JPS6412366B2 - - Google Patents

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JPS6412366B2
JPS6412366B2 JP4608981A JP4608981A JPS6412366B2 JP S6412366 B2 JPS6412366 B2 JP S6412366B2 JP 4608981 A JP4608981 A JP 4608981A JP 4608981 A JP4608981 A JP 4608981A JP S6412366 B2 JPS6412366 B2 JP S6412366B2
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JP
Japan
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light receiving
circuit
output
photoelectric
digital
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Application number
JP4608981A
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English (en)
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JPS57161710A (en
Inventor
Asao Hayashi
Kenichi Ooikami
Masatoshi Ida
Masahiro Aoki
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP4608981A priority Critical patent/JPS57161710A/ja
Publication of JPS57161710A publication Critical patent/JPS57161710A/ja
Publication of JPS6412366B2 publication Critical patent/JPS6412366B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/28Systems for automatic generation of focusing signals
    • G02B7/36Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Focusing (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカメラ、顕微鏡、高密度光学的記録再
生装置等の焦点検出を電気的に行なう合焦検出方
法に関するものである。
焦点検出を電気的に行なう装置は従来種々提案
されており、本願人も例えば特開昭55−8102号公
報において既に提案している。本願人が提案した
焦点検出装置においては、光学系により形成され
る物体像の少く共一部分を画素単位に配列した複
数の受光素子で受光し、これら受光素子の光電出
力を積分して少く共1つの受光素子の光電出力が
所定の基準レベルに達したときに全ての受光素子
の光電出力を画素情報として同時にサンプルホー
ルドし、これらサンプルホールドしたアナログ画
素情報を並列的にデジタル信号に変換してから、
このデジタル信号を所定の評価関数に基いて演算
処理して焦点状態を検出している。かかる焦点検
出装置によれば複数のアナログ画素情報を並列的
にデジタル信号に変換しているから、これらを順
次にアナログ−デジタル(A/D)変換するもの
に比べA/D変換に要する時間を著しく短縮する
ことができると共に、同一瞬時のアナログ画素情
報を使うから正確な焦点検出を行なうことができ
る利点がある。しかし、かかる焦点検出装置で
は、複数の受光素子からの光電出力をサンプルホ
ールドするための基準レベルを1つ設定し、その
最も大きいレベルの光電出力が基準レベルを超え
た時点で全ての受光素子の光電出力をサンプルホ
