JPH0223054B2 - - Google Patents
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- JPH0223054B2 JPH0223054B2 JP57122575A JP12257582A JPH0223054B2 JP H0223054 B2 JPH0223054 B2 JP H0223054B2 JP 57122575 A JP57122575 A JP 57122575A JP 12257582 A JP12257582 A JP 12257582A JP H0223054 B2 JPH0223054 B2 JP H0223054B2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
- H03K5/2409—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors
- H03K5/2418—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors with at least one differential stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/2893—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
- H03K3/2897—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger with an input circuit of differential configuration
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
(A) 発明の技術分野
本発明は、閾値可変型差動信号レシーバ、特に
差動入力信号の差電圧を予め定められた閾値電圧
(オフセツト電圧)と比較して該差動入力信号に
対応する論理信号を出力するようにした差動増幅
器型信号レシーバにおいて、1つ又は複数のエミ
ツタ・ホロワの出力電圧を抵抗を介して上記入力
信号に重畳せしめ、該エミツタ・ホロワの出力電
圧を制御することによつて上記閾値電圧を可変的
に選択できるようにした閾値可変型差動信号レシ
ーバに関するものである。
差動入力信号の差電圧を予め定められた閾値電圧
(オフセツト電圧)と比較して該差動入力信号に
対応する論理信号を出力するようにした差動増幅
器型信号レシーバにおいて、1つ又は複数のエミ
ツタ・ホロワの出力電圧を抵抗を介して上記入力
信号に重畳せしめ、該エミツタ・ホロワの出力電
圧を制御することによつて上記閾値電圧を可変的
に選択できるようにした閾値可変型差動信号レシ
ーバに関するものである。
(B) 技術の背景と問題点
従来、差動入力信号の差電圧が予め定められた
閾値電圧以上であるか、閾値電圧以下であるかを
検出して、上記差動入力信号の差電圧に対応する
論理信号を出力する信号レシーバとして、差動増
幅器を用いた差動型の信号レシーバが知られてい
る。該差動型の信号レシーバにおいては、上記閾
値電圧を可変することはあまり考慮されておら
ず、むしろ予め定められた値それも主として0V
に固定的にセツトされているものが多い。しかし
ながら、特に雑音余裕度の向上を図るために、入
力信号の状態に対応させて上記閾値電圧を可変的
に選択できるようにすることが望ましい場合があ
る。即ち、例えば上記閾値電圧が0Vに設計され
たレシーバを用いてトランス結合によつて送信す
る送信機からの信号を処理するような場合、実際
には差動入力信号が零であると受信側の電圧が不
安定となり、ノイズの影響を受け易い。従つて、
このような場合の状態に対応させて上記閾値電圧
を制御して、上記の不安定状態のもとで「1」ま
たは「0」の何れかの信号が刻来しているものと
みなすようにすることが望ましい。そして、当該
閾値電圧を制御するに当つて、制御信号を供給す
ることによつて高速度で制御できるようにするこ
とが望まれる。また当該制御を行う手段を接続す
ることによつて、差動増幅器本来の動作に大きい
影響がないことが望まれる。
閾値電圧以上であるか、閾値電圧以下であるかを
検出して、上記差動入力信号の差電圧に対応する
論理信号を出力する信号レシーバとして、差動増
幅器を用いた差動型の信号レシーバが知られてい
る。該差動型の信号レシーバにおいては、上記閾
値電圧を可変することはあまり考慮されておら
ず、むしろ予め定められた値それも主として0V
に固定的にセツトされているものが多い。しかし
ながら、特に雑音余裕度の向上を図るために、入
力信号の状態に対応させて上記閾値電圧を可変的
に選択できるようにすることが望ましい場合があ
る。即ち、例えば上記閾値電圧が0Vに設計され
たレシーバを用いてトランス結合によつて送信す
る送信機からの信号を処理するような場合、実際
には差動入力信号が零であると受信側の電圧が不
安定となり、ノイズの影響を受け易い。従つて、
このような場合の状態に対応させて上記閾値電圧
を制御して、上記の不安定状態のもとで「1」ま
たは「0」の何れかの信号が刻来しているものと
みなすようにすることが望ましい。そして、当該
