JPH02230251A - 電析的に形取り可能な三角形または台形断面の微細構造体をリトグラフ的に製造する方法 - Google Patents
電析的に形取り可能な三角形または台形断面の微細構造体をリトグラフ的に製造する方法Info
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- JPH02230251A JPH02230251A JP1324138A JP32413889A JPH02230251A JP H02230251 A JPH02230251 A JP H02230251A JP 1324138 A JP1324138 A JP 1324138A JP 32413889 A JP32413889 A JP 32413889A JP H02230251 A JPH02230251 A JP H02230251A
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- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はａ）レジスト物質の層を導電性基板上に施し、
ｂ）該レジスト層に焦点を合せたかつ可動のビームを使
用するかまたはそれに垂直に配設でれたマスクで部分的
に遅断されたビームを使用して、帯状の・部分で照射し
、Ｃ）該レゾスＮ−の照射された部分を現像剤で除去し
、こうしてレジスト層に微細製造を生ぜしめかつ徴細構
造間の間隙に導電性基板を露出せしめ、この際発生した
レジスト組織を電析的に形取りし、ｄ）導電性基板を陰
極として結線して間隙に電析的に金属を充填し、引き続
いて、θ）該レジスト物質および導電性基鈑を除去する
、竃析的に形取り司能な三角形または台形購面の、′レ
ジスト物質からなる微細構造全リトグラフ的に農造する
方法に関する。
ｂ）該レジスト層に焦点を合せたかつ可動のビームを使
用するかまたはそれに垂直に配設でれたマスクで部分的
に遅断されたビームを使用して、帯状の・部分で照射し
、Ｃ）該レゾスＮ−の照射された部分を現像剤で除去し
、こうしてレジスト層に微細製造を生ぜしめかつ徴細構
造間の間隙に導電性基板を露出せしめ、この際発生した
レジスト組織を電析的に形取りし、ｄ）導電性基板を陰
極として結線して間隙に電析的に金属を充填し、引き続
いて、θ）該レジスト物質および導電性基鈑を除去する
、竃析的に形取り司能な三角形または台形購面の、′レ
ジスト物質からなる微細構造全リトグラフ的に農造する
方法に関する。
このような方法は刊行物ａ Ｊ，Ｍｏｈｒ．Ｗ，Ｋｈｒ
ｆｅｌｃｌ及びＤ．Ｍｕｎｃｈｍｅｙｅｒ著、” Ｋｅ
ｒｎｆＯｒ８Ｃｈｕｒｌｇ８ＺｅｎｔｒｕｍＫａｒｌｓ
ｒｕｈｅ．Ｅｅｒｉｃｈｔ ＫｆＫ−４４１４ ”
標題［シンクロトロン照射を用いたＸ線リトグラフイー
におｌナる構造転写の欠陥原因と精度の分析（″Ａｎａ
ｌｙｓｅ ｄｅｒ Ｄｅｆａｋｔｕｒｓａｃｈｅｎ ｕ
ｎｄ ｄｅｒＧｅｎａｕｉｇｋｅｉｔ ｄｅｒ ｓｔｒ
ｕｋｔｕｒｉｉｂｅｒｔｒａｇｕｎｇｈｅｉＲ６ｎｔｇ
；ｅｎ”，ｉｅｆｅｎｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ ｍｉ
ｔ Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎｓ−ｔｒａｈｌｕｎｇ″）
」から名称”Ｌ工ＧＡ＠”として公知である。
ｆｅｌｃｌ及びＤ．Ｍｕｎｃｈｍｅｙｅｒ著、” Ｋｅ
ｒｎｆＯｒ８Ｃｈｕｒｌｇ８ＺｅｎｔｒｕｍＫａｒｌｓ
ｒｕｈｅ．Ｅｅｒｉｃｈｔ ＫｆＫ−４４１４ ”
標題［シンクロトロン照射を用いたＸ線リトグラフイー
におｌナる構造転写の欠陥原因と精度の分析（″Ａｎａ
ｌｙｓｅ ｄｅｒ Ｄｅｆａｋｔｕｒｓａｃｈｅｎ ｕ
ｎｄ ｄｅｒＧｅｎａｕｉｇｋｅｉｔ ｄｅｒ ｓｔｒ
ｕｋｔｕｒｉｉｂｅｒｔｒａｇｕｎｇｈｅｉＲ６ｎｔｇ
；ｅｎ”，ｉｅｆｅｎｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ ｍｉ
ｔ Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎｓ−ｔｒａｈｌｕｎｇ″）
」から名称”Ｌ工ＧＡ＠”として公知である。
この刊行物では斜めの、すなわちレジスト層の平面に斜
めの壁を有する微細構造体の製造にふれている。第２章
では斜に立っている（入射ビームに対して）マスク構造
の、製造した微細構造の品質への影響を検討している。
めの壁を有する微細構造体の製造にふれている。第２章
では斜に立っている（入射ビームに対して）マスク構造
の、製造した微細構造の品質への影響を検討している。
それによればマスク乎面を傾斜させることによシレジス
ト平面に傾いて立つ構造体、従って原理的には三角形ま
たは台形の断面の微細構造体を製造できる。それでもｘ
ｆｘ−４４ １ ４によればこの傾斜配置は縁の頌分で
刺面の磨滅を生じる。製造すべき微細構造体の縁の領分