ールドするようにしている。このため、被写体が
暗いときは積分を開始してからサンプルホールド
するまでの時間が非常に長くかかり、例えばカメ
ラに適用した場合には手振れ等により合焦検出精
度が低下する等の不具合を惹起する恐れがある。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、常に
正確に焦点検出ができる合焦検出方法を提供しよ
うとするものである。
本発明は、光学系により形成される物体像の少
く共一部分を画素単位に配列した複数の受光素子
で受光し、これら受光素子の光電出力を積分して
少く共1つの受光素子の光電出力が所定の基準レ
ベルに達したときに全ての受光素子の光電出力を
画素情報として同時にサンプルホールドし、これ
らサンプルホールドした画素情報に基いて前記物
体像の合焦状態を検出するにあたり、前記光電出
力の積分を開始してから少く共1つの受光素子の
光電出力が所定の基準レベルに達するまでの経過
時間を検出し、この経過時間が予じめ定めた時間
よりも長いときは前記基準レベルを低下させるこ
とを特徴とするものである。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明の合焦検出方法を実施する焦点
検出装置の一例の構成を示すブロツク図である。
本例では被写体1の像の一部を撮影光学系2を通
してそれぞれ画素単位に配列した多数の受光素子
およびサンプルホールド回路を有する2個の受光
装置3A,3B上に投影し、これら受光装置3
A,3Bにおいて各受光素子の光電出力を積分し
てその同一瞬時の光電出力をアナログ画素情報と
して対応するサンプルホールド回路に保持する。
これら各受光装置においてサンプルホールドした
それぞれ多数の受光素子のアナログ画素情報は受
光装置毎に信号処理回路4において並列的にデジ
タル情報に変換された後中央処理装置5に取り込
まれ、ここで例えば隣接する受光素子間の画素情
報に対応するデジタル値の差の絶対値を算出し、
これらの絶対値の総和を評価関数として用いて焦
点状態を表わす焦点検出信号を得る。この焦点検
出信号は表示装置6に送られて撮影者に焦点状態
を知らせると共に光学系駆動回路7、光学系駆動
装置8を通して撮影用光学系2を矢印で示すよう
に光軸方向に変位させて焦点調節を行なう。なお
簡易型の装置においては光学系の駆動は撮影者が
表示装置6の指示によつて手動で行なうようにし
て、駆動回路7、駆動装置8は省略してもよい。
受光装置3A,3Bは例えば撮影光学系2の予
定焦平面の前後等しい距離にそれぞれ配置する。
例えば本実施例に示す焦点検出装置を一眼レフカ
メラに適用する場合には、第2図に示すように撮
影光学系2とフイルム9との間の光路中に配置さ
れるクイツクリターンミラー10の中央部をハー
フミラー11とし、このハーフミラー11で反射
される撮影光束をピント板12、ペンタプリズム
13等を具える観察光学系に導き、ハーフミラー
11を透過する光束を、クイツクリターンミラー
10の裏面に設けた反射ミラー14で下方に導く
ようにし、この下方に導かれた光束をハーフミラ
ー15を透過させて一方の受光装置3Aに入射さ
せ、ハーフミラー15で反射された光束を反射ミ
ラー16を経て他方の受光装置3Bに入射させる
ように構成する。受光装置3A,3Bは上述した
ように、フイルム9と光学的に共役な平面の前後
等しい位置に配置する。
上述した信号処理回路4におけるアナログ−デ
ジタル(A/D)変換処理は、例えば受光装置3
A,3Bにサンプルホールドしたそれぞれ多数の
受光素子の出力アナログ画素情報を順次に取出
し、これを逐次デジタル値に変換するよう構成す
ることもできるが、このような逐次変換方式を採
用した場合にはすべての必要なデータをデジタル
値に変換するのに時間がかかり不利である。
このため、本実施例では多数のアナログ量をほ
ぼ同時にデジタル値に変換することができる並列
形のA/D変換回路を用いる。以下、このような
並列形A/D変換回路を用いた実施例についてさ
らに詳細に説明する。
第3図はこのような並列的なアナログ−デジタ
ル変換を行なう場合の受光装置3A,3B、信号
処理回路4、中央処理装置5の部分を詳細に示す