閾値電圧を制御するに当つて、制御信号を供給す
ることによつて高速度で制御できるようにするこ
とが望まれる。また当該制御を行う手段を接続す
ることによつて、差動増幅器本来の動作に大きい
影響がないことが望まれる。
(C) 発明の目的と構成
本発明は、上記の如き問題点を解消することを
目的としており、本発明の閾値可変型差動信号レ
シーバは、差動増幅器を用いることによつて、差
動入力信号の差電圧を予め定められた閾値電圧
(オフセツト電圧)と比較して該差動入力信号に
対応する論理信号を出力する差動増幅器型信号レ
シーバにおいて、エミツタ・ホロワの出力電圧を
制御可能に構成し、該エミツタ・ホロワ出力電圧
を独立して上記差動増幅器の2つの入力信号に
夫々抵抗を介して重畳させた構成をそなえ、上記
エミツタ・ホロワの出力電圧を制御することによ
つて、上記差動増幅器における閾値電圧(オフセ
ツト電圧)を制御するように構成されていること
を特徴としている。以下図面を参照しつつ説明す
る。
目的としており、本発明の閾値可変型差動信号レ
シーバは、差動増幅器を用いることによつて、差
動入力信号の差電圧を予め定められた閾値電圧
(オフセツト電圧)と比較して該差動入力信号に
対応する論理信号を出力する差動増幅器型信号レ
シーバにおいて、エミツタ・ホロワの出力電圧を
制御可能に構成し、該エミツタ・ホロワ出力電圧
を独立して上記差動増幅器の2つの入力信号に
夫々抵抗を介して重畳させた構成をそなえ、上記
エミツタ・ホロワの出力電圧を制御することによ
つて、上記差動増幅器における閾値電圧(オフセ
ツト電圧)を制御するように構成されていること
を特徴としている。以下図面を参照しつつ説明す
る。
(D) 発明の実施例
第1図および第3図ないし第5図は夫々本発明
の実施例構成を示す回路図、第2図は第1図およ
び第3図ないし第4図図示実施例における閾値電
圧に関する説明図、第6図は第5図図示実施例に
おける閾値電圧に関する説明図を示している。図
中の符号1および2は入力端子、3および4は出
力端子、5ないし16および15a,15b,1
6a,16bは抵抗、17ないし22および10
1,102はトランジスタ、23ないし25は定
電流源を表わしている。
の実施例構成を示す回路図、第2図は第1図およ
び第3図ないし第4図図示実施例における閾値電
圧に関する説明図、第6図は第5図図示実施例に
おける閾値電圧に関する説明図を示している。図
中の符号1および2は入力端子、3および4は出
力端子、5ないし16および15a,15b,1
6a,16bは抵抗、17ないし22および10
1,102はトランジスタ、23ないし25は定
電流源を表わしている。
第1図図示実施例におけるトランジスタ17お
よび18、抵抗15および16、定電流源23は
すでに良く知られた差動増幅器を構成している。
第1図図示実施例の出力V0,0は、トランジス
タ17およびトランジスタ18のオン・オフ状態
によつて決まる。即ち、該トランジスタ17,1
8オン・オフ状態は、図示矢印aにおける電圧
Vaと図示矢印bにおける電圧Vbとの大小関係に
よつて決まる。そして、例えばVa>Vbであれば
トランジスタ17がオン、トランジスタ18がオ
フ状態となり、出力端子4の出力電圧V0は高、
Va<Vbであれば低となる。また、出力端子3の
出力電圧0はその逆となる。そして、上記Vaは
入力端子1に与えられる入力信号電圧Vi1および
トランジスタ19のエミツタ・ホロワ出力電圧
Vc(図示矢印cにおける電圧)と抵抗5ないし7
の抵抗値とによつて決り、同様にして上記Vbは
入力端子2に与えられる入力信号電圧Vi2および
トランジスタ21のエミツタ・ホロワ出力電圧
Vd(図示矢印dにおける電圧)と抵抗8ないし1
0の抵抗値とによつて決まる。そして抵抗5ない
し10の抵抗値をR5ないしR10とすると、上記
Va,Vbは次式によつて表わされる。
よび18、抵抗15および16、定電流源23は
すでに良く知られた差動増幅器を構成している。
第1図図示実施例の出力V0,0は、トランジス
タ17およびトランジスタ18のオン・オフ状態
によつて決まる。即ち、該トランジスタ17,1
8オン・オフ状態は、図示矢印aにおける電圧
Vaと図示矢印bにおける電圧Vbとの大小関係に
よつて決まる。そして、例えばVa>Vbであれば
トランジスタ17がオン、トランジスタ18がオ
フ状態となり、出力端子4の出力電圧V0は高、
Va<Vbであれば低となる。また、出力端子3の
出力電圧0はその逆となる。そして、上記Vaは
入力端子1に与えられる入力信号電圧Vi1および
トランジスタ19のエミツタ・ホロワ出力電圧
Vc(図示矢印cにおける電圧)と抵抗5ないし7
の抵抗値とによつて決り、同様にして上記Vbは
入力端子2に与えられる入力信号電圧Vi2および
トランジスタ21のエミツタ・ホロワ出力電圧
Vd(図示矢印dにおける電圧)と抵抗8ないし1
0の抵抗値とによつて決まる。そして抵抗5ない
し10の抵抗値をR5ないしR10とすると、上記
Va,Vbは次式によつて表わされる。
Va=Vi1・R6R7/R5+R6R7
+Vc・R5R7/R6+R5R7 ……(1)
Vb=Vi2・R9R10/R8+R9R10
+Vd・R8R10/R9+R8R10 ……(2)
(ここでR6R7はR6とR7の並列抵抗値を示し、
