JPH0222330A - 光学機器用素材 - Google Patents

光学機器用素材

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JPH0222330A
JPH0222330A JP63171728A JP17172888A JPH0222330A JP H0222330 A JPH0222330 A JP H0222330A JP 63171728 A JP63171728 A JP 63171728A JP 17172888 A JP17172888 A JP 17172888A JP H0222330 A JPH0222330 A JP H0222330A
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JP
Japan
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polycarbonate
hydroxyphenyl
bis
phenyl
component
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Pending
Application number
JP63171728A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyoshi Shigematsu
重松 一吉
Shigenori Shiromizu
重憲 白水
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Publication date
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  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
〔従来の技術〕
従来、光学機器用素材としては透明性の点からアクリル
樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン樹脂が用いられ
ている。アクリル樹脂は吸湿による変形があり光ディス
ク等の精密成形品には使用できないという問題がある。
また、ポリカーボネートは強度、耐湿熱性に優れてはい
るものの、その成形品は複屈折が大きいという欠点があ
る。ポリスチレン樹脂は十分な耐熱性がなく、複屈折も
大きいという欠点がある。
このポリカーボネートの複屈折を低減させるための試み
として、正の複屈折を有するポリカーボネート樹脂に負
の複屈折を有するポリスチレン樹脂を化学的に結合した
変性ポリカーボネートを用いることが提案されている(
特開昭61−19630号公報)。ところで、特開昭6
1−19630号公報において用いられているポリカー
ボネート成分は、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン〔通称ビスフェノールA〕を原料とするポ
リカーボネートが用いられており、これにスチレン系重
合体を結合すると耐熱性の低下が大きいという問題を有
している。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は、このような事情のもとで、耐熱性に優
れ、かつ複屈折が小さいポリカーボネート系の光学機器
用素材を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、特定の構造を有するポリカーボネート成分を
ポリスチレン成分と化学的に結合させることにより、耐
熱性に優れ、且つ複屈折が小さい光学機器用素材が得ら
れることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成
するに至った。
および 〔式中のX、Yは単結合、エーテル結合またはチオエー
テル結合、あるいは−5Ot− 00の値が5〜100であるポリカーボネート成分と、
スチレン系重合体成分とを化学的に結合した変性ポリカ
ーボネートからなることを特徴とする光学機器用素材を
提供するものである。
本発明のポリカーボネート成分は、例えば、−最大 (ただし、R1およびR4はそれぞれ水素原子、炭素数
1〜6のアルキル基またはフェニル基である)l (ただし、nは4〜8の整数である)を示し、X=Yで
もX−1’Yでもよ<、R1およびRXはそれぞれ水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン原子で
、!およびmはそれぞれ1〜4の整数である〕 で表される繰り返し単位を有し、かつ前記繰り返し単位
(1)および[II)のモル分率をそれぞれmおよびn
としたときの(x/ (x+y))X 1(式中のX、
YSR’、R2、!、mは前記と同じ意味をもつ) で表される二価フェノールと、炭酸エステル形成性化合
物とを反応させることにより、製造することができる。
原料として用いる前記−最大(I[[)で表される構造
を有する化合物としては、具体的にはビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(
3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、1.
2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、1,3−ビス(3−フェニル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フ
ェニル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1.4−ビ
ス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル
)オクタン、1.8−ビス(3−フェニル−4−ヒドロ
キシフェニル)オクタン、1−フェニル−1,1−ビス
(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、ジ
フェニル−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、■、1−ビス(3−フェニル−4ヒドロキ
シフエニル)シクロペンタン、1.1ビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(
3−フェニル−4ヒドロキシフエニル)スルホン、3,
3′−ジフェニル−4,41−ジヒドロキシビフェニル
、3゜3′−ジフェニル−4,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、3,3′−ジフェニル−4,4ジヒド
ロキシジフエニルスルフイドなどが挙げられる。
また、−最大(IV)で示される化合物としては、2.
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2
−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2.2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、4.4−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)へブタン、2.2−ビス(3
,5ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビ
ス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)スルホン、ビス(3゜5−ジメ°チルー4−ヒドロ
キシフェニル)スルフィド、ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンなどが挙げら
れる。
一方、炭酸エステル形成性化合物としては、例えばホス
ゲンや、ジフェニルカーボネート、ジP−トリルカーボ
ネート、フェニル−p−t−リルカーボネート、ジ−p
−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
トなどのビスアリールカーボネートが挙げられる。
ポリカーボネート成分の製造法としては、ビスフェノー
ルAからポリカーボネートを製造する際に用いられてい
る公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直
接反応、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボ
ネートとのエステル交換反応などの方法を採用すること
ができる。
前者の二価フェノールとホスゲンとの直接反応法におい
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
−最大(I[[)および(IV)で表される二価フェノ
ールとホスゲンとを反応させる。
酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、
縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよう
な第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調製するために、p−t−ブチルフ
ェノールやフェニルフェノールなどの分子量調節剤を添
加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ亜
硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止
剤を少量添加してもよい。
反応は通常0〜150°C1好ましくは5〜40°Cの
範囲の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左
右されるが、通常0.5分〜10時間、好ましくは1分
〜2時間である。また、反応中は、反応系のpHを10
以上に保持することが望ましい。
一方後者のエステル交換法においては、前記−最大(I
II)および(IV)で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる。反応は通常150〜350°C1好まし
くは200〜300°Cの範囲の温度において行われ、
また減圧度は最終で好ましくは1mm11g以下にして
、エステル交換反応により生成した該ビスアリールカー
ボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる
。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右される
が、通常1〜4時間程度である0反応は窒素やアルゴン
などの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また
、所望に応じ、前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを
添加して、反応を行ってもよい。
このようにして前記−最大 で表される繰り返し単位を有しており、(X/(x十y
))XI O0(7)値が5〜1ooOものを得る。ま
た、この値が5未満であると耐熱性の低下を招く、ポリ
カーボネート成分の粘度平均分子量(Mv)は4,00
0〜500.00(1)ものが好適に用いられる。
本発明のスチレン系重合体成分としてはポリスチレン、
またはスチレンと10モル%以下の他の共重合モノマー
との共重合体が用いられる。他の共重合モノマーとして
は例えばα−メチルスチレン、p−メチルスチレン、無
水マレイン酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル
、アクリロニトリル等を挙げることができる。このよう
なスチレン系重合体成分のうち、重量平均分子ii(M
W)が50,000〜400.000のものが好適に用
いられる。
前記ポリカーボネート成分とスチレン系重合体成分の割
合はポリカーボネート成分を50〜95重量%、スチレ
ン系重合体成分を50〜5重量%とすることが好ましい
。スチレン系重合体成分が50重量%を超えると耐熱性
が低下し、5重量%未満では複屈折の低減効果がない。
ポリカーボネート成分とスチレン系重合体成分を化学的
に結合させる方法については、特に限定されないが、例
えば次のような方法がある。
■ ポリカーボネート合成時にポリカーボネート中に共
重合し得る官能基を有するスチレン系重合体の存在下で
ポリカーボネートを合成する方法。
■ スチレン系モノマーに対するグラフト開始点を有し
、かつポリカーボネート中に共重合し得る官能基を有す
る化合物の存在下でポリカーボネートを合成し、スチレ
ン系モノマーを反応させる方法。
上記の■および■における官能基としては、フェノール
性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、カル
ボン酸クロリド基、第一級または第二級のアミノ基等を
挙げることができる。スチレン系重合体に官能基をもた
せる方法としては、スチレンとフェノール性水酸基を有
する不飽和単量体とを共重合する方法を挙げるとかでき
る。フェノール性水酸基を有する単量体としては、アリ
ルフェノール、メタアリルフェノール、イソプロペニル
フェノール、P−ビニルフェノール、N(p−ヒドロキ
シフェニル)マレイミド等を挙げることができる。また
、それぞれ該当する官能基を有するアゾビス化合物によ
りラジカル重合させる方法、またはブチルリチウム、リ
チウムナフタレン等のアニオン触媒によりリビング重合
せしめ、それぞれに該当する官能基を有する化合物で末
端停止させる方法が挙げられる。また、上記の■で用い
られる、スチレン系モノマーに対するグラフト開始点を
有し、かつポリカーボネート中に共重合し得る官能基を
有する化合物としては、例えば、グラフト開始点として
、極めて引き抜かれやすい水素を有する基、例えばビニ
ル若しくはアリル等の不飽和基または三級炭素若しくは
メルカプト基等を有し、かつ上記官能基としてフェノー
ル性水酸基を有するフェノール化合物を挙げることがで
きる。
これらのうち、カルボキシル基末端を有するポリスチレ
ンの存在下でポリカーボネートを合成する方法が好まし
く用いられる。
本発明の素材の成形法としては、通常ポリカーボネート
樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法、
圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるローリ
ンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意の
方法を使用することができる。
前記成形法においては、本発明の素材そのまま成形して
もよいが、所望に応じ、各種の成分、例えば着色や透明
性の劣化を防止するための亜リン酸エステル類、メルト
インデックス値を増大させるための可塑剤などを配合し
て成形してもよい。
この際使用される亜リン酸エステル類としては、例えば
トリブチルホスファイト、トリス(2−エチルヘキシル
)ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホス
ファイト、2−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフェニルホスファイト、フェニル−ジー2−
エチルへキシルホスファイト、フエニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
また、可塑剤としては、例えば2−エチルへキシルフタ
レート、n−ブチルフタレート、イソデシルフタレート
、トリデシルフタレート、ヘプチルフタレート、ノニル
フタレートなどのアルキルフタレート類、2−エチルへ
キシルアジペート、2−エチルヘキシルセバケートなど
の二基11のアルキルエステル類、リン酸トリブチル、
リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ
フェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキシ化
オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチルなど
のエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエステル
系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1 (1)ポリカーボネートオリゴマーの合成2N  KO
H水溶液650dに2.2−ビス(3−フェニル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン95g(0,25モル)
を溶解し、塩化メチレン250−を加え、激しく攪拌し
ながらホスゲンガスを1ffi/minの割で吹き込ん
だ。系中のPHがIOになった時点でホスゲンガスの吹
き込みを止め、攪拌を止め塩化メチレン層を静置分離し
ポリカーボネートオリゴマーを得た。
このオリゴマーの平均重合度は5であった。また末端ク
ロロホーメートの濃度は0.42 Nであった。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成 アルドリッチ社製カルボキシル基末端を有するポリスチ
レン(重量平均分子量Mw=250.000)18gを
塩化メチレン150−に溶解し、上記で得たポリカーボ
ネートオリゴマー300dに混合した0分子1aI!節
剤としてp−tert−ブチルフェノール1.2gを溶
解し、これを激しく攪拌しながら、2,2−ビス(3−
フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン16gt
−3NKOH150In1に溶解した溶液を添加した。
触媒としてトリエチルアミン0.05 M水溶液2.0
−を添加し、60分間反応させた0反応混合物を塩化メ
チレン1!で希釈し、水、O,OIN・塩酸、水の順に
洗浄し、ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の塩
化メチレン溶液を得た。これを51!。
のメタノールに投入し、共重合体を得た。
この重合体をキャビログラフで溶融紡糸して巻き取り、
その際、糸にかかる応力を横軸に、その糸の複屈折を縦
軸にとったときの直線の傾きを光弾性係数Cmとし、光
学異方性のパラメーターとした。この値は、射出成形品
に現れる複屈折に影響を与えるもので、その重合体に固
有の定数である。結果をまとめて表1に示した。
実施例2 (1)  ポリカーボネートオリゴマーの合成2.2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン95gの代わりに1−フェニルー1.1−ビス(3−
フェニル−4ヒドロキシフエニル)エタン110gを用
いたことを除き、実施例1の(1)と同様の操作をした
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成 カルボキシル基末端を有するポリスチレン18gの代わ
りに同ポリスチレン15gを用いる以外、実施例1の(
2)と同様の操作をした。結果をまとめて表1に示した
実施例3 (1)ポリカーボネートオリゴマーの合成2.2−ビス
(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン9
5gの代わりに1. 1−ヒス(3−フェニル−4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン104gを用いる以
外実施例工の(1)と同様の操作をした。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成 カルボキシル基末端を有するポリスチレン18gの代わ
りに同ポリスチレン14gを用いる以外、実施例1の(
2)と同様の操作をした。
結果をまとめて表1に示した。
実施例4 (1)  ポリカーボネートオリゴマーの合成2.2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン95gの代わりにビス(3−フェニル−4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン101gを用い2N  NaOH
で反応させる以外、実施例1の(1)と同様の操作をし
た。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成 カルボキシル基末端を有するポリスチレン18gの代わ
りに同ポリスチレン21gを用いる以外実施例Iの(2
)と同様に操作した。結果をまとめて表1に示した。
実施例5 実施例1の(1)のオリゴマーを用い、カルボキシル基
末端を有するポリスチレン18gの代わりに、アルドリ
ッチ社製両末端カルボキシル基を有するポリスチレン(
重量平均分子量Mw:i00,000)25gを用いる
以外実施例1の(2)と同様に操作した。結果をまとめ
て表1に示した。
実施例6 2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル
)プロパン95gの代わりに、2.2ビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン57g(0,i
5モル)と1−フェニル1.1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン29g(0,1モル)を用いてポリカ
ーボネートオリゴマーを合成した。
(2)実施例1の(2)と同様の操作によりポリカーボ
ネート/ポリスチレン共重合体を得た。
トを合成した。これらポリカーボネートの性質を第1表
に示す。
比較例1 ポリカーボネートの原料として2.2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンを用いたほかは実施例1と同
様にして、変性ポリカーボネートを得た。この変性ポリ
カーボネートの性質を第1表に示す。
参考例1〜4 実施例1〜4において用いた各二価フェノールを原料と
して、ホスゲン法によりポリカーボネー第1表 〔発明の効果〕 本発明により得られた光学機器用素材は、耐熱性に優れ
、かつ複屈折が小さく光学的性質に優れたもので、その
工業的価値は極めて大である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中のX、Yは単結合、エーテル結合またはチオエー
    テル結合、あるいは−SO_2−、▲数式、化学式、表
    等があります▼(ただし、R^3およびR^4はそれぞ
    れ水素原子、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル
    基である)または ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、nは4〜8の整数である)を示し、X=Yで
    もX≠Yでもよく、R^1およびR^2はそれぞれ水素
    原子、炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン原子で
    、lおよびmはそれぞれ1〜4の整数である〕 で表される繰り返し単位を有し、かつ前記繰り返し単位
    〔 I 〕および〔II〕のモル分率をそれぞれxおよびy
    としたときの(x/(x+y))×100の値が5〜1
    00であるポリカーボネート成分と、スチレン系重合体
    成分とを化学的に結合した変性ポリカーボネートからな
    ることを特徴とする光学機器用素材。
JP63171728A 1988-07-12 1988-07-12 光学機器用素材 Pending JPH0222330A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008516095A (ja) * 2004-10-04 2008-05-15 シューバース・ゲーエムベーハー 保護ヘルメット

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008516095A (ja) * 2004-10-04 2008-05-15 シューバース・ゲーエムベーハー 保護ヘルメット

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