JPH02230645A - 蒸発源 - Google Patents

蒸発源

Info

Publication number
JPH02230645A
JPH02230645A JP5057989A JP5057989A JPH02230645A JP H02230645 A JPH02230645 A JP H02230645A JP 5057989 A JP5057989 A JP 5057989A JP 5057989 A JP5057989 A JP 5057989A JP H02230645 A JPH02230645 A JP H02230645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
oven
heater
sample
ion source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5057989A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Matsunaga
幸二 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP5057989A priority Critical patent/JPH02230645A/ja
Publication of JPH02230645A publication Critical patent/JPH02230645A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (7)技術分野 この発明は、常温で固体又は液体である物質を蒸発させ
るための蒸発源に関する。
イオン注入装置、イオン照射装置、イオン蒸着装置など
には、イオン源が必要である。
従来、イオン源でイオン化される物質は、常温で気体に
なるものを用いていた。気体物質をイオン源チャンバに
導入して、アーク放電、グロー放電、或はマイクロ波放
電などによって励起し、気体をイオンと、電子及び中性
活性種にしていた。
このような気体物質として、H2、02、Ar,Neな
どの単一成分ガス、CF4、CCl2F4などのハロゲ
ン系ガス、S xH4、PH3、CO,CO2などの水
素化物、酸化物ガスなどがある。気体でもれば、どのよ
うなものでも、イオン化することは可能である。
常温で気体であるので、真空チャンパの中にこれら気体
を導入し、放電で励起できるからである。
励起が可能であるため、遊離した電子が或る程度の平均
自由行程を持たなければならない。液体、固体では電子
が自由に走行できないので、プラズマ励起することがで
きない。
(イ)従来技術 常温で固体又は液体である元素のものをイオン化する場
合、たとえば、金属イオンを作るときには、この金属を
含む化合物で気体である甑のを原料ガスとしてイオン源
に導き、これをイオン化する。Siのイオンを得るため
には、S I H4ガスを原料として、これをイオン化
して、Si+を得る、という具合である。
しかし、どのような物質でも、常温で気体になる化合物
を作るとは限らない。
そこで、常温で固体或は液体であるものをイオン化する
イオン源が必要になるであろう。
常温で固体又は液体であるものをイオン化するには、ま
ず固体、液体原料を加熱して蒸発させ、気体にすればよ
い。気体になれば、これをイオン源チャンバに導いて、
放電によってこれをプラズマ化することができる。
そこで、本発明者らは、第2図に示すような蒸発源を考
えた。これは、固体又は液体原料を加熱して蒸発させる
機構である。
イオン源チャンバ1の下方に、オーブンチャンバ2が設
けられ、これらは連絡管部16によって接続されている
。オーブンチャンバ2の中にオーブン3が収容されてい
る。オーブン3は開蓋することができ、内部に固体又は
液体の試料6を入れる。オーブンチャンバ2の内部で、
オーブン3の外部にヒータγがある。電流導入端子8を
介し、ヒータ7に電流を流すことができる。
オーブン3の蓋の上には導入管4が上方に向って取付け
られる。導入管4の上端は拡開されたバツフル5となっ
ている。
ヒータ7に通電すると、オーブン3の中の試料6が加熱
される。適当な温度に到達すると、試料が蒸発を始める
。気体となった試料が導入管4、バツフル5を通り、イ
オン源チャンバ1に導入される。イオン源チャンパ1で
は、放電のための電極(図示せず)或はマイクロ波導入
窓などがあり、これら励起エネルギー源の作用によって
、気体である試料がプラズマ化される。
イオン源チャンバに於けるプラズマ化作用は、多様な方
法によってなされる。パケット型イオン源、カウフマン
型イオン源,ECR型イオン源などがある。
第2図に示すのはフイラメン1・ヒータで加熱している
。この他に、シースヒータをオーブンの外周に巻きつけ
て加熱するという事が考えられる。
(ウ)発明が解決しようとする問題点 本発明者は、第2図の装置で、P ( IJン)を固体
の状態で試料とし、これをPの気体とする事に利用した
Pは極めて低温で昇華I7やすい気体で、昇華時の蒸気
圧も高い。このため、第2図のような装置でも、これを
気化することができる。
ところが、融点の高い固体を蒸発させるには、第2図の
ような装置では加熱効率が悪く、加熱電源として大容量
なものが必要であることが分った。
これは、ヒータによる加熱が不十分であるからである。
オーブンチャンバ内は真空であるので、対流がない。ヒ
ータ7の熱は輻射によってオーブン3に伝わる。ところ
が、輻射はヒータ7の周囲にほぼ均一に起る。このうち
、一部の熱のみがオーブンの加熱に使われる。大部分の
熱は徒らに浪費され、オーブン加熱に寄与しない。この
ため、オー。ブンの温度が十分に上らない。
(=−)構 成 本発明の蒸発源は、オーブンを内外二重壁構造とし、内
部チャンバにヒータを入れ、外側に試料を入れるように