ではレジスト物質の部分は反射および回折効果によシ部
分的に照射される。
ト平面に傾いて立つ構造体、従って原理的には三角形ま
たは台形の断面の微細構造体を製造できる。それでもｘ
ｆｘ−４４ １ ４によればこの傾斜配置は縁の頌分で
刺面の磨滅を生じる。製造すべき微細構造体の縁の領分
ではレジスト物質の部分は反射および回折効果によシ部
分的に照射される。
該レジスト層の現像の際に該レジスト層の部分的に照射
された部分は一部は溶解し、このため次の電析の際には
歪曲したほとんど正蓚でない微細構造が得られる。
された部分は一部は溶解し、このため次の電析の際には
歪曲したほとんど正蓚でない微細構造が得られる。
さらに開口がビームに対して傾いた壁を持ち、かつ入射
ビームに直角に配置したマスクの影響を検討する。
ビームに直角に配置したマスクの影響を検討する。
前記に引用した刊行文献の第８６頁には、筆者らはその
中に小さい円錐角をもつ円錐微細構造を意図的に農造す
るために魅力ある方法ｅ＝めでいる。
中に小さい円錐角をもつ円錐微細構造を意図的に農造す
るために魅力ある方法ｅ＝めでいる。
それでもこの提案では、前以ってマスク構造を傾斜した
壁で袈作しなければならずかつ該円錐度は小さな角に限
ぎられるということが不利であることが立証された。さ
らに各所望の微細構造体に対しては独特なマスクき決め
られた傾斜の壁で装作しなげればならない。
壁で袈作しなければならずかつ該円錐度は小さな角に限
ぎられるということが不利であることが立証された。さ
らに各所望の微細構造体に対しては独特なマスクき決め
られた傾斜の壁で装作しなげればならない。
従って本発明の課題は、前記記載の不利を避けることで
あった。すなわち、垂直の壁を持つ、常用のマスクを使
用して三角形または一台形の断面の微細構造体ｔＳ造す
ることができる方法を提供することであった。製造され
た組織の微細構造体の壁の傾きは、マスクの構造金変え
ることなく広い限界の内で自由に選択できなけれ・ばな
らない。
あった。すなわち、垂直の壁を持つ、常用のマスクを使
用して三角形または一台形の断面の微細構造体ｔＳ造す
ることができる方法を提供することであった。製造され
た組織の微細構造体の壁の傾きは、マスクの構造金変え
ることなく広い限界の内で自由に選択できなけれ・ばな
らない。
微細構造体の壁の直線性は、ビームまたは照射の反射お
よび回折現象によシ、ひいてはレジストの照射された部
分と照射されなかった部分との間の流動的移行によって
妨害されてはならない。
よび回折現象によシ、ひいてはレジストの照射された部
分と照射されなかった部分との間の流動的移行によって
妨害されてはならない。
前記：ａ湖は冒頭に記載した形式の方法に２いて、不発
明により、レジスト層を１回目の照射の際には入射ビー
ムに垂直に定めた平面に対し角度十αだけ旋回せしめ、
引続いて、該レジスト層全２回目の照射の際には入射ビ
ームに垂直に定めた平面に対し角度一αだけ旋回させ、
この際１回目と２回目の照射の間に照射された帯状頌分
はレジスト層と基板の間の境界面で重なり、その後で該
レジスト層を常法で現像することによク解決される。
明により、レジスト層を１回目の照射の際には入射ビー
ムに垂直に定めた平面に対し角度十αだけ旋回せしめ、
引続いて、該レジスト層全２回目の照射の際には入射ビ
ームに垂直に定めた平面に対し角度一αだけ旋回させ、
この際１回目と２回目の照射の間に照射された帯状頌分
はレジスト層と基板の間の境界面で重なり、その後で該
レジスト層を常法で現像することによク解決される。
さらに２現以下の請求項は本発明による方法の有利な構
成を提供する。
成を提供する。
本発明によれば貫通口または開口がマスク平面に垂直に
延びる壁をもつマスクを使用する。
延びる壁をもつマスクを使用する。
該マスク平面は入射ビームに垂直に調整する。
このようなマスクは公知の方法で、壁がマスク平面に対
して一定の角度を持つ開口または貫通口ヲ胃するマスク
よりは著しく簡単に袈造することができる。
して一定の角度を持つ開口または貫通口ヲ胃するマスク
よりは著しく簡単に袈造することができる。
本発明の方法には有利にはスリット形の開口のマスクを
使用する。
使用する。
導電性基板全有するレジスト層は１回目の放その後で該
レンスト層を照射する。引き続いて該レジスト層をマス
ク平面に平行な面から角度旋回 （一α）だけＵ−させて再び照射する。この操作金、２
回照射したレ７スト層全マスク平面に平行な平面の内部
で角度βだけ回転せしめた後、再び繰返してよい。該試
料の現像はすべての照射の終了の後行ってよく、各照射
毎に行う必要はない。
レンスト層を照射する。引き続いて該レジスト層をマス
ク平面に平行な面から角度旋回 （一α）だけＵ−させて再び照射する。この操作金、２
回照射したレ７スト層全マスク平面に平行な平面の内部
で角度βだけ回転せしめた後、再び繰返してよい。該試
料の現像はすべての照射の終了の後行ってよく、各照射
