JPH02225587A - オルト珪酸ルテチウム単結晶シンチレータ検知器 - Google Patents

オルト珪酸ルテチウム単結晶シンチレータ検知器

Info

Publication number
JPH02225587A
JPH02225587A JP1260313A JP26031389A JPH02225587A JP H02225587 A JPH02225587 A JP H02225587A JP 1260313 A JP1260313 A JP 1260313A JP 26031389 A JP26031389 A JP 26031389A JP H02225587 A JPH02225587 A JP H02225587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scintillator
detector
single crystal
range
cerium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1260313A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2852944B2 (ja
Inventor
Charles L Melcher
エル.メルチャー チャールズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schlumberger Overseas SA
Original Assignee
Schlumberger Overseas SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26944002&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH02225587(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Schlumberger Overseas SA filed Critical Schlumberger Overseas SA
Publication of JPH02225587A publication Critical patent/JPH02225587A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2852944B2 publication Critical patent/JP2852944B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01VGEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
    • G01V5/00Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity
    • G01V5/04Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity specially adapted for well-logging
    • G01V5/08Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity specially adapted for well-logging using primary nuclear radiation sources or X-rays
    • G01V5/10Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity specially adapted for well-logging using primary nuclear radiation sources or X-rays using neutron sources
    • G01V5/101Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity specially adapted for well-logging using primary nuclear radiation sources or X-rays using neutron sources and detecting the secondary Y-rays produced in the surrounding layers of the bore hole

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geophysics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
技術分野 本発明は、ガンマ線などの放射線に対する単結晶シンチ
レーション検知器に関するものであり、更に詳細には、
オルト珪酸ルテチウム(ルテチウムオルトシリケート)
から構成される単結晶シンチレーション検知器に関する
ものである。 従来技術 ガンマ線などの放射線(例えば、X線、宇宙線、及び約
IKeV以上の高エネルギ粒子など)に対する公知の形
態の検知器は、シンチレータとして知られる透明単結晶
を使用し、それは入射される放射線に応答して光パルス
を発生する。これらの光パルスは光学的に光倍増管の入
力端へ供給され、該光倍増管は受取った光パルスの数及
び振幅に関係した電圧信号を発生する。この種類のイン
デックスは、例えば原子核医学、物理、化学、鉱物及び
石油探査などの種々の分野において幅広く適用されてい
る。 最も広く使用されるタイプのシンチレータは、多分、タ
リウムをドープした便化ナトリウム即ちNar(TR)
である。比較的製造するのに低コストであり且つ入射す
る放射線に応答して高い光田力を供給することが可能で
あるので、Na1tJt知器は、例えば、石油埋蔵物の
位置を決定するために自然的に発生するか又は誘起され
たガンマ放射線の何れかを検知する油井検層(ロギング
)操作のための検層工具(ロギングツール)において一
般的に使用されている。 ガンマ線を検知するために使用されるその他の公知の単
結晶シンチレータとしては、例えば、便化セシウム(ナ
トリウム又はタリウムで活性化)及びゲルマニウム酸ビ
スマス(BGO)などがある。例えばナフタレン、アン
トラセン、ステイルベン及び同様な物質などの有機シン
チレータも使用されており、特に、これらのシンチレー
タは、一般的に、ガンマ線の検知のためには無機シンチ
レータはど存用なものではないが、極めて高いカウント
レートが重要である場合に使用される。 前述した全てのタイプのシンチレータは、ガンマ線検知
器としては一つ又はそれ以上の欠点を有している。例え
ば、Nalシンチレータは、比較的低い密度を有してお
り、従って放射線検知効率が低く、シンチレータジン減
衰が遅く、且つ大きく且つ持続性のある残光があり、こ
れらのことは、カウントレート性能を阻害し且つパルス
のパイルアップを発生し且つ吸湿性である。BGOシン
チレータは、Nalシンチレータの低蜜度及び紀吸湿性
などの問題を有するものではないが、比較的遅いシンチ
レータもン減衰時間を有すると共に光出力が低く、光出
力はより高い温度において史に低く降ドする。BGOの
屈折率も比較的高く、その結果内部反射による光損失が
発生する。公知のシンチレータのこれらの欠点及びその
他の欠点は、ガンマ線検知器としての有用性を限定的な
ものとしており、又使用態様において制限条件を課して
いた。例えば、油井検層の厳しい条件(高温度、高圧力
、湿気など)においては、検層速度、統計的信頼性、工
具寸法などにおける制限が、与えられた検層工具におい
て使用されるシンチレータ物質から直接的に発生する。 従って、更に一層有用性があり且つ信頼性があるシンチ
レーシッン検知器であって特にガンマ線シンチレーショ
ン検知器を開発することに関して長年努力が払われてい
る。 近年になって、セリウム活性化オルト珪酸ガドリニウム
(G S O)の単結晶から形成されるシンチレータを
使用するガンマ線検知器が提案されている。GSOシン
チレータは、高い実効的原子番号、高密度ξ高速シンチ
レーシッン減衰、比較的低い屈折率などのガンマ線検知
器としての利点を有しているが、光出力が低く、切断及
び研摩を困難とする襞間する強い傾向、更に熱中性子捕
獲断面が非常に高い(49000ba rns)である
