JPH0222330A - 光学機器用素材 - Google Patents
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Landscapes
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
。
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
。
従来、光学機器用素材としては透明性の点からアクリル
樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン樹脂が用いられ
ている。アクリル樹脂は吸湿による変形があり光ディス
ク等の精密成形品には使用できないという問題がある。
樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン樹脂が用いられ
ている。アクリル樹脂は吸湿による変形があり光ディス
ク等の精密成形品には使用できないという問題がある。
また、ポリカーボネートは強度、耐湿熱性に優れてはい
るものの、その成形品は複屈折が大きいという欠点があ
る。ポリスチレン樹脂は十分な耐熱性がなく、複屈折も
大きいという欠点がある。
るものの、その成形品は複屈折が大きいという欠点があ
る。ポリスチレン樹脂は十分な耐熱性がなく、複屈折も
大きいという欠点がある。
このポリカーボネートの複屈折を低減させるための試み
として、正の複屈折を有するポリカーボネート樹脂に負
の複屈折を有するポリスチレン樹脂を化学的に結合した
変性ポリカーボネートを用いることが提案されている(
特開昭61−19630号公報)。ところで、特開昭6
1−19630号公報において用いられているポリカー
ボネート成分は、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン〔通称ビスフェノールA〕を原料とするポ
リカーボネートが用いられており、これにスチレン系重
合体を結合すると耐熱性の低下が大きいという問題を有
している。
として、正の複屈折を有するポリカーボネート樹脂に負
の複屈折を有するポリスチレン樹脂を化学的に結合した
変性ポリカーボネートを用いることが提案されている(
特開昭61−19630号公報)。ところで、特開昭6
1−19630号公報において用いられているポリカー
ボネート成分は、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン〔通称ビスフェノールA〕を原料とするポ
リカーボネートが用いられており、これにスチレン系重
合体を結合すると耐熱性の低下が大きいという問題を有
している。
本発明の目的は、このような事情のもとで、耐熱性に優
れ、かつ複屈折が小さいポリカーボネート系の光学機器
用素材を提供することにある。
れ、かつ複屈折が小さいポリカーボネート系の光学機器
用素材を提供することにある。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、特定の構造を有するポリカーボネート成分を
ポリスチレン成分と化学的に結合させることにより、耐
熱性に優れ、且つ複屈折が小さい光学機器用素材が得ら
れることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成
するに至った。
ねた結果、特定の構造を有するポリカーボネート成分を
ポリスチレン成分と化学的に結合させることにより、耐
熱性に優れ、且つ複屈折が小さい光学機器用素材が得ら
れることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成
するに至った。
および
〔式中のX、Yは単結合、エーテル結合またはチオエー
テル結合、あるいは−5Ot− 00の値が5〜100であるポリカーボネート成分と、
スチレン系重合体成分とを化学的に結合した変性ポリカ
ーボネートからなることを特徴とする光学機器用素材を
提供するものである。
テル結合、あるいは−5Ot− 00の値が5〜100であるポリカーボネート成分と、
スチレン系重合体成分とを化学的に結合した変性ポリカ
ーボネートからなることを特徴とする光学機器用素材を
提供するものである。
本発明のポリカーボネート成分は、例えば、−最大
(ただし、R1およびR4はそれぞれ水素原子、炭素数
1〜6のアルキル基またはフェニル基である)l (ただし、nは4〜8の整数である)を示し、X=Yで
もX−1’Yでもよ<、R1およびRXはそれぞれ水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン原子で
、!およびmはそれぞれ1〜4の整数である〕 で表される繰り返し単位を有し、かつ前記繰り返し単位
(1)および[II)のモル分率をそれぞれmおよびn
としたときの(x/ (x+y))X 1(式中のX、
YSR’、R2、!、mは前記と同じ意味をもつ) で表される二価フェノールと、炭酸エステル形成性化合
物とを反応させることにより、製造することができる。
1〜6のアルキル基またはフェニル基である)l (ただし、nは4〜8の整数である)を示し、X=Yで
もX−1’Yでもよ<、R1およびRXはそれぞれ水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン原子で
、!およびmはそれぞれ1〜4の整数である〕 で表される繰り返し単位を有し、かつ前記繰り返し単位
(1)および[II)のモル分率をそれぞれmおよびn
としたときの(x/ (x+y))X 1(式中のX、
YSR’、R2、!、mは前記と同じ意味をもつ) で表される二価フェノールと、炭酸エステル形成性化合
物とを反応させることにより、製造することができる。
原料として用いる前記−最大(I[[)で表される構造
を有する化合物としては、具体的にはビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(
3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、1.
2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、1,3−ビス(3−フェニル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フ
ェニル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1.4−ビ
ス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル
)オクタン、1.8−ビス(3−フェニル−4−ヒドロ
キシフェニル)オクタン、1−フェニル−1,1−ビス
(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、ジ
フェニル−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、■、1−ビス(3−フェニル−4ヒドロキ
シフエニル)シクロペンタン、1.1ビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(
3−フェニル−4ヒドロキシフエニル)スルホン、3,
3′−ジフェニル−4,41−ジヒドロキシビフェニル
、3゜3′−ジフェニル−4,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、3,3′−ジフェニル−4,4ジヒド
ロキシジフエニルスルフイドなどが挙げられる。
を有する化合物としては、具体的にはビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(
3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、1.
2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、1,3−ビス(3−フェニル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−フ
ェニル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1.4−ビ
ス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル
)オクタン、1.8−ビス(3−フェニル−4−ヒドロ
キシフェニル)オクタン、1−フェニル−1,1−ビス
(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)エタン、ジ
フェニル−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、■、1−ビス(3−フェニル−4ヒドロキ
シフエニル)シクロペンタン、1.1ビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(
3−フェニル−4ヒドロキシフエニル)スルホン、3,
3′−ジフェニル−4,41−ジヒドロキシビフェニル
、3゜3′−ジフェニル−4,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、3,3′−ジフェニル−4,4ジヒド
ロキシジフエニルスルフイドなどが挙げられる。
また、−最大(IV)で示される化合物としては、2.
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2
−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2.2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、4.4−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)へブタン、2.2−ビス(3
,5ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビ
ス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)スルホン、ビス(3゜5−ジメ°チルー4−ヒドロ
キシフェニル)スルフィド、ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンなどが挙げら
れる。
2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2
−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2.2−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、4.4−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)へブタン、2.2−ビス(3
,5ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビ
ス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビ
ス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)スルホン、ビス(3゜5−ジメ°チルー4−ヒドロ
キシフェニル)スルフィド、ビス(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンなどが挙げら
れる。
一方、炭酸エステル形成性化合物としては、例えばホス
ゲンや、ジフェニルカーボネート、ジP−トリルカーボ
ネート、フェニル−p−t−リルカーボネート、ジ−p
−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
トなどのビスアリールカーボネートが挙げられる。
ゲンや、ジフェニルカーボネート、ジP−トリルカーボ
ネート、フェニル−p−t−リルカーボネート、ジ−p
−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
トなどのビスアリールカーボネートが挙げられる。
ポリカーボネート成分の製造法としては、ビスフェノー
ルAからポリカーボネートを製造する際に用いられてい
る公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直
接反応、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボ
ネートとのエステル交換反応などの方法を採用すること
ができる。
ルAからポリカーボネートを製造する際に用いられてい
る公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直
接反応、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボ
ネートとのエステル交換反応などの方法を採用すること
ができる。
前者の二価フェノールとホスゲンとの直接反応法におい
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
−最大(I[[)および(IV)で表される二価フェノ
ールとホスゲンとを反応させる。
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
−最大(I[[)および(IV)で表される二価フェノ
ールとホスゲンとを反応させる。
酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、
縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよう
な第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調製するために、p−t−ブチルフ
ェノールやフェニルフェノールなどの分子量調節剤を添
加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ亜
硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止
剤を少量添加してもよい。
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、
縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよう
な第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調製するために、p−t−ブチルフ
ェノールやフェニルフェノールなどの分子量調節剤を添
加して反応を行うことが望ましい。また、所望に応じ亜
硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止
剤を少量添加してもよい。
反応は通常0〜150°C1好ましくは5〜40°Cの
範囲の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左
右されるが、通常0.5分〜10時間、好ましくは1分
〜2時間である。また、反応中は、反応系のpHを10
以上に保持することが望ましい。
範囲の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左
右されるが、通常0.5分〜10時間、好ましくは1分
〜2時間である。また、反応中は、反応系のpHを10
以上に保持することが望ましい。
一方後者のエステル交換法においては、前記−最大(I
II)および(IV)で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる。反応は通常150〜350°C1好まし
くは200〜300°Cの範囲の温度において行われ、
また減圧度は最終で好ましくは1mm11g以下にして
、エステル交換反応により生成した該ビスアリールカー
ボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる
。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右される
が、通常1〜4時間程度である0反応は窒素やアルゴン
などの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また
、所望に応じ、前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを
添加して、反応を行ってもよい。
II)および(IV)で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる。反応は通常150〜350°C1好まし
くは200〜300°Cの範囲の温度において行われ、
また減圧度は最終で好ましくは1mm11g以下にして
、エステル交換反応により生成した該ビスアリールカー
ボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる
。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右される
が、通常1〜4時間程度である0反応は窒素やアルゴン
などの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また
、所望に応じ、前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを
添加して、反応を行ってもよい。
このようにして前記−最大
で表される繰り返し単位を有しており、(X/(x十y
))XI O0(7)値が5〜1ooOものを得る。ま
た、この値が5未満であると耐熱性の低下を招く、ポリ
カーボネート成分の粘度平均分子量(Mv)は4,00
0〜500.00(1)ものが好適に用いられる。
))XI O0(7)値が5〜1ooOものを得る。ま
た、この値が5未満であると耐熱性の低下を招く、ポリ
カーボネート成分の粘度平均分子量(Mv)は4,00
0〜500.00(1)ものが好適に用いられる。
本発明のスチレン系重合体成分としてはポリスチレン、
またはスチレンと10モル%以下の他の共重合モノマー
との共重合体が用いられる。他の共重合モノマーとして
は例えばα−メチルスチレン、p−メチルスチレン、無
水マレイン酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル
、アクリロニトリル等を挙げることができる。このよう
なスチレン系重合体成分のうち、重量平均分子ii(M
W)が50,000〜400.000のものが好適に用
いられる。
またはスチレンと10モル%以下の他の共重合モノマー
との共重合体が用いられる。他の共重合モノマーとして
は例えばα−メチルスチレン、p−メチルスチレン、無
水マレイン酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル
、アクリロニトリル等を挙げることができる。このよう
なスチレン系重合体成分のうち、重量平均分子ii(M
W)が50,000〜400.000のものが好適に用
いられる。
前記ポリカーボネート成分とスチレン系重合体成分の割
合はポリカーボネート成分を50〜95重量%、スチレ
ン系重合体成分を50〜5重量%とすることが好ましい
。スチレン系重合体成分が50重量%を超えると耐熱性
が低下し、5重量%未満では複屈折の低減効果がない。
合はポリカーボネート成分を50〜95重量%、スチレ
ン系重合体成分を50〜5重量%とすることが好ましい
。スチレン系重合体成分が50重量%を超えると耐熱性
が低下し、5重量%未満では複屈折の低減効果がない。
ポリカーボネート成分とスチレン系重合体成分を化学的
に結合させる方法については、特に限定されないが、例
えば次のような方法がある。
に結合させる方法については、特に限定されないが、例
えば次のような方法がある。
■ ポリカーボネート合成時にポリカーボネート中に共
重合し得る官能基を有するスチレン系重合体の存在下で
ポリカーボネートを合成する方法。
重合し得る官能基を有するスチレン系重合体の存在下で
ポリカーボネートを合成する方法。
■ スチレン系モノマーに対するグラフト開始点を有し
、かつポリカーボネート中に共重合し得る官能基を有す
る化合物の存在下でポリカーボネートを合成し、スチレ
ン系モノマーを反応させる方法。
、かつポリカーボネート中に共重合し得る官能基を有す
る化合物の存在下でポリカーボネートを合成し、スチレ
ン系モノマーを反応させる方法。
上記の■および■における官能基としては、フェノール
性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、カル
ボン酸クロリド基、第一級または第二級のアミノ基等を
挙げることができる。スチレン系重合体に官能基をもた
せる方法としては、スチレンとフェノール性水酸基を有
する不飽和単量体とを共重合する方法を挙げるとかでき
る。フェノール性水酸基を有する単量体としては、アリ
ルフェノール、メタアリルフェノール、イソプロペニル
フェノール、P−ビニルフェノール、N(p−ヒドロキ
シフェニル)マレイミド等を挙げることができる。また
、それぞれ該当する官能基を有するアゾビス化合物によ
りラジカル重合させる方法、またはブチルリチウム、リ
チウムナフタレン等のアニオン触媒によりリビング重合
せしめ、それぞれに該当する官能基を有する化合物で末
端停止させる方法が挙げられる。また、上記の■で用い
られる、スチレン系モノマーに対するグラフト開始点を
有し、かつポリカーボネート中に共重合し得る官能基を
有する化合物としては、例えば、グラフト開始点として
、極めて引き抜かれやすい水素を有する基、例えばビニ
ル若しくはアリル等の不飽和基または三級炭素若しくは
メルカプト基等を有し、かつ上記官能基としてフェノー
ル性水酸基を有するフェノール化合物を挙げることがで
きる。
性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、カル
ボン酸クロリド基、第一級または第二級のアミノ基等を
挙げることができる。スチレン系重合体に官能基をもた
せる方法としては、スチレンとフェノール性水酸基を有
する不飽和単量体とを共重合する方法を挙げるとかでき
る。フェノール性水酸基を有する単量体としては、アリ
ルフェノール、メタアリルフェノール、イソプロペニル
フェノール、P−ビニルフェノール、N(p−ヒドロキ
シフェニル)マレイミド等を挙げることができる。また
、それぞれ該当する官能基を有するアゾビス化合物によ
りラジカル重合させる方法、またはブチルリチウム、リ
チウムナフタレン等のアニオン触媒によりリビング重合
せしめ、それぞれに該当する官能基を有する化合物で末
端停止させる方法が挙げられる。また、上記の■で用い
られる、スチレン系モノマーに対するグラフト開始点を
有し、かつポリカーボネート中に共重合し得る官能基を
有する化合物としては、例えば、グラフト開始点として
、極めて引き抜かれやすい水素を有する基、例えばビニ
ル若しくはアリル等の不飽和基または三級炭素若しくは
メルカプト基等を有し、かつ上記官能基としてフェノー
ル性水酸基を有するフェノール化合物を挙げることがで
きる。
これらのうち、カルボキシル基末端を有するポリスチレ
ンの存在下でポリカーボネートを合成する方法が好まし
く用いられる。
ンの存在下でポリカーボネートを合成する方法が好まし
く用いられる。
本発明の素材の成形法としては、通常ポリカーボネート
樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法、
圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるローリ
ンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意の
方法を使用することができる。
樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法、
圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるローリ
ンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意の
方法を使用することができる。
前記成形法においては、本発明の素材そのまま成形して
もよいが、所望に応じ、各種の成分、例えば着色や透明
性の劣化を防止するための亜リン酸エステル類、メルト
インデックス値を増大させるための可塑剤などを配合し
て成形してもよい。
もよいが、所望に応じ、各種の成分、例えば着色や透明
性の劣化を防止するための亜リン酸エステル類、メルト
インデックス値を増大させるための可塑剤などを配合し
て成形してもよい。
この際使用される亜リン酸エステル類としては、例えば
トリブチルホスファイト、トリス(2−エチルヘキシル
)ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホス
ファイト、2−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフェニルホスファイト、フェニル−ジー2−
エチルへキシルホスファイト、フエニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
トリブチルホスファイト、トリス(2−エチルヘキシル
)ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホス
ファイト、2−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフェニルホスファイト、フェニル−ジー2−
エチルへキシルホスファイト、フエニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
また、可塑剤としては、例えば2−エチルへキシルフタ
レート、n−ブチルフタレート、イソデシルフタレート
、トリデシルフタレート、ヘプチルフタレート、ノニル
フタレートなどのアルキルフタレート類、2−エチルへ
キシルアジペート、2−エチルヘキシルセバケートなど
の二基11のアルキルエステル類、リン酸トリブチル、
リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ
フェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキシ化
オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチルなど
のエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエステル
系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられる。
レート、n−ブチルフタレート、イソデシルフタレート
、トリデシルフタレート、ヘプチルフタレート、ノニル
フタレートなどのアルキルフタレート類、2−エチルへ
キシルアジペート、2−エチルヘキシルセバケートなど
の二基11のアルキルエステル類、リン酸トリブチル、
リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ
フェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキシ化
オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチルなど
のエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエステル
系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられる。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
(1)ポリカーボネートオリゴマーの合成2N KO
H水溶液650dに2.2−ビス(3−フェニル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン95g(0,25モル)
を溶解し、塩化メチレン250−を加え、激しく攪拌し
ながらホスゲンガスを1ffi/minの割で吹き込ん
だ。系中のPHがIOになった時点でホスゲンガスの吹
き込みを止め、攪拌を止め塩化メチレン層を静置分離し
ポリカーボネートオリゴマーを得た。
H水溶液650dに2.2−ビス(3−フェニル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン95g(0,25モル)
を溶解し、塩化メチレン250−を加え、激しく攪拌し
ながらホスゲンガスを1ffi/minの割で吹き込ん
だ。系中のPHがIOになった時点でホスゲンガスの吹
き込みを止め、攪拌を止め塩化メチレン層を静置分離し
ポリカーボネートオリゴマーを得た。
このオリゴマーの平均重合度は5であった。また末端ク
ロロホーメートの濃度は0.42 Nであった。
ロロホーメートの濃度は0.42 Nであった。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成
アルドリッチ社製カルボキシル基末端を有するポリスチ
レン(重量平均分子量Mw=250.000)18gを
塩化メチレン150−に溶解し、上記で得たポリカーボ
ネートオリゴマー300dに混合した0分子1aI!節
剤としてp−tert−ブチルフェノール1.2gを溶
解し、これを激しく攪拌しながら、2,2−ビス(3−
フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン16gt
−3NKOH150In1に溶解した溶液を添加した。
レン(重量平均分子量Mw=250.000)18gを
塩化メチレン150−に溶解し、上記で得たポリカーボ
ネートオリゴマー300dに混合した0分子1aI!節
剤としてp−tert−ブチルフェノール1.2gを溶
解し、これを激しく攪拌しながら、2,2−ビス(3−
フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン16gt
−3NKOH150In1に溶解した溶液を添加した。
触媒としてトリエチルアミン0.05 M水溶液2.0
−を添加し、60分間反応させた0反応混合物を塩化メ
チレン1!で希釈し、水、O,OIN・塩酸、水の順に
洗浄し、ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の塩
化メチレン溶液を得た。これを51!。
−を添加し、60分間反応させた0反応混合物を塩化メ
チレン1!で希釈し、水、O,OIN・塩酸、水の順に
洗浄し、ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の塩
化メチレン溶液を得た。これを51!。
のメタノールに投入し、共重合体を得た。
この重合体をキャビログラフで溶融紡糸して巻き取り、
その際、糸にかかる応力を横軸に、その糸の複屈折を縦
軸にとったときの直線の傾きを光弾性係数Cmとし、光
学異方性のパラメーターとした。この値は、射出成形品
に現れる複屈折に影響を与えるもので、その重合体に固
有の定数である。結果をまとめて表1に示した。
その際、糸にかかる応力を横軸に、その糸の複屈折を縦
軸にとったときの直線の傾きを光弾性係数Cmとし、光
学異方性のパラメーターとした。この値は、射出成形品
に現れる複屈折に影響を与えるもので、その重合体に固
有の定数である。結果をまとめて表1に示した。
実施例2
(1) ポリカーボネートオリゴマーの合成2.2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン95gの代わりに1−フェニルー1.1−ビス(3−
フェニル−4ヒドロキシフエニル)エタン110gを用
いたことを除き、実施例1の(1)と同様の操作をした
。
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン95gの代わりに1−フェニルー1.1−ビス(3−
フェニル−4ヒドロキシフエニル)エタン110gを用
いたことを除き、実施例1の(1)と同様の操作をした
。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成
カルボキシル基末端を有するポリスチレン18gの代わ
りに同ポリスチレン15gを用いる以外、実施例1の(
2)と同様の操作をした。結果をまとめて表1に示した
。
りに同ポリスチレン15gを用いる以外、実施例1の(
2)と同様の操作をした。結果をまとめて表1に示した
。
実施例3
(1)ポリカーボネートオリゴマーの合成2.2−ビス
(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン9
5gの代わりに1. 1−ヒス(3−フェニル−4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン104gを用いる以
外実施例工の(1)と同様の操作をした。
(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン9
5gの代わりに1. 1−ヒス(3−フェニル−4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン104gを用いる以
外実施例工の(1)と同様の操作をした。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成
カルボキシル基末端を有するポリスチレン18gの代わ
りに同ポリスチレン14gを用いる以外、実施例1の(
2)と同様の操作をした。
りに同ポリスチレン14gを用いる以外、実施例1の(
2)と同様の操作をした。
結果をまとめて表1に示した。
実施例4
(1) ポリカーボネートオリゴマーの合成2.2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン95gの代わりにビス(3−フェニル−4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン101gを用い2N NaOH
で反応させる以外、実施例1の(1)と同様の操作をし
た。
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン95gの代わりにビス(3−フェニル−4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン101gを用い2N NaOH
で反応させる以外、実施例1の(1)と同様の操作をし
た。
(2)ポリカーボネート/ポリスチレン共重合体の合成
カルボキシル基末端を有するポリスチレン18gの代わ
りに同ポリスチレン21gを用いる以外実施例Iの(2
)と同様に操作した。結果をまとめて表1に示した。
りに同ポリスチレン21gを用いる以外実施例Iの(2
)と同様に操作した。結果をまとめて表1に示した。
実施例5
実施例1の(1)のオリゴマーを用い、カルボキシル基
末端を有するポリスチレン18gの代わりに、アルドリ
ッチ社製両末端カルボキシル基を有するポリスチレン(
重量平均分子量Mw:i00,000)25gを用いる
以外実施例1の(2)と同様に操作した。結果をまとめ
て表1に示した。
末端を有するポリスチレン18gの代わりに、アルドリ
ッチ社製両末端カルボキシル基を有するポリスチレン(
重量平均分子量Mw:i00,000)25gを用いる
以外実施例1の(2)と同様に操作した。結果をまとめ
て表1に示した。
実施例6
2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル
)プロパン95gの代わりに、2.2ビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン57g(0,i
5モル)と1−フェニル1.1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン29g(0,1モル)を用いてポリカ
ーボネートオリゴマーを合成した。
)プロパン95gの代わりに、2.2ビス(3−フェニ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン57g(0,i
5モル)と1−フェニル1.1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン29g(0,1モル)を用いてポリカ
ーボネートオリゴマーを合成した。
(2)実施例1の(2)と同様の操作によりポリカーボ
ネート/ポリスチレン共重合体を得た。
ネート/ポリスチレン共重合体を得た。
トを合成した。これらポリカーボネートの性質を第1表
に示す。
に示す。
比較例1
ポリカーボネートの原料として2.2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンを用いたほかは実施例1と同
様にして、変性ポリカーボネートを得た。この変性ポリ
カーボネートの性質を第1表に示す。
ロキシフェニル)プロパンを用いたほかは実施例1と同
様にして、変性ポリカーボネートを得た。この変性ポリ
カーボネートの性質を第1表に示す。
参考例1〜4
実施例1〜4において用いた各二価フェノールを原料と
して、ホスゲン法によりポリカーボネー第1表 〔発明の効果〕 本発明により得られた光学機器用素材は、耐熱性に優れ
、かつ複屈折が小さく光学的性質に優れたもので、その
工業的価値は極めて大である。
して、ホスゲン法によりポリカーボネー第1表 〔発明の効果〕 本発明により得られた光学機器用素材は、耐熱性に優れ
、かつ複屈折が小さく光学的性質に優れたもので、その
工業的価値は極めて大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中のX、Yは単結合、エーテル結合またはチオエー
テル結合、あるいは−SO_2−、▲数式、化学式、表
等があります▼(ただし、R^3およびR^4はそれぞ
れ水素原子、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル
基である)または ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、nは4〜8の整数である)を示し、X=Yで
もX≠Yでもよく、R^1およびR^2はそれぞれ水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン原子で
、lおよびmはそれぞれ1〜4の整数である〕 で表される繰り返し単位を有し、かつ前記繰り返し単位
〔 I 〕および〔II〕のモル分率をそれぞれxおよびy
としたときの(x/(x+y))×100の値が5〜1
00であるポリカーボネート成分と、スチレン系重合体
成分とを化学的に結合した変性ポリカーボネートからな
ることを特徴とする光学機器用素材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63171728A JPH0222330A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 光学機器用素材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63171728A JPH0222330A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 光学機器用素材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0222330A true JPH0222330A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15928576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63171728A Pending JPH0222330A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 光学機器用素材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0222330A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008516095A (ja) * | 2004-10-04 | 2008-05-15 | シューバース・ゲーエムベーハー | 保護ヘルメット |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63171728A patent/JPH0222330A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008516095A (ja) * | 2004-10-04 | 2008-05-15 | シューバース・ゲーエムベーハー | 保護ヘルメット |
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