JP3189397B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波コンボル
バ等の弾性表面波装置に関するものである。
バ等の弾性表面波装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、「ＺｎＯ／Ｓｉ ＳＡＷ コン
ボルバ」（著者：皆川、坪内、御子柴、掲載雑誌：電子
情報通信学会、スペクトル拡散通信研究会、１９８７年
８月、資料番号ＳＳ８７−１８、第４頁）に記載されて
いる従来のこの種の弾性表面波装置を示す構成図であ
る。
ボルバ」（著者：皆川、坪内、御子柴、掲載雑誌：電子
情報通信学会、スペクトル拡散通信研究会、１９８７年
８月、資料番号ＳＳ８７−１８、第４頁）に記載されて
いる従来のこの種の弾性表面波装置を示す構成図であ
る。
【０００３】図８において、１は半導体基板、２は絶縁
体薄膜、３は圧電体薄膜であり、それぞれ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＺｎＯが使用されている。４および５は入力トラ
ンスデューサ、６は出力ゲート電極、７は接地電極であ
る。
体薄膜、３は圧電体薄膜であり、それぞれ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＺｎＯが使用されている。４および５は入力トラ
ンスデューサ、６は出力ゲート電極、７は接地電極であ
る。
【０００４】次に、図８に示した従来の弾性表面波装置
の動作について説明する。入力トランスデューサ４およ
び入力トランスデューサ５に、それぞれ、角周波数ωの
電気信号を入力する。これらの電気信号は、それぞれ、
入力トランスデューサ４および５により、角周波数ωの
弾性表面波に変換される。これらの弾性表面波は、それ
ぞれ、出力ゲート電極６に向かって伝搬する。出力ゲー
ト電極６に到達した弾性表面波が互いにすれちがった
際、半導体の非線形作用により、これらの弾性表面波の
積の信号、すなわち、角周波数２ωの信号が生じる。こ
の角周波数２ωの信号は、出力ゲート電極６と接地電極
７との間に電流として流れ、出力ゲート電極６により空
間的に積分され、出力ゲート電極６から電気信号として
出力される。この出力電気信号は、入力トランスデュー
サ４および入力トランスデューサ５に、それぞれ、入力
された２つの電気信号のコンボリューションになってい
る。
の動作について説明する。入力トランスデューサ４およ
び入力トランスデューサ５に、それぞれ、角周波数ωの
電気信号を入力する。これらの電気信号は、それぞれ、
入力トランスデューサ４および５により、角周波数ωの
弾性表面波に変換される。これらの弾性表面波は、それ
ぞれ、出力ゲート電極６に向かって伝搬する。出力ゲー
ト電極６に到達した弾性表面波が互いにすれちがった
際、半導体の非線形作用により、これらの弾性表面波の
積の信号、すなわち、角周波数２ωの信号が生じる。こ
の角周波数２ωの信号は、出力ゲート電極６と接地電極
７との間に電流として流れ、出力ゲート電極６により空
間的に積分され、出力ゲート電極６から電気信号として
出力される。この出力電気信号は、入力トランスデュー
サ４および入力トランスデューサ５に、それぞれ、入力
された２つの電気信号のコンボリューションになってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、図８
に示した従来の弾性表面波装置では、角周波数２ωの電
流が、出力ゲート電極６と接地電極７との間に流れて、
空間的に加算されて出力ゲート電極６からコンボリュー
ション出力として取り出されているが、半導体基板１の
一定の厚さの基板としていたため、Ｓｉ半導体基板１と
ＳｉＯ2 絶縁体薄膜２との境界から接地電極７までへの
距離が長く、Ｓｉ半導体基板１の上記距離に比例するバ
ルク抵抗が大きい。したがって、この抵抗で消費される
電力が大きくなり、効率が悪いという問題点があった。
に示した従来の弾性表面波装置では、角周波数２ωの電
流が、出力ゲート電極６と接地電極７との間に流れて、
空間的に加算されて出力ゲート電極６からコンボリュー
ション出力として取り出されているが、半導体基板１の
一定の厚さの基板としていたため、Ｓｉ半導体基板１と
ＳｉＯ2 絶縁体薄膜２との境界から接地電極７までへの
距離が長く、Ｓｉ半導体基板１の上記距離に比例するバ
ルク抵抗が大きい。したがって、この抵抗で消費される
電力が大きくなり、効率が悪いという問題点があった。
【０００６】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、効率の高い弾性表面波装置を得る
ことを目的としたものである。
なされたものであり、効率の高い弾性表面波装置を得る
ことを目的としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係わる
弾性表面波装置は、半導体基板の一方の側に形成された
圧電体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互い
に逆向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対