という欠点を有している。この最後の特性は、検知され
るべきガンマ放射線が中性子の照射によフて誘起される
ような例えば多くの原子核検層工具などの適用において
は、GSOシンチレータはその有用性が非常に限定され
ているということを強く暗示している。なぜならば、熱
中性子を捕獲すると、ガドリニウムはガンマ放射線を発
生し、それは興味のある外部からのガンマ放射線の検知
と干渉するからである。 この様なGSOシンチレータ検知器は、ポジトロン珪酸
型トモグラフィ (断層造影)において使用するものに
ついて1987年3月3日に発行された米国特許第4,
647,781号に起債されている。しかしながら、こ
の特許においては、ボアホールロギング即ち検層におけ
る厳しい条件においてのガンマ線検知器としてGSOシ
ンチレータが適しているものであることの開示はない。 正に、鋭意研究の結果、ボアホール検知器としてGSO
シンチレータが有用であるということを最初に気が付い
たのは本発明者である。 GSOシンチレータをボアホールに使用するための適用
において成功を納めたので、本発明者は、ガンマ線など
の検知のために可能なシンチレータとしてその他の希土
類化合物を使用することを考えた。第一のステップとし
て、種々のホスファ即ち発光体物質を粉末形状での検討
を行ない、結晶成長に対する可能な候補者として識別す
るための初期的な評価を行なった。この初期的評価は、
希土類発光体の特性を検査することを主要な目的とする
A、   H,Gomes  de  Mesquit
a及びその他のマテリアルズリサーチブレチン(Mat
erial’s  Re5earch  PuJil、
17 et in) 、Vol、4、No、9.196
9.643−650頁、バーガマンブレスインml−ホ
レイテッド、の文献に記載されているものと同様の手法
を使用して行なった。上記文献及び本明細書において使
用する発光体という用語は、微粉末形状のものを指し示
す。この様な発光体は、典型的に、CRTスクリーン、
蛍光燈などのコーティングとして使用され、その場合そ
のコーティングは入射する電子乃至は紫外線を可視光パ
ルスへ変換させる。しかしながら、それらはガンマ線な
どの放射線検知器としては適していない。なぜならば、
高エネルギホトン乃至は粒子が干渉せずに薄いコーティ
ングを介して通過する可能性を有しているからである。 このコーティングがガンマ線を停止させるのに十分な厚
さであると、その結果得られる発光体層の不透明度がシ
ンチレーション信号のほとんどをトラップすることとな
る。その結果、透明な単結晶のみがガンマ線検知器とし
て有用である。 希土類発光体の物理的及び光学的特性の幾つかは知られ
ているが、それらのシンチレーション特性は公知のもの
ではなく且つ、シンチレーション信号が複雑であり且つ
単に部分的にのみ理解されているのに過ぎないので、前
もって予測することは不可能である。例えば、原子番号
、イオン半径、電子電荷、密度、屈折率、及び吸収帯の
不存在を基礎にすると、セリウムをドープしたオルト珪
酸イッテルビウム粉末及びセリウムをドープしたオルト
珪酸ルテチウム粉末は非常に類似したシンチレーション
特性を有するものと予測される。しかしながら、実際に
は、発光体についての実験から、オルト珪酸イブテルビ
ウムは、オルト珪酸ルテチウムと比較して、1000倍
シンチレーション出力が低いものであることが示されて
いる。 更に、希土類化合物の単結晶形態の蛍光特性及びその他
の特性が発光体形態のものと同一であるか否かは全く明
らかではない。一般的に、実際には、単結晶シンチレー
タのシンチレーション特性は、発光体から前もって確実
に容易に決定し且つ予測することは不可能である。 目  的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、ガンマ線などの放射
線検知器としてセリウム活性化オルト珪酸ルテチウムの
単結晶を使用する改良型シンチレータを提1共すること
を目的とする。 構成 本発明によれば、Ce 2XL u 2++−m+s 
i 09の一般式を持ったセリウム活性化オルト珪酸ル
テチウムの単結晶を有するガンマ線(又は同様の放射t
l)の検知器として使用するシンチレータが提供される
。一般的に、Xの値(結晶が引き出される初期的溶融物
において測定)は、約−z)SiO5001乃至−z)
SiO51の範囲内で変化することが可能であり、Xの
好適範囲は約−z)SiO5005乃至−z)SiO5
01.5である。完全な検知器として組立てられた場合
、シンチレータ結晶は、シンチレータによる光パルスの
発生に応答して電気信号を発生するために光検知器の感
光性表面に対して、直接的に又は適宜の光経路を介して
、光学的に結合される。本発明のしSOシンチレータは
、ある重要な特性を有しており、特に、光出力が高く、
減衰時間が非常に短く、且つ検知効率が高いものであっ
て、特にボアホール検層環境においてのガンマ線などの
放射線の検知器として従来のシンチレータと比較し優れ
た特性を有するものである。 実施例 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。本発明の代表的な実施例をガ
ンマ線検知器を例にとって詳細に説明する。勿論、本発
明の新規なLSO単結晶の有用性は、ガンマ放射線の検
知に限定されるべきものではなく、それは例えばX線、
宇宙線、高エネルギ粒子などのその他のタイプの同様の
放射線の検知に対して一般的な適用があることを理解す
べきである。 第1図において、単結晶LSOシンチレータ10が示さ
れており、それはガンマ線検知器のハウジング12内に
収納されている。このシンチレータの1表面14は、光
倍増管16の感光性表面と光学的接触状態に配置されて
いる。一方、光ガイド乃至はオプチカルファイバ、レン
ズ、ミラーなどを介して光パルスを光倍増管へ結合させ
ることも可能である。光倍増管は、例えば発光ダイオー
ド、マイクロチャンネルプレートなどの任意の適宜の光
検知器と置換させることが可能である。各光フラッシュ
の可及的に多くを光倍増管へ指向させるために、シンチ
レータの他の表面18は、好適には、例えばテフロンテ
ープ、酸化マグネシウム粉末、アルミニウムホイル、又
は二酸化チタン塗料などの反射性物質で囲繞するか又は
被覆する。 放射線の入射によりLSO結晶によって発生される光パ
ルスは、光倍増管によって直接的に又は表面18からの
反射によってインターセプト即ち中断され、光倍増管は
その光パルスに応答して電気パルス乃至は信号を発生す
る。これらの電気出力パルスは、典型的には、最初に増
幅され、次いでパルス高さ増幅気などにおいて所望に応
じ処理し、検知された放射線に関し興味のあるパラメー
タを採取する。この光倍増管は、更に、第1図に示した
如く、高電圧源に接続されている。LSOシンチレータ
以外、第1図に関して説明する全ての部品及び物質は従
来のものとすることが可能である。 シンチレータとしてセリウム活性化オルトシリケートル
テチウムCe : Lu2S tO,の評価における最
初のステップとして、該物質を発光体(粉末)形態に合
成し且つその結果得られる化合物のシンチレーション特
性について分析した。この分析から、LSOは、単結晶
形態に成長させる付加的な努力及びコストを費やするの
に価値があるものとして保証するのに十分に将来性のあ
るシンチレータ物質であることが判別した。LSOは、
原子番号が高く且つ密度が高く且つ分光の可視光部分に
おいて光学的吸収帯が存在しないので、発光体合成用の
候補者として選択した。このLSOの主要な物理的及び
光学的特性をGSO及びNar(TfI)のものと比較
すると次の表1のようになる。この表から、LSOは、
全ての特性においてGSOよりも好適であることが理解
され、且つ原子番号、密度、屈折率、及び吸湿性の点に
おいてNa1(Tjりよりも有利であることが理解され
る。 表  1 Nal(TI) GSOLSO 実効原子番号  51   59   86密    
 度   3.67   B、71  7.4屈  折
  率   1.85  1.91   1.82中性
子断面 [3,249,00084吸  湿  性  
 yes    no     n。 LSOのセリウム活性化単結晶は以前に成長形成された
ことはないので、単結晶LSOのシンチレーション特性
は未知であった。従って、LSO物質を単結晶に成長さ
せた場合に、LSO発光体の特性が保持されるか否かも
未知であった。 LSO発光体の合成手順は以下の如きステップによって