ものである。受光装置3Aおよび3Bは、それぞ
れ受光素子を有する多数の光電変換回路17A−
1〜17A−n,17B−1〜17B−nと、こ
れら光電変換回路の光電出力をそれぞれサンプリ
ングしてホールドするサンプルホールド回路18
A−1〜18A−n,18B−1〜18B−nと
を具える。光電変換回路17A−1〜17A−
n,17B−1〜17B−nには、中央処理装置
5からのチヤージ信号ラインaを並列に接続し、
このチヤージ信号ラインaを経て中央処理装置5
から供給されるチヤージ信号により光電出力の積
分を制御する。また、サンプルホールド回路18
A−1〜18A−n,18B−1〜18B−nに
は中央処理装置5からのサンプルホールド信号ラ
インbと、サンプルホールド回路18A−1〜1
8A−nおよび18B−1〜18B−nのいずれ
か、すなわち受光装置3Aおよび3Bのいずれか
を選択するための中央処理装置5からの選択信号
ラインcおよびdとをそれぞれ並列に接続し、サ
ンプルホールド信号ラインbを経て供給されるサ
ンプルホールド信号により、各光電変換回路にお
いて積分した同一瞬時の光電出力(アナログ画素
情報)をサンプルホールド回路18A−1〜18
A−n,18B−1〜18B−nに同時にサンプ
ルホールドすると共に、これらサンプルホールド
したアナログ画素情報を選択信号ラインc,dを
経て供給される選択信号により受光装置毎に並列
的に出力するよう構成する。サンプルホールド回
路18A−1〜18A−n,18B−1〜18B
−nの各出力端子は、受光装置3Aおよび3Bに
対して共通に用いられるコンパレータ19−1〜
19−nの一方の入力端子にそれぞれ接続する。
すなわち、サンプルホールド回路18A−1およ
び18B−1をコンパレータ19−1に、サンプ
ルホールド回路18A−2および18B−2をコ
ンパレータ19−2に、サンプルホールド回路1
8A−nおよび18B−nをコンパレータ19−
nに接続する。これらコンパレータ19−1〜1
9−nの他方の入力端子はデジタル−アナログ
(D/A)変換装置20に並列に接続し、この
D/A変換装置20には中央処理装置5によつて
制御されるパルスジエネレータ付きのカウンタ2
1から予じめ定めた数種の所定の数値のデジタル
信号および所定の範囲にある数値を表わす次々に
発生されるデジタル信号を選択的に供給する。コ
ンパレータ19−1〜19−nの出力端子は、そ
れぞれ対応するデジタルメモリ22−1〜22−
nに接続すると共にAND回路23およびOR回路
24にそれぞれ並列に接続する。AND回路23
およびOR回路24の出力端子はそれぞれ中央処
理装置5に接続すると共に、更にOR回路24の
出力端子はタイマ25に接続する。このタイマ2
5は中央処理装置5によつて制御し、積分開始か
らOR回路23が作動するまでの時間を計測し
て、これを中央処理装置5に供給する。また、デ
ジタルメモリ22−1〜22−nにはカウンタ2
1の出力を並列に供給し、これらの出力端子は中
央処理装置5に並列に接続して、所要のメモリに
記憶されたデジタル信号をアドレスバス26を経
てアドレスデコーダ27を制御して中央処理装置
5に取込むよう構成する。
第4図は第3図に示した受光装置3A,3Bの
回路構成図である。受光装置3A,3Bはそれぞ
れ同一半導体チツプ上に高密度に形成されたn個
の同一構成より成る光電変換回路17A−1〜1
7A−n,17B−1〜17B−nおよびサンプ
ルホールド回路18A−1〜18A−n,18B
−1〜18B−nを具えるが、ここでは受光装置
3Aの1つの光電変換回路17A−1およびサン
プルホールド回路18A−1の構成のみを説明す
る。光電変換回路17A−1は並列に接続したホ
トダイオード30A−1およびコンデンサ31A
−1と電界効果形トランジスタ(FET)より成
る第1のゲート32A−1とを具え、サンプルホ
ールド回路18A−1はFET33A−1および
34A−1よりなる第1のバツフア35A−1
と、FETより成る第2のゲート36A−1と、
コンデンサ37A−1と、FET38A−1およ
び39A−1より成る第2のバツフア40A−1
と、FETより成る第3のゲート41A−1とを
具える。ホトダイオード30A−1およびコンデ