毎に行う必要はない。
該角度αは照射された区分が１回目と２回目の照射のレ
ジスト物質と導電性基板の境界面で重なるように選ぶ。
ジスト物質と導電性基板の境界面で重なるように選ぶ。
選択した角αに従ってレジスト物質のＩ！厚およびマス
クのスリットの距離に依存して三角形まだは台形状断面
の微細構造体が得られる。
クのスリットの距離に依存して三角形まだは台形状断面
の微細構造体が得られる。
α＜ ａｒｃｓｉｎ （ ａ ／ ２ ｄ ）のときは
台形状断面）一方αｍ ａｒｃｓｉｎ （ ａ ／ ２
ｄ ）では三角形状断面が生じる。マスクふζよびレジ
スト層の入射ビームに対する配置は第１図に示す。
台形状断面）一方αｍ ａｒｃｓｉｎ （ ａ ／ ２
ｄ ）では三角形状断面が生じる。マスクふζよびレジ
スト層の入射ビームに対する配置は第１図に示す。
スリット２を有するマスク１は入射ビーム３に直角に調
整する。
整する。
該スリット２はマスク上にａの距離で施してあり、垂直
な壁を持っている。
な壁を持っている。
面の平面にある。
マスクによって吸収されなかったビームはレジスト層４
の内部の帯状領分７に進入する。こによって決定される
。
の内部の帯状領分７に進入する。こによって決定される
。
１回
滅させる。再びレジスト層の帯状頌分８を照射する。
帯状領分７および８はレゾス｝ ．＃と基板の境界面で
、三角形断面の微細構造の場仕はレジスト層の表面で重
なる。
、三角形断面の微細構造の場仕はレジスト層の表面で重
なる。
マスクおよびレジスト層はＫｆＫ−４ ４ １ ４に記
載された方法で製造される。
載された方法で製造される。
レジスト物質としてはポリメチルメタクリレ− ｝ （
ＰＭＭＡ ）またはｉ，工ＧＡ方法に適する他の物質
を使用することができる。
ＰＭＭＡ ）またはｉ，工ＧＡ方法に適する他の物質
を使用することができる。
照射された領分は公知の方法で現像する。
本発明の方法で重要なことは、現像の際照射された領分
が除去されるだけでなく、三角形断面の帯状構造をもつ
非照射領分９も、それを囲んでいるレジスト物質の部分
が溶出されるから、落ちてはなれることである。
が除去されるだけでなく、三角形断面の帯状構造をもつ
非照射領分９も、それを囲んでいるレジスト物質の部分
が溶出されるから、落ちてはなれることである。
第２図は２回照射しかつ現像したレジスト層を示し、第
２ａ図は微細構造の三角形断面を有するレ７ストブロッ
クおよび第２ｂ図は台形断面を有するレジストブロック
を示す。
２ａ図は微細構造の三角形断面を有するレ７ストブロッ
クおよび第２ｂ図は台形断面を有するレジストブロック
を示す。
これらのレジストブロックは常法で電析的に形どりする
ことができる。
ことができる。
それでもまた現像したレジストブロックは、それをマス
ク平面に平行な面内で一定の角β例えば９０°回転し、
その後で記載の方法を再度繰返することによシ、さらに
２回の照射を行うことができる。
ク平面に平行な面内で一定の角β例えば９０°回転し、
その後で記載の方法を再度繰返することによシ、さらに
２回の照射を行うことができる。
角度βが９０°で角度αがａｒｃｓｉｎ （ ａ／ ２
ｄ ）に等しい場合には第６図に示したレジストブロッ
クが得られる。
ｄ ）に等しい場合には第６図に示したレジストブロッ
クが得られる。
このレジストブロックは基板５の上に直角に延びるみぞ
１１の網によって互に分離している、多数の正方角錐を
持っている。
１１の網によって互に分離している、多数の正方角錐を
持っている。
該みぞ１１では導電性基板が露出する。
本発明を次に実施例にもとづき詳細に説明する。
例
長さ６ｃＭ＆、巾２０μｍのスリット全２２０μｍのそ
の都夏の間隔毎に持つ大きさ４ｘ４ＣＩＩＩ−２のマス
クをＸ線放射源の入射ビームに直角に調整した。
の都夏の間隔毎に持つ大きさ４ｘ４ＣＩＩＩ−２のマス
クをＸ線放射源の入射ビームに直角に調整した。
厚さ４００μｍで２×２１Ｂ２のＰＭＭＡ 裂レジスト
層を金属プレートの上に施した。この場仕には金属プレ
ートは基板として役立つ。
層を金属プレートの上に施した。この場仕には金属プレ
ートは基板として役立つ。
該レンスト層をマスク平面から３鵡の距離に調整し、１
回目の照射の際には該千面よシ角（十α）−１６°旋回
させた。
回目の照射の際には該千面よシ角（十α）−１６°旋回
させた。
引き続いて該レゾス｝ ，＠を常法で現１象し、それに
よって第２ａ図に類似した構造が生じた。
よって第２ａ図に類似した構造が生じた。
このように前処理したレジスト層ヲマスク面に平行で角
β−９０°回転させ、再び前述の方法で２回照射した。
β−９０°回転させ、再び前述の方法で２回照射した。
現像の後では第６図に類似した正方角錐形の微細構造が
現われた。
現われた。
これらの微細構造体は公知の方法で電析的に形どシされ
る。レジスト構造体および基板を除去した後で角錐形の
開口を有する工具が得られる。これによって形どること