したものである。ヒータが内部にあるから、輻射熱の大
部分が試料加熱のために使われる。加熱効率がよくなる
。このため、融点の高い物質であっても、蒸気にするこ
とができ“る。
図面によって説明する。
第1図は本発明の蒸発源の一例を示す断面図である。
イオン源チャンバ1の下にオーブンチャンバ2が設けら
れる。オーブンチャンバ2とイオン源チャンバ1とは連
絡管部16によって連結されている。
オーブンチャンバ2の中には、オープン3がある。これ
は開蓋可能な容器である。容器壁は、MO、Ta, W
など高融点材料で作る。
オーブン3の構造に特徴がある。オープン3は内外二重
容器になっている。内部チャンバ9を外部チャンバ11
で囲んだものがオーブン3である。
内部チャンバ9には、内蓋12が開蓋可能に取付けられ
る。外部チャンバ11には、外蓋13が開蓋可能に取付
けられる。
内部チャンバ9の中にはヒータ7が設置される。
内部チャンバ9と外部チャンバ11の間に固体又は液体
の試料6が収容される。
内部チャンバ9の中にヒータγを入れるために、特別な
工夫が要る。
内部チャンバ9の壁面の一部に切欠き部14を形成し、
ヒータ7のリード線を通す。切欠き部14に於で、内部
チャンバ壁と外部チャンバ壁とを連絡する切欠き壁19
が設けられる。
外部チャンバ壁の一部である一重壁15の部分に穴を穿
ち、導入端子18を設ける。ここにリード16を通して
いる。オーブンチャンバ2にモ電流導入端子8を設けて
、リード線を通すようにしている。
また、内外部チャンバ9、11の底部中央に、内部チャ
ンバ9とオーブンチャンバ2の空間とを連絡するための
開口1γが設けられている。
これは、イオン源チャンバ1、オーブンチャンバ2の内
部を真空に引いた時に、内部チャンバ9をも真空にする
ためのものである。
(3)作 用 オーブンチャンバ2を開き、オーブン3の外部チャンバ
11の外蓋13を開く。外部チャンバ11と内部チャン
バ9の間に固体または液体の試料6を入れる。外蓋13
を閉じる。オーブンチャンバ2も閉じる。
イオン源チャンバ1を真空に引く。イオン源チャンバは
、パケット型イオン源、カウフマン型イオン源、ECR
型イオン源など任意である。どのような型式のものであ
ってもよい。型式により、電極の有無、容器の形状、磁
石の配置などが変りる。
たとえば、パケット型イオン源であれば、アーク放電を
起こすための細いカソード電極があり、チャンバの外周
に縦方向の磁場を生ずるコイルがある。カソード電極と
アノードであるチャンバ壁の間にアーク放電を起こす。
ECR型イオン源であれば、チャンバ外周に縦方向の磁
場を生ずるコイルがあり、一方の端面から、誘電体窓を
通してマイクロ波が導入されるようになっている。放電
のための電極が存在しない。
この他にも、グロー放電によって気体をプラズマに励起
するものもある。
イオン源チャンバの構造は多様であるので、ここに図示
しない。どのようなイオン源であっても差支えない。
イオン源チャンバ1を真空に引くと、オーブンチャンバ
2の内部も真空}Cなる。さらに、オーブンの内部チャ
ンバ9も真空になる。開口17によって、内部チャンバ
9とオーブンチャンバ内部とが連通しているからである
ヒータ7に通電する。ヒータ熱は輻射により八方に伝達
される。ヒータ7は内部チャンバ9によって囲まれてい
るから、全ての熱はいったん内部チャンバ9を通る。内
部チャンバ9の外側、つまり左右前後と底には試料6が
ある。内部チャンパ9の熱は、試料6に伝わり、これを
加熱し昇温させる。
試料6と内部チャンバ9の接触面積が広いので、効率的
な熱伝導がなされる。
内部チャンバ9の上部と内蓋12とには試料6が接触し
ていない。しかし、この部分に輻射された熱の全てが無
効になるわけではない。内蓋12と内部ヂャンバ9の締
結が緊密であれば、内蓋12の熱の大部分は、熱伝導に
より内部チャンバ9の方へ流れる。これが試料の加熱゛
に寄与する。
内蓋12の熱の一部が輻射によって逃げ、外蓋13を加
熱する。この熱の一部は輻射により試料加熱に使われる
このように、ヒータの熱は、ほぼ密封された内部チャン
バ9に照射されて、内部チャンバの温度を上昇させ、こ
の熱が試料6に伝わり、試料を加熱させることになる。
内部チャンバを囲むように試料が存在するから、加熱効
率が高い。
試料6が枯渇した時は、オーブンチャンバ2、外蓋13
を開いて試料を充填する。ヒータ7が断線した時は、外
蓋13、内蓋12を開いて、ヒ−タを交換する。
(6)効 果 ヒータの熱は、内部チャンパを経て、大部分が試料を加
熱するために使われる。ヒータによる試料の加熱効率が
上昇する。
このため、融点が高くて蒸発、昇華しにくい固体、液体
試料をも、蒸発、昇華させることができる。
従って、イオン源に於ては、イオン化することの゛でき
る物質の種類が多くなる。
イオン注入装置、イオン照射装置、イオン蒸着装置など
のイオン源に付設する蒸発源として最適である。また真
空蒸着装置のオーブンとしても用いる事ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の蒸発源の一例を示す縦断面図。 第2図は本発明者が以前に作った蒸発源の縦断面図。 1・・・・・・イオン源チャンバ 2・・・・・・オーブンチャンバ 3・・・・・・オーブン 4・・・・・・導入管 5・・・・・・バッフル 6・・・・・・試 料 7・・・・・・ヒータ 8・・・・・・導入端子 9・・・・・・内部チャンバ 10・・・・・・ リー ド線 11・・・・・・外部チャンバ 12・・・・・・内 蓋 13・・・・・・外 蓋 14・・・・・・切欠き部 15・・・・・・一重壁 16・・・・・・リード 17・・・・・・開 口 18・・・・・・導入端子 19・・・・・・切欠き壁 発 明 者   松   永   幸   二特許出願
人  日新電機株式会社 第 図 第 図 む