ンサ31A−1の並列回路は第1のゲート32A
−1を介して直流電源(図示せず)のVDD電圧ラ
インVSS電圧ラインとの間に接続する。ホトダイ
オード30A−1およびコンデンサ31A−1と
第1のゲート32A−1との接続点Xは第1のバ
ツフア35A−1のFET34A−1のゲートに
接続する。FET34A−1の一端はVSS電圧ライ
ンに接続し、他端はFET33A−1の一端に接
続する。このFET33A−1の他端はVDD電圧ラ
インに接続し、またゲートはVSS電圧ラインに接
続する。第1のバツフア35A−1を構成する
FET33A−1とFET34A−1との接続点Y
は第2のゲート36A−1を介してコンデンサ3
7A−1の一端および第2のバツフア40A−1
のFET39A−1のゲートに接続する。コンデ
ンサ37A−1の他端およびFET39A−1の
一端はVSS電圧ラインに接続し、このFET39A
−1の他端をFET38A−1を介してVDD電圧ラ
インに接続して、FET38A−1とFET39A
−1との接続点Zの電位を第3のゲート41A−
1を介して出力し得るよう構成する。受光装置3
Aを構成する他の光電変換回路およびサンプルホ
ールド回路も上記と同様に構成し、第1のゲート
32A−1〜32A−nを構成するFETのゲー
トはそれぞれチヤージ信号ラインaに共通に接続
し、第2のゲート36A−1〜36A−nを構成
するFETのゲートはそれぞれサンプルホールド
信号ラインbに共通に接続し、第3のゲート41
A−1〜41A−nを構成するFETのゲートは
選択信号ラインcに共通に接続して、この第3の
ゲート41A−1〜41A−nの出力をそれぞれ
対応するコンパレータ19−1〜19−nの一方
の入力端子に選択的に並列的に供給し得るよう構
成する。
また、受光装置3Bも上記受光装置3Aと同様
に構成し、第1のゲート32B−1〜32B−n
を構成するFETのゲートはそれぞれチヤージ信
号ラインaに共通に接続し、第2のゲート36B
−1〜36B−nを構成するFETのゲートはそ
れぞれサンプルホールド信号ラインbに共通に接
続し、第3のゲート41B−1〜41B−nを構
成するFETのゲートは選択信号ラインdに共通
に接続して、この第3のゲート41B−1〜41
B−nの出力をそれぞれ対応するコンパレータ1
9−1〜19−nの一方の入力端子に選択的に並
列的に供給し得るよう構成する。
第5図は第3図に示すD/A変換装置20の更
に詳細な回路構成図である。本実施例では、受光
装置3A,3Bの多数の光電出力をサンプルホー
ルドするための複数の基準レベルを設定すると共
に、A/D変換の範囲を決定してそれに対応する
デジタル信号を選択するため、カウンタ21から
の4ビツトのデジタル信号をそれぞれ6個(ビツ
ト)のバツフアを有する第1〜第4のトライステ
ートゲート回路45−1〜45−4にそれぞれ並
列に供給すると共に、これら第1〜第4のトライ
ステートゲート回路45−1〜45−4の出力を
6ビツトより成るD/A変換器20Aに並列に供
給する。第1のトライステートゲート回路45−
1は上位2ビツトの出力を「1」に固定し、第2
のトライステートゲート回路45−2は最上位お
よび最下位ビツトの出力を、それぞれ「1」およ
び「0」に固定し、第3および第4のトライステ
ートゲート回路45−3および45−4は下位2
ビツトの出力を「0」に固定して、これら第1〜
第4のトライステートゲート回路45−1〜45
−4の残りの4ビツトにカウンタ21から4ビツ
トのデジタル信号を供給する。これら第1〜第4
のトライステートゲート回路45−1〜45−4
のゲートは中央処理装置5により選択的に制御す
るよう構成する。
以下、本実施例の動作を第6図に示す信号波形
図および第7図に示すフローチヤートを参照しな
がら説明する。なお、本実施例では、A/D変換
の範囲を第8図に示すように、一定範囲LH
(111111)〜LL(000000)で異なる数値のデジタ
ル信号L1(110000)およびL2(100000)をLH,L1
L2,LLの順に順次送出するようにしてLH〜L1
LH〜L2およびLH〜LLの3段階の範囲A,Bおよ
びCを設定し、決定された範囲内で符号a,bま