向させて設けられた少なくとも一対の入力トランスデュ
ーサと、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向
きに進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極
と、上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地
電極とを備えた弾性表面波装置において、上記半導体基
板の上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の
厚さを他の部分より少なくとも薄くし、半導体基板のバ
ルク抵抗を下げたものである。
弾性表面波装置は、半導体基板の一方の側に形成された
圧電体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互い
に逆向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対
向させて設けられた少なくとも一対の入力トランスデュ
ーサと、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向
きに進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極
と、上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地
電極とを備えた弾性表面波装置において、上記半導体基
板の上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の
厚さを他の部分より少なくとも薄くし、半導体基板のバ
ルク抵抗を下げたものである。
【０００８】請求項２の発明に係わる弾性表面波装置
は、半導体基板の一方向の側に形成された圧電体層と、
それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆向きに進
行して伝搬するように上記圧電体層上に対向させて設け
られた少なくとも一対の入力トランスデューサと、上記
圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに進行して
伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、上記半導
体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極とを備え
た弾性表面波装置において、上記半導体基板の少なくと
も上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の厚
さを薄くし、上記接地電極を少なくとも上記半導体基板
の上記薄くした部分を埋めるように上記半導体基板の他
方の側の面上に設け、上記半導体基板を補強したもので
ある。
は、半導体基板の一方向の側に形成された圧電体層と、
それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆向きに進
行して伝搬するように上記圧電体層上に対向させて設け
られた少なくとも一対の入力トランスデューサと、上記
圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに進行して
伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、上記半導
体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極とを備え
た弾性表面波装置において、上記半導体基板の少なくと
も上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の厚
さを薄くし、上記接地電極を少なくとも上記半導体基板
の上記薄くした部分を埋めるように上記半導体基板の他
方の側の面上に設け、上記半導体基板を補強したもので
ある。
【０００９】請求項３の発明に係わる弾性表面波装置
は、半導体基板の一方の側に形成された圧電体層と、そ
れぞれから励振された弾性表面波が互いに逆向きに進行
して伝搬するように上記圧電体層上に対向させて設けら
れた少なくとも一対の入力トランスデューサと、上記圧
電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝
搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、上記半導体
基板の他方の側の面上に設けられた接地電極とを備えた
弾性表面波装置において、上記接地電極の放熱面を凹凸
状にしたものである。
は、半導体基板の一方の側に形成された圧電体層と、そ
れぞれから励振された弾性表面波が互いに逆向きに進行
して伝搬するように上記圧電体層上に対向させて設けら
れた少なくとも一対の入力トランスデューサと、上記圧
電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝
搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、上記半導体