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 常温で固体又は液体である試料を真空中で蒸気とする蒸
    発源であつて、真空に引くことのできるオーブンチャン
    バ2と、オーブンチャンバ2の中に設けられ内外二重構
    造となつたオーブン3と、オーブン3の内部に設けられ
    試料を加熱するためのヒータ7とよりなり、オーブン3
    は内部チヤンバ9と外部チャンバ11とを具え、内部チ
    ャンバ9にはヒータ7があり、外部チャンバ11と内部
    チャンバ9の間には試料6が収容されている事を特徴と
    する蒸発源。
JP5057989A 1989-03-02 1989-03-02 蒸発源 Pending JPH02230645A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5057989A JPH02230645A (ja) 1989-03-02 1989-03-02 蒸発源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5057989A JPH02230645A (ja) 1989-03-02 1989-03-02 蒸発源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02230645A true JPH02230645A (ja) 1990-09-13

Family

ID=12862897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5057989A Pending JPH02230645A (ja) 1989-03-02 1989-03-02 蒸発源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02230645A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63183166A (ja) * 1987-01-27 1988-07-28 Asahi Chem Ind Co Ltd 蒸着用抵抗加熱ボ−ト
JPS63293158A (ja) * 1987-05-26 1988-11-30 Sumitomo Metal Ind Ltd 真空蒸着装置
JPS6412366B2 (ja) * 1981-03-28 1989-02-28 Olympus Optical Co

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6412366B2 (ja) * 1981-03-28 1989-02-28 Olympus Optical Co
JPS63183166A (ja) * 1987-01-27 1988-07-28 Asahi Chem Ind Co Ltd 蒸着用抵抗加熱ボ−ト
JPS63293158A (ja) * 1987-05-26 1988-11-30 Sumitomo Metal Ind Ltd 真空蒸着装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0200035B1 (en) Electron beam source
JPS63954A (ja) グロ−放電質量分析計
JP4089022B2 (ja) 自己電子放射型ecrイオンプラズマ源
SU867332A3 (ru) Многоамперный ультрафиолетовый источник низкого давлени
US4139774A (en) Apparatus for irradiating a specimen by an electron beam
US6570959B1 (en) X-ray tube metal frame gettering device
JPH02230645A (ja) 蒸発源
JP4048837B2 (ja) イオン源の運転方法およびイオン源装置
JP3454384B2 (ja) イオンビーム発生装置及び方法
US4093858A (en) Cesium injection system for negative ion duoplasmatrons
JPH0554809A (ja) ルツボ内蔵型シリコンイオン源
JP2643763B2 (ja) イオン打込み方法
JP2019121422A (ja) 表面処理装置
US4954751A (en) Radio frequency hollow cathode
JP2552701B2 (ja) イオン源
JP7084201B2 (ja) 反応性イオンプレーティング装置および方法
JPH0542603Y2 (ja)
JPH051895Y2 (ja)
US20240186101A1 (en) Vaporizer, ion source, ion beam irradiation apparatus, and an operating method for a vaporizer
JPH0660852A (ja) 重水素放電管
JPH09231918A (ja) 両面ゲッター
JPH0719081Y2 (ja) イオン源
JP3463235B2 (ja) プラズマ成膜装置および成膜方法
JPS6271147A (ja) 蒸発炉付イオン源
JPH0836983A (ja) イオン源