JPH02224227A - 金属シリサイドの成膜方法 - Google Patents
金属シリサイドの成膜方法Info
- Publication number
- JPH02224227A JPH02224227A JP4426889A JP4426889A JPH02224227A JP H02224227 A JPH02224227 A JP H02224227A JP 4426889 A JP4426889 A JP 4426889A JP 4426889 A JP4426889 A JP 4426889A JP H02224227 A JPH02224227 A JP H02224227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- catalyst
- reaction
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ１発明の概要
従来技術
発明が解決しようとする問題点［第２図］問題点を解決
するための手段 作用 実施例［第１図］ 発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はＣＶＤ装置、特に形成する成長膜の膜厚をより
均一になるようにした新規なＣＶＤ装置に関する。
するための手段 作用 実施例［第１図］ 発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はＣＶＤ装置、特に形成する成長膜の膜厚をより
均一になるようにした新規なＣＶＤ装置に関する。
ＣＢ、発明の概要）
本発明は、ＣＶＤ装置において、
形成する成長膜の膜厚をより均一にするため、被処理基
体近傍に触媒を配置したものである。
体近傍に触媒を配置したものである。
（Ｃ，従来技術）
素子の微細化に伴いＭＯＳトランジスタのゲート電極と
して多結晶シリコンよ、りも抵抗値を低くすることので
きるタングステンポリサイド膜が用いられる傾向が生じ
ている。タングステンポリサイド膜は多結晶シリコン膜
上にタングステシリサイドＷＳｉｘ膜を形成してなるも
のであり、このタングステンシリサイドＷＳｉｘ膜はＣ
ＶＤにより形成される。そして、タングステンシリサイ
ド膜のＣＶＤによる形成は、通常、反応ガスとしてＳ
Ｉ Ｈ４を用い、３６０℃の温度で行われる。
して多結晶シリコンよ、りも抵抗値を低くすることので
きるタングステンポリサイド膜が用いられる傾向が生じ
ている。タングステンポリサイド膜は多結晶シリコン膜
上にタングステシリサイドＷＳｉｘ膜を形成してなるも
のであり、このタングステンシリサイドＷＳｉｘ膜はＣ
ＶＤにより形成される。そして、タングステンシリサイ
ド膜のＣＶＤによる形成は、通常、反応ガスとしてＳ
Ｉ Ｈ４を用い、３６０℃の温度で行われる。
ところが、近年、反応ガスとしてＷＦ。
＋ Ｓ ｉ Ｈ２Ｃｌ ｍを用い、６００℃程度の温度
でタングステンシリサイドＷＳｉｘ膜を形成する技術が
注目され始めている。というのは、このように形成する
とタングステンシリサイドＷＳ ｉ ｘ膜の密着性が良
好で、ステップカバレッジが良く、しかもフッ素Ｆ含有
量も少ない（数十分の１に減少する）からである。
でタングステンシリサイドＷＳｉｘ膜を形成する技術が
注目され始めている。というのは、このように形成する
とタングステンシリサイドＷＳ ｉ ｘ膜の密着性が良
好で、ステップカバレッジが良く、しかもフッ素Ｆ含有
量も少ない（数十分の１に減少する）からである。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第２図］
ところが、反応ガスとしてＷ Ｆ ｓ ＋ Ｓ Ｉ Ｈ
＠Ｃ１ｊを用いた場合には、タングステンシリサイドＷ
Ｓｉｘ膜の膜厚及び膜質が不均一になり、更にはシート
抵抗も不均一になるという問題に直面する。このことは
１９８８年秋季応用物理学会予稿集第５８１頁、第５８
２頁（講演ナンバー４ｐ−Ａ−５，４ｐ−Ａ−６）にお
いても紹介されている。
＠Ｃ１ｊを用いた場合には、タングステンシリサイドＷ
Ｓｉｘ膜の膜厚及び膜質が不均一になり、更にはシート
抵抗も不均一になるという問題に直面する。このことは
１９８８年秋季応用物理学会予稿集第５８１頁、第５８
２頁（講演ナンバー４ｐ−Ａ−５，４ｐ−Ａ−６）にお
いても紹介されている。
かかる問題はタングステンシリサイド
ＷＳｉｘ膜の成長の初期の段階における反応の強さ（激
しさ）が半導体ウェハ内で不均一になるため起きる。
しさ）が半導体ウェハ内で不均一になるため起きる。
そこで、本願発明者が反応の強さが半導体ウェハ内で不
均一になる原因を追究したところ、半導体ウェハへのタ
ングステンシリサイドＷＳｉｘ膜のＣＶＤを行う前に装
置内面にコーティングしたタングステシリサイドＷＳｉ
ｘが触媒として作用し、半導体ウニ八周縁部上における
気相成長反応を中央部上における気相成長反応よりも強
く（謂わば激しく）することが判明した。この点につい
て詳しく説明すると次のとおりである。
均一になる原因を追究したところ、半導体ウェハへのタ
ングステンシリサイドＷＳｉｘ膜のＣＶＤを行う前に装
置内面にコーティングしたタングステシリサイドＷＳｉ
ｘが触媒として作用し、半導体ウニ八周縁部上における
気相成長反応を中央部上における気相成長反応よりも強
く（謂わば激しく）することが判明した。この点につい
て詳しく説明すると次のとおりである。
半導体ウェハ表面にＣＶＤ膜を形成する場合にはＣＶＤ
膜への不純物の混入を防止するため、予め装置内面に形
成しようとするＣＶＤ膜と同じ材質の膜をコーティング
しておくのが普通である。
膜への不純物の混入を防止するため、予め装置内面に形
成しようとするＣＶＤ膜と同じ材質の膜をコーティング
しておくのが普通である。
従って、そのコーティングを終え半導体基板をサセプタ
上に配置してＣＶＤを開始したときは第２図に示すよう
な状態になる。同図において、ａはサセプタ、ｂはサセ
プタａの表面に予めコーティングされたタングステンシ
リサイドＷＳｉｘ膜、Ｃは半導体ウェハである。
上に配置してＣＶＤを開始したときは第２図に示すよう
な状態になる。同図において、ａはサセプタ、ｂはサセ
プタａの表面に予めコーティングされたタングステンシ
リサイドＷＳｉｘ膜、Ｃは半導体ウェハである。
そして、そのタングステンシリサイド
ＷＳｉｘｌ１ｉｂは反応ガスＷＦａ ＋５ｉＨｉ Ｃ１
ａを用いたタングステンシリサイドＷＳ ｉ ｘ膜の成
長反応に対してその反応を促進させる触媒として作用し
てしまう。つまり、タングステンシリサイドＷＳｉｘは
その反応を促進する触媒としての性質を有しているので
ある。そのため、タングステンシリサイドＷＳｉｘを成
長させる反応は半導体ウェハＣの中央部上よりも周縁部
上の方が激しい。というのは、コーティングされたタン
グステンシリサイドＷＳｉｘ膜すのうちの半導体ウェハ
Ｃ周辺にあたる部分ｄが触媒として作用して半導体ウェ
ハＣの周縁部ｄ上における反応を促進させるからである
。それに対して半導体ウェハＣの中央部はそのタングス
テンシリサイド膜ｄから遠いので反応が促進せしめられ
ないのであり、従って、周縁部との間に膜厚、更には膜
質の差が生じることになるのである。
ａを用いたタングステンシリサイドＷＳ ｉ ｘ膜の成
長反応に対してその反応を促進させる触媒として作用し
てしまう。つまり、タングステンシリサイドＷＳｉｘは
その反応を促進する触媒としての性質を有しているので
ある。そのため、タングステンシリサイドＷＳｉｘを成
長させる反応は半導体ウェハＣの中央部上よりも周縁部
上の方が激しい。というのは、コーティングされたタン
グステンシリサイドＷＳｉｘ膜すのうちの半導体ウェハ
Ｃ周辺にあたる部分ｄが触媒として作用して半導体ウェ
ハＣの周縁部ｄ上における反応を促進させるからである
。それに対して半導体ウェハＣの中央部はそのタングス
テンシリサイド膜ｄから遠いので反応が促進せしめられ
ないのであり、従って、周縁部との間に膜厚、更には膜
質の差が生じることになるのである。
本願発明者はこのように問題の発生する原因を突き止め
たうえで更に問題を解決する手段を追究した結果本発明
を完成するに至ったものである。
たうえで更に問題を解決する手段を追究した結果本発明
を完成するに至ったものである。
しかして、本発明は、形成する成長膜の膜厚をより均一
にすることのできる新規なＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
にすることのできる新規なＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明ＣＶＤ装置は上記問題点を解決するため、被処理
基体近傍に触媒を配置してなることを特徴とする特 （Ｆ、作用） 本発明ＣＶＤ装置によれば、被処理基体近傍に触媒を配
置したので、被処理基体の周辺に存在するコーテイング
膜の触媒作用により促進せしめられたところの被処理基
体周縁部上における気相成長反応と同程度の激しさの反
応をその配置した触媒により被処理基体中央部上におい
ても生ぜしめることができ、延いては反応の激しさを被
処理基体全面に渡って均一にすることができる。従って
、形成する成長膜の膜厚、更には膜質をより均一にする
ことができる。
基体近傍に触媒を配置してなることを特徴とする特 （Ｆ、作用） 本発明ＣＶＤ装置によれば、被処理基体近傍に触媒を配
置したので、被処理基体の周辺に存在するコーテイング
膜の触媒作用により促進せしめられたところの被処理基
体周縁部上における気相成長反応と同程度の激しさの反
応をその配置した触媒により被処理基体中央部上におい
ても生ぜしめることができ、延いては反応の激しさを被
処理基体全面に渡って均一にすることができる。従って
、形成する成長膜の膜厚、更には膜質をより均一にする
ことができる。
（Ｇ、実施例）［第１図］
以下、本発明ＣＶＤ装置を図示実施例に従って詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明ＣＶＤ装置の一つの実施例を示す断面図
である。同図において１は反応室、２は水冷チャックで
、反応室１の天井の中央部に形成された孔に嵌合されて
いる。３はチャック１の上部に取り付けられたクォーツ
ウィンドウ、４は該クォーツウィンドウ３の上側に配置
された加熱用ハロゲンランプ、５は上記チャック２の下
端部に配置された半導体ウェハで、ＣＶＤ膜が形成され
る側の面を下向きにされてウェハクランパ６によってク
ランプされている。
である。同図において１は反応室、２は水冷チャックで
、反応室１の天井の中央部に形成された孔に嵌合されて
いる。３はチャック１の上部に取り付けられたクォーツ
ウィンドウ、４は該クォーツウィンドウ３の上側に配置
された加熱用ハロゲンランプ、５は上記チャック２の下
端部に配置された半導体ウェハで、ＣＶＤ膜が形成され
る側の面を下向きにされてウェハクランパ６によってク
ランプされている。
７はガスミックス室で、反応室ｌの底板中央部に形成さ
れた孔を介して反応室１と連通されており、該ガスミッ
クス室７の底板中央部にはガス供給管８が嵌合されてい
る。そして、該ガス供給管８によって下側から反応室１
内に上向きに反応ガス（本例ではＷ Ｆ ｅ ＋ Ｓ
Ｉ Ｈ２Ｃ１ｚ ）が供給される。９は反応室１の底板
中央部の上記孔の周縁に上向きに嵌合されたガスダクト
である。
れた孔を介して反応室１と連通されており、該ガスミッ
クス室７の底板中央部にはガス供給管８が嵌合されてい
る。そして、該ガス供給管８によって下側から反応室１
内に上向きに反応ガス（本例ではＷ Ｆ ｅ ＋ Ｓ
Ｉ Ｈ２Ｃ１ｚ ）が供給される。９は反応室１の底板
中央部の上記孔の周縁に上向きに嵌合されたガスダクト
である。
ｌＯはタングステンＷからなるグリッド（格子）状の触
媒で、ＣＶＤ膜を形成すべき面を下向きにした上記半導
体基板５の稍下側にその面と対向するように配置されて
いる。このようにタングステンＷからなるグリッド状の
触媒１ｏが設けられていることが本ＣＶＤ装置の従来の
ＣＶＤ装置に対する特長点となっている。
媒で、ＣＶＤ膜を形成すべき面を下向きにした上記半導
体基板５の稍下側にその面と対向するように配置されて
いる。このようにタングステンＷからなるグリッド状の
触媒１ｏが設けられていることが本ＣＶＤ装置の従来の
ＣＶＤ装置に対する特長点となっている。
このような本ＣＶＤ装置によれば、タングステンＷから
なる触媒１０が反応ガスＷＦ。
なる触媒１０が反応ガスＷＦ。
＋ Ｓ ｉＨ２Ｃ１２によりタングステンシリサイドＷ
Ｓｉｘ膜を形成する気相成長反応に対しての触媒になる
ので、半導体ウェハ５表面全面にわたって反応が−様な
強さで起きるようにできる。というのは、本ＣＶＤ装置
によりＣＶＤを行う場合においても予めＣＶＤ装置内面
にタングステンシリサイドＷＳｉｘ膜をコーティングし
ておくので、若し触媒１０がないと仮定した場合には半
導体ウェハ５の周縁部がそのタングステンシリサイドＷ
Ｓｉｘ膜に近（なりその触媒作用により該周縁部上にお
いては中央部上においてより激しい反応が生じ、タング
ステンシリサイドｗｓ ｔ ｘ膜の膜厚には半導体ウニ
八周縁部で厚く、中央部で薄くなる傾向の面内不均一が
生じるのである。しかし、本ＣＶＤ装置には触媒１０が
あるので、半導体ウェハ５の中央部も触媒に近（なり、
半導体ウェハ５の全面において均一な強さく激しさ）を
もって反応が生じるようにすることができるのである。
Ｓｉｘ膜を形成する気相成長反応に対しての触媒になる
ので、半導体ウェハ５表面全面にわたって反応が−様な
強さで起きるようにできる。というのは、本ＣＶＤ装置
によりＣＶＤを行う場合においても予めＣＶＤ装置内面
にタングステンシリサイドＷＳｉｘ膜をコーティングし
ておくので、若し触媒１０がないと仮定した場合には半
導体ウェハ５の周縁部がそのタングステンシリサイドＷ
Ｓｉｘ膜に近（なりその触媒作用により該周縁部上にお
いては中央部上においてより激しい反応が生じ、タング
ステンシリサイドｗｓ ｔ ｘ膜の膜厚には半導体ウニ
八周縁部で厚く、中央部で薄くなる傾向の面内不均一が
生じるのである。しかし、本ＣＶＤ装置には触媒１０が
あるので、半導体ウェハ５の中央部も触媒に近（なり、
半導体ウェハ５の全面において均一な強さく激しさ）を
もって反応が生じるようにすることができるのである。
これは、単に膜厚の面内均一性を高めるだけでなく、膜
質の面内均一性を高める要因ともなる。
質の面内均一性を高める要因ともなる。
尚、タングステンＷからなる触媒１０をグリッド状にす
るのは、反応ガスの流れが所望通りになることの妨げに
ならないようにする為である。
るのは、反応ガスの流れが所望通りになることの妨げに
ならないようにする為である。
尚、タングステンからなるグリッド状の触媒１０に電流
を流すことにより該触媒１０自身の温度を高め、それに
により触媒能力を高めることができる。そして、その電
流値をコントロールすることにより触媒能力のコントロ
ールをすることができる。この触媒能力はタングステン
シリサイドＷＳｉｘ膜の成長速度、膜質を左右するので
、触媒能力のコントロールにより成長速度、膜質をコン
トロールすることができるのである。
を流すことにより該触媒１０自身の温度を高め、それに
により触媒能力を高めることができる。そして、その電
流値をコントロールすることにより触媒能力のコントロ
ールをすることができる。この触媒能力はタングステン
シリサイドＷＳｉｘ膜の成長速度、膜質を左右するので
、触媒能力のコントロールにより成長速度、膜質をコン
トロールすることができるのである。
ところで、タングステンからなる触媒１０の温度が６０
０℃以上になると触媒ｌＯ自身にもタングステンシリサ
イドＷＳｉｘが堆積する。しかし、タングステンシリサ
イドＷ Ｓ ｉ ｘもＷＦ。
０℃以上になると触媒ｌＯ自身にもタングステンシリサ
イドＷＳｉｘが堆積する。しかし、タングステンシリサ
イドＷ Ｓ ｉ ｘもＷＦ。
＋ Ｓ ｉ ＨｚＣ１□によりＷＳｉｘ膜を成長させる
反応に対して触媒として機能し得るので、本発明の効果
が失われることはない。
反応に対して触媒として機能し得るので、本発明の効果
が失われることはない。
尚、上記実施例においては、タングステンＷからなる触
媒１０がグリッド（格子）状に形成されていたが、これ
は反応ガスの流れを所望通りにすることの妨げにならな
いようにするためである。
媒１０がグリッド（格子）状に形成されていたが、これ
は反応ガスの流れを所望通りにすることの妨げにならな
いようにするためである。
従って、タングステンＷをグリッド状ではな（例えば平
板状にしても所望通りのガスの流れが得られる場合には
、グリッド状にすることは必要ではない。即ち、触媒の
形状は格子状に限定されるものではなく、第１図に示し
たＣＶＤ装置はあくまで本発明の一実施例にすぎないも
のである。
板状にしても所望通りのガスの流れが得られる場合には
、グリッド状にすることは必要ではない。即ち、触媒の
形状は格子状に限定されるものではなく、第１図に示し
たＣＶＤ装置はあくまで本発明の一実施例にすぎないも
のである。
また、触媒機能さえあればタングステンＷに代えて他の
材質ものを用いて触媒１０としても良い。一般に、金属
であれば触媒としての働きをする。
材質ものを用いて触媒１０としても良い。一般に、金属
であれば触媒としての働きをする。
このように、本発明ＣＶＤ装置には種々の変形例が考え
られ得る。
られ得る。
以上に述べたように、本発明ＣＶＤ装置は、被処理基体
近傍に触媒を配置してなることを特徴とするものである
。
近傍に触媒を配置してなることを特徴とするものである
。
従って、本発明ＣＶＤ装置によれば、被処理基体近傍に
触媒を配置したので、被処理基体の周辺に存在するコー
テイング膜の触媒作用により促進されるところの被処理
基体周縁部上における気相成長反応と同程度の激しさの
反応をその触媒により被処理基体中央部上においても生
ぜしめることができ、反応の激しさを被処理基体全面に
渡って均一にすることができる。従って、形成する成長
膜の膜厚、そして膜質なより均一にすることができる。
触媒を配置したので、被処理基体の周辺に存在するコー
テイング膜の触媒作用により促進されるところの被処理
基体周縁部上における気相成長反応と同程度の激しさの
反応をその触媒により被処理基体中央部上においても生
ぜしめることができ、反応の激しさを被処理基体全面に
渡って均一にすることができる。従って、形成する成長
膜の膜厚、そして膜質なより均一にすることができる。
第１図は本発明ＣＶＤ装置の一つの実施例を示す断面図
、第２図は発明が解決しようとする問題点を説明するた
めの断面図である。 （Ｈ，発明の効果） 符号の説明 ５・・・被処理基体、 １０・・・触媒。 芙廃ρ臆示引折面図 第１図 ｒｏ！Ｍ中を説明でろための断面図 第２図
、第２図は発明が解決しようとする問題点を説明するた
めの断面図である。 （Ｈ，発明の効果） 符号の説明 ５・・・被処理基体、 １０・・・触媒。 芙廃ρ臆示引折面図 第１図 ｒｏ！Ｍ中を説明でろための断面図 第２図
Claims (3)
- （１）被処理基体近傍に触媒が配置されてなることを特
徴とするＣＶＤ装置 - （２）触媒がグリッド状に形成されてなることを特徴と
する請求項（１）に記載の ＣＶＤ装置 - （３）グリッド状の触媒に加熱電流を流すようにされて
なることを特徴とする請求項（２）記載のＣＶＤ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044268A JP2864515B2 (ja) | 1989-02-25 | 1989-02-25 | 金属シリサイドの成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044268A JP2864515B2 (ja) | 1989-02-25 | 1989-02-25 | 金属シリサイドの成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224227A true JPH02224227A (ja) | 1990-09-06 |
| JP2864515B2 JP2864515B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=12686770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044268A Expired - Lifetime JP2864515B2 (ja) | 1989-02-25 | 1989-02-25 | 金属シリサイドの成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864515B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495270A (ja) * | 1972-04-29 | 1974-01-17 | ||
| JPS642598A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-06 | Iatron Lab Inc | Method for measuring calcium |
| JPS6417868A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Anelva Corp | Apparatus and method for forming film |
-
1989
- 1989-02-25 JP JP1044268A patent/JP2864515B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495270A (ja) * | 1972-04-29 | 1974-01-17 | ||
| JPS642598A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-06 | Iatron Lab Inc | Method for measuring calcium |
| JPS6417868A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Anelva Corp | Apparatus and method for forming film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2864515B2 (ja) | 1999-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5817576A (en) | Utilization of SiH4 soak and purge in deposition processes | |
| US5173327A (en) | LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices | |
| US6599367B1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| US7482283B2 (en) | Thin film forming method and thin film forming device | |
| JP3740508B2 (ja) | 窒化チタンのプラズマエンハンスアニール処理 | |
| KR100355914B1 (ko) | 저온플라즈마를이용한직접회로제조방법 | |
| JP3590416B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| JPH03287770A (ja) | 枚葉式常圧ｃｖｄ装置 | |
| US6306776B1 (en) | Catalytic breakdown of reactant gases in chemical vapor deposition | |
| JPH01143221A (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| JPH01204434A (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| JPH02224227A (ja) | 金属シリサイドの成膜方法 | |
| JP2650530B2 (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| JPH02271627A (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3154145B2 (ja) | Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法 | |
| JPH01253229A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3415491B2 (ja) | シリコン窒化膜の成膜方法 | |
| JPH04277627A (ja) | 枚葉型プラズマ化学気相成長装置 | |
| JP3100702B2 (ja) | 減圧化学反応方法及びその装置 | |
| JPS59159980A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2002141290A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000332012A (ja) | シリコン窒化膜の成膜方法 | |
| JPS6140770Y2 (ja) | ||
| JP2002343792A (ja) | 膜形成方法及び装置 | |
| JPS6369220A (ja) | ４族半導体薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071218 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081218 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091218 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091218 Year of fee payment: 11 |