基板の他方の側の面上に設けられた接地電極とを備えた
弾性表面波装置において、上記接地電極の放熱面を凹凸
状にしたものである。
【００１０】
【作用】請求項１の発明によれば、出力ゲート電極を設
けた領域に対応する位置の半導体基板の厚さを薄くした
ので、出力ゲート電極から接地電極までの半導体基板内
の信号伝搬距離が短くなるため、半導体基板のバルク抵
抗が小さくなる。したがって、半導体基板による消費電
力が小さくなり効率を高くできる。
けた領域に対応する位置の半導体基板の厚さを薄くした
ので、出力ゲート電極から接地電極までの半導体基板内
の信号伝搬距離が短くなるため、半導体基板のバルク抵
抗が小さくなる。したがって、半導体基板による消費電
力が小さくなり効率を高くできる。
【００１１】請求項２の発明によれば、接地電極を少な
くとも半導体基板の薄くした部分を埋めるように設けた
ので、弾性表面波装置の機械的強度を向上できる。
くとも半導体基板の薄くした部分を埋めるように設けた
ので、弾性表面波装置の機械的強度を向上できる。
【００１２】請求項３の発明によれば、接地電極の放熱
面を凹凸状にしたので、接地電極の表面積を大きくで
き、放熱性が優れており、温度特性に優れた弾性表面波
装置を実現する。
面を凹凸状にしたので、接地電極の表面積を大きくで
き、放熱性が優れており、温度特性に優れた弾性表面波
装置を実現する。
【００１３】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す
構成図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１
（ａ）におけるＡＡ´断面図である。なお、ここでは、
従来例同様のＺｎＯ／Ｓｉモノリシック構造のものを示
す。図において、１は半導体基板、２は絶縁体薄膜、３
は半導体基板１の一方の側に形成された圧電体層である
圧電体薄膜、４および５は一対の入力トランスデュー
サ、６は出力ゲート電極、７は接地電極である。この実
施例においては、図８に示した従来の弾性表面波コンボ
ルバと同様に、半導体基板１の表面に絶縁体薄膜２を形
成し、絶縁体薄膜２の表面に圧電体薄膜３を形成し、圧
電体薄膜３の表面に、入力トランスデューサ４および
５、出力ゲート電極６を設け、半導体基板１の裏面に接
地電極７を設けている。
構成図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１
（ａ）におけるＡＡ´断面図である。なお、ここでは、
従来例同様のＺｎＯ／Ｓｉモノリシック構造のものを示
す。図において、１は半導体基板、２は絶縁体薄膜、３
は半導体基板１の一方の側に形成された圧電体層である
圧電体薄膜、４および５は一対の入力トランスデュー
サ、６は出力ゲート電極、７は接地電極である。この実
施例においては、図８に示した従来の弾性表面波コンボ
ルバと同様に、半導体基板１の表面に絶縁体薄膜２を形
成し、絶縁体薄膜２の表面に圧電体薄膜３を形成し、圧
電体薄膜３の表面に、入力トランスデューサ４および
５、出力ゲート電極６を設け、半導体基板１の裏面に接
地電極７を設けている。
【００１４】しかし、上記実施例では、図８に示した従
来の弾性表面波装置とは異なり、半導体基板１の厚さ
を、出力ゲート電極６を設けた領域の下部では、他の領
域に比べ薄くしている。
来の弾性表面波装置とは異なり、半導体基板１の厚さ
を、出力ゲート電極６を設けた領域の下部では、他の領
域に比べ薄くしている。
【００１５】次に、動作について説明する。入力トラン
スデューサ４および入力トランスデューサ５に、それぞ
れ、角周波数ωの電気信号を入力すると、これらの電気
信号は、それぞれ、入力トランスデューサ４および５に
より弾性表面波に変換されて、それぞれ、出力ゲート電
極６に向かって伝搬する。出力ゲート電極６に到達した
弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝搬する。
スデューサ４および入力トランスデューサ５に、それぞ
れ、角周波数ωの電気信号を入力すると、これらの電気
信号は、それぞれ、入力トランスデューサ４および５に
より弾性表面波に変換されて、それぞれ、出力ゲート電
極６に向かって伝搬する。出力ゲート電極６に到達した
弾性表面波が互いに逆向きに進行して伝搬する。
【００１６】出力ゲート電極６を設けた領域では、金属
（出力ゲート電極６）／絶縁体（ＺｎＯ）／絶縁体（Ｓ
ｉＯ2 ）／半導体（Ｓｉ）という、いわゆるＭＩＳ（Ｍ
ｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）構造となっている。したがって、出力ゲート電
極６に直流バイアスを印加すると、この直流ポテンシャ
ルと、出力ゲート電極６に向かって伝搬してきた弾性表
面波の交流ポテンシャルによって、ＳｉＯ2 絶縁体薄膜
２に接するＳｉ半導体基板１中に空乏層が形成され、空
間電荷が形成される。このとき、空間電荷の弾性表面波
の交流ポテンシャルに対する非線形性により、２つの弾
性表面波信号の積の成分、すなわち、角周波数２ωの電
流信号が生じる。
（出力ゲート電極６）／絶縁体（ＺｎＯ）／絶縁体（Ｓ
ｉＯ2 ）／半導体（Ｓｉ）という、いわゆるＭＩＳ（Ｍ
ｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）構造となっている。したがって、出力ゲート電
極６に直流バイアスを印加すると、この直流ポテンシャ
ルと、出力ゲート電極６に向かって伝搬してきた弾性表
面波の交流ポテンシャルによって、ＳｉＯ2 絶縁体薄膜
２に接するＳｉ半導体基板１中に空乏層が形成され、空
間電荷が形成される。このとき、空間電荷の弾性表面波
の交流ポテンシャルに対する非線形性により、２つの弾
性表面波信号の積の成分、すなわち、角周波数２ωの電
流信号が生じる。
【００１７】この角周波数２ωの信号は、出力ゲート電
極６により空間的に積分され、入力トランスデューサ４
および入力トランスデューサ５にそれぞれ入力された２
つの電気信号のコンボリューションとして出力ゲート電
極６から出力される。
極６により空間的に積分され、入力トランスデューサ４
および入力トランスデューサ５にそれぞれ入力された２
つの電気信号のコンボリューションとして出力ゲート電
極６から出力される。
【００１８】この弾性表面波装置では、上述したよう
に、半導体基板１の厚さを、出力ゲート電極６を設けた
領域の下部では、他の領域に比べ薄くしている。したが
って、Ｓｉ半導体基板とＳｉＯ2 絶縁体薄膜との境界面
から接地電極７までへの距離が従来に比べて短くなる。
このため、Ｓｉ半導体基板の上記距離に比例するバルク
抵抗が小さくなる。したがって、Ｓｉ半導体基板中の空
間電荷の時間変化で与えられる角周波数２ωの電流の上
記バルク抵抗による消費電力は、従来に比べ小さくで
き、従来に比べ効率を高くできる効果がある。
に、半導体基板１の厚さを、出力ゲート電極６を設けた
領域の下部では、他の領域に比べ薄くしている。したが
って、Ｓｉ半導体基板とＳｉＯ2 絶縁体薄膜との境界面
から接地電極７までへの距離が従来に比べて短くなる。
このため、Ｓｉ半導体基板の上記距離に比例するバルク
抵抗が小さくなる。したがって、Ｓｉ半導体基板中の空
間電荷の時間変化で与えられる角周波数２ωの電流の上
記バルク抵抗による消費電力は、従来に比べ小さくで
き、従来に比べ効率を高くできる効果がある。
【００１９】なお、上記実施例においては、半導体基板
１の出力ゲート電極６を設けた領域の下部のみに穴を設
けて他の領域に比べ薄くして構成した場合を示したが、
これに限らず、図２に示すように半導体基板１の出力ゲ
ート電極６を設けた領域の下部にトンネル状の溝を設け
たもの、または、図３に断面図で示すように半導体基板
１の全部を薄くしたものでも上記実施例と同様の効果を
奏する。
１の出力ゲート電極６を設けた領域の下部のみに穴を設
けて他の領域に比べ薄くして構成した場合を示したが、
これに限らず、図２に示すように半導体基板１の出力ゲ
ート電極６を設けた領域の下部にトンネル状の溝を設け
たもの、または、図３に断面図で示すように半導体基板
１の全部を薄くしたものでも上記実施例と同様の効果を
奏する。
【００２０】実施例２．図４および図５はこの発明の他
の実施例の断面図である。図４および図５に示す実施例
では、上述した図１、図２、および図３において、半導
体基板１を薄くした部分を、接地電極７で埋めた構成で
ある。その他の構成は同一である。
の実施例の断面図である。図４および図５に示す実施例
では、上述した図１、図２、および図３において、半導
体基板１を薄くした部分を、接地電極７で埋めた構成で
ある。その他の構成は同一である。
【００２１】動作は実施例１と同一であり、省略する。
【００２２】次に上述した実施例２の効果について説明
する。実施例２の動作は実施例１と同一であり、実施例
１と同様に高い効率が得られる効果がある。さらに実施
例２では、半導体基板１を薄くした部分を、接地電極７
で埋めた構成としたので、実施例１にくらべ、弾性表面
波装置全体の機械的強度を向上できる効果がある。さら
に、接地電極７の材料には通常金属を用いるので、放熱
性に優れた弾性表面波装置を得られる効果もある。
する。実施例２の動作は実施例１と同一であり、実施例
１と同様に高い効率が得られる効果がある。さらに実施
例２では、半導体基板１を薄くした部分を、接地電極７
で埋めた構成としたので、実施例１にくらべ、弾性表面
波装置全体の機械的強度を向上できる効果がある。さら
に、接地電極７の材料には通常金属を用いるので、放熱
性に優れた弾性表面波装置を得られる効果もある。
【００２３】実施例３．図６にこの発明のさらに他の実
施例の斜視図を示す。実施例３においては、半導体薄膜
８の表面に絶縁体薄膜２を設けた構成になっている。さ
らに、接地電極７の厚さを、出力ゲート電極６を設けた
領域の下部で、他の領域に比べ薄くしている。その他の
構成は図１と同一である。
施例の斜視図を示す。実施例３においては、半導体薄膜
８の表面に絶縁体薄膜２を設けた構成になっている。さ
らに、接地電極７の厚さを、出力ゲート電極６を設けた
領域の下部で、他の領域に比べ薄くしている。その他の
構成は図１と同一である。
【００２４】動作は実施例１と同一であり、省略する。
【００２５】次に、上述した実施例３の効果について説
明する。実施例３の動作は実施例１と同一であり、実施
例１と同様に高い効率が得られる効果がある。さらに実