たはcで示すように逐次大きい方から小さい方に
変化するデジタル信号を送出してアナログ画素情
報をA/D変換する。焦点検出を開始する初期状
態においては、サンプルホールド回路18A−1
〜18A−n,18B−1〜18B−nには光電
出力がチヤージされておらず、デジタルメモリ2
2−1〜22−nはデジタル量が0となつてい
る。積分開始前には受光装置3A,3Bの第1の
ゲート32A−1〜32A−n,32B−1〜3
2B−nは閉じて(OFF)おり、コンデンサ3
1A−1〜31A−n,31B−1〜32B−n
の端子間電圧は「0」である。したがつて第1の
バツフア35A−1〜35A−n,35B−1〜
35B−Nへの入力電位はVDDであり、これら第
1のバツフアの出力はVDDに対応した所定の電位
V(第6図A)となつている。第2のゲート36
A−1〜36A−n,36B−1〜36B−nは
開いて(ON)おり、この電位がコンデンサ37
A−1〜37A−n,37B−1〜37B−nに
印加され、これらのコンデンサは電位Vまで充電
されている。
この状態ではコンデンサ37A−1〜37A−
n,37B−1〜37B−nの端子電圧Vが第2
のバツフア40A−1〜40A−n,40B−1
〜40B−nに入力され、これに対応した電位
V′(第6図B)が出力されている。
積分をするには、まず中央処理装置5からチヤ
ージ信号ラインaを介して第6図Cに示すような
低(L)レベルのチヤージ信号を第1のゲート32A
−1〜32A−n,32B−1〜32B−nに送
り、これら第1のゲートを開く。すると、X点の
電位がVSSとなりコンデンサ31A−1〜31A
−n,31B−1〜31B−nはVDDまで充電さ
れる。また、これに伴い第1のバツフア35A−
1〜35A−n,35B−1〜35B−nへの入
力電位が「VSS」となるから、これに応じてこれ
らのバツフアの出力も「VSS」又はこれに近い小
さな値となり、コンデンサ37A−1〜37A−
n,37B−1〜37B−nは第2のゲート36
A−1〜36A−n,36B−1〜36B−nお
よび第1のバツフア35A−1〜35A−n,3
5B−1〜35B−nを介して放電する。これに
より第2バツフア40A−1〜40A−n,40
B−1〜40B−nへの入力が下がるから、その
出力も「VSS」又はこれに近い小さな値となる。
所定時間t経過後(コンデンサ31A−1〜3
1A−n,31B−1〜31B−nが充分に充電
された後)、第6図Cに示すようにチヤージ信号
を高(H)レベルにし、第1のゲート32A−1〜3
2A−n,32B−1〜32B−nを閉(OFF)
じて積分を開始する。するとコンデンサ31A−
1〜31A−n,31B−1〜31B−nに蓄え
られた電荷はホトダイオード30A−1〜30A
−n,30B−1〜30B−nに入射している光
に応じた強さの光電流として、各々のホトダイオ
ードを通じて放電され、それにつれて第1のバツ
フア35A−1〜35A−n,35B−1〜35
B−nへの入力電位が上昇し、その出力も徐々に
大きくなる(第6図A)。これに応じて、コンデ
ンサ37A−1〜37A−n,37B−1〜37
B−nは、第1のバツフア35A−1〜35A−
n,35B−1〜35B−nおよび第2ゲート3
6A−1〜36A−n,36B−1〜36B−n
を介して充電されるから(第6図B)、第2のバ
ツフア40A−1〜40A−n,40B−1〜4
0B−nの入力電位および出力電位も徐々に大き
くなつてくる。ここで、受光装置3Aの第3のゲ
ート41A−1〜41A−nが中央処理装置5か
らの選択信号により開(ON)しているとすれ
ば、これらのゲートを通して第2のバツフア40
A−1〜40A−nの出力電位が対応するコンパ
レータ19−1〜19−nの一方の入力端子に供
給される。
一方、上記積分開始と同時に中央処理装置5に
によりタイマ25を始動させると共に、D/A変
換装置20の第1のトライステートゲート回路4
5−1のみを作動させ、カウンタ21を制御して
D/A変換装置20に「1111」のデジタル信号を
供給してLHのデジタル信号「111111」をD/A
変換器20Aに送出する。この一定値のデジタル
信号はD/A変換器20Aによりアナログ信号に
変換され、コンパレータ19−1〜19−nの他