によシ角錐形の合成樹脂構造を製造することができ、こ
れによシ電析的に充填すれば金属網が得られる。
る。レジスト構造体および基板を除去した後で角錐形の
開口を有する工具が得られる。これによって形どること
によシ角錐形の合成樹脂構造を製造することができ、こ
れによシ電析的に充填すれば金属網が得られる。
第１図は本発明によるマスクおよびレジスト屡の入射ビ
ームに対する配置略示図、第２ａ図は三角形断面微細構
造を持つレジストブロック、の斜視図、第２ｂ図は台形
断面微細構造を持つレジストブロックの斜視図、第３図
は正方角錐微細構造を持つレジストブロックの略示図で
ある。 代理人 弁理士 矢 野 敏 雄回キ 口ー −５０３ 一
ームに対する配置略示図、第２ａ図は三角形断面微細構
造を持つレジストブロック、の斜視図、第２ｂ図は台形
断面微細構造を持つレジストブロックの斜視図、第３図
は正方角錐微細構造を持つレジストブロックの略示図で
ある。 代理人 弁理士 矢 野 敏 雄回キ 口ー −５０３ 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ａ）レジスト材料の層を導電性基板上に施し、 ｂ）該レジスト層を焦点を合せたかつ可動 のビームを使用するかまたはそれに垂直に配設されたマ
スクで部分的に遮断されたビームを使用して、帯状の部
分で照射し、 ｃ）該レジスト層の照射された部分を現像 剤で除去し、そうしてレジスト層に微細構造を生ぜしめ
かつ該微細構造間の間隙に導電性基板を露出せしめ、こ
の際発生したレジスト構造体を電析的に形取りし、 ｄ）導電性基板を陰極として結線して間隙 に電析的に金属を充填し引き続いて、 ｅ）該レジスト物質および導電性基板を除 去する、電析的に形取り可能な三角形または台形断面の
レジスト物質からなる微細構造体をリトグラフ的に製造
する方法において、 ｆ）前記レジスト層を１回目の照射の際に は入射ビームに垂直に定めた平面に対し角度＋αだけ旋
回せしめ、引き続いて ｇ）該レジスト層を２回目の照射の際には 入射ビームに垂直に定めた平面に対し角度 −αだけ旋回させ、この際１回目と２回目の照射の間に
照射された帯状領分はレジスト層と基板の間の境界面で
重なり、その後で ｈ）該レジスト層を常法で現像する ことを特徴とする、電析的に形どり可能な三角形または
台形断面の微細構造体をリトグラフ的に製造する方法。 ２、前記工程段階ｆ）からｇ）に続いて該レジスト層を
入射ビームに垂直に定められた平面内で角度βだけ回転
せしめ、その後で工程段階ｆ）からｈ）を実施する請求
項１記載の方法。 ３、三角形断面を有する微細構造体の製造には角度αは
ａｒｃｓｉｎ（ａ／２ｄ）に等しく選び、ここにａはマ
スクの開口の距離およびｄはレジスト物質の層の厚さを
表わし、この際１回目の照射の間および２回目の照射の
間照射された領分はレジスト層と基板との間の界面での
ほかまたレジスト層の表面でも重なるようにする請求項
１または２記載の方法。 ４、台形の断面を有する微細構造体の製造には角αを小
さいａｒｃｓｉｎ（ａ／２ｄ）に選ぶ、ここにａはマス
クの開口の距離でｄはレジスト物質の層の厚さを表わす
請求項１または２記載の方法。 ５、スリット状の開口を有するマスクを使用する請求項
１から４までのいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3842354.5 | 1988-12-16 | ||
| DE3842354A DE3842354A1 (de) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Verfahren zur lithographischen herstellung von galvanisch abformbaren mikrostrukturen mit dreieckigem oder trapezfoermigem querschnitt |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230251A true JPH02230251A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=6369302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1324138A Pending JPH02230251A (ja) | 1988-12-16 | 1989-12-15 | 電析的に形取り可能な三角形または台形断面の微細構造体をリトグラフ的に製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5045439A (ja) |
| EP (1) | EP0373329B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02230251A (ja) |