施例３では、接地電極７の表面積を大きくしているの
で、放熱性が優れており、温度特性に優れた弾性表面波
装置を得られる効果がある。
明する。実施例３の動作は実施例１と同一であり、実施
例１と同様に高い効率が得られる効果がある。さらに実
施例３では、接地電極７の表面積を大きくしているの
で、放熱性が優れており、温度特性に優れた弾性表面波
装置を得られる効果がある。
【００２６】なお、図６に示した実施例３では、接地電
極７の厚さを、出力ゲート電極６を設けた領域の下部で
のみ、他の領域に比べ薄くした場合を示したが、これに
限らず、図７に示すように接地電極７に複数の凹凸を設
けたもの、または、図１の構成でも良く、表面積をより
増やしてやれば、さらに優れた放熱効果を得ることがで
きる。
極７の厚さを、出力ゲート電極６を設けた領域の下部で
のみ、他の領域に比べ薄くした場合を示したが、これに
限らず、図７に示すように接地電極７に複数の凹凸を設
けたもの、または、図１の構成でも良く、表面積をより
増やしてやれば、さらに優れた放熱効果を得ることがで
きる。
【００２７】なお、上述した実施例１、実施例２、およ
び実施例３において、半導体基板および半導体薄膜に放
熱効果の大きいダイヤモンドを用いても構わない。
び実施例３において、半導体基板および半導体薄膜に放
熱効果の大きいダイヤモンドを用いても構わない。
【００２８】また、上述した実施例１、実施例２、およ
び実施例３において、圧電体薄膜３の表面にコーティン
グ膜を設けた場合について適用しても構わない。
び実施例３において、圧電体薄膜３の表面にコーティン
グ膜を設けた場合について適用しても構わない。
【００２９】また、この発明は、基本伝搬モード、高次
伝搬モードのいずれの弾性表面波モードを使用する弾性
表面波装置に適用しても構わない。
伝搬モードのいずれの弾性表面波モードを使用する弾性
表面波装置に適用しても構わない。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１の発明
によれば、出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置
の半導体基板の厚さを薄くし、半導体基板のバルク抵抗
を下げたので、半導体基板による消費電力が小さくな
り、弾性表面装置の効率を高くすることができる。
によれば、出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置
の半導体基板の厚さを薄くし、半導体基板のバルク抵抗
を下げたので、半導体基板による消費電力が小さくな
り、弾性表面装置の効率を高くすることができる。
【００３１】また、請求項２の発明によれば、接地電極
を少なくとも半導体基板の薄くした部分を埋めるように
設けたので、弾性表面波装置の機械的強度を向上でき
る。
を少なくとも半導体基板の薄くした部分を埋めるように
設けたので、弾性表面波装置の機械的強度を向上でき
る。
【００３２】さらに、請求項３の発明によれば、接地電
極の放熱面を凹凸状にしたので、接地電極の表面積を大
きくでき、放熱性が優れており、温度特性に優れた弾性
表面波装置を得ることができる。
極の放熱面を凹凸状にしたので、接地電極の表面積を大
きくでき、放熱性が優れており、温度特性に優れた弾性
表面波装置を得ることができる。
【図１】この発明の実施例１を示す構成図である。
【図２】この発明の実施例１の変形例を示す構成図であ
る。
る。
【図３】この発明の実施例１の変形例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】この発明の実施例２を示す断面図である。
【図５】この発明の実施例２の変形例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】この発明の実施例３を示す斜視図である。
【図７】この発明の実施例３の変形例を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】従来の弾性表面波装置を示す斜視図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁体薄膜 ３ 圧電体薄膜 ４、５ 入力トランスデューサ ６ 出力ゲート電極 ７ 接地電極 ８ 半導体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永塚 勉 鎌倉市大船五丁目１番１号 三菱電機株 式会社 電子システム研究所内 (56)参考文献 ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＳＯＮＩＣＳ ＡＮＤ ＵＬＴ ＲＡＳＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ．ＳＵ−22, ＮＯ．１，ＪＡＮＵＡＲＹ 1977，ｐ. 34−43 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/72 H03H 9/25 H03H 9/76
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の側に形成された圧電