方の入力端子に入力する。コンパレータ19−1
〜19−nは、この一定値のデジタル信号
「111111」に対応するアナログ信号(第1の基準
レベル)と上記受光装置3Aの第3のゲート41
A−1〜41A−nを通して供給される光電出力
(積分値)とを並列的に比較し、その少く共1つ
の出力が反転したこと、すなわち受光装置3Aか
らの多数の光電出力の少く共1つがD/A変換器
20Aから供給されている第1の基準レベルを越
えたことをOR回路24で検出し、これにより中
央処理装置5からサンプルホールド信号ラインb
を経て第6図Dに示すようなLレベルのサンプル
ホールド信号を受光装置3Aおよび3Bの第2の
ゲート36A−1〜36A−nおよび36B−1
〜36B−nに供給してこれら第2のゲートを閉
(OFF)じ、そのときの積分値をコンデンサ37
A−1〜37A−nおよび37B−1〜37B−
nに同時にサンプルホールドする。第9図はこの
ときの各積分値の一例を示し、TOは積分開始時
刻を、TSはサンプルホールド時刻を、そして電
位Vref・maxは一定値のデジタル信号「111111」
に対応する第1の基準レベルをそれぞれ示してい
る。また、タイマ25は積分開始からOR回路2
4が作動するまでの積分時間THを計測し、これ
を中央処理装置5に供給する。
次に、A/D変換の範囲を決定するため、
AND回路23が動作するまで、中央処理装置5
によりカウンタ21およびD/A変換装置20の
第1〜第3のトライステートゲート回路45−1
〜45−3を制御してD/A変換器20AにL1
L2およびLLのデジタル信号「110000」、「100000」
および「000000」を順次送出する。すなわち、中
央処理装置5により第1のトライステートゲート
回路45−1のみを作動させると共に、カウンタ
21から「0000」のデジタル信号を送出して、
「110000」すなわちL1のデジタル信号をD/A変
換器20Aに送出し、同様に中央処理装置5によ
り第2のトライステートゲート回路45−2およ
び45−3のみを順次に作動させてカウンタ21
から「0000」を送出することにより「100000」す
なわちL2のデジタル信号および「000000」すな
わちLLのデジタル信号を順次D/A変換器20
Aに送出する。これらL1,L2およびLLのデジタ
ル信号の送出はAND回路23が動作した時点で
当該デジタル信号の送出を止めると共に、例えば
L1のデジタル信号でAND回路23が動作すれば
それ以降のデジタルL2,L1は送出しない。
例えば、L2のデジタル信号でAND回路23が
動作したとすれば、サンプルホールドされている
光電信号(アナログ画素情報)は全てLH〜L2
範囲B内にあることになるから、これによりA/
D変換の範囲を範囲Bと決定する。
範囲Bが決定された後は、中央処理装置5によ
り第2のトライステートゲート回路45−2のみ
のゲートを開放し、カウンタ21から「1111」〜
「0000」まで大きい方から小さい方に逐次変化す
るデジタル信号(データ)を第2のトライステー
トゲート回路45−2に送出し、このゲート回路
から第8図において符号bで示すように
「111110」から「100000」まで逐次変化する6ビ
ツトのデジタル信号(データ)をD/A変換器2
0Aに送出する。なお、この第2のトライステー
トゲート回路45−2は最上位および最下位ビツ
トがそれぞれ「1」および「0」に固定されてい
るから、逐次変化するデジタル信号はこれらビツ
トを除く4ビツトがカウンタ21から送出される
デジタル信号「1111」〜「0000」に応じて変化す
ることになる。D/A変換器20Aは「111110」
〜「100000」迄逐次変化するデジタル信号を逐次
アナログ量に変換してコンパレータ19−1〜1
9−nに供給する。コンパレータ19−1〜19
−nはその出力が反転した時点、すなわちサンプ
ルホールドしたアナログ画素情報がD/A変換器
20Aから供給されるアナログ信号を越えた時点
で発するwrite enable信号により、対応するデジ
タルメモリを制御して、その時カウンタ21が発
生しているデジタル信号を当該デジタルメモリに
書き込む。「111110」〜「100000」迄逐次変化す
る全てのデジタル信号の送出を完了した後、中央
処理装置5はデコーダ27を制御してデジタルメ
モル22−1〜22−nに書き込まれたデジタル
量を取り込み、予じめ定められた評価関数に基い
て演算処理して評価値を求める。次に中央処理装
置5は選択信号ラインdを介して受光装置3Bを
選択し、同様の操作で受光装置3Bの多数のアナ
ログ画素情報をA/D変換してその評価値を求
め、両者の評価値を比較することにより焦点状態
を表わす焦点検出信号を得、この焦点検出信号に
より第1図において説明したように表示装置6で
撮影者に焦点状態を知らせたり、或いは光学系駆
動回路7および光学系駆動装置8を経て撮影光学
系2の焦点調節を行なう。
なお、A/D変換の範囲が範囲Aに選択された
場合には、第1のトライステートゲート回路45
−1のみのゲートを開放して、「111111」〜
「110000」迄逐次変化するデジタル信号をD/A
変換器20Aに送出すればよい。同様に範囲Cが
選択された場合には、第3のトライステートゲー
ト回路45−3のみのゲートを開放して、
「111100」〜「000000」迄逐次変化するデジタル
信号をD/A変換器20Aに送出すればよい。
上述した合焦検出動作は、撮影レンズ2の移動
中に複数回行なわれる。中央処理装置5はこの順
次の合焦検出において、タイマ25により計測し
た積分時間THと予じめ定めた積分時間Trefとをそ
の都度比較し、TH<Trefのときは次の合焦検出に
おけるサンプルホールドの基準レベルを上述した
LH(「111111」)に対応するレベル(Vref-nax)と
し、TH>Trefのときは次の合焦検出におけるサン
プルホールドの基準レベルを第8図に示すように
LH′(「111100」)に対応する第2のレベル
(Vref

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 光学系により形成される物体像の少く共一部
    分を画素単位に配列した複数の受光素子で受光
    し、これら受光素子の光電出力を積分して少く共
    1つの受光素子の光電出力が所定の基準レベルに
    達したときに全ての受光素子の光電出力を画素情
    報として同時にサンプルホールドし、これらサン
    プルホールドした画素情報に基いて前記物体像の
    合焦状態を検出するにあたり、 前記光電出力の積分を開始してから少く共1つ
    の受光素子の光電出力が所定の基準レベルに達す
    るまでの経過時間を検出し、この経過時間が予じ
    め定めた時間よりも長いときは前記基準レベルを
    低下させることを特徴とする合焦検出方法。
JP4608981A 1981-03-28 1981-03-28 Focusing detecting method Granted JPS57161710A (en)

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JPS57161710A JPS57161710A (en) 1982-10-05
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02230645A (ja) * 1989-03-02 1990-09-13 Nissin Electric Co Ltd 蒸発源
EP0845417A1 (en) 1996-11-28 1998-06-03 Shikoku Kakoki Co., Ltd. Cutting device in a form-fill-seal machine

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02230645A (ja) * 1989-03-02 1990-09-13 Nissin Electric Co Ltd 蒸発源
EP0845417A1 (en) 1996-11-28 1998-06-03 Shikoku Kakoki Co., Ltd. Cutting device in a form-fill-seal machine

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