JPH0223004B2 - - Google Patents
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- JPH0223004B2 JPH0223004B2 JP57124993A JP12499382A JPH0223004B2 JP H0223004 B2 JPH0223004 B2 JP H0223004B2 JP 57124993 A JP57124993 A JP 57124993A JP 12499382 A JP12499382 A JP 12499382A JP H0223004 B2 JPH0223004 B2 JP H0223004B2
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、特に電気系統における過電圧保護装
置に使用される非直線抵抗体に関する。
置に使用される非直線抵抗体に関する。
電気系統において、正常な電圧に重畳される過
電圧を除去し、電気系統や電気機器を保護するた
め、サージアブソーバ及び避雷器などの過電圧保
護装置が用いられる。
電圧を除去し、電気系統や電気機器を保護するた
め、サージアブソーバ及び避雷器などの過電圧保
護装置が用いられる。
この過電圧保護装置には、正常な電圧ではほぼ
絶縁特性を示し、過電圧が印加されたときには比
較的低抵抗値になる非直線抵抗体が用いられる。
絶縁特性を示し、過電圧が印加されたときには比
較的低抵抗値になる非直線抵抗体が用いられる。
非直線抵抗体は炭化けい素（SiO）若しくは酸
化亜鉛（ZnO）に金属酸化物を混合した素材をプ
レスして成形し、焼成して造られる。
化亜鉛（ZnO）に金属酸化物を混合した素材をプ
レスして成形し、焼成して造られる。
ZnO系の非直線抵抗体は、小電流域における非
直線特性が急峻で、かつ、大電流域に到るまで鋭
い立ち上りをもつため、SiO系の非直線抵抗体を
用いた過電圧保護装置よりもすぐれた過電圧保護
装置を作ることができる。
直線特性が急峻で、かつ、大電流域に到るまで鋭
い立ち上りをもつため、SiO系の非直線抵抗体を
用いた過電圧保護装置よりもすぐれた過電圧保護
装置を作ることができる。
このZnO系非直線抵抗体は、湿中において使用
すると、非直線抵抗体側面の抵抗値が減少する。
すなわち、非直線指数αが著しく損われるという
問題があり、従来は非直線抵抗体の側面に硅酸亜
鉛とアンチモン酸亜鉛を主成分とする高抵抗層を
設けるか、または、さらにその上にガラス層を設
けることにより、耐湿性の向上だけでなく、沿面
閃格の防止も図つていた。
すると、非直線抵抗体側面の抵抗値が減少する。
すなわち、非直線指数αが著しく損われるという
問題があり、従来は非直線抵抗体の側面に硅酸亜
鉛とアンチモン酸亜鉛を主成分とする高抵抗層を
設けるか、または、さらにその上にガラス層を設
けることにより、耐湿性の向上だけでなく、沿面
閃格の防止も図つていた。
しかし、従来の非直線抵抗体は、高抵抗層とガ
ラス層との密着性が悪いために、インパルス耐量
が低下したり、低電流域におけるリーク電流の増
加により非直線性が悪いという欠点があつた。
ラス層との密着性が悪いために、インパルス耐量
が低下したり、低電流域におけるリーク電流の増
加により非直線性が悪いという欠点があつた。
本発明は、前記欠点に鑑みなされたもので、イ
ンパルス耐量及び非直線特性を向上させた非直線
抵抗体を提供するものである。
ンパルス耐量及び非直線特性を向上させた非直線
抵抗体を提供するものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。
する。
ZnO95.5モル％、Bi2O30.5モル％、Sb2O31.0モ
ル％、NiO1.0モル％、Cr2O50.5モル％、
Co2O30.5モル％、MnO20.5モル％、SiO20.5モル
％の割合で秤量しボールミルで混合する。このと
き酸化物と有機結合剤例えばポリビニルアルコー
ルとを同時に混合する。このようにして得られた
混合物を乾燥造粒装置例えばスプレードライヤー
に入れ、球状団粒にする。この粉末状混合物をプ
レスにかけ、例えば直径100mm、混さ25mmの円板
に成形する。一方、SiO2、Sb2O3およびBi2O3を
モル比にして70対20対10の割合で混合した酸化物
ペーストを、前記成形体の側面部分に塗布し、例
えば1200℃で焼成する。このようにして、硅酸亜
鉛（Zn2SiO4）とアンチモン酸亜鉛（Zn7Sb2O12）
を主成分とする高抵抗層が形成された焼結体の側
面に、低融点鉛ガラスフリツト70重量％、耐火性
充填剤としてアルミナ、シリカおよび長石をそれ
ぞれ10重量％の割合で混合した混合物スラリーを
塗布し、例えば500℃で焼成し抵抗層を形成させ
る。その後、アルミニウム電極を溶射して非直線
抵抗体を形成する。
ル％、NiO1.0モル％、Cr2O50.5モル％、
Co2O30.5モル％、MnO20.5モル％、SiO20.5モル
％の割合で秤量しボールミルで混合する。このと
き酸化物と有機結合剤例えばポリビニルアルコー
ルとを同時に混合する。このようにして得られた
混合物を乾燥造粒装置例えばスプレードライヤー
に入れ、球状団粒にする。この粉末状混合物をプ