| AT (1) | ATE132279T1 (ja) |
| DE (1) | DE3842354A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123614A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Kyocera Kinseki Corp | 露光装置、ウェハ及び露光方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259584A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積光デフレクタおよびその製造方法 |
| DE4332108C1 (de) * | 1993-09-22 | 1995-03-23 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern |
| US6360424B1 (en) | 1994-06-06 | 2002-03-26 | Case Western Reserve University | Method of making micromotors with utilitarian features |
| US6029337A (en) * | 1994-06-06 | 2000-02-29 | Case Western Reserve University | Methods of fabricating micromotors with utilitarian features |
| US5705318A (en) * | 1994-06-06 | 1998-01-06 | Case Western Reserve University | Micromotors and methods of fabrication |
| US5788468A (en) * | 1994-11-03 | 1998-08-04 | Memstek Products, Llc | Microfabricated fluidic devices |
| US6226120B1 (en) * | 1994-11-30 | 2001-05-01 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Three-dimensional microstructures, and methods for making three-dimensional microstructures |
| DE19604242C2 (de) * | 1996-02-06 | 1999-09-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Herstellungsverfahren für dreidimensional geformte Metallprofile und Anwendung des Verfahrens zur Herstellung von Metallprofilen für die Mikromechanik |
| WO1997029223A1 (en) * | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | High aspect ratio, microstructure-covered, macroscopic surfaces |
| DE19652463C2 (de) * | 1996-12-17 | 1999-02-25 | Univ Schiller Jena | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung dreidimensionaler Mikrostrukturen beliebiger Form |
| DE69900384T2 (de) * | 1998-04-28 | 2003-02-27 | Nano World Ag Neuchatel | Kostengünstiger mikrobiegebalken aus photoplastischem material |
| US6881203B2 (en) | 2001-09-05 | 2005-04-19 | 3M Innovative Properties Company | Microneedle arrays and methods of manufacturing the same |
| US6620715B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-09-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for forming sub-critical dimension structures in an integrated circuit |