体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆
向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対向さ
せて設けられた少なくとも一対の入力トランスデューサ
と、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに
進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、
上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極
とを備えた弾性表面波装置において、上記半導体基板の
上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する位置の厚さ
を他の部分より少なくとも薄くし、半導体基板のバルク
抵抗を下げたことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 半導体基板の一方の側に形成された圧電
体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆
向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対向さ
せて設けられた少なくとも一対の入力トランスデューサ
と、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに
進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、
上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極
とを備えた弾性表面波装置において、上記半導体基板の
少なくとも上記出力ゲート電極を設けた領域に対応する
位置の厚さを薄くし、上記接地電極を少なくとも上記半
導体基板の上記薄くした部分を埋めるように上記半導体
基板の他方の側の面上に設け、上記半導体基板を補強し
たことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項３】 半導体基板の一方の側に形成された圧電
体層と、それぞれから励振された弾性表面波が互いに逆
向きに進行して伝搬するように上記圧電体層上に対向さ
せて設けられた少なくとも一対の入力トランスデューサ
と、上記圧電体層上の上記弾性表面波が互いに逆向きに
進行して伝搬する領域に設けられた出力ゲート電極と、
上記半導体基板の他方の側の面上に設けられた接地電極
とを備えた弾性表面波装置において、上記接地電極の放
熱面を凹凸状にしたことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18522992A JP3189397B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18522992A JP3189397B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629781A JPH0629781A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3189397B2 true JP3189397B2 (ja) | 2001-07-16 |
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ID=16167140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18522992A Expired - Fee Related JP3189397B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189397B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5891198B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2016-03-22 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | アンテナ共用器およびこれを用いた電子機器 |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP18522992A patent/JP3189397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＳＯＮＩＣＳ ＡＮＤ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ．ＳＵ−２２，ＮＯ．１，ＪＡＮＵＡＲＹ １９７７，ｐ．３４−４３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629781A (ja) | 1994-02-04 |
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