レスにかけ、例えば直径100mm、混さ25mmの円板
に成形する。一方、SiO2、Sb2O3およびBi2O3を
モル比にして70対20対10の割合で混合した酸化物
ペーストを、前記成形体の側面部分に塗布し、例
えば1200℃で焼成する。このようにして、硅酸亜
鉛（Zn2SiO4）とアンチモン酸亜鉛（Zn7Sb2O12）
を主成分とする高抵抗層が形成された焼結体の側
面に、低融点鉛ガラスフリツト70重量％、耐火性
充填剤としてアルミナ、シリカおよび長石をそれ
ぞれ10重量％の割合で混合した混合物スラリーを
塗布し、例えば500℃で焼成し抵抗層を形成させ
る。その後、アルミニウム電極を溶射して非直線
抵抗体を形成する。
このようにして得られた非直線抵抗体の電気特
性を第１図及び第２図に示す。
性を第１図及び第２図に示す。
第１図はインパルス（４×10us）電流を印加し
た時の合格率を示したもので、第２図は電流特性
を示したものである。各図において、実線Ａ、破
線Ｂは各々従来及び本発明の非直線抵抗体の特性
を示す。
た時の合格率を示したもので、第２図は電流特性
を示したものである。各図において、実線Ａ、破
線Ｂは各々従来及び本発明の非直線抵抗体の特性
を示す。
第１図及び第２図から明らかなように本発明の
非直線抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べてイ
ンパルス耐量及び非直線性が著しく改善されてい
る。
非直線抵抗体は、従来の非直線抵抗体に比べてイ
ンパルス耐量及び非直線性が著しく改善されてい
る。
本発明において、このような優れた特性が得ら
れるのは、低融点鉛ガラス中に耐火性充填剤を混
合分散させることにより、焼付時に生じる酸化亜
鉛粒子表面の酸素イオンの減少を防ぎ、リーク電
流を減少させ、非直線性を良くし、しかも、低融
点鉛ガラスの比抵抗が耐火性充填剤を加えること
により、ガラスのみの比抵抗よりも高くなり、イ
ンパルス耐量を向上させていると考えられる。
れるのは、低融点鉛ガラス中に耐火性充填剤を混
合分散させることにより、焼付時に生じる酸化亜
鉛粒子表面の酸素イオンの減少を防ぎ、リーク電
流を減少させ、非直線性を良くし、しかも、低融
点鉛ガラスの比抵抗が耐火性充填剤を加えること
により、ガラスのみの比抵抗よりも高くなり、イ
ンパルス耐量を向上させていると考えられる。
さらに、安価な耐火性充填剤を使用するため、
高価な低融点鉛ガラスフリツトのみを使用する場
合に比較して、コスト上においても有利である。
高価な低融点鉛ガラスフリツトのみを使用する場
合に比較して、コスト上においても有利である。
本発明において使用される低融点鉛ガラスフリ
ツトはPbOが60〜95重量％、SiO2が0.5〜10重量
％、B2O3が３〜20重量％およびAl2O3が0.5〜10
重量％の範囲内で含有されたものである。PbOが
60重量％よりも少なく、またSiO2やAl2O3が10重
量％、B2O3が20重量％よりも多すぎると、ガラ
スの軟化点及び作業温度が高くなりすぎ、非直線
性が悪くなるという欠点が生じる。その理由は、
焼付温度が850℃以上になると、Bi2O3の融点
（約820℃）以上に温度を上げることになり、非直
線抵抗体中に含まれるBi2O3が再び変化を起こ
し、一度安定化した粒界層を乱すことになり、第
２図に示すような優れた非直線性は得られない。
一方PbOが95重量％よりも多く、またSiO2や
Al2O3が0.5重量％、B2O3が３重量％よりも少な
すぎると、ガラスの網目構造が崩れ、被覆膜に亀
裂やはがれが生じ、第１図に示すような優れたイ
ンパルス耐量は得られない。
ツトはPbOが60〜95重量％、SiO2が0.5〜10重量
％、B2O3が３〜20重量％およびAl2O3が0.5〜10
重量％の範囲内で含有されたものである。PbOが
60重量％よりも少なく、またSiO2やAl2O3が10重
量％、B2O3が20重量％よりも多すぎると、ガラ
スの軟化点及び作業温度が高くなりすぎ、非直線
性が悪くなるという欠点が生じる。その理由は、
焼付温度が850℃以上になると、Bi2O3の融点
（約820℃）以上に温度を上げることになり、非直
線抵抗体中に含まれるBi2O3が再び変化を起こ
し、一度安定化した粒界層を乱すことになり、第
２図に示すような優れた非直線性は得られない。
一方PbOが95重量％よりも多く、またSiO2や
Al2O3が0.5重量％、B2O3が３重量％よりも少な
すぎると、ガラスの網目構造が崩れ、被覆膜に亀
裂やはがれが生じ、第１図に示すような優れたイ
ンパルス耐量は得られない。
また、有効な低融点鉛ガラスフリツトの含有率
及び耐火性充填剤の種類は、低融点鉛ガラスフリ
ツトが５〜95重量％を占め、耐火性充填剤はアル
ミナ、シリカ、マグネシア、ジルコニア、ムライ
ト、コーデイエライト、長石、タルク、粘土の少
なくともいずれか一種類以上であることが確認さ
れた。
及び耐火性充填剤の種類は、低融点鉛ガラスフリ
ツトが５〜95重量％を占め、耐火性充填剤はアル
ミナ、シリカ、マグネシア、ジルコニア、ムライ
ト、コーデイエライト、長石、タルク、粘土の少
なくともいずれか一種類以上であることが確認さ
れた。
本実施例において、非直線抵抗体の酸化亜鉛の
含有率、金属酸化物の組成及び含有率、高抵抗層
を形成さす金属酸化物の組成及び含有率は前記実
施例に限定されるものではない。
含有率、金属酸化物の組成及び含有率、高抵抗層
を形成さす金属酸化物の組成及び含有率は前記実
施例に限定されるものではない。
また、工程の条件も、前記実施例に限定される
ものではないことは勿論である。
ものではないことは勿論である。
以上説明した様に本発明によれば、インパルス
耐量及び非直線特性を向上させた非直線抵抗体を
提供できる。
耐量及び非直線特性を向上させた非直線抵抗体を
提供できる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る非
直線抵抗体のインパルス耐量特性線図、及び電圧
−電流特性線図である。
直線抵抗体のインパルス耐量特性線図、及び電圧
−電流特性線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛を主成分とする焼結体の少なくとも
その側面に絶縁層を設けた非直線抵抗体におい
て、該絶縁層は硅酸亜鉛（Zn2SiO4）とアンチモ
ン酸亜鉛（Zn7Sb2O12）とを主成分とする第１の
抵抗層と、この第１の抵抗層上に設けられた350
〜900℃の軟化点を持つ低融点鉛ガラスフリツト
及び耐火性充填剤の混合物より生成された第２の
抵抗層から成り、 前記低融点鉛ガラスフリツトは、酸化鉛
（PbO）を60〜95重量％、酸化硅素（SiO2）を0.5
〜10重量％、酸化ホウ素（B2O3）を３〜20重量
％、および酸化アルミニウム（Al2O3）を0.5〜10
重量％含有し、かつ低融点鉛ガラスフリツトが混
合物の５〜95重量％を占め、 前記耐火性充填剤がアルミナ、シリカ、マグネ
シア、ジルコニア、ムライト、コーデイエライ
ト、長石、タルク、粘土の少なくともいずれか一
種類以上から成ることを特徴とする非直線抵抗
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124993A JPS5916304A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124993A JPS5916304A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 非直線抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916304A JPS5916304A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0223004B2 true JPH0223004B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=14899244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124993A Granted JPS5916304A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916304A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195501A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体 |
| JPS63167941A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-12 | Mori Seiki Seisakusho:Kk | マルチプロセツサ暴走停止システム |
| JP2000235905A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Meidensha Corp | 非直線抵抗体の製造方法 |
| JP4048634B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2008-02-20 | 株式会社明電舎 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598802A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Nonnlinear voltage resistor |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57124993A patent/JPS5916304A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598802A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Nonnlinear voltage resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5916304A (ja) | 1984-01-27 |
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