行なった。 (1)適宜の原子比でLn2−z)SiO5(LnmG
d。 L u ) S i Ox及びCeO2又はCe、−z
)SiO5の何れかの微粉末を機械的に混合し且つアル
ニナボート内に積載させた。各場合に、Ceのモル濃度
はGd又はLuと相対的に−z)SiO55%であった
。 (2)四つの組成物の各々を三つの大気条件、即ち中性
(純粋アルゴン)、還元性(アルゴン+296水素)、
又は酸化性(空気)の内の何れかの一つの大気条件でチ
ューブオーブン内において4時間の間1500℃でシン
タ即ち焼結させた。還元性雰囲気を使用した場合、高純
度アルミナ炉チューブを使用した。なぜならば、標準的
なムライトチューブは、高温度で水素と反応し資料を汚
染することが分ったからである。その結果得られる物質
は固体であり且つ分析のために粉末状に粉砕させた。 (3)この粉末の蛍光の射出は、紫外線で励起し、且つ
この射出及び励起の分光をスペックスフルオロログ(S
pex  Fguorogog)社のモデル212の分
光蛍光計で記録した。室温以上の射出測定の場合、資料
室を連続的にアルゴンでフラッシュし、資料が空気中で
100℃以上に加熱した場合に発生する偶発的な蛍光射
出を抑圧した。 表2は、室温においてill定した蛍光射出の強度であ
る。 表2 GSO:Ce0t GSO:Ce20q LSO:Ce
0z LSO:Ce20tアルゴン+11244   
   17        71       27空
  気 1.8     L、S     11   
 28アルゴン128.510086 (4)高速光倍増管(AMPEREX社2020Q)の
面上にこの発光体の薄い層を付着形成させ且つ24’ 
Amガンマ線供給源で蛍光射出を励起することにより、
この発光体の蛍光減衰時間を測定した。高速オシロスコ
ープを光倍増管のアノードにおいてパルス形状を観察し
且つオシロスコープのトレースから減衰時間を推定した
。 使用した合成条件は各発光体に対して必ずしも最適なも
のではないが、LSOの射出強度が全ての六つの合成条
件(三つの異なった大気条件及びセリウムの二つの形態
)の下においてGSOのものよりも大きい限り、LSO
のシンチレーション効率は本来的に一層大きなものであ
るということを結論付けることが可能である。セリウム
活性化発光体におけるシンチレーション機構は、大略、
Ce”イオン内における電子遷移(5dから4f)が関
与するものと思われる。そのために、出発物質としてC
e203(即ち、G e ”)を使用し且つそのセリウ
ム+3家電状態に維持するために多少還元性雰囲気(A
 r + H2)中において合成を実施することにより
最も効率的に発光体が得られるものと推定された。とこ
ろが、表2に示した如く、空気中で調合されたLSOの
場合を除く全ての場合において、CeをCeO,として
添加した場合に最良の発光体が得られた。更に、最良の
GSO発光体は還元性雰囲気中において生成したもので
あるが、最良のLSO発光体は中和性の雰囲気中におい
て生成されたものであるということに注意すべきである
。空気中での合成の場合、光出力のより低い発光体とな
り、更に重要なことであるが、エミッション即ち射出乃
至は放出の分光が単結晶エミッション分光と異なるもの
であった。 表3は前述した如き対応で合成したGSO及びLSO発
光体のシンチレーション特性を要約したものである。 表3 GSO:Ce02LSO:CeO2 光出力 L   1.5−10 減衰時間 60ns    50ns エミフシ曹ンビーク   430n−514nm温度対
応−0,4%/”C−1,3%/’CG50及びLSO
の物理的特性(表2)及びシンチレーション特性(表3
)の比較をすると、はとんどの場合に、LSOがGSO
よりも優れていることが理解される。LSOの光出力は
、合成条件に依存して、GSOよりも1.5乃至10倍
大きい。このことは、GSOと比較して、特に顕著な利
点である。アルゴン中で合成されたGSO:Cent及
びLSO:Ceoz発光体のエミッションスペクトル即
ち発光スペクトル(励起光の波長は各発光体に対する最
も強い励起帯に対応しており、GSOの場合345nm
及びLSOの場合355nmである)を比較すると、L
SOのエミッション即ち発光スペクトルは異なった形状
を有しており且つGSOエミッションのものよりもより
短い波長領域へ向かって幾分シフトされている。 このLSO発光スペクトルの見掛けのシフトは、もしも
単結晶形態で励起される場合には、有利なものとなる。 なぜならば、高温度光倍増管の分光応答によりよく整合
するエミッション即ち発光スペクトルとなるからである
。 LSOのシンチレーション減衰時間は約50nSであり
、それはGSOのものが60n sであるのと比較して
より好ましいものである。LSOの実効的原子番号は6
6であり、GSOの場合は59であり、且つLSOの密
度は7.4gm/ccでありGSOの場合は6.7gm
/ccであり、両方の場合において、LSOの場合より
高い放射線検知効率が得られることを示している。LS
Oの屈折率は1,82であり、GSOの場合には1゜9
1であり、従ってLSOの場合には、シンチレーション
光のトラップが発生する可能性は低い。 Luに対する熱断面積は77barnsであり一方Gd
に対するものは49000ba rnsであるので、L
SOは中性子に対して影響を受けることは極めて低いも
のであることが理解される。 LSOの温度応答は、GSOの場合よりも幾分悪い。1
50℃において、GSOの光出力はそれの室温における
値の約60%に減少し、一方LSOの光出力は150℃
においてそれの室温における値の約20%へ減少する。 一方、LSOの発光スペクトルは、温度が室温から17
5℃(測定された最高温度)へ増加させると、GSO発
光スペクトルよりも幾分短い波長領域へシフトすること
が分かった。このことも、光倍増管応答をマツチングす
る上で単結晶形態において有益的である。 ルテチウムは、結晶内のバックグラウンド雑音レベルを
発生する放射線アイソトープ(176Lu)を有してい
る。これは、純粋な+?9 L uから結晶を成長させ
ることにより除去することが可能であり、又、それは従
来のバックグラウンド減算技術によって処理することが
可能である。 LSOの励起スペクトルは、三つのバンド即ち帯(26
2nm、298nm、355nm)を示しており、且つ
これらのバンドが幾分より長い波長領域ヘシフトされて
いることを除いて、GSO励起スペクトルを類似してい
る。 LSO及びGSO発光体の比較により、LSOがガンマ
線検知器において使用するのに有望なシンチレータであ
ることが示されるが、単結晶形態の特性は確実性を持っ
て予測することはできない。 単結晶シンチレータの最も重要な特性の一つである光出
力は、特に、発光体形態から予測することは困難である
。この物質のより詳細な評価を継続すると共に実際的な
検知器をテストするために、LSOから単結晶形態を成
長形成させることが必要であった。これは、例えばC,
D、   Brandge及びその他、「希土類オルト
珪酸(Ln2sios)のチョクラルスキ成長(Czo
chraf)ski  Growth  of  Ra
re−Earth  0rthosij71cats 
(Ln2SiO5))J、ジャーナル・オブ・クリスタ
ルψグロス、No、79、pp、308−315.19
86の文献に記載されている従来のチョクラルスキ方法
によって溶融物から形成した。 表4は、選択的に成長され且つ欠陥を最小とするために
カットされたLSO単結晶のシンチレーション特定を要
約している。溶融物の組成はCe 21L u 2t+
−x)S 10qであり、XはrCenomJという見
出しの基に表4内に示されているパーセントの値である
。結晶内のセリウム濃度は、該溶融物におけるものの2
0%乃至30%の程度であった。 マ W )くコ (ト) r−tr−+o。 、λ 小 、λ 、\ + + + 本 結晶1,2.4はより大きな単結晶(5mmx6mmX
28mrn、7mmX9mmX27mm。 8mmX8mmX33mm)から表に掲げた寸法にカッ
トしたが、結晶3は基の寸法のままであ。 た。これらの結晶は全て色がなく且つ透明度が高いが、
結晶2及び4は幾分欠陥を有していた。各結晶を光結合
グリースを介して@接的にハママッR878光倍増管へ
結合することによ°って光出力を測定した。その際に、
光倍増管へ結合した表面を除いて全ての表面をテフロン
テープ(結晶3の場合)又二酸化チタン塗料(結晶1.
2.4の場合)で被覆した。光出力lN−1定のために
使用したスケールは任意の単位で表わしである。このス
ケールにおいて、標準的なNa!(7J?)シンチレー
タの光出力は200のオーダーであり、標準的なGSO
シンチレータに対するものは40のオーダーである。エ
ネルギ分解能は、標準的なセシウム137ガンマ線供給
源を使用して決定した。このエネルギ分解能は、662
KeVガンマ線ピークの最大値の半分における全幅とし
て表現されてぃる。シンチレーシジン減衰時間は指数的
マあり、且つ時間相関型単一ホトン技術により測定し、
4個の結晶巾約42nsの・IJ、均値を持っていた。 驚いたことに、ガンマ励起ドにおける発光スペクトルは
、紫外線励起下における発光スペクトルと異なったもの
であることが判明した。ガンマ発光スペクトルは約42
6nm−430nmにおいてピークを有し[1,つGS
O光光入光スペクトル似していた。又、ガンマ及び紫外
線励起型発光スペクトルの両方共、約10分の前記重分
に減少する期間半減期で熱ルミネセンス効果を示した。 LSO結晶の温度応答はGSOはど良好なものではなか
った。ガンマ励起室エミッシ岬ン即ち発光は1℃当たり
約1.3%で降トした。従って、150℃において、ピ
ーク出力は室温におけるものの20%であり、それはB
GOの温度応答と類似したものである。従って、浦緯検
層1−具における場合などのように高温度が予測される
適用においては、LSOシンチレータは、デユア−びん
叉はその他の絶縁体によって雰囲気から分離することが
必要となる場合がある。 表4のデータ及びその他の単結晶シンチレータ及び粉末
発光体に関する以前の経験に基づいて、セリウム濃度を
約(1,1%乃至10%、即ち0001≦X≦
【)、1
の範囲内(結晶が引き出される演融物において)でもっ
て満足の行(LSO1lt結晶シンチレータを製造する
ことが可能であることが推測される。好適な溶融セリウ
ム濃度は、約−z)SiO55%乃至1.5%、即ち−
z)SiO5005≦X≦(]。 015の範囲内である。 口 のの 一ト ペ 績−Φ ・   」  0 ω  N  雫C・ 表5は、LSO単結晶の主要な物理的及びシンチレーシ
ョン特性を、Na l CTI) 、BGOlGSOに
対するものと比較している。Na1(′I’I)結晶の
場合、基準光出力値として10 (lを任意的に割り当
てており、LSO結晶の場合には75でありBGO結晶
及びGSO結晶と比べて顕暮に優れており、且つNa1
(Tf)の値よりも25%少ないに過ぎない。LSOシ
ンチレータのエネルギ分解能は、BGO及びGSOのも
のと比べて極めて優れており、この場合にも、Nal(
Tg)のものよりも多少劣るに過ぎない。従って、LS
Oシンチレータの信号対雑音性能は、BGO及びGSO
検知器と比較してかなり改善されている。信号対雑音比
においてNal(Tg)のものよりも幾分低くなってい
るが、LSOはNa1(Tj! )と比べて優れたその
他の特性を有している。 従って、4]nsという・14均減衰時間は、他の三つ
の結晶の何れよりも短く、1[っNa1(Tl))のも
のよりも5倍乃至6倍短くなっている。従って、高いカ
ウントレートの検知器においてLSOシンチレータは特
に有用である。又、LSOの場合には、実効原r・番号
が高<1iつ密度がAいので、非常に高いガンマ線検知
効率を有している。この点に関して、Nag(Tl7)
及びGSOの両方と比較して優れており、且つBGOと
ほぼ同等である。更に、検知効率が高いので、LSOは
高いカウントレートの適用に対して適している。 表5から明らかなその他の好ましいLSOの特性として
は、その屈折率が低いことであり、そのことはその他の
4個のシンチレータの何れのものよりも内部的な光損失
が少ないことを示している。 LSOは、更に、非吸湿性であり、特に油井検層適用又
はその他の湿潤性環境において特に有利である。又、そ
の機械的な剛性はNal(Tg)GSOの両方に比べて
優れており、この特徴は、さらに、油井検層、及び取扱
いが荒っぽい場合に於けるその他の使用に対して好適で
ある。 前述した如く、ガンマ放出ピークは約428nmであり
、それはGSOに於けるものとほぼ同じであり、Na1
(Tl))のものよりもほんのわずか高い。典型的な光
倍増管の分光応答に対する良好な整合が得られる。GS
Oの場合と比較して、中性子断面積は特に有利であり、
即ち84barn8に対して4900 (l b a 
r n sとなっている。 従って、結晶内の中性イ・の捕獲に起因するガンマ線の
干渉の発生は、G S Oの場合と比較して、汗しく減
少されている。最後に、LSOの放射線長はBGOのも
のとほぼ同じ程度に良好であり、1[つGSO父はNa
lのいずれよりも著しく短く、したがって必要とされる
結晶;J法において利点が得られる。 表4及び表5から理解される如<LSOQt結品シン結
晶−タは、ガンマ線検知器として使用する場合のすべて
のffl!’な特性、すなわち先出ツバエネルギ分解能
、高エネルギホトンの検知効率、シンチレーション減水
時間、吸湿性、機械的損傷に対する結晶の機械的時性、
屈折率、光倍増管応答に対する発光スペクトルの整合、
それ自身のシンチレーション放出に対する結晶の透明性
、結晶内に於いて誘起されるガンマ放射線が存n(シな
いこと等のほぼすべての点に於いて、その他の既知のシ
ンチレータと同等であるか又はそれを越えるものである
。LSOが劣っていると思われる1贅−の分野は、ガン
マ励起型放出能温度感度においてである。1.制御した
環境において、例えば、研究所、病院等において、この
事は同等問題を提起するものではない。更に、高温度環
境においてさえも、光出力と、速度と、LSOにおいて
得られる検知効率の独特の組合せが多くの場合において
、このシンチレータを環境の温度変化から分離するべく
付加的な努力を行うことを正当化している。 上述した如く、本発明のLSOシンチレータ検知器は、
特に、例えば石油探査に於けるようなボアホール検層環
境において族11.I線検知器として使用するのに極め
て効果的である。このような使用場面において、本検知
器は検層システムの一部を形成し、その検層システムは
前述した米国特許出願第149.Q’5’3に開示され
11っff12図に示したようなタイプのものとするこ
とが’i’iJ能である。 第2図は、地層を高エネルギ中性rで衝撃することによ
り発生するガンマ放射線を検出し11つ爾後の分光分析
のためにその放射線のエネルギを検知するための積層(
ロギング)ゾンデ11を示している。ゾンデ11は、外
装マルチ導体ケーブル]5によってボアホール即ち穿孔
13内に懸垂されている。ボアホール1゛うは、地層1
7を貫通しており、且つ流体19で充填されており、1
1つ図示した如く開放状態であるか又はケーシングによ
って被覆されている。ゾンデ11は、後述する如く、本
出願人に蹟渡されているHertzog。 Jr、   et  afl、の米国特f1第4,31
7゜993号に基づいて構成することが可能である。 ゾンデ11は、地表装置24の一部を形成するウィンチ
によって滑車ホイール20及び深さゲージ22によって
ケーブル15を繰り出したり巻き取ったりすることによ
り、ボアホール1゛う内を移動される。通常、検層測定
は、実際には、ゾンデがボアホール13を上方に上昇さ
せながら行われる。 しかしながら、ある条件ドにおいては、ゾンデ11をド
降しながら又は上昇及びド降の両方において検層測定が
行われる。 ゾンデ】1は、それがボアホール13を上昇する際に、
高速の中性fで地層17を衝撃するために一次放射線を
発生するためのパルス型中性子IK給源26を有してお
り、I+、つその際にボアホール13及び地層17内に
おいて誘起された二次(ガンマ)放射線を検知するため
の放射線検知W28を有している。中性r供給源26は
、好適には、Goodrnanの米国特許第3,461
,291号及びFrentropの米国特許第3,54
6゜512号(両方とも本件出願人に譲渡されている)
に記載されているタイプのパルス型加速器とすることが
可能である。このタイプの供給源は、制御した期間及び
繰返し率で高エネルギー又は高速中性子(例えば14M
eV、)の離散的バーストを発生するのに適している。 検知器28は、ガンマ放射線を検知するのに適しており
Jlつ各検知されたガンマ線に対応し且つそのガンマ線
のエネルギーを現わす振幅を持った電気信号を発生する
ことの可能なタイプのものである。そのために、検知器
28は第1図に示した如く、光倍増管(PMT)16へ
光学的結合されているセリウム活性化LSOシンチレー
シツン結晶10を有している。この光倍増管として好適
なものは、EMRホトエレク(・リック社、プリンスト
ン、二ニージャーシイ州、によって製造されたものであ
る。 GSOシンチレータの場合にh仝けるほど重要ではない
が、中性子遮蔽34を供給源26と検知器28との間に
位置させて、供給源26からの中性子が検知器28を直
接的に衝撃することを制限することが可能であり、そう
することによりこのような直接的な照射によって検知器
28が飽和することを回避することがNl能である。更
に、特に、捕獲ガンマ放射線の測定の場合、ゾンデ1]
は、炭火ボロンで含湿させたスリーブ36で囲繞させ且
つ供給R26と検知器28のほぼ近傍に位置させること
が可能である。このスリーブは、検知器28の領域に於
けるボアホール内の流体を排除し且つ、地層から発生す
るガンマ放射線を葺しく減衰することなしに、検知器2
8へ向かう地層によって散乱される中性rを吸収する。 その正味の効果は、ボアホールの内容物及び検知器28
に近接するゾンデ11の物質との中性r・の相IF1作
用のi’+J能性を減少させ、そうでなければ、必要と
するガンマ線測定の不所望の摂動を構成する検知II!
能なガンマ線を発生させることとなる。 ゾンデ11に対する電気的パワーは、表面装置24から
ケーブル15を介して供給される。ゾンデ]】は、供給
源26、検知器28、及びその他のダウンホール回路へ
適切な電圧及び電流レベルでパワーを供給するためのパ
ワー調節回路(不図示)を有している。これらの回路は
、増幅器38及びPMTl 6からの出力パルスを受け
とる関連回路を有している。増幅されたパルスは、例え
ば単一ランプ(ウィルキンソンランダウン)タイプのも
ののような任意の従来のタイプのものとすることが可能
なアナログ・デジタル変換器を共鑓するパルス高さ分析
器(THA)40へ印加される。 その他の適宜のアナログ−デジタル変換器を、分析すべ
きガンマ線エネルギ帖囲に対して使用することが可能で
ある。分析すべき検知’95(dリフレームの時間部分
の制御のために線形ゲート動作回路を使用するも可能で
ある。例えばパルスパイルアップ拒否等の付加的な従来
技術を使用することにより改善した性能を得ることが1
1能である。 パルス高さ分析器40は、各検知器パルスを、その振幅
(即ち、ガンマ線エネルギ)にしたがって多数の(典型
的には256乃至8000の範囲)の所定のチャンネル
の一つへ割当て、+tつ谷の1iしたパルスのチャンネ
ル乃至は振幅を現わす適宜のデジタル形態での信号を発
生する。典型的には、パルス高さ分析器40は、エネル
ギスペクトルを与えるためにデジタル18号に於ける各
チャンネル番号の発生数を蓄積するメモリを有している
。蓄積された総数は、バッファメモリ42(ある適応場
面においては省略iiJ能)を介して、表面装置24ヘ
ケーブル15を介して送信するために遠隔操作争ケーブ
ルインタフェイス回路44へ送給される。 地表においては、ケーブルインタフェイス・信号処理回
路46によってケーブルfct号が受信される。理解さ
れる如く、回路44及び46は、地表の表面装置24に
よって送(ばされ1しつ受信される信号をコード化し1
1つデコードし、マルチブレクス処理し]tつデマルチ
プレクス処理し、増幅し、且つその他の方法で処理する
ために任意の適宜の公知の構成のものとすることがIり
能である。そのような適宜の回路として、例えば、Ne
lligenの米国特許第4012.712号に記載さ
れているものを使用することが可能である。 ゾンデ11の動作は、表面装置24内に設けられている
マスタプログラム器48からダウンホールへ送られる信
号によって制御される。これらの信号は、]−具プログ
ラム器50によりて受けられ、それは制御信号を中性子
供給線26及びパルス高さ分析器4〔)へ送給する。表
面装置24は、ダウンホール装置から受は取ったデータ
を処理し、検知したがンマ放射線のエネルギスペクトル
を分析し、それから地層17及びそれが収容することの
ある何等かの炭化水素に関する情報を抽出し、11つ例
えば、フィルム、用紙、テープ等の上にこのデータ及び
情報のいくつか又は全てを認識1り能な方法で記録を行
うために使用される種々の電r・回路を有している。こ
れらの回路は、専用l〜ルードウエア有するものであっ
ても良いし、x別法として、そのようなハードウェアと
同一のf1業を実施すべく適宜プログラムした汎用コン
ピュータを有するものであっても良い。このような分析
形態に関する詳細は、例えば、米国特許第3.521゜
064号に記載されている。 以上、本発明の其体的実施の態様について詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではなく、本発明は技術的範囲を逸脱することなしに種
々の変形がiiJ能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に基づいて構成されたLSO
シンチレーション検知器をボした概略図、第2図は第1
図のLSOシンチレーション検知器を使用することが1
1能なボアホール検層ゾンデを示した概略図、である。 (71号の説明) 】0:単結晶LSOシンチレータ 12:ハウジング 14:1表面 16:光倍増管 18;他の表面 特許出願人   シュルンベルジエ オーバーシーズ、1χ、:!、べ 、j FIG、 / 手続補正書(絋) 平成2年3月5日

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. ガンマ線又はX線検知器において使用されるシン
    チレータにおいて、xが約2×10^−^4乃至約3×
    10^−^2の範囲内であってCe_2_xLu_2_
    (_1_−_x_)SiO_5の一般式を持ったセリウ
    ム活性化オルト珪酸ルテチウムからなる透明単結晶を有
    することを特徴とするシンチレータ。
  2. 2. 特許請求の範囲第1項において、xが約1×10
    ^−^3乃至約4.5×10^−^3の範囲内であるこ
    とを特徴とするシンチレータ。
  3. 3. ガンマ線又はX線の検知器であっで、xが約2×
    10^−^4乃至約3×10^−^2の範囲内でありC
    e_2_xLu_2_(_1_−_x_)SiO_5の
    一般式を持ったセリウム活性化オルト珪酸ルテチウムの
    透明単結晶から構成されるシンチレータと、前記シンチ
    レータに光学的に結合されており前記シンチレータによ
    る光パルスの発生に応答して電気信号を発生する光検知
    器とを有することを特徴とする検知器。
  4. 4. 特許請求の範囲第3項において、xが約1×10
    ^−^3乃至約4.5×10^−^3の範囲内であるこ
    とを特徴とする検知器。
  5. 5. 地表面下の地層を調査する装置において、ボアホ
    ールを介して移動すべく構成されているゾンデ、前記ゾ
    ンデによって担持されており放射線を検知し且つオルト
    珪酸ルテチウムシンチレータを具備する検知器手段、前
    記検知器手段に結合されており前記検知器手段によって
    検知される少なくとも1個の放射線特性を表わす信号を
    発生し且つ記録する手段、を有することを特徴とする装
    置。
  6. 6. 特許請求の範囲第5項において、前記シンチレー
    タが、xが約2×10^−^4乃至約3×10^−^2
    の範囲内でありCe_2_xLu_2_(_1_−_x
    _)SiO_5の一般式を持ったセリウム活性化オルト
    珪酸ルテチウムの透明単結晶から構成されていることを
    特徴とする装置。
  7. 7. 特許請求の範囲第5項において、前記シンチレー
    タが、xが約2×10^−^4乃至約3×10^−^2
    の範囲内でありCe_2_zLu_2_(_1_−_z
    _)SiO_5の一般式を持ったセリウム活性化オルト
    珪酸ルテチウムの透明単結晶から構成されており、且つ
    前記検知器手段が、更に、前記シンチレータに光学的に
    結合されており前記シンチレータにより光パルスの発生
    に応答して電気信号を発生する光検知器を有することを
    特徴とする装置。
  8. 8.特許請求の範囲第6項又は第7項において、xが約
    1×10^−^3乃至約4.5×10^−^3の範囲内
    であることを特徴とする装置。
  9. 9.地表面下の地層を調査する装置において、ボアホー
    ルを介して移動すべく構成されているゾンデ、前記ゾン
    デによって担持されており前記ボアホールの領域内の物
    質を前記物質と干渉することの可能な浸透性放射線で照
    射し前記物質に関する情報を担持する特性を持った放射
    線を発生させる照射供給手段、前記ゾンデによって担持
    されており且つオルト珪酸ルテチウムシンチレータを具
    備する検知手段、前記検知手段に結合されており前記検
    知手段によって検知される少なくとも一つの放射線特性
    を表わす信号を発生し且つ記録する手段、を有すること
    を特徴とする装置。
  10. 10.特許請求の範囲第9項において、前記シンチレー
    タが、xが約2×10^−^4乃至約3×10^−^2
    の範囲内でありCe_2_xLu_2_(_1_−_z
    _)SiO_5の一般式を持ったセリウム活性化オルト
    珪酸ルテチウムの透明単結晶から構成されていることを
    特徴とする装置。
  11. 11.特許請求の範囲第9項において、前記シンチレー
    タが、xが約2×10^−^4乃至約3×10^−^2
    の範囲内であり、Ce_2_xLu_2_(_1_−_
    z_)SiO_5の一般式を持ったセリウム活性化オル
    ト珪酸ルテチウムの透明単結晶から形成されており、且
    つ前記検知器手段が、更に、前記シンチレータに光学的
    に結合されており前記シンチレータによる光パルスの発
    生に応答して電気信号を発生する光検知器を有すること
    を特徴とする装置。
  12. 12.特許請求の範囲第9項又は第10項において、x
    が約1×10^−^3乃至約4.5×10^−^3の範
    囲内であることを特徴とする装置。
JP1260313A 1988-10-06 1989-10-06 オルト珪酸ルテチウム単結晶シンチレータ検知器 Expired - Lifetime JP2852944B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25435388A 1988-10-06 1988-10-06
US254,353 1988-10-06
US389,502 1989-08-04
US07/389,502 US4958080A (en) 1988-10-06 1989-08-04 Lutetium orthosilicate single crystal scintillator detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02225587A true JPH02225587A (ja) 1990-09-07
JP2852944B2 JP2852944B2 (ja) 1999-02-03

Family

ID=26944002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1260313A Expired - Lifetime JP2852944B2 (ja) 1988-10-06 1989-10-06 オルト珪酸ルテチウム単結晶シンチレータ検知器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4958080A (ja)
EP (1) EP0373976B1 (ja)
JP (1) JP2852944B2 (ja)
DE (1) DE68904408T2 (ja)
NO (1) NO304287B1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007327967A (ja) * 2007-07-30 2007-12-20 Toshiba Corp 放射線弁別測定装置
JP2008509270A (ja) * 2004-08-09 2008-03-27 サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール 残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
US8674310B2 (en) 2010-06-17 2014-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Light emitting ceramic, light emitting element, scintillator, and method for producing light emitting ceramic
WO2014065030A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
WO2014065028A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5025151A (en) * 1988-10-06 1991-06-18 Schlumberger Technology Corporation Lutetium orthosilicate single crystal scintillator detector
US5264154A (en) * 1990-04-20 1993-11-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Single crystal scintillator
JP3227224B2 (ja) * 1992-10-09 2001-11-12 日本原子力研究所 光学フィルターによりシンチレータ出力パルス波高及び立ち上がり時間が制御可能なホスウィッチ検出器
US5313504A (en) * 1992-10-22 1994-05-17 David B. Merrill Neutron and photon monitor for subsurface surveying
US5528495A (en) * 1993-09-01 1996-06-18 Schlumberger Technology Corporation Cadmium zinc telluride borehole detector
US5660627A (en) * 1994-10-27 1997-08-26 Schlumberger Technology Corporation Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals
US5961714A (en) * 1996-03-07 1999-10-05 Schlumberger Technology Corporation Method of growing lutetium aluminum perovskite crystals and apparatus including lutetium aluminum perovskite crystal scintillators
US6278832B1 (en) * 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6413311B2 (en) 1998-04-16 2002-07-02 Cti, Inc. Method for manufacturing a cerium-doped lutetium oxyorthosilicate scintillator boule having a graded decay time
CA2252993C (en) * 1998-11-06 2011-04-19 Universite De Sherbrooke Detector assembly for multi-modality scanners
US6624420B1 (en) * 1999-02-18 2003-09-23 University Of Central Florida Lutetium yttrium orthosilicate single crystal scintillator detector
US6323489B1 (en) 1999-06-04 2001-11-27 Regents Of The University Of California Single crystal scinitillator
US6437336B1 (en) 2000-08-15 2002-08-20 Crismatec Scintillator crystals and their applications and manufacturing process
US6498828B2 (en) * 2000-12-15 2002-12-24 General Electric Company System and method of computer tomography imaging using a cerium doped lutetium orthosilicate scintillator
US6495837B2 (en) 2001-03-14 2002-12-17 Computalog U.S.A, Inc. Geometrically optimized fast neutron detector
US6639210B2 (en) 2001-03-14 2003-10-28 Computalog U.S.A., Inc. Geometrically optimized fast neutron detector
US6566657B2 (en) 2001-03-14 2003-05-20 Richard C. Odom Geometrically optimized fast neutron detector
US7369642B2 (en) * 2003-04-23 2008-05-06 L-3 Communications and Security Detection Systems Inc. X-ray imaging technique
US20040245479A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable cerium activated lutetium silicate phosphor
US6967330B1 (en) 2003-05-15 2005-11-22 Alem Associates High-density polycrystalline lutetium silicate materials activated with Ce
US20050135535A1 (en) * 2003-06-05 2005-06-23 Neutron Sciences, Inc. Neutron detector using neutron absorbing scintillating particulates in plastic
US7060982B2 (en) * 2003-09-24 2006-06-13 Hokushin Corporation Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation
RU2242545C1 (ru) * 2003-11-04 2004-12-20 Загуменный Александр Иосифович Сцинтиляционное вещество (варианты)
US7132060B2 (en) * 2003-11-04 2006-11-07 Zecotek Medical Systems Inc. Scintillation substances (variants)
JP4389689B2 (ja) * 2004-06-18 2009-12-24 日立化成工業株式会社 無機シンチレータ及びその製造方法
CN1322173C (zh) * 2004-08-04 2007-06-20 中国科学院上海光学精密机械研究所 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
US7145149B2 (en) * 2004-09-21 2006-12-05 Los Alamos National Security, Llc Flexible composite radiation detector
JP2006233185A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Hokushin Ind Inc 放射線検出用金属ハロゲン化物及びその製造方法並びにシンチレータ及び放射線検出器
JP4770337B2 (ja) * 2005-05-27 2011-09-14 日立化成工業株式会社 単結晶の熱処理方法
JP4760236B2 (ja) * 2005-05-27 2011-08-31 日立化成工業株式会社 単結晶の熱処理方法
JP5017821B2 (ja) * 2005-06-10 2012-09-05 日立化成工業株式会社 シンチレータ用単結晶及びその製造方法
WO2007046012A2 (en) * 2005-10-17 2007-04-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Pmt gain and energy calibrations using lutetium background radiation
US7525094B2 (en) * 2005-12-21 2009-04-28 Los Alamos National Security, Llc Nanocomposite scintillator, detector, and method
US7547888B2 (en) * 2005-12-21 2009-06-16 Los Alamos National Security, Llc Nanocomposite scintillator and detector
JP2007297584A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd シンチレータ用単結晶及びその製造方法
JP5087913B2 (ja) * 2006-05-30 2012-12-05 日立化成工業株式会社 シンチレータ用単結晶及びその製造方法
JP5055910B2 (ja) * 2006-06-02 2012-10-24 日立化成工業株式会社 単結晶の熱処理方法
JP5103879B2 (ja) 2006-09-20 2012-12-19 日立化成工業株式会社 シンチレータ用結晶及び放射線検出器
JP4790560B2 (ja) * 2006-10-10 2011-10-12 浜松ホトニクス株式会社 単発テラヘルツ波時間波形計測装置
CN100422111C (zh) * 2006-11-29 2008-10-01 中国原子能科学研究院 Gd2O2S:Pr,Ce,F陶瓷闪烁体制备方法
US8999281B2 (en) * 2007-06-01 2015-04-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Scintillator single crystal, heat treatment method for production of scintillator single crystal, and method for production of scintillator single crystal
KR101167247B1 (ko) * 2008-01-28 2012-07-23 삼성전자주식회사 유사 사용자 그룹의 적응적 갱신 방법 및 그 장치
FR2929296B1 (fr) * 2008-03-31 2011-01-21 Saint Gobain Cristaux Detecteurs Recuit de monocristaux
US20100224798A1 (en) * 2008-09-11 2010-09-09 Stichting Voor De Technische Wetenschappen Scintillator based on lanthanum iodide and lanthanum bromide
US8546749B2 (en) * 2008-11-10 2013-10-01 Schlumberger Technology Corporation Intrinsic radioactivity in a scintillator as count rate reference
US8173953B2 (en) 2008-11-10 2012-05-08 Schlumberger Technology Corporation Gain stabilization of gamma-ray scintillation detector
US8536517B2 (en) * 2008-11-10 2013-09-17 Schlumberger Technology Corporation Scintillator based radiation detection
WO2010129058A2 (en) * 2009-05-08 2010-11-11 L-3 Communications Security and Detection Systems Inc. Dual energy imaging system
JP2011026547A (ja) * 2009-06-29 2011-02-10 Hitachi Chem Co Ltd シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
US8399849B1 (en) 2009-08-08 2013-03-19 Redpine Signals, Inc Fast neutron detector
US20110204244A1 (en) * 2009-08-19 2011-08-25 Haard Thomas M Neutron Detector
US8323530B2 (en) 2009-09-18 2012-12-04 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Phosphor for scintillator
US7977641B2 (en) * 2009-09-29 2011-07-12 General Electric Company Scintillator, associated detecting device and method
WO2012034220A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Abdelmounaime Faouzi Zerrouk Depth-of-interaction scintillation detectors
WO2012066425A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
US8062419B1 (en) 2010-12-14 2011-11-22 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Rare-earth oxyorthosilicate scintillator crystals and method of making rare-earth oxyorthosilicate scintillator crystals
US9069092B2 (en) 2012-02-22 2015-06-30 L-3 Communication Security and Detection Systems Corp. X-ray imager with sparse detector array
WO2014171985A2 (en) 2013-01-23 2014-10-23 University Of Tennessee Research Foundation Codoping method for modifying the scintillation and optical properties of garnet-type scintillators
US9428843B2 (en) 2013-03-14 2016-08-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Rare earth oxyorthosilicate scintillation crystals
US10174244B2 (en) 2013-04-17 2019-01-08 The Regents Of The University Of California Doped halide scintillators
JP2018503706A (ja) 2014-11-19 2018-02-08 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 新規なタリウムをドープしたヨウ化ナトリウム、ヨウ化セシウムまたはヨウ化リチウムのシンチレーター

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5159079A (ja) * 1974-11-20 1976-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Seriumufukatsukeisanrutechiumukeikotaino seizohoho
JPS5927787B2 (ja) * 1977-04-13 1984-07-07 株式会社東芝 紫外線励起形螢光体
JPS54179782U (ja) * 1978-06-09 1979-12-19
US4647781A (en) * 1983-01-31 1987-03-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Gamma ray detector
JPS62228187A (ja) * 1985-12-23 1987-10-07 シユラムバ−ガ− オ−バ−シ−ズ ソシエダ アノニマ 地下の地層を調査するための方法およびその装置
US4891520A (en) * 1987-09-05 1990-01-02 Hitachi, Ltd. Radiation detector

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008509270A (ja) * 2004-08-09 2008-03-27 サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール 残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
JP2013253250A (ja) * 2004-08-09 2013-12-19 Saint-Gobain Cristaux & Detecteurs 残光が少なく、高密度、高速のシンチレーター物質
JP2007327967A (ja) * 2007-07-30 2007-12-20 Toshiba Corp 放射線弁別測定装置
US8674310B2 (en) 2010-06-17 2014-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Light emitting ceramic, light emitting element, scintillator, and method for producing light emitting ceramic
WO2014065030A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
WO2014065028A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
CN104736661A (zh) * 2012-10-23 2015-06-24 浜松光子学株式会社 紫外光产生用靶、电子束激发紫外光源和紫外光产生用靶的制造方法
US9240313B2 (en) 2012-10-23 2016-01-19 Hamamatsu Photonics K.K. Target for ultraviolet light generation, electron beam-excited ultraviolet light source, and production method for target for ultraviolet light generation
US9852898B2 (en) 2012-10-23 2017-12-26 Hamamatsu Photonics K.K. Target for ultraviolet light generation, electron beam-excited ultraviolet light source, and production method for target for ultraviolet light generation

Also Published As

Publication number Publication date
EP0373976B1 (en) 1993-01-13
JP2852944B2 (ja) 1999-02-03
NO304287B1 (no) 1998-11-23
EP0373976A1 (en) 1990-06-20
US4958080A (en) 1990-09-18
DE68904408D1 (de) 1993-02-25
NO893973D0 (no) 1989-10-05
DE68904408T2 (de) 1993-07-29
NO893973L (no) 1990-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2852944B2 (ja) オルト珪酸ルテチウム単結晶シンチレータ検知器
US5025151A (en) Lutetium orthosilicate single crystal scintillator detector
Derenzo et al. Prospects for new inorganic scintillators
McGregor Materials for gamma-ray spectrometers: Inorganic scintillators
US7405404B1 (en) CeBr3 scintillator
US4883956A (en) Methods and apparatus for gamma-ray spectroscopy and like measurements
US5264154A (en) Single crystal scintillator
Glodo et al. Selected Properties of Cs $ _ {2} $ LiYCl $ _ {6} $, Cs $ _ {2} $ LiLaCl $ _ {6} $, and Cs $ _ {2} $ LiLaBr $ _ {6} $ Scintillators
Shah et al. CeBr/sub 3/scintillators for gamma-ray spectroscopy
Baccaro et al. Scintillation properties of YAP: Ce
US8969824B2 (en) CsLiLn Halide scintillator
US5313504A (en) Neutron and photon monitor for subsurface surveying
KR101348523B1 (ko) 섬광체 조성물, 및 관련 제조 방법 및 제품
US7202477B2 (en) Scintillator compositions of cerium halides, and related articles and processes
Glodo et al. ${\rm Cs} _ {2}{\rm LiYCl} _ {6}:{\rm Ce} $ Scintillator for Nuclear Monitoring Applications
US20110024634A1 (en) ENRICHED CsLiLn HALIDE SCINTILLATOR
Van Loef et al. Optical and scintillation properties of Cs/sub 2/LiYCl/sub 6: Ce/sup 3+/and Cs/sub 2/LiYCl/sub 6: Pr/sup 3+/crystals
US20150323682A1 (en) Radiation Detection Apparatus Having A Doped Scintillator And A Pulse Shape Analysis Module And A Method Of Using The Same
JPS62228187A (ja) 地下の地層を調査するための方法およびその装置
Moszynski Energy resolution of scintillation detectors
WO2014186557A1 (en) Scintillation detector package having radioactive support apparatus
Glodo et al. Dual gamma neutron detection with Cs [sub] 2 [/sub] LiLaCl [sub] 6 [/sub]
Stoller et al. Use of LaBr 3 for downhole spectroscopic applications
JPH04218588A (ja) 単結晶シンチレータ及びそれを用いた地下層探査装置
US5961714A (en) Method of growing lutetium aluminum perovskite crystals and apparatus including lutetium aluminum perovskite crystal scintillators

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071120

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091120

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term