| AU2003251831B2 (en) * | 2002-07-19 | 2009-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Microneedle devices and microneedle delivery apparatus |
| US6875544B1 (en) | 2002-10-03 | 2005-04-05 | Sandia Corporation | Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography |
| FR2858694B1 (fr) * | 2003-08-07 | 2006-08-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de motifs a flancs inclines par photolithographie |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2828625C2 (de) * | 1978-06-29 | 1980-06-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Präzisionsflachteilen |
| DE3006543A1 (de) * | 1980-02-21 | 1981-08-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von mit strukturen versehenen lackschichten fuer die mikrogalvanoplastik mittels roentgenstrahlen |
| JPS57200042A (en) * | 1981-06-02 | 1982-12-08 | Hoya Corp | Exposure method for chemically machinable photosensitive glass |
| DE3315665A1 (de) * | 1983-04-29 | 1984-10-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Herstellung von galvanoplastischen flachteilen mit totationsunsymmetrischen, kegelfoermigen strukturen |
| EP0338110B1 (en) * | 1988-04-21 | 1993-03-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming a photoresist pattern and apparatus applicable with said method |
-
1988
- 1988-12-16 DE DE3842354A patent/DE3842354A1/de active Granted
-
1989
- 1989-10-25 AT AT89119818T patent/ATE132279T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-10-25 EP EP89119818A patent/EP0373329B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-15 JP JP1324138A patent/JPH02230251A/ja active Pending
- 1989-12-18 US US07/452,018 patent/US5045439A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123614A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Kyocera Kinseki Corp | 露光装置、ウェハ及び露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5045439A (en) | 1991-09-03 |
| ATE132279T1 (de) | 1996-01-15 |
| EP0373329B1 (de) | 1995-12-27 |
| EP0373329A2 (de) | 1990-06-20 |
| DE3842354C2 (ja) | 1992-09-03 |
| DE3842354A1 (de) | 1990-06-21 |
| EP0373329A3 (de) | 1991-10-09 |
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