他も同様である。) 第1図図示実施例における閾値電圧は上記第
(1),(2)式からVcおよびVdを制御することによつ
て高速度で所望する値に選択することができる。
ここで、VcおよびVdは入力インピーダンスが大
で出力インピーダンスが小さいエミツタ・ホロワ
構成のトランジスタ19および21の出力電圧で
あるから、Ve(図示矢印eの電圧)とVf(同fの
電圧)とを制御することによつて、上記Vcおよ
びVdを所望する値に設することができる。以下、
本発明における閾値電圧の制御態様を説明する。
なお、説明を簡単にするために5ないし7によつ
て構成される入力端子1側の抵抗網と8ないし1
0によつて構成される2側の抵抗網の各抵抗値が
対称、即ちR5=R8,R6=R9,R7=R10の場合に
ついて述べる。
他も同様である。) 第1図図示実施例における閾値電圧は上記第
(1),(2)式からVcおよびVdを制御することによつ
て高速度で所望する値に選択することができる。
ここで、VcおよびVdは入力インピーダンスが大
で出力インピーダンスが小さいエミツタ・ホロワ
構成のトランジスタ19および21の出力電圧で
あるから、Ve(図示矢印eの電圧)とVf(同fの
電圧)とを制御することによつて、上記Vcおよ
びVdを所望する値に設することができる。以下、
本発明における閾値電圧の制御態様を説明する。
なお、説明を簡単にするために5ないし7によつ
て構成される入力端子1側の抵抗網と8ないし1
0によつて構成される2側の抵抗網の各抵抗値が
対称、即ちR5=R8,R6=R9,R7=R10の場合に
ついて述べる。
(i) Ve=Vf
このとき、トランジスタ19,21の夫々の
エミツタ電圧即ちVcとVdとは同電位となる。
前述のように抵抗5ないし7によつて構成され
ている入力端子1側の抵抗網と抵抗8ないし1
0によつて構成されている入力端子2側の抵抗
網とは対称に構成されていることから、本発明
における閾値電圧を決めるVa,Vbの大小関係
は、第(1),(2)式に示されているように、入力信
号Vi1,Vi2の大小関係のみに依存したものと
なる。その結果、出力端子4から出力される出
力信号V0は、第2図図示矢印Aの如く、Vi1>
Vi2であれば高電位、Vi1<Vi2であれば低電位
となる。即ち、レシーバーの差動入力信号の差
電圧の閾値は0V(入力オフセツト電圧=0V)
である。
エミツタ電圧即ちVcとVdとは同電位となる。
前述のように抵抗5ないし7によつて構成され
ている入力端子1側の抵抗網と抵抗8ないし1
0によつて構成されている入力端子2側の抵抗
網とは対称に構成されていることから、本発明
における閾値電圧を決めるVa,Vbの大小関係
は、第(1),(2)式に示されているように、入力信
号Vi1,Vi2の大小関係のみに依存したものと
なる。その結果、出力端子4から出力される出
力信号V0は、第2図図示矢印Aの如く、Vi1>
Vi2であれば高電位、Vi1<Vi2であれば低電位
となる。即ち、レシーバーの差動入力信号の差
電圧の閾値は0V(入力オフセツト電圧=0V)
である。
(ii) Ve>VfまたはVe<Vf
Ve>Vf又はVe<Vfに対応して、それぞれ
第1図図示cとdの電圧の関係はVc>Vdまた
はVc<Vdになる。その結果、前記第(1),(2)式
によつて明らかなように、(Va−Vb)の値は
〔Vi1−Vi2)の値のみではなく(Vc−Vd)の
値に影響を受ける形となり、Ve>Vfの場合は
出力端子4から出力される出力信号V0は、第
2図図示矢印B(Ve<Vfの場合は第2図図示
矢印B′)に示されているように、(Vc−Vd)
の値によつてシフトされた形となる。またVe
<Vfの場合に得られる閾値電圧にもとづく出
力端子4から出力信号V0は、第2図図示矢印
B′に示されているような特性が得られる。
第1図図示cとdの電圧の関係はVc>Vdまた
はVc<Vdになる。その結果、前記第(1),(2)式
によつて明らかなように、(Va−Vb)の値は
〔Vi1−Vi2)の値のみではなく(Vc−Vd)の
値に影響を受ける形となり、Ve>Vfの場合は
出力端子4から出力される出力信号V0は、第
2図図示矢印B(Ve<Vfの場合は第2図図示
矢印B′)に示されているように、(Vc−Vd)
の値によつてシフトされた形となる。またVe
<Vfの場合に得られる閾値電圧にもとづく出
力端子4から出力信号V0は、第2図図示矢印
B′に示されているような特性が得られる。
第3図は、エミツタ・ホロワ出力をエミツタ
ドツトした例である。以下第3図における閾値
電圧の制御態様を説明する。ここでも、第1図
と同様に説明を簡単にするために、入力端子1
側の抵抗網と2側の抵抗網の各抵抗値が対称す
なわちR5=R8,R6=R9,R7=R10であり、加
えてR11=R13,R12=R14の場合について述べ
る。
ドツトした例である。以下第3図における閾値
電圧の制御態様を説明する。ここでも、第1図
と同様に説明を簡単にするために、入力端子1
側の抵抗網と2側の抵抗網の各抵抗値が対称す
なわちR5=R8,R6=R9,R7=R10であり、加
えてR11=R13,R12=R14の場合について述べ
る。
(iii) Vc=Vd
定電流源24の電流値I24を「零」、定電流源
25に所定の電流値I25を流す。その結果、抵
