JPH02226251A - フォトレジストの現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、フォトレジストの現像方法に関する。

［従来の技術］ 従来のポジ型のレジストの現像は、露光後のレジストを
プリウェットした後、無機アルカリまたは有機アルカリ
により処理することにより行なっていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし従来技術では、露光後のレジストはアルカリ可溶
であるため、露光後のレジストは現像液で溶解してしま
っていた。そのためレジストパターンの修正などは非常
困難であった。

そこで本発明はそのような課題を解決するものでその目
的とするところは、露光後のレジストをアルカリ不溶に
して、現像速度を遅らせて、現像されない部分を形成す
るところにある。従って、誤って露光してしまった部分
の修正、システム上−括露光が容易であるがレジストの
現像されない部分が必要な場合。

あるいは現像速度が異なる部分が必要な場合は本発明の
処理によって実現できるところにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明のフォトレジストの現像方法は、光により感光可
能なナフトキノンジアジド系のポジ型のレジストを用い
た現像に於て、親水基がＯＨ基である化合物により処理
することにより、感光後のフォトレジストの現像速度を
落としたことを特徴とする。

本発明に於て現像液に添加することのできる化合物の例
としては、非イオン界面活性剤。

アニオン界面活性剤２両性界面活性剤、カチオン界面活
性剤、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシプロ
ピレングリコール、ポリオキシエチレングリコールポリ
オキシプロピレングリコール共重合物などのグリコール
類などが挙げられる。高分子量の非イオン系の界面活性
剤やグリコール類を用いたものは最も現像速度を落し易
い。現像液がアルカリ性なので、アルカリ溶液中でも安
定なものを用いる必要がある。

また１本発明に於て現像液に添加する界面活性剤の添加
量は現像液に対してｏ、ｏｏ。

１％から１％が適当である。１％以上では現像液に溶解
しにくかったり、現像液のｐＨに影響したり、現像液の
変質を早めたりするし。

０．０００１％以下では界面活性剤の性能が発揮されず
現像が不完全となりやすい。この濃度はＯＨ基を有する
界面活性剤の種類によって変える必要があり、高分子量
のものであれば低濃度、低分子量のものであれば高濃度
のほうがよい。また、ある率で現像速度の低希釈して塗
布した。３の部分は何の処理も施さなかった。そしてヘ
キスト製のＡＺデベロッパーを水で３倍希釈した現像液
を用いて現像した。その結果２の部分は現像されず、３
の部分は現像された。このようにして本来現像される部
分が全く現像されないようにしてレジストパターンの修
正が可能となった。

第２図は本発明のレジストの現像方法を用いてレジスト
の現像される部分と現像されない部分を形成する場合で
ある。第２図の４はシリコンウェハー、５は現像された
部分、６は現像されない部分である。４のシリコンウェ
ハー上にヘキスト製のＡＺ１３５０のポジ型のレジスト
を塗布した後、ベータして露光して−５の部分に旭電化
のプルロニックし−６１を水で２０倍希釈して塗布した
。６の部分は何の処理も施さなかった。そしてヘキスト
製のＡＺデベロッパーを水で３倍希釈した現像液を用い
て現像した。その結果５の部分は現像されず６の部分は
現像された。このようにして誤って露光してしまったり
、システ下が必要な場合は、用いる界面活性剤の種類。

濃度を設定する必要がある。用いる界面活性剤とその濃
度により、全く現像されなくしたり、界面活性剤を含ま
ないよりも現像されやすくしたりすることができる。

さらに１本発明において露光後りレジスト表面は水蒸気
や水との接触は避けておいた方が現像されにくいので、
再現性があるようになるべく水分子がレジスト面と接触
しないようにした方がよい。

［実施例］ 以下本発明について図面に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明のレジストの現像方法を用いてレジスト
パターンの修正を行ったところである。第１図の１はシ
リコンウェハー　２は修正しないレジストパターン、　
３は修正したレジストパターンである。１のシリコンウ
ェハー上にヘキスト製のＡＺ１３５０のポジ型のレジス
トを塗布した後、ベータして露光して、２の部分にポリ
オキシプロピレングリコール（数平均分子量３０００）
を水で２０倍の様な処理を施すことによって、現像しな
くすることができた。

第３図は本発明のレジストの現像方法を用いて現像速度
の異なる部分を形成した場合である。第３図の７はシリ
コンウェハー　８は深く現像された部分、９は浅く現像
された部分である。７のシリコンウェハー上にヘキスト
製のＡＺ−１３５０のポジ型のレジストを塗布した後、
ベータして露光して、８の部分に東邦化学のＧＡＦＡＣ
−ＲＡ−６００を水で２０倍希釈して塗布した。９の部
分は何の処理も施さなかった。そしてヘキスト製のＡ２
デベロッパーを水で３倍希釈した現像液を用いて現像し
た。その結果８の部分は浅く現像され、９の部分は深く
現像された。このようにして、深く現像したい部分と浅
く現像したい部分を同一面上に形成することができた。

以上の例にみられるように２本発明のフォトレジストの
現像方法により、従来作成が困難であった露光後のレジ
ストパターンの修正。

露光後現像されなくすること、あるいは同一部分を形成
することが可能となった。

尚１本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく２本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。

［発明の効果］ 本発明のフォトレジストの現像方法は、露光後のレジス
トをアルカリ不溶にして、現像速度を遅らせて、現像さ
れない部分を形成するという効果を有する。従って、誤
って露光してしまった部分の修正、システム上−括露光
が容易であるがレジストの現像されない部分が必要な場
合、あるいは現像速度が異なる部分が必要な場合は本発
明の処理によって実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のレジストの現像方法を用いてレジスト
パターンの修正を行ったところを示す図。第２図は本発
明のレジストの現像方法を用いてレジストの現像される
部分と現像されない部分を形成する場合を示す図。第３
図は本発明のレジストの現像方法を用いて現像速度の異
なる部分を形成した場合を示す図。 ２、４１柾しＴぼりシゾストペター／ ヨ、　　１１ト１ニレ丁電シシ゛ストノ句−ン第１図 シリコンウェハー 修正しないレジストパターン 修正したレジストパターン シリコンウェハー 現像された部分 現像されない部分 シリコンウェハー 深く現像された部分 浅く現像された部分 ５、ｌＬＡ番？バト七扮 す、）（芝、イ＆−２込丁Ｊ・・→伽１弛；）・第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光により感光可能なナフトキノンジアジド 系のポジ型のレジストを用いた現像に於て、親水基がＯ
   Ｈ基である化合物により処理することにより、感光後の
   フォトレジストの現像速度を落としたことを特徴とする
   フォトレジストの現像方法。