite W und jeder Abstand L zwischen benachbarten Elektrodenstreifen der
Elektroden 2A, 2B, 3A und 3B gleich λ/4 ist, wenn die
Wellenlänge der Mittenfrequenz fß der akustischen Oberflächenwelle
gleich λ. ist.
Da das Filter mit Wandlern, die kammförmige Elektroden mit
der oben beschriebenen Abmessung umfassen, nicht frei von einer Liehrfachreflexion, d.h. vom Dreifachdurchgangsecho
TTE der akustischen Oberflächenwelle zwischen dem Eingangsund Ausgangswandler während deren Arbeitsvorgängen sein
kann, ist die Welle nach dem Durchgang durch das Filter in seiner Phase gestört, d.h. ist eine Welligkeit hervorgerufen
worden. Das ist für den Empfang beispielsweise von FM-Signalen unerwünscht.
Es gibt zwei Faktoren der Erzeugung der TTE-Störung. Einer der Faktoren ist die mechanische Reflexion der akustischen
Oberflächenwelle aufgrund des Unterschiedes zwischen der akustischen Impedanz in dem Bereich, in dem die kammförmigen
Elektroden angeordnet sind/ und der akustischen Impedanz
in dem Bereich, in dem keine Elektroden vorhanden sind. Der andere Faktor ist die elektrische Reflexion aufgrund der
Bidirektionaleigenschaft der Wandler, d.h. aufgrund der Eigenschaft, dass die Wandler akustische Oberflächenwellen
symmetrisch rechts und links übertragen oder empfangen können. Was die elektrische Reflexion anbetrifft, so kann ihr
Einfluss dadurch vermindert werden, dass absichtlich eine Fehl anpassung am Eingang und Ausgang der Wandler bewirkt wird
oder dass die Wandler durch ein Mehrphasen-Energieversorgungsverfahren
so geändert werden, dass sie einseitig gerichtet sind. Was die mechanische Reflexion jedoch anbetrifft, konnten
QC
unabhängig von den folgenden verschiedenen Versuchen zufriedenstellende Ergebnisse nicht erhalten werden.
Einer der Versuche besteht darin, die kammförmigen Elektroden
2A, 2B, 3A und 3B des Eingangs- und des Ausgangswandlers 2 und 3 durch Unterteilung jedes Streifens in
zwei Teile so auszulegen, dass die Breite W jedes geteilten Elektrodenstreifens und der Abstand L zwischen
den Streifen gleich Λ/8 jeweils ist, wie es in Fig. 2
dargestellt ist.
Da die Phasen der reflektierten Wellen an den jeweiligen Elektrodenenden sich um 180° voneinander unterscheiden,
d.h. die reflektierenden Wellen entgegengesetzte Phasen haben, heben sich bei diesem Aufbau die reflektierten
Wellen gegenseitig auf, wodurch gewiss unerwünschte Einflüsse durch die mechanische Reflexion vermindert werden.
Die Elektrodenstreifenbreite W und der Abstand L zwischen den Elektrodenstreifen muss jedoch gleich /L/8 sein, wobei
mit steigender Frequenz die Wellenlänge ,V kleiner wird.
Es ist daher eine extrem hohe Genauigkeit bei der Herstellung der Elektroden nach einem fotolithografischen Verfahren
notwendig, was zu einer niedrigeren Produktivität bei der Herstellung der Bauelemente führt.
Da weiterhin der Abstand zwischen den Elektrodenstreifen extrem klein ist, tritt leicht ein Kurzschluss zwischen
den Elektroden aufgrund von Staub oder anderen Teilchen auf, was eine Fehlfunktion des Bauelementes bewirkt.
Ein anderer Versuch besteht darin, einen Aufbau des piezoelektrischen Substrates 1 zu verwenden, der eine
Platte 4 aus einem elastischen Material und einen piezo-35
elektrischen Film 5 umfasst, der die Platte 4 überzieht, wie es in den Fig. 3A und 3B dargestellt ist. Eine plattenartige
untere Elektrode 6, die als eine der oben erwähnten kammförmigen Elektroden dient, ist zwischen der Platte
4 und dem piezoelektrischen Film 5 vorgesehen, wohingegen die oberen Elektroden 7A und 7B, die als die anderen Elektroden
dienen, auf dem piezoelektrischen Film 5 so vorgesehen sind, dass sie der unteren Elektrode 6 gegenüberliegen
und dass die Elektrodenstreifenbreite W und der Abstand L zwischen den jeweiligen Elektrodenstreifen gleich /\,/2 jeweils
ist. Dadurch ergibt sich ein Einphasenwandler.
Dieser Aufbau des Wandlers unterscheidet sich von einer normalisierten Elektrode und enthält nur eine kammförmige
Elektrode 7A oder 7B, so dass eine Signalquelle 8 zwischen die obere Elektrode 7A und die untere Elektrode 6 geschaltet
ist, um ein elektrisches Signal an einer Last 9 zwischen der oberen Elektrode 7B und der unteren Elektrode
6 abzunehmen. Schädliche Einflüsse auf die Elektroden durch Staub oder andere Teilchen werden daher vermieden,und die
Genauigkeit der Herstellung der Elektroden kann geringer als im früheren Fall sein, was die Produktivität der Herstellung
des Bauelementes verbessert.
Da jedoch dieser Aufbau es unmöglich macht, das Bauelement mit einer sog. symmetrischen Energieversorgung zu betreiben,
indem die obere Elektrode 7A mit Signalen versorgt wird, die elektrische Potentiale mit zwei Polaritäten
(positiv und negativ) bezüglich des Potentials (Massepotential) der unteren Elektrode 6 haben, wird die elektromagnetische
Kopplung (Durchführung) zwischen dem Eingangsund dem Ausgancjswandler sehr gross, bei der das elektrische
Signal nicht in eine akustische Oberflächenwelle umgewandelt wird und als direkte Welle vom Eingang zum Ausgang
wandert. Das hat zur Folge, dass die direkte Welle
und die notwendige akustische Oberflächenwelle gleichzeitig vorhanden sind, was die Filterwirkung verschlechtert.
Eine weitere Verbesserung besteht darin, einen sog. Einphasenwandler
vom Ausgleichstyp oder symmetrischen Typ auszubilden, bei dem weitere obere Elektroden 8A und 8B
den oberen Elektroden 7A und 7B mit einem Phasenunterschied von Λ/2 und einem Abstand a gegenüber angeordnet
sind, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, um eine symmetrische Energieversorgung bei dem Aufbau von Fig. 3 zu ermöglichen.
Dieser Aufbau erlaubt gewiss eine Verminderung der Durchführung,
indem Signale mit einem Phasenunterschied von 180° von einer Energiequelle 8 zwischen die oberen Elektroden
7A und 8A gelegt werden.
Da dieser Aufbau jedoch den Abstand a zwischen beiden Elektroden benötigt, um einen Kurzschluss zu verhindern,
werden die akustischen Oberflächenwellen S1 und S^, die als
Folge der Erregung durch die Elektroden dieselbe Phase haben müssen, in ihren Wellenformen aufgrund des Vorhandenseins
des Abstandes a gestört, der keine akustische Oberflächenwelle erzeugt.
Durch die Erfindung soll daher ein akustische Oberflächenwellen
ausbildendes Bauelement geschaffen werden, bei dem die mechanische Reflexion beseitigt ist.
Gemäss der Erfindung besteht die obere Elektrode, die einer
unteren Elektrode über einen piezoelektrischen Film gegenüberliegt, aus einer ersten Doppelelektrode und einer
zweiten Doppelelektrode.
In folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnung besonders
bevorzugte Ausführungsbeispicle der Erfindung näher beschrieben.
.6.
. Fig. 1f 2, zeigen Draufsichten auf herkömmliche,
3A u. 4 akutische Oberflächenwellen ausbildende
Bauelemente.
Fig. 3B .seigt eine Schnittansicht des herkömmlichen,
in Fig. 3A dargestellten akustische Oberflächenwellen ausbildenden Bauelementes.
Fig. 5A zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen,akustische
Oberflächenwellen ausbildenden Bauelementes.
Fig. 5B . zeigen Schnittansichten längs der Linie A-A1
und 5C und B-B1 in Fig. 5B jeweils.
Fig. 6 zeigt eine vergrösserte Teilansicht der
Elektrodenstreifen von Fig. 5A.
Fig. 7 zeigt eine Teilansicht einer Abwandlungsform der oberen Elektrode.
Die Fig. 5A, 5B und 5C zeigen eine Draufsicht und Schnittansichten
eines Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässe^ akustische Oberflächenwellen ausbildenden Bauelementes.
Ein Eingangswandler 2 und ein Ausgangswandler 3 umfassen jeweils eine erste Doppelelektrode 10A oder 1OB und eine
zweite Doppelelektrode 11A oder 11B, die beide in derselben Ebene und einander gegenüber, jedoch nicht ineinandergreifend
angeordnet sind. Die ersten Doppelelektroden 10A und 10B
und die zweiten Doppelelektroden 11A und 11B liegen einer
plattenförmigen unteren Elektrode 6 über einen piezoelektrischen
Film 5 gegenüber. Alle gegenüberliegenden Enden der Elektrodenstreifen der Doppelelektroden 10A, 10B, 11A und
11B sind in einer Linie zueinander ausgerichtet und jede
Elektrodenstreifenbreite W und jeder Abstand zwischen den
' ft'
Elektrodenstreifen ist gleich ^l/8 gewählt. Es ist weiterhin
ein Lastwiderstand 9 vorgesehen. Ein symmetrischer Energieversorgungstransformator T ist für eine symmetrische
Versorgung von Signalspannungen von einer Energiequelle
8 zu den Doppelelektroden 1OA und 11A des Eingangswandlers
2 vorgesehen.
Wenn bei einer derartigen Anordnung eine Signalspannung zwischen den oberen Elektroden (erste Doppelelektrode 10A
und zweite Doppelelektrode 11A) und der unteren Elektrode
6 liegt, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, um ein elektrisches Feld zwischen den oberen Elektroden 10A, 11A und der
unteren Elektrode 6 zu bilden, werden akustische Oberflächenwellen S* und Sy, die in Längsrichtung des Wandlers
parallel zueinander sind, durch die Elektroden 10A und 11A erzeugt. Da die kammförmigen Elektroden, die die Wandler
bilden, Doppelelektroden sind, die mit 10A, 10B, 11A und 11B bezeichnet sind, werden unerwünschte Einflüsse der
mechanischen Reflexion vermieden.
Bei dieser Anordnung werden die Vorteile des oben beschriebenen Einphasenwandlers, d.h. die Vermeidung eines Kurzschlusses
*ind die Verbesserung der Produktivität der Herstellung
des Bauelementes beibehalten. Da diese Anordnung das Anlegen von Signalspannungen über eine symmetrische
Energieversorgung erlaubt, ist es möglich, die Durchführung zu vermindern und die Wellenformen der akutischen Oberflächenwellen
ungestört zu halten.
Wenn die Elektrodenstreifenbreite W gleich 2-/8 ist, wie es
in Fig. 5A dargestellt ist, beträgt der Abstand zwischen den Mittellinien benachbarter Elektrodenstreifen E der
Doppelelektroden 10 und 11 Λ/4. Das gibt den Vorteil,
dass Einflüsse durch eine mechanische Reflexion selbst
- · ΖΊ
dann vermieden werden können, wenn jede Elektrodenstreifen- : breite und jeder Abstand zwischen benachbarten Elektrodenstreifen
ausserhalb der Proportion 1:1 liegen. Ein gewisses Mass an Ungenauigkeit der Fotoherstellung der
Doppelelektroden ist daher zulässig. Diesen Vorteil kann ein herkömmlicher Einphasenwandler nicht bieten.
Doppelelektroden ist daher zulässig. Diesen Vorteil kann ein herkömmlicher Einphasenwandler nicht bieten.
Wenn die Durchführung kein grosses Problem darstellt,
muss die obere Elektrode nicht vom symmetrischen Typ sein, und kann in der in Fig. 7 dargestellten Weise nur die
muss die obere Elektrode nicht vom symmetrischen Typ sein, und kann in der in Fig. 7 dargestellten Weise nur die
erste Doppelelektrode oder die zweite Elektrode verwandt werden. Diese Anordnung vermeidet gleichfalls wirksam Einflüsse
durch die mechanische Reflexion.
Das elastische Substrat 4 besteht vorzugsweise aus einem halbleitenden Material, wie Silicium, Galliumarsenid
(GaAs), Silicium-auf-Saphir SOS usw. in Hinblick auf die Produktionskosten und die Eigenschaften des Bauelementes. In diesem Fall kann ein Bereich mit niedrigem Widerstand längs der Unterfläche des Substrates durch Dotieren von Verunreinigungen gebildet werden, um ihn als untere Elektrode zu verwenden. Die erfindungsgemässe Ausbildung ist insbesondere dann effektiv, wenn das akustische Oberflächenwellen ausbildende Bauelement zur Verarbeitung von hochfrequenten Wellen verwandt wird. Das wird dadurch verstärkt, dass das elastische Substrat aus Saphir oder Quarz gebildet wird, die ausgezeichnete Eigenschaften haben.
(GaAs), Silicium-auf-Saphir SOS usw. in Hinblick auf die Produktionskosten und die Eigenschaften des Bauelementes. In diesem Fall kann ein Bereich mit niedrigem Widerstand längs der Unterfläche des Substrates durch Dotieren von Verunreinigungen gebildet werden, um ihn als untere Elektrode zu verwenden. Die erfindungsgemässe Ausbildung ist insbesondere dann effektiv, wenn das akustische Oberflächenwellen ausbildende Bauelement zur Verarbeitung von hochfrequenten Wellen verwandt wird. Das wird dadurch verstärkt, dass das elastische Substrat aus Saphir oder Quarz gebildet wird, die ausgezeichnete Eigenschaften haben.
Es ist bevorzugt, dass der piezoelektrische Film einen
grossen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, eine hohe dielektrische Durchbruchsspannung und eine hohe Produktivität hat. In diesem Zusammenhang ist ZnO (Zinkoxid) oder AlN (Aluminiumnidrid) empfehlenswert.
grossen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, eine hohe dielektrische Durchbruchsspannung und eine hohe Produktivität hat. In diesem Zusammenhang ist ZnO (Zinkoxid) oder AlN (Aluminiumnidrid) empfehlenswert.
Da gemäss der Erfindung obere Elektroden verwandt werden,
die der unteren Elektrode über den piezoelektrischen Film gegenüberliegen und erste und/oder zweite Doppelelektroden
umfassen, ist es in der aus der obigen Beschreibung ersichtlichen Weise möglich, die Reflexion
der akustischen Oberflächenwellen aufgrund der mechanischen Reflexion zu vermindern, wodurch alle Nachteile der
bekannten entsprechenden Bauelemente beseitigt sind.
Leersei te
Claims (10)
1. Akustische Oberflächenwellen ausbildendes Bauelement,
gekennzeichnet durch ein elastisches Substrat (4), eine untere Elektrodeneinrichtung (6), die auf dem
Substrat (4) vorgesehen ist/ einen piezoelektrischen Film (5), der so aufgebracht ist, dass er die untere Elektrodeneinrichtung
(6) überdeckt, und eine obere Elektrodeneinrichtung (10A, 10B, 11A, 11B), die aus wenigstens einer
Doppelelektrode besteht, die auf dem piezoelektrischen Film (5) vorgesehen ist und der unteren Elektrodeneinrichtung
(6) gegenüberliegt.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass die obere Elektrodeneinrichtmg
eine erste Doppelelektrode (10A, 11A) und eine zweite
Doppelelektrode (10B, 11b) umfasst, die einander gegenüber-
liegen und nicht ineinandergreifen.
3. Akustische Oberflächenwellen ausbildendes Filterelement,
gekennzeichnet durch ein elastisches Substrat (4) , eine untere Elektrodeneinrichtung (6), die
auf dem Substrat (4) vorgesehen ist, einen piezoelektrischen Film (5), der so aufgebracht ist, dass er die
untere Elektrodeneinrichtung (6) überdeckt und einen
Eingangswandler (1OA, 11A) und einen Ausgangswandler
untere Elektrodeneinrichtung (6) überdeckt und einen
Eingangswandler (1OA, 11A) und einen Ausgangswandler
(10B, HB)/die auf dem piezoelektrischen Film (5) der
unteren Elektrodeneinrichtung (6) gegenüber vorgesehen
sind, wobei die Wandler (10A, 11A, 10B, 11B) jeweils
eine erste und eine zweite Doppelelektrode umfassen und beide Doppelelektroden einander gegenüber und nicht ineinandergreifend angeordnet sind.
unteren Elektrodeneinrichtung (6) gegenüber vorgesehen
sind, wobei die Wandler (10A, 11A, 10B, 11B) jeweils
eine erste und eine zweite Doppelelektrode umfassen und beide Doppelelektroden einander gegenüber und nicht ineinandergreifend angeordnet sind.
4. Bauelement nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , dass jede Elektrodenstreifenbreite
(W) und jeder Abstand zwischen benachbarten
Elektrodenstreifen der Doppelelektroden (10A, 10B, 11A,
11B) 1/8 der Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle
betragen, die durch die Doppelelektroden (10A, 10B, 11A,
11B) jeweils erzeugt wird.
5. Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Eingangswandler (10A, 11A) mit
einer Signalspannungsquelle (8) über einen symmetrischen Energieversorgungstransformator verbunden ist.
6. Bauelement nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet , dass die untere Elektrodeneinrichtung
(6) ein Bereich mit niedrigem Widerstand ist,
der längs der Unterfläche des elastischen Substrates (4) vorgesehen ist.
der längs der Unterfläche des elastischen Substrates (4) vorgesehen ist.
7. Bauelement nach Anspruch 1 oder 3, dadurch g e -
kennzeichnet, dass das elastische Substrat (4)
aus einem halbleitenden Material besteht.
8. Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , dass das halbleitende Material Silicium,
Galliumarsenid (GaAs) oder Silicium-auf-Saphir (SOS) ist.
9. Bauelement nach Anspruch 1 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, dass der piezoelektrische Film (5) aus Zinkoxid oder Aluminiumnitrid besteht.
10. Bauelement nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet , dass das elastische Substrat
(4) aus Saphir oder Quarz besteht.
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3320567A1 true DE3320567A1 (de) | 1983-12-08 |
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---|---|---|---|
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GB (1) | GB2122832B (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2847438B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-01-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 弾性表面波素子 |
JPH04343514A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波素子 |
US5220234A (en) * | 1992-03-02 | 1993-06-15 | Hewlett-Packard Company | Shear transverse wave device having selective trapping of wave energy |
US5498920A (en) * | 1993-05-18 | 1996-03-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Acoustic wave device and process for producing same |
JP3237387B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2001-12-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波共振子フィルタ |
US6242844B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-06-05 | Cts Corporation | Wide-band single-phase unidirectional transducer |
DE10010089A1 (de) * | 2000-03-02 | 2001-09-06 | Epcos Ag | Oberflächenwellenwandler mit optimierter Reflexion |
GB2363012B (en) * | 2000-05-31 | 2002-08-07 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
GB2363011B (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-17 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
JP4407872B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2010-02-03 | 富士通株式会社 | タッチパネル装置 |
US6640636B1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-04 | Kohji Toda | Ultrasound radiating and receiving device |
JP2005117313A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Fujitsu Ltd | 圧電素子およびタッチパネル装置 |
US20180329493A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Immersion Corporation | Microdot Actuators |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582837A (en) * | 1967-11-08 | 1971-06-01 | Zenith Radio Corp | Signal filter utilizing frequency-dependent variation of input impedance of one-port transducer |
US3938062A (en) * | 1975-04-10 | 1976-02-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | End fire surface wave piezoelectric transducer |
US4124828A (en) * | 1976-03-16 | 1978-11-07 | Thomson-Csf | Surface wave device for treating signals |
DE2938542A1 (de) * | 1979-09-24 | 1981-03-26 | Siemens Ag | Oberflaechenwellen-bauteil |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3401360A (en) * | 1963-07-19 | 1968-09-10 | Bell Telephone Labor Inc | Phased transducer arrays for elastic wave transmission |
US3678305A (en) * | 1970-02-06 | 1972-07-18 | Aviat Supply Uk | Acoustic surface wave devices |
US3723919A (en) * | 1972-03-20 | 1973-03-27 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave filters with reflection suppression |
US3987376A (en) * | 1974-03-22 | 1976-10-19 | Hazeltine Corporation | Acoustic surface wave device with harmonic coupled transducers |
US4037176A (en) * | 1975-03-18 | 1977-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device |
US3955160A (en) * | 1975-04-30 | 1976-05-04 | Rca Corporation | Surface acoustic wave device |
US4162465A (en) * | 1977-09-14 | 1979-07-24 | University Of Illinois Foundation | Surface acoustic wave device with reflection suppression |
FR2407610A1 (fr) * | 1977-10-25 | 1979-05-25 | Thomson Csf | Dispositif d'interaction a ondes magnetoelastiques de surface |
JPS5687913A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface elastic wave element |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57096176A patent/JPS58213519A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-01 US US06/499,930 patent/US4456847A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-06-03 GB GB08315313A patent/GB2122832B/en not_active Expired
- 1983-06-07 DE DE3320567A patent/DE3320567C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582837A (en) * | 1967-11-08 | 1971-06-01 | Zenith Radio Corp | Signal filter utilizing frequency-dependent variation of input impedance of one-port transducer |
US3938062A (en) * | 1975-04-10 | 1976-02-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | End fire surface wave piezoelectric transducer |
US4124828A (en) * | 1976-03-16 | 1978-11-07 | Thomson-Csf | Surface wave device for treating signals |
DE2938542A1 (de) * | 1979-09-24 | 1981-03-26 | Siemens Ag | Oberflaechenwellen-bauteil |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MATTHEWS Herbert, Surface Wave Filters, John Wiley & Sons, 1977, S. 276-278, 353, 357, ISBN 0-471-58030-9 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3320567C2 (de) | 1994-06-23 |
GB2122832B (en) | 1986-02-26 |
GB8315313D0 (en) | 1983-07-06 |
JPH0353802B2 (de) | 1991-08-16 |
JPS58213519A (ja) | 1983-12-12 |
GB2122832A (en) | 1984-01-18 |
US4456847A (en) | 1984-06-26 |
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---|---|---|
DE2521290A1 (de) | Oberflaechenwellenresonatorvorrichtung | |
WO2000076065A1 (de) | Akustisches oberflächenwellenfilter | |
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