抗11,12における電圧降下は発生しないた
め、トランジスタ19および21のベース電圧
は電源電圧Vccがそのまま印加され、トランジ
スタ20および22のベース電圧は抵抗13,
14における電圧降下によつてVccよりも低く
なる。そのため、上記トランジスタ19および
21はオン状態、トランジスタ20および22
はオフ状態となる。従つて、トランジスタ1
9,21の夫々のエミツタ電圧即ちVcとVdと
は同電位となる。その結果、出力端子4から出
力される出力信号V0は、第2図図示矢印Aの
如く、Vi1>Vi2であれば高電位、Vi1<Vi2で
あれば低電位となる。
25に所定の電流値I25を流す。その結果、抵
抗11,12における電圧降下は発生しないた
め、トランジスタ19および21のベース電圧
は電源電圧Vccがそのまま印加され、トランジ
スタ20および22のベース電圧は抵抗13,
14における電圧降下によつてVccよりも低く
なる。そのため、上記トランジスタ19および
21はオン状態、トランジスタ20および22
はオフ状態となる。従つて、トランジスタ1
9,21の夫々のエミツタ電圧即ちVcとVdと
は同電位となる。その結果、出力端子4から出
力される出力信号V0は、第2図図示矢印Aの
如く、Vi1>Vi2であれば高電位、Vi1<Vi2で
あれば低電位となる。
なお、定電流源25の電流値を「零」とし、
所定の電流を定電流源24に流すようにして
も、同じ結果が得られることは言うまでもな
い。
所定の電流を定電流源24に流すようにして
も、同じ結果が得られることは言うまでもな
い。
(iv) Vc>VdまたはVc<Vd
定電流源24および25の電流値I24および
I25が、0<I25≪I24となるように制御する。こ
の場合、抵抗11ないし14に生じる電圧降下
の関係によつて、トランジスタ20および22
がオン状態、トランジスタ19および21がオ
フ状態となり、Vc>Vdとなる。その結果、第
1図図示実施例の説明と同じく出力端子4から
出力される出力信号V0は、第2図図示矢印B
に示されているようになる。
I25が、0<I25≪I24となるように制御する。こ
の場合、抵抗11ないし14に生じる電圧降下
の関係によつて、トランジスタ20および22
がオン状態、トランジスタ19および21がオ
フ状態となり、Vc>Vdとなる。その結果、第
1図図示実施例の説明と同じく出力端子4から
出力される出力信号V0は、第2図図示矢印B
に示されているようになる。
また、定電流源24および25の電流値I24
およびI25が0<I24≪I25となるように制御する
ことによつて得られる閾値電圧にもとづく出力
端子4からの出力信号V0は、第2図図示矢印
B′に示されているような特性が得られる。
およびI25が0<I24≪I25となるように制御する
ことによつて得られる閾値電圧にもとづく出力
端子4からの出力信号V0は、第2図図示矢印
B′に示されているような特性が得られる。
第4図は、第3図を変形した実施例で、第3図
図中の定電流源24にトランジスタ101および
102より成る電流スイツチ(CS)を設けた例
である。電流スイツチは良く知られているECL
(Emitter Coupled Logic)のCS(Current
Switch)と同様の動作をする。ここでVBBはトラ
ンジスタ102のベースに印加される基準電圧で
VCONTはCSを制御する電圧である。コントロール
信号VCONTが基準電圧VBBよりも高い場合トランジ
スタ101がオンし、102はオフして定電流源
24の電流はトランジスタ101を通して流れ、
抵抗11および12による電圧降下はない。一
方、コントロール信号VCONTの電圧がVBBより低い
場合にはトランジスタ102がオンし、101は
オフして、抵抗11および12に電流が流れ電圧
降下が生じる。
図中の定電流源24にトランジスタ101および
102より成る電流スイツチ(CS)を設けた例
である。電流スイツチは良く知られているECL
(Emitter Coupled Logic)のCS(Current
Switch)と同様の動作をする。ここでVBBはトラ
ンジスタ102のベースに印加される基準電圧で
VCONTはCSを制御する電圧である。コントロール
信号VCONTが基準電圧VBBよりも高い場合トランジ
スタ101がオンし、102はオフして定電流源
24の電流はトランジスタ101を通して流れ、
抵抗11および12による電圧降下はない。一
方、コントロール信号VCONTの電圧がVBBより低い
場合にはトランジスタ102がオンし、101は
オフして、抵抗11および12に電流が流れ電圧
降下が生じる。
ここで、定電流源24の電流I24と定電流源2
5の電流I25との関係を第3図の説明と同じよう
に0<I25≪I24なる関係にしておくとVCONT=Hの
ときVc=Vdとなつて、レシーバの入力オフセツ
トは0Vになり、VCONT=Lのときは第2図に示さ
れたBのような負の入力オフセツト電圧を有す
る。定電流源25に同様の電流スイツチを設ける
ことにより、また定電流源24ないし25の電流
が抵抗11ないし14の値(0Ωを含む)を適当
に選ぶことによりレシーバの入力オフセツト電圧
を正にも負にもまた0にもすることができること
は明らかである。
5の電流I25との関係を第3図の説明と同じよう
に0<I25≪I24なる関係にしておくとVCONT=Hの
ときVc=Vdとなつて、レシーバの入力オフセツ
トは0Vになり、VCONT=Lのときは第2図に示さ
れたBのような負の入力オフセツト電圧を有す
る。定電流源25に同様の電流スイツチを設ける
ことにより、また定電流源24ないし25の電流
が抵抗11ないし14の値(0Ωを含む)を適当
に選ぶことによりレシーバの入力オフセツト電圧
を正にも負にもまた0にもすることができること
は明らかである。
第5図はヒステリシス特性を有するレシーバの
実施例である。第5図の15a,15b,16
a,16bは抵抗で、15a,15bは出力電圧
V0を、16a,16bは出力電圧V0を分圧する
作用を有していて、これらの抵抗値を適当に選ぶ
ことによつて、エミツタ・ホロワの出力電圧を適
切な電圧にすることができる。
実施例である。第5図の15a,15b,16
a,16bは抵抗で、15a,15bは出力電圧
V0を、16a,16bは出力電圧V0を分圧する
作用を有していて、これらの抵抗値を適当に選ぶ
ことによつて、エミツタ・ホロワの出力電圧を適
切な電圧にすることができる。
第6図は、第5図図示の実施例における閾値電
圧を説明する図である。第5図図中のトランジス
タ18がオン、トランジスタ17がオフしている
状態すなわち出力端子4より出力される出力電圧
V0が低電位で出力端子より出力される出力電圧
V0が高電位である状態では第5図図中eおよび
fで示される点の電圧VeおよびVfはVe<Vfな
る関係にあり、これにより得られる閾値電圧にも
とづく出力端子4からの出力信号V0は第6図図
中のB′で示されているような特性になり、逆に
第5図図中の出力端子から出力される出力電圧
V0が高電位のときは第6図図中のBの関係にな
る。すなわち、第5図図示実施例は第6図図中H
で示した入力ヒステリシスを有する。
圧を説明する図である。第5図図中のトランジス
タ18がオン、トランジスタ17がオフしている
状態すなわち出力端子4より出力される出力電圧
V0が低電位で出力端子より出力される出力電圧
V0が高電位である状態では第5図図中eおよび
fで示される点の電圧VeおよびVfはVe<Vfな
る関係にあり、これにより得られる閾値電圧にも
とづく出力端子4からの出力信号V0は第6図図
中のB′で示されているような特性になり、逆に
第5図図中の出力端子から出力される出力電圧
V0が高電位のときは第6図図中のBの関係にな
る。すなわち、第5図図示実施例は第6図図中H
で示した入力ヒステリシスを有する。
以上、第1図および第3図ないし第5図図示実
施例において、定電流源23ないし25はトラン
ジスタを利用した電流源のみならず抵抗を疑似電
流源として使用できることは言うまでもない。ま
た、電流源をON OFFするスイツチは、ECL回
路における電流スイツチ(CS)だけでなく、単
にトランジスタのON OFF状態を利用すること
も可能である。
施例において、定電流源23ないし25はトラン
ジスタを利用した電流源のみならず抵抗を疑似電
流源として使用できることは言うまでもない。ま
た、電流源をON OFFするスイツチは、ECL回
路における電流スイツチ(CS)だけでなく、単
にトランジスタのON OFF状態を利用すること
も可能である。
(E) 発明の効果
以上説明した如く、本発明によれば、入力信号
の状態に対応して閾値電圧を所望する値に選択す
ることが可能となり、雑音余裕度の高い閾値可変
型差動信号レシーバを提供することができる。
の状態に対応して閾値電圧を所望する値に選択す
ることが可能となり、雑音余裕度の高い閾値可変
型差動信号レシーバを提供することができる。
第1図、第3図、第4図、第5図は本発明の実
施例構成を示す回路図、第2図は第1図、第3
図、第4図図示実施例における閾値電圧に関する
説明図、第6図は第5図図示実施例における閾値
電圧に関する説明図を示す。 図中、1および2は入力端子、3および4は出
力端子、5ないし16および15a,15b,1
6a,16bは抵抗、17ないし22および10
1,102はトランジスタ、23ないし25は定
電流源を表わす。
施例構成を示す回路図、第2図は第1図、第3
図、第4図図示実施例における閾値電圧に関する
説明図、第6図は第5図図示実施例における閾値
電圧に関する説明図を示す。 図中、1および2は入力端子、3および4は出
力端子、5ないし16および15a,15b,1
6a,16bは抵抗、17ないし22および10
1,102はトランジスタ、23ないし25は定
電流源を表わす。
Claims (1)
- 1 差動増幅器を用いることによつて、差動入力
信号の差電圧を予め定められた閾値電圧(オフセ
ツト電圧)と比較して該差動入力信号に対応する
論理信号を出力する差動増幅器型信号レシーバに
おいて、エミツタ・ホロワの出力電圧を制御可能
に構成し、該エミツタ・ホロワ出力電圧を独立し
て上記差動増幅器の2つの入力信号に夫々抵抗を
介して重畳させた構成をそなえ、上記エミツタ・
ホロワの出力電圧を制御することによつて、上記
差動増幅器における閾値電圧(オフセツト電圧)
を制御するように構成されていることを特徴とす
る閾値可変型差動信号レシーバ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57122575A JPS5912661A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 閾値可変型差動信号レシ−バ |
EP83304026A EP0100177B1 (en) | 1982-07-13 | 1983-07-11 | A differential signal receiver |
DE8383304026T DE3374108D1 (en) | 1982-07-13 | 1983-07-11 | A differential signal receiver |
US06/513,057 US4587444A (en) | 1982-07-13 | 1983-07-12 | Variable-threshold-type differential signal receiver |
IE1628/83A IE54648B1 (en) | 1982-07-13 | 1983-07-13 | A differential signal receiver |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57122575A JPS5912661A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 閾値可変型差動信号レシ−バ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5912661A JPS5912661A (ja) | 1984-01-23 |
JPH0223054B2 true JPH0223054B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=14839296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57122575A Granted JPS5912661A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 閾値可変型差動信号レシ−バ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4587444A (ja) |
EP (1) | EP0100177B1 (ja) |
JP (1) | JPS5912661A (ja) |
DE (1) | DE3374108D1 (ja) |
IE (1) | IE54648B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59139723A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Fujitsu Ltd | 差動スイツチ回路 |
JPH0773208B2 (ja) * | 1984-06-30 | 1995-08-02 | ソニー株式会社 | 論理回路 |
CA1248140A (en) * | 1985-10-29 | 1989-01-03 | Sadayuki Maeda | Method for producing 2-(substituted aryl)propionaldehyde |
US4677315A (en) * | 1986-07-28 | 1987-06-30 | Signetics Corporation | Switching circuit with hysteresis |
JPS6474823A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Emitter follower circuit |
US4851759A (en) * | 1988-05-26 | 1989-07-25 | North American Philips Corporation, Signetics Division | Unity-gain current-limiting circuit |
US5210527A (en) * | 1989-06-28 | 1993-05-11 | Ceridian Corporation | Programmable spike detector |
FR2655218A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Radiotechnique Compelec | Circuit retardateur a retard reglable. |
JP2607729B2 (ja) * | 1990-04-21 | 1997-05-07 | 株式会社東芝 | ヒステリシスコンパレータ |
US4980581A (en) * | 1990-05-21 | 1990-12-25 | Motorola, Inc. | Differential ECL bus tri-state detection receiver |
DE4138661C1 (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-03 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
US5258661A (en) * | 1992-04-20 | 1993-11-02 | International Business Machines Corporation | High noise tolerance receiver |
US5648735A (en) * | 1996-04-23 | 1997-07-15 | Analog Devices, Inc. | Comparator with a predetermined output state in dropout |
EP1844548A2 (en) * | 2005-01-28 | 2007-10-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device comprising a latch |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2923840A (en) * | 1958-07-18 | 1960-02-02 | Robert L Ellsworth | Wave shaping circuit |
US3470388A (en) * | 1964-06-16 | 1969-09-30 | Edison Instr Inc | Differential amplifier circuits |
US3434123A (en) * | 1964-10-06 | 1969-03-18 | Rca Corp | Sense amplifier for magnetic memory |
US3467839A (en) * | 1966-05-18 | 1969-09-16 | Motorola Inc | J-k flip-flop |
US3577008A (en) * | 1969-01-22 | 1971-05-04 | Rca Corp | Automatic frequency control apparatus |
DE2003454B (de) * | 1970-01-27 | 1971-01-14 | Siemens Ag | Amplitudendiskriminator |
US3626214A (en) * | 1970-03-03 | 1971-12-07 | Sperry Rand Corp | Bipolar input bistable output trigger circuit |
US4072870A (en) * | 1976-06-30 | 1978-02-07 | Motorola, Inc. | Comparison circuit having programmable hysteresis |
JPS584274Y2 (ja) * | 1976-11-11 | 1983-01-25 | 富士通株式会社 | 光フアイバディジタルリンク受信回路 |
US4219744A (en) * | 1978-02-03 | 1980-08-26 | Hewlett-Packard Company | DC-Coupled Schmitt trigger circuit with input impedance peaking for increasing switching speed |
US4147943A (en) * | 1978-02-14 | 1979-04-03 | Trw Inc. | Sensitive high speed clocked comparator |
JPS5578612A (en) * | 1978-12-09 | 1980-06-13 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP57122575A patent/JPS5912661A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-11 DE DE8383304026T patent/DE3374108D1/de not_active Expired
- 1983-07-11 EP EP83304026A patent/EP0100177B1/en not_active Expired
- 1983-07-12 US US06/513,057 patent/US4587444A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-13 IE IE1628/83A patent/IE54648B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5912661A (ja) | 1984-01-23 |
US4587444A (en) | 1986-05-06 |
EP0100177B1 (en) | 1987-10-14 |
DE3374108D1 (en) | 1987-11-19 |
IE54648B1 (en) | 1989-12-20 |
IE831628L (en) | 1984-01-13 |
EP0100177A1 (en) | 1984-02